CN110257778A - 用于脉冲激光沉积的方法 - Google Patents

用于脉冲激光沉积的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110257778A
CN110257778A CN201910182218.6A CN201910182218A CN110257778A CN 110257778 A CN110257778 A CN 110257778A CN 201910182218 A CN201910182218 A CN 201910182218A CN 110257778 A CN110257778 A CN 110257778A
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
point
pulse laser
laser beam
method described
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910182218.6A
Other languages
English (en)
Inventor
J·A·扬森斯
J·M·德克斯
K·H·A·伯姆
J·A·霍伊费尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
SOLMATES BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SOLMATES BV filed Critical SOLMATES BV
Publication of CN110257778A publication Critical patent/CN110257778A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32321—Discharge generated by other radiation
    • H01J37/32339—Discharge generated by other radiation using electromagnetic radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/021—Cleaning or etching treatments
    • C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/028—Physical treatment to alter the texture of the substrate surface, e.g. grinding, polishing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3485—Sputtering using pulsed power to the target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于脉冲激光沉积的方法，它包括以下步骤：提供靶和面对靶的基板；利用脉冲激光束照射靶上的点，以便产生靶材料的等离子体羽流，并使得等离子体羽流沉积在基板上；在利用脉冲激光束照射点之前使得靶上的点的表面结构平滑。

Description

用于脉冲激光沉积的方法
技术领域
本发明涉及一种用于脉冲激光沉积方法，包括以下步骤：
-提供靶和面对靶的基板；
-利用脉冲激光束照射靶上的点，以便产生靶材料的等离子体羽流，并使得等离子体羽流沉积在基板上。
背景技术
这种方法例如由EP2159300中已知。在该文献中介绍了一种方法，其中，靶材料能够沉积在大的基板表面上。为此，通过照射靶而产生的等离子体羽流在基板上面运动，以使得等离子体沉积在基板的整个表面上。
为了减少靶材料的磨损，激光束在靶材料上面运动，以使得靶材料的全部表面用于产生等离子体羽流，且靶的磨损均匀地分布在靶的表面上。
不过，当在靶上的点处产生等离子体羽流时，该特殊点的表面结构变粗糙，且当该点第二次用于产生等离子体羽流时，等离子体羽流的特征将与第一次不同。
在产生第一等离子体羽流之后，产生的热量将使得靶表面中出现裂缝。这些裂缝能够在通过由激光束照射而反复加热之后生长，并可能导致部分靶材料松脱，而不是转变成等离子体羽流。这些松脱的颗粒会使基板上的沉积变差。
而且，当产生等离子体羽流时，靶材料的表面将不会均匀地熔蚀。这种不均匀性将使得第二次产生的等离子体羽流扭曲，并可能导致等离子体羽流的方向偏离成指向基板。特别是，当要向较大的基板表面提供靶材料时，该方向偏离将引起沉积层的不均匀。
最后，在产生第一等离子体羽流之后，靶材料的液滴能够粘附在点的表面时，该液滴将在相同点上产生第二等离子体羽流时松脱。这些松脱的液滴将与第二等离子体羽流一起被获取，并将污染沉积的层。
US5660746公开了一种方法，其中，首先加热在靶材料上的点，以使得靶材料熔化，然后，在靶没有运动的情况下，相同点由脉冲激光照射，以便产生等离子体羽流。实际上，在脉冲激光沉积过程中，靶材料以液体形式来使用。使用液态靶材料的优点是不可能存在裂缝，且由于靶材料的液态，表面为基本平坦。
由于靶材料的熔融阶段非常短，因此用于熔化靶材料的激光束脉冲和用于照射靶材料以便产生等离子体羽流的激光束脉冲需要在几十纳秒内彼此跟随。这些后续激光束脉冲的定时已经非常困难，而熔化射束和照射射束的强度也要正确控制。
当靶运动或旋转时以及当激光束的脉冲频率将变化时，控制的复杂性将进一步增加。
当该方法应用于运动或旋转靶时，它将不起作用，因为用于熔化靶的脉冲激光和用于产生等离子体羽流的脉冲激光指向相同位置。因此，在运动或旋转靶的情况下，在用于产生等离子体羽流的激光发射之前，靶的熔化部分将离开。
发明内容
因此，本发明的目的是减小或甚至消除上述缺点。
根据本发明，该目的通过根据前序部分的方法来实现，其特征在于，在利用脉冲激光束照射靶上的点之前使得点的表面结构平滑。
通过本发明，通过平滑步骤来制备靶上的点的表面结构。当表面结构平滑时，能够通过利用激光束照射平滑点来产生等离子体羽流。
本发明的优点在于，激光束的各个脉冲能够引导至靶材料的、具有平滑表面结构的点上，该表面结构没有裂缝和液滴，以使得产生的等离子体羽流对于各脉冲都有类似质量，从而导致高质量的沉积层。
尽管优选是每个等离子体羽流产生步骤都有平滑步骤，但是每多个等离子体羽流产生步骤有一个平滑步骤也就足够。这可以例如取决于靶的材料类型和表面结构的劣化速率。
根据本发明方法的优选实施例还包括使得具有平滑点的靶运动至用于照射该平滑点的脉冲激光束下面的步骤。
通过使得平滑点运动至脉冲激光束下面，能够使得平滑步骤和照射步骤间隔开。
在根据本发明方法的优选实施例中，平滑步骤包括加热步骤，其中，至少点的表面结构的上部层通过能量束来熔化，能量束例如激光束，其中，该能量束的能量低于等离子体产生阈值。
通过熔化该点的表面结构的上部层，任何不规则部和任何裂缝都将被平滑，并获得最佳的表面结构，以便通过脉冲激光束照射和产生等离子体羽流。
熔化该点上部层的能量束的能量必须低于产生等离子体所需的能量，否则将过早地产生等离子体羽流，表面结构将不会被平滑。
这明确放弃了根据US5660746的方法，在根据US5660746的方法中，首先加热靶材料上的点，以使得靶材料熔化，然后，在没有靶运动的情况下，相同的点由脉冲激光照射，以便产生等离子体羽流。
在根据本发明方法的还一实施例中，至少上部层能够在该点由脉冲激光束照射之前固化。
平滑点朝向照射该点的位置的运动提供了用于使得液体靶材料再次固化的时间，并取决于要结晶的材料。靶材料上的固化点已经获得平滑的表面结构，这能够产生最佳的等离子体羽流和使得材料在基板上沉积。
在根据本发明方法的另一优选实施例中，平滑步骤包括对靶上的点的表面结构进行粒子轰击处理，以便除去粘附的颗粒。
粒子轰击能够提供有例如离子束、电子束或光子束。粒子轰击将从靶材料上撞击粘附的颗粒。由于平滑步骤的位置与产生等离子体羽流的步骤并不一致，因此当利用粒子轰击进行平滑时能够屏蔽基板，且除去的颗粒能够由例如屏蔽件来捕获，以使得它们不会影响基板。
优选是，粒子轰击处理步骤和热处理一个接一个地执行，或者可以组合在单个步骤中。这能够除去粘附的颗粒以及除去任何其它的表面不规则部和裂缝，从而获得在靶上的点的最佳平滑表面结构，然后能够利用脉冲激光束来照射该点。
在根据本发明方法的还一实施例中，在平滑步骤之后，靶进行运动，以便将靶的、具有平滑表面结构的点定位在入射脉冲激光束下面。
这使得平滑步骤能够在与激光束照射于靶上的位置不同的另一位置处施加于靶上。它的优点在于，来源于平滑步骤的任何碎屑或损失颗粒都能够被捕获或过滤，从而不影响真正的沉积处理。
在根据本发明方法的又一优选实施例中，靶进行运动，例如旋转或平移，且控制靶的位移速度、靶上的点的平滑以及点的照射，以使得靶的平滑点在脉冲激光照射靶时到达。
这使得协调和间隔开的位置能够用于执行平滑步骤和照射步骤。
优选是，在用于靶上的相同点的一个或多个照射步骤之后重复平滑步骤。
附图说明
下面结合附图将阐明本发明的这些和其它特征。
图1表示了根据本发明方法的实施例的示意图。
图2A-2D表示了在根据本发明方法的不同阶段中靶的表面结构的放大剖视图。
具体实施方式
图1表示了靶材料1的盘，该盘以所需的旋转速度旋转。当沿旋转轴的方向看时，基板2布置在上面和局部重叠，该基板2也旋转，以使得基板的整个表面能够提供有一层靶材料。
图1表示了在不同时间间隔后在靶1上的相同点3，相同点3的不同时间间隔用字母A-D表示。
点3A由激光束4的先前照射而熔蚀，具有如图2A中所示的表面结构。点3A的表面结构有多个锥体5、裂缝6和粘附的颗粒7。
由于靶1的旋转，点3位于粒子轰击装置8(例如离子束、电子束或光子束)的下面，该粒子轰击装置8将大量粒子发射至点3的表面上，以便除去颗粒7。
如图2B中所示，点3已经清除粘附的颗粒7，但仍然有锥体5和裂缝6。
通过靶1的进一步旋转，点3位于用于加热点3的靶材料的第二脉冲激光束9或其它装置的下面，以使得至少点3的表面结构的上部层熔化。在固化后，点3具有平滑的表面结构，而没有锥体5或裂缝6，如图2C中所示。
最后，点3通过靶1的旋转而进一步运动至脉冲激光器4的下面，从而通过脉冲激光4在区域3处在靶1上的照射而产生等离子体羽流10。如在图2D中可见，等离子体羽流10的产生使得表面结构再次不规则，直到如图2A中所示的结构。通过重复该平滑步骤，区域3的表面结构能够再次平滑。

Claims (9)

1.用于脉冲激光沉积的方法，包括以下步骤：
-提供靶和面对靶的基板；
-利用脉冲激光束照射靶上的点，以便产生靶材料的等离子体羽流，并使得等离子体羽流沉积在基板上；
其特征在于，在利用脉冲激光束照射靶上的点之前使得所述点的表面结构平滑。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：
-使得具有平滑点的靶运动至脉冲激光束下面，用于照射所述平滑点。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中：平滑步骤包括加热步骤，点的表面结构的至少上部层通过能量束而熔化，能量束例如激光束，其中，所述能量束的能量低于等离子体产生阈值。
4.根据权利要求3所述的方法，其中：至少上部层能够在点由脉冲激光束照射之前固化。
5.根据前述任意一项权利要求所述的方法，其中：平滑步骤包括粒子轰击处理位于靶上的点的表面结构，以便除去粘附的颗粒。
6.根据权利要求3、4和5所述的方法，其中：粒子轰击处理步骤和热处理一个接一个地进行。
7.根据前述任意一项权利要求所述的方法，其中：在平滑步骤之后，靶进行运动，以便将靶的、具有平滑表面结构的点定位在入射脉冲激光束下面。
8.根据前述任意一项权利要求所述的方法，其中：靶进行运动，例如旋转或平移，且控制靶的位移速度、靶上的点的平滑以及点的照射，以使得靶的平滑点在脉冲激光照射靶时到达。
9.根据前述任意一项权利要求所述的方法，其中：在用于靶上的相同点的一个或多个照射步骤之后重复平滑步骤。
CN201910182218.6A 2018-03-12 2019-03-12 用于脉冲激光沉积的方法 Pending CN110257778A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18161161.7 2018-03-12
EP18161161.7A EP3540090A1 (en) 2018-03-12 2018-03-12 Method for pulsed laser deposition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110257778A true CN110257778A (zh) 2019-09-20

Family

ID=61622450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910182218.6A Pending CN110257778A (zh) 2018-03-12 2019-03-12 用于脉冲激光沉积的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11177117B2 (zh)
EP (1) EP3540090A1 (zh)
JP (1) JP2019157274A (zh)
KR (1) KR20190107598A (zh)
CN (1) CN110257778A (zh)
TW (1) TWI801518B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024132180A1 (en) * 2022-12-23 2024-06-27 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Source arrangement and thermal laser epitaxy system

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08246129A (ja) * 1995-03-08 1996-09-24 Sumitomo Metal Ind Ltd 酸化物超伝導薄膜の製造方法
US5622567A (en) * 1992-11-30 1997-04-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film forming apparatus using laser
US5660746A (en) * 1994-10-24 1997-08-26 University Of South Florida Dual-laser process for film deposition
JP2007288141A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Imra America Inc ｐ型半導体酸化亜鉛膜の製造方法、及び透明基板を使用したパルスレーザ堆積方法
CN101910452A (zh) * 2007-11-21 2010-12-08 Otb太阳能有限公司 连续或半连续激光沉积的方法和系统
JP2013163847A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Fujikura Ltd 超電導薄膜作製用ターゲットおよびその製造方法
CN106029942A (zh) * 2014-02-21 2016-10-12 索尔玛特斯有限责任公司 通过脉冲激光沉积来沉积材料的设备以及利用该设备沉积材料的方法
CN108342697A (zh) * 2018-01-11 2018-07-31 中国科学院微电子研究所 一种脉冲激光沉积装置及其方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5348088A (en) * 1976-10-15 1978-05-01 Hitachi Ltd Preparation of evaporation source for laser evaporation
JPH03104861A (ja) * 1989-05-26 1991-05-01 Rockwell Internatl Corp レーザアブレーションに使用するための装置
US4987286A (en) * 1989-10-30 1991-01-22 University Of Iowa Research Foundation Method and apparatus for removing minute particles from a surface
US5257706A (en) * 1992-09-29 1993-11-02 Bausch & Lomb Incorporated Method of cleaning laser ablation debris
US5290761A (en) 1992-10-19 1994-03-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making oxide superconducting films by pulsed excimer laser ablation
JPH07166334A (ja) * 1993-09-21 1995-06-27 Mitsubishi Chem Corp 蒸着薄膜の作製法
JP4619554B2 (ja) * 2001-02-19 2011-01-26 浜松ホトニクス株式会社 窒化物薄膜作製方法
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP5441235B2 (ja) * 2005-12-28 2014-03-12 浜松ホトニクス株式会社 回転ターゲット式電子線補助照射レーザアブレーション成膜装置及び回転ターゲット式電子線照射成膜装置
JP5666138B2 (ja) * 2007-02-23 2015-02-12 ピコデオン・リミテッド・オサケユキテュアＰｉｃｏｄｅｏｎ Ｌｔｄ Ｏｙ 設備
ES2378906T3 (es) 2008-08-25 2012-04-19 Solmates B.V. Método para depositar un material

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5622567A (en) * 1992-11-30 1997-04-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film forming apparatus using laser
US5660746A (en) * 1994-10-24 1997-08-26 University Of South Florida Dual-laser process for film deposition
JPH08246129A (ja) * 1995-03-08 1996-09-24 Sumitomo Metal Ind Ltd 酸化物超伝導薄膜の製造方法
JP2007288141A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Imra America Inc ｐ型半導体酸化亜鉛膜の製造方法、及び透明基板を使用したパルスレーザ堆積方法
CN101910452A (zh) * 2007-11-21 2010-12-08 Otb太阳能有限公司 连续或半连续激光沉积的方法和系统
JP2013163847A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Fujikura Ltd 超電導薄膜作製用ターゲットおよびその製造方法
CN106029942A (zh) * 2014-02-21 2016-10-12 索尔玛特斯有限责任公司 通过脉冲激光沉积来沉积材料的设备以及利用该设备沉积材料的方法
CN108342697A (zh) * 2018-01-11 2018-07-31 中国科学院微电子研究所 一种脉冲激光沉积装置及其方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI801518B (zh) 2023-05-11
US20190279847A1 (en) 2019-09-12
TW201938822A (zh) 2019-10-01
EP3540090A1 (en) 2019-09-18
US11177117B2 (en) 2021-11-16
KR20190107598A (ko) 2019-09-20
JP2019157274A (ja) 2019-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2697470C2 (ru) Способ и система для аддитивного производства с использованием светового луча
US10603748B2 (en) Production of a component by selective laser melting
RU2268814C2 (ru) Модификация поверхности
US7452500B2 (en) Method and apparatus for making products by sintering and/or melting
US11097350B2 (en) Pre-fusion laser sintering for metal powder stabilization during additive manufacturing
TWI300372B (en) Laser machining apparatus and method of adjusting the same
US20150096963A1 (en) Laser cladding with programmed beam size adjustment
JP7384938B2 (ja) 板状または管状のワークピースをビーム加工するための方法
US20230356301A1 (en) Powder bed fusion additive manufacturing methods and apparatus
US20210178487A1 (en) 3D-Metal-Printing Method and Arrangement Therefor
US20160023304A1 (en) Method for forming three-dimensional anchoring structures on a surface
WO2017062423A1 (en) Method of laser preparation of a coated substrate to be laser cut
WO2020058722A1 (en) A powder bed: additive manufacturing
US9808885B2 (en) Method for forming three-dimensional anchoring structures on a surface
CN110257778A (zh) 用于脉冲激光沉积的方法
EP3065910A1 (en) Laser cladding with a laser scanning head
US11133154B2 (en) Electron beam vaporizer and method for vaporizing a vaporization material by means of an electron beam
KR20170096415A (ko) 레이저 클리닝 방법과, 이를 이용한 레이저 가공방법 및 장치
US20200164580A1 (en) Method for additively manufacturing at least one three-dimensional object
RU2645631C1 (ru) Способ нанесения покрытия на образец (варианты) и устройство для его осуществления (варианты)
CN115365662A (zh) 一种树脂基材激光加工与树脂残渣清洁一步化的方法
JP7406240B2 (ja) ３ｄ印刷方法および３ｄ印刷装置
EP3542928A1 (en) Additive manufacturing device
WO2004097064A2 (de) Verfahren und vorrichtungen zur spannungsreduzierung in dünnen schichten
JPH02241685A (ja) ファインセラミックス伸線ダイスのレーザ加工法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20221213

Address after: California, USA

Applicant after: LAM RESEARCH Corp.

Address before: Enschede

Applicant before: SOLMATES B.V.

TA01 Transfer of patent application right