CN110257774A - 一种pvd抗菌膜层的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种PVD抗菌膜层的制备方法,属于PVD抗菌膜层领域。对基材进行表面清洗处理;将完成表面清洗后的基材进行表面吸附气体清除处理;将完成表面吸附气体清除处理的基材进行离子轰击处理;对完成离子轰击处理的基材依次进行底层镀膜处理、中层镀膜处理及用于抗菌的表层镀膜处理。本发明通过PVD技术精准地将抗菌材料与靶材按一定比率转移到基材上,形成IPAA膜层,IPAA膜层具有强力的抗菌效果,抗菌率高达99.99%,抑菌时间长久;同时IPAA膜层厚度很薄,只需0.5um即可实现I级抗菌效果;硬度高、韧性好、具备良好的耐磨能力,可防止由于膜层划伤导致细菌聚集。
Description
技术领域
本发明涉及PVD抗菌膜层领域,尤其涉及的是一种PVD抗菌膜层的制备方法。
背景技术
PVD是PhysicalVaporDeposition,即物理气相沉积技术的简称,利用物理过程实现物质(材料)的转移,将物质的原子或分子由源(靶材)转移到基材 (被镀产品)表面上的过程。PVD技术作为一项环保型生产技术,在过去的20 年间发展及其迅猛,已经应用于生产制造的各个领域,例如:手机、钟表、卫浴等行业的装饰薄膜,刀具、模具等行业的硬质薄膜,光学、电子行业的光电薄膜,航天、航空行业的功能薄膜等。PVD操作时可选取不同的金属蒸发、电离成电子态,利用电偏压将离子引领到工件上,沉积成薄膜。在离子沉积到工件前,也可与其他离子作出反应结合,生成复合式薄膜,在硬度、光亮度、摩擦系数、颜色等方面发生变化,满足在功能或外观上的要求。
但是,现在的PVD膜层一般不具有抗菌性能,细菌能在膜层表面正常繁殖。虽然市场也存在具有抗菌性的膜层,但市面上抗菌性的膜层没有一个长时间稳定的释放过程,不能长时间抗菌。
中国专利2011100327471公开了一种塑胶表面抗菌镀层的制备方法,其抗菌材料掺杂了抗菌元素的涂料漆层,漆层必须具有足够的厚度才能起到良好的抗菌效果,一般超过50微米,厚度较厚,而且漆层的硬度很低,容易划伤,划伤后,不仅失去了抗菌的效果,还会造成细菌的聚集。
因此,现有技术存在缺陷,需要改进。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种抗菌效果显著、抑菌时间长、防划耐磨的PVD抗菌膜层的制备方法。
本发明包括以下步骤:
1)对基材进行表面清洗处理;
2)将步骤1)所得的基材进行表面吸附气体清除处理;
3)对步骤2)所得的基材进行离子轰击处理;
4)对步骤3)所得的基材进行底层镀膜处理,得到底膜层;
5)对步骤4)所得的底膜层进行用于耐磨的中层镀膜处理,得到中膜层;
6)对步骤5)所得的中膜层进行用于抗菌的表层镀膜处理,得到表膜层。
上述方案中,所述基材选自钢、铜或塑料的任意一种。所述表面清洗处理的工艺流程为:(1)对基材用水进行清洗;(2)用50-150℃的温度对基材进行水分烘烤处理。
上述方案中,所述表面吸附气体清除处理的工艺流程为:(1)将清洗完的基材放入PVD真空设备中进行抽真空,抽真空至7×10-3Pa;(2)充入氩气调整真空度至1-3Pa,所述氩气的充入流速为200-500sccm;(3)对基材表面用 350V-450V的电偏压进行辉光处理,处理时间5min。
上述方案中,将辉光处理过的基材进行离子轰击处理,所述离子轰击处理的工艺条件为:将真空度用氩气调整至0.3-0.5Pa,偏压300-500V,占空比50%; Ti电弧60-90A,以每分钟转两圈的速度处理1min。
上述方案中,所述底膜层镀膜处理的工艺条件为:真空度0.4-0.5Pa,偏压 100-120V,占空比50%-80%,中频Ti靶电流80-120A,镀膜时间5-10min。
上述方案中,所述中膜层镀膜处理的工艺流程为:(1)将真空度调整至 0.4-0.6Pa;(2)将Ti靶电流调整至50-60A;(3)开启C2H2气体,流速从50sccm 开始,以1sccm/10秒的速度递增,在此过程中每20分钟,降低20V偏压,直至C2H2流速达到180sccm时,停止增加C2H2气体。
上述方案中,所述表膜层镀膜处理的工艺流程为:开启具有抗菌作用的高纯Ag靶进行表膜层镀膜,高纯Ag靶电流调整至2-4A,镀膜时间5-15min。
上述方案中,所述底膜层镀膜处理的工艺条件为:真空度0.4-0.5Pa,偏压 100-120V,占空比50%-80%,中频TiZr靶电流80-120A,镀膜时间5-10min。
上述方案中,所述中膜层镀膜处理的工艺流程为:(1)将真空度调整至 0.4-0.6Pa;(2)将TiZr靶电流调整至50-60A;(3)开启N2气体,流速从50sccm 开始,以1sccm/3秒的速度递增,在此过程中每20分钟,降低20V偏压,直至 N2流速达到150sccm时,停止增加N2并维持当前参数工况10-20min。
上述方案中,所述表膜层镀膜处理的工艺流程为:(1)关闭N2和中频TiZr 靶,开启Ti弧靶电流80A维持1min;(2)关闭Ti弧靶,开启具有抗菌抗菌作用的高纯Ag靶电流1-2A,同时开启Au靶电流5-8A,镀膜时间5-15min。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
1、抗菌效果强,抑菌时间长久,经过检测,抗菌率高达99.99%,远超I级 (I≥99%)的抗菌性能评价标准;
2、硬度高、韧性好、耐磨性强,防止由于膜层划伤导致细菌聚集;
3、膜层厚度薄,厚度只需0.5um即可实现I级抗菌效果。
具体实施方式
以下结合具体实施例,对本发明进行详细说明。
实施例1
本实施例涉及一种IPAA膜的制备方法,具体为一种IPAA-B抗菌膜层的制备方法,其工艺流程的主要步骤如下:
1)对基材进行表面清洗处理;
2)将步骤1)所得的基材进行表面吸附气体清除处理;
3)对步骤2)所得的基材进行离子轰击处理;
4)对步骤3)所得的基材进行底层镀膜处理,得到底膜层;
5)对步骤4)所得的底膜层进行用于耐磨的中层镀膜处理,得到中膜层;
6)对步骤5)所得的中膜层进行用于抗菌的表层镀膜处理,得到表膜层。
具体工艺流程如下:
(1)将基材进行表面清洗处理,其中,基材可以是钢、铜、或者塑料的任意一种,也可以是除了钢以外的其他合金,例如铜合金、铝合金等,本实施例不做过多的限制。
基材表面清洗处理的工艺流程为:a.对基材用水进行清洗;b.若基材为钢片,则用150℃的温度对钢片进行水分烘烤处理;若基材为铜或者除钢以外的其他合金,则用100℃的温度对铜或合金进行水分烘烤处理;若基材为塑料,则用 50℃的温度对塑料进行水分烘烤处理。
(2)对完成表面清洗的基材进行表面吸附气体清除处理
表面吸附气体清除处理的工艺流程为:a.将清洗完的基材放入PVD真空设备中进行抽真空,抽真空至7×10-3Pa;b.充入氩气调整真空度至1-3Pa,较优选1.5Pa,氩气的充入流速为200-500SCCM,较优选500sccm;c.若基材为钢片,则对钢片表面用450V的电偏压进行辉光处理,处理时间5min;若基材为铜或者除钢以外的其他合金,则对铜或合金表面用400V的电偏压进行辉光处理,处理时间5min;若基材为塑料,则对塑料用350V的电偏压进行辉光处理,处理时间5min;。
(3)对完成辉光处理的基材进行离子轰击处理
离子轰击处理的工艺条件为:将真空度用氩气调整至0.3-0.5Pa,较优为 0.4Pa,偏压300-500V(若基材为钢片,则偏压为500V;若基材为铜、塑料或除钢以外的其他合金,则偏压为300V),占空比50%;Ti电弧60-90A,较优选用80A,以每分钟转两圈的速度处理1min。
(4)对完成离子轰击的基材进行底层镀膜处理,得到底膜层
底膜层处理的工艺条件为:真空度0.4-0.5Pa,较优选0.4Pa;偏压100-120V (若基材为刚,则较优选偏压120V;若基材为铜、合金、塑料,则较优选100V);占空比50%-80%,较优选占空比60%;中频Ti靶电流80-120A,较优选中频Ti 靶电流120A;镀膜时间5-10min,较优选镀膜时间10min,需要说明的是,底膜层的镀膜时间可根据基材需要的膜层厚度进行调整。
(5)对完成底膜层处理的基材进行用于耐磨的中层镀膜处理,得到中膜层:
中膜层处理的工艺流程为:a.将真空度调整至0.4-0.6Pa,较优选真空度调整至0.5Pa;b.将Ti靶电流调整至50-60A,较优选Ti靶电流调整至50A;c. 开启C2H2气体,流速从50sccm开始,以1sccm/10秒的速度递增,在此过程中每20分钟,降低20V偏压,直至C2H2流速达到180sccm时,停止增加C2H2气体。
(6)对完成中膜层处理的基材进行用于抗菌的表层镀膜处理,得到表膜层
表膜层镀膜处理的工艺流程为:开启具有抗菌作用的高纯Ag靶进行表膜层镀膜,高纯Ag靶电流调整至2-4A,较优选高纯Ag靶电流调整至3A,镀膜时间 5-15min,较优选镀膜时间10min。
将本实施例1得到的具有IPAA-B抗菌膜层的基材进行细菌检测,按照国家出入境检验检疫局制定的《SN/T2399-2010》标准作为检验依据和方法,检测结果如表1所示:
表1
将本实施例1镀膜的基材进行耐磨测试,并与没有镀膜的素材进行对比,测试结果如表2所示:
表2
实施例2
本实施例涉及一种IPAA膜的制备方法,具体为一种IPAA-G抗菌膜层的制备方法,其工艺流程的主要步骤如下:
1)对基材进行表面清洗处理;
2)将步骤1)所得的基材进行表面吸附气体清除处理;
3)对步骤2)所得的基材进行离子轰击处理;
4)对步骤3)所得的基材进行底层镀膜处理,得到底膜层;
5)对步骤4)所得的底膜层进行用于耐磨的中层镀膜处理,得到中膜层;
6)对步骤5)所得的中膜层进行用于抗菌的表层镀膜处理,得到表膜层。
具体工艺流程如下:
(1)将基材进行表面清洗处理,其中,基材可以是钢、铜、或者塑料的任意一种,也可以是除了钢以外的其他合金,例如铜合金、铝合金等,本实施例不做过多的限制。
基材表面清洗处理的工艺流程为:a.对基材用水进行清洗;b.若基材为钢片,则用50℃的温度对钢片进行水分烘烤处理;若基材为铜或者除钢以外的其他合金,则用100℃的温度对铜或合金进行水分烘烤处理;若基材为塑料,则用50℃的温度对塑料进行水分烘烤处理。
(2)对完成表面清洗的基材进行表面吸附气体清除处理
表面吸附气体清除处理的工艺流程为:a.将清洗完的基材放入PVD真空设备中进行抽真空,抽真空至7×10-3Pa;b.充入氩气调整真空度至1-3Pa,较优选1.5Pa,氩气的充入流速为200-500SCCM,较优选500sccm;c.若基材为钢片,则对钢片表面用450V的电偏压进行辉光处理,处理时间5min;若基材为铜或者除钢以外的其他合金,则对铜或合金表面用400V的电偏压进行辉光处理,处理时间5min;若基材为塑料,则对塑胶表面用350V的电偏压进行辉光处理,处理时间5min。
(3)对完成辉光处理的基材进行离子轰击处理
离子轰击处理的工艺条件为:将真空度用氩气调整至0.3-0.5Pa,较优为 0.4Pa,偏压300-500V(若基材为钢片,则偏压为500V;若基材为铜、塑料或除钢以外的其他合金,则偏压为300V),占空比50%,Ti电弧60-90A,较优选用80A,以每分钟转两圈的速度处理1min。
(4)对完成离子轰击的基材进行底层镀膜处理,得到底膜层
底膜层镀膜处理的工艺条件为:真空度0.4-0.5Pa,较优选0.4Pa;偏压 100-120V(若基材为刚,则较优选偏压120V;若基材为铜、合金、塑料,则较优选偏压100V);占空比50%-80%,较优选占空比60%;中频Ti靶电流80-120A,较优选中频TiZr靶电流80A;镀膜时间5-10min,较优选镀膜时间8min,需要说明的是,底膜层的镀膜时间亦可根据基材的厚度进行调整。
(5)对完成底膜层处理的基材进行用于耐磨的中层镀膜处理,得到中膜层:
中膜层镀膜处理的工艺流程为:a.将真空度调整至0.4-0.6Pa,较优选真空度调整至0.5Pa;b.将TiZr靶电流调整至50-60A,较优选TiZr靶电流调整至 50A;c.开启N2气体,流速从50sccm开始,以1sccm/3秒的速度递增,在此过程中每20分钟,降低20V偏压,直至N2流速达到150sccm时,停止增加N2,并维持当前参数工况10-20分钟,较优选15min。
(6)对完成中膜层处理的基材进行用于抗菌的表层镀膜处理,得到表膜层
表膜层镀膜处理的工艺流程为:a.关闭N2和中频TiZr靶,开启Ti弧靶电流80A维持1min;b.关闭Ti弧靶,开启具有抗菌作用的高纯Ag靶电流1-2A,较优选1A,同时开启Au靶电流5-8A,较优选8A,镀膜时间为5-15min,镀膜时间根据实际需要厚度而定,厚度在0.1-0.2UM内视觉效果最佳。
将本实施例2得到的具有IPAA-G抗菌膜层的基材进行细菌检测,按照国家出入境检验检疫局制定的《SN/T2399-2010》标准作为检验依据和方法,检测结果如表3所示:
表3
将本实施例2镀膜的基材进行耐磨测试,并与没有镀膜的素材进行对比,测试结果如表4所示:
表4
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
1、抗菌效果强,抑菌时间长久,经过检测,抗菌率高达99.99%,远超I级 (I≥99%)的抗菌性能评价标准;
2、硬度高、韧性好、耐磨性强,防止由于膜层划伤导致细菌聚集;
3、膜层厚度薄,厚度只需0.5um即可实现I级抗菌效果。
以上仅为本发明的较佳实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种PVD抗菌膜层的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)对基材进行表面清洗处理;
2)将步骤1)所得的基材进行表面吸附气体清除处理;
3)对步骤2)所得的基材进行离子轰击处理;
4)对步骤3)所得的基材进行底层镀膜处理,得到底膜层;
5)对步骤4)所得的底膜层进行用于耐磨的中层镀膜处理,得到中膜层;
6)对步骤5)所得的中膜层进行用于抗菌的表层镀膜处理,得到表膜层。
2.根据权利要求1所述的PVD抗菌膜层的制备方法,其特征在于:所述基材选自钢、铜或塑料的任意一种;所述表面清洗处理的工艺流程为:(1)对基材用水进行清洗;(2)用50-150℃的温度对基材进行水分烘烤处理。
3.根据权利要求1或2所述的PVD抗菌膜层的制备方法,其特征在于:所述表面吸附气体清除处理的工艺流程为:(1)将清洗完的基材放入PVD真空设备中进行抽真空,抽真空至7×10-3Pa;(2)充入氩气调整真空度至1-3Pa,所述氩气的充入流速为200-500sccm;(3)对基材表面用350V-450V的电偏压进行辉光处理,处理时间5min。
4.根据权利要求3所述的PVD抗菌膜层的制备方法,其特征在于:将辉光处理过的基材进行离子轰击处理,所述离子轰击处理的工艺条件为:将真空度用氩气调整至0.3-0.5Pa,偏压300-500V,占空比50%;Ti电弧60-90A,以每分钟转两圈的速度处理1min。
5.根据权利要求1所述的PVD抗菌膜层的制备方法,其特征在于:所述底膜层镀膜处理的工艺条件为:真空度0.4-0.5Pa,偏压100-120V,占空比50%-80%,中频Ti靶电流80-120A,镀膜时间5-10min。
6.根据权利要求5所述的PVD抗菌膜层的制备方法,其特征在于:所述中膜层镀膜处理的工艺流程为:(1)将真空度调整至0.4-0.6Pa;(2)将Ti靶电流调整至50-60A;(3)开启C2H2气体,流速从50sccm开始,以1sccm/10秒的速度递增,在此过程中每20分钟,降低20V偏压,直至C2H2流速达到180sccm时,停止增加C2H2气体。
7.根据权利要求6所述的PVD抗菌膜层的制备方法,其特征在于:所述表膜层镀膜处理的工艺流程为:开启具有抗菌作用的高纯Ag靶进行表膜层镀膜,高纯Ag靶电流调整至2-4A,镀膜时间5-15min。
8.根据权利要求1所述的PVD抗菌膜层的制备方法,其特征在于:所述底膜层镀膜处理的工艺条件为:真空度0.4-0.5Pa,偏压100-120V,占空比50%-80%,中频TiZr靶电流80-120A,镀膜时间5-10min。
9.根据权利要求8所述的PVD抗菌膜层的制备方法,其特征在于:所述中膜层镀膜处理的工艺流程为:(1)将真空度调整至0.4-0.6Pa;(2)将TiZr靶电流调整至50-60A;(3)开启N2气体,流速从50sccm开始,以1sccm/3秒的速度递增,在此过程中每20分钟,降低20V偏压,直至N2流速达到150sccm时,停止增加N2并维持当前参数工况10-20min。
10.根据权利要求9所述的PVD抗菌膜层的制备方法,其特征在于:所述表膜层镀膜处理的工艺流程为:(1)关闭N2和中频TiZr靶,开启Ti弧靶电流80A维持1min;(2)关闭Ti弧靶,开启具有抗菌抗菌作用的高纯Ag靶电流1-2A,同时开启Au靶电流5-8A,镀膜时间5-15min。
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