CN110246936A - 一种高亮度led光源及其制作方法 - Google Patents

一种高亮度led光源及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110246936A
CN110246936A CN201910527522.XA CN201910527522A CN110246936A CN 110246936 A CN110246936 A CN 110246936A CN 201910527522 A CN201910527522 A CN 201910527522A CN 110246936 A CN110246936 A CN 110246936A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal layer
thermal conductive
conductive metal
light source
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910527522.XA
Other languages
English (en)
Inventor
吕素萍
苏文露
孔建平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201910527522.XA priority Critical patent/CN110246936A/zh
Publication of CN110246936A publication Critical patent/CN110246936A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

一种高亮度LED光源及其制作方法,其特征在于:LED光源包括从上而下依次导热连接的LED外延层、高导热金属层、高散热金属基板,所述高导热金属层的面积大于所述LED外延层面积,以增强LED外延层、高导热金属层和高散热金属基板之间的导热效率,进而提高发光效率。

Description

一种高亮度LED光源及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种高亮度LED光源。
背景技术
公知的,红光LED在发光器件中对热最为敏感,红光每产生1摄氏度的热将会衰减0.85%的亮度,蓝光或黄光及绿光分别为1摄氏度的热衰减0.2%或0.183%的亮度,因此解决红光的散热问题即可以大幅的提升大电流下的发光亮度。
而目前在大功率红光LED因散热问题导致亮度衰减一直无法有效解决。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足,提供一种可有效提高散热性能的高亮度LED光源及其制作方法。
本发明的目的通过如下技术方案来实现:
一种高亮度LED光源,其特征在于:包括从上而下依次导热连接的LED外延层、高导热金属层、高散热金属基板,所述高导热金属层的面积大于所述LED外延层面积,以增强LED外延层、高导热金属层和高散热金属基板之间的导热效率,进而提高发光效率。
所述高导热金属层的面积等于所述LED外延层面积的1.2-3倍。
所述高导热金属层的热导率K=(Q/t)×L/(A×T),其中,Q为热量,t为时间,L是所述高导热金属层的厚度,A为所述高导热金属层的面积,T为温度差,在K、Q、t和L为固定值的情况下,A越大,T就越小,即导热效率越高。
所述高导热金属层为锡、铬、钛、铟、铜、镍、钨或钨铜合金。
所述LED外延层用于产生红光、绿光、黄光或蓝光。
一种高亮度LED光源的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:
一、将制作有LED外延层的晶圆与高导热金属层复合;
二、除去LED外延层之外的晶圆,使高导热金属层的面积大于LED外延层面积;
三、对高导热金属层进行切割完成封装获得高亮度LED光源。
本发明具有如下有益效果:
高导热金属层的热导率K=(Q/t)×L/(A×T),其中,Q为热量,t为时间,L是所述高导热金属层的厚度,A为所述高导热金属层的面积,T为温度差,在K、Q、t和L为固定值的情况下,A越大,T就越小,即导热效率越高,也就是增加高导热金属层的表面积,维持LED外延层的发光面,因此,增加高导热金属层的表面积,可有效的提高导热效率。
钨铜合金是目前与半导体热膨胀系数接近的高导热金属材料之一,但随着科技的进步,我们将有很多其他金属或合金材料可以选择。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明的剖视图。
图2为图1的俯视图。
图3为高导热金属层与LED外延层的结合示意图,未切割封装之前,俯视角度。
图4为高导热金属层与LED外延层的结合示意图,未切割封装之前,剖视角度。
具体实施方式
参照图1和图2所示,一种高亮度LED光源,包括从上而下依次导热连接的LED外延层1、高导热金属层2、高散热金属基板3,高导热金属层2的面积大于LED外延层面积1,以增强LED外延层1、高导热金属层2和高散热金属基板3之间的导热效率,进而提高发光效率。
具体的LED外延层1为用于产生红光的砷化镓基外延层,其结构为公知现有技术,在这里不再详细说明。当然也可以根据需要选择产生绿光、黄光或者蓝光的LED外延层。
高导热金属层2采用与晶圆的膨胀系数接近的钨铜合金,高导热金属层的面积等于LED外延层面积的1.2倍,也可以根据需要将高导热金属层的面积设置为LED外延层面积2倍或者3倍。
高散热金属基板3为铝、铜等高散热形材料,为公知现有技术在这里不再详细说明。
高导热金属层的热导率K=(Q/t)×L/(A×T),其中,Q为热量,t为时间,L是所述高导热金属层的厚度,A为所述高导热金属层的面积,T为温度差,在K、Q、t和L为固定值的情况下,A越大,T就越小,即导热效率越高。
具体参照图3和图4所示,一种高亮度LED光源的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:
一、将制作有LED外延层1的晶圆与高导热金属层2复合;
二、除去LED外延层1之外的晶圆,使高导热金属层2的面积大于LED外延层1面积,具体采用蚀刻的方式除去多余的晶圆区域A。
三、对高导热金属层2进行切割完成封装获得高亮度LED光源。
以上所述,仅为本发明的较佳实施例而已,故不能以此限定本发明实施的范围,即依本发明申请专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰,皆应仍属本发明专利涵盖的范围内。

Claims (6)

1.一种高亮度LED光源,其特征在于:包括从上而下依次导热连接的LED外延层、高导热金属层、高散热金属基板,所述高导热金属层的面积大于所述LED外延层面积,以增强LED外延层、高导热金属层和高散热金属基板之间的导热效率,进而提高发光效率。
2.根据权利要求1所述的一种高亮度LED光源,其特征在于:所述高导热金属层的面积等于所述LED外延层面积的1.2-3倍。
3.根据权利要求1所述的一种高亮度LED光源,其特征在于:所述高导热金属层的热导率K=(Q/t)×L/(A×T),其中,Q为热量,t为时间,L是所述高导热金属层的厚度,A为所述高导热金属层的面积,T为温度差,在K、Q、t和L为固定值的情况下,A越大,T就越小,即导热效率越高。
4.根据权利要求1所述的一种高亮度LED光源,其特征在于:所述高导热金属层为锡、铬、钛、铟、铜、镍、钨或钨铜合金。
5.根据权利要求1所述的一种高亮度LED光源,其特征在于:所述LED外延层用于产生红光、绿光、黄光或蓝光。
6.一种高亮度LED光源的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:
一、将制作有LED外延层的晶圆与高导热金属层复合;
二、除去LED外延层之外的晶圆,使高导热金属层的面积大于LED外延层面积;
三、对高导热金属层进行切割完成封装获得高亮度LED光源。
CN201910527522.XA 2019-06-18 2019-06-18 一种高亮度led光源及其制作方法 Pending CN110246936A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910527522.XA CN110246936A (zh) 2019-06-18 2019-06-18 一种高亮度led光源及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910527522.XA CN110246936A (zh) 2019-06-18 2019-06-18 一种高亮度led光源及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110246936A true CN110246936A (zh) 2019-09-17

Family

ID=67887901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910527522.XA Pending CN110246936A (zh) 2019-06-18 2019-06-18 一种高亮度led光源及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110246936A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103000788A (zh) * 2012-11-30 2013-03-27 深圳市璨阳光电有限公司 Led封装结构及方法
TWM479520U (zh) * 2014-01-28 2014-06-01 Jiuh Rong Electronics Co Ltd 移植式電路基板散熱結構
CN106972096A (zh) * 2016-10-26 2017-07-21 湾城公司 一种散热构造体及应用
CN209963079U (zh) * 2019-06-18 2020-01-17 吕素萍 一种高亮度led光源

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103000788A (zh) * 2012-11-30 2013-03-27 深圳市璨阳光电有限公司 Led封装结构及方法
TWM479520U (zh) * 2014-01-28 2014-06-01 Jiuh Rong Electronics Co Ltd 移植式電路基板散熱結構
CN106972096A (zh) * 2016-10-26 2017-07-21 湾城公司 一种散热构造体及应用
CN209963079U (zh) * 2019-06-18 2020-01-17 吕素萍 一种高亮度led光源

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7875473B2 (en) Method of manufacturing light emitting diode device
CN107146840A (zh) 一种倒装led芯片阵列结构及其制备方法
CN107293535A (zh) 一种基于倒装封装的led芯片结构
CN103165805B (zh) 电子元件
TW201115070A (en) Heat dissipation substrate
Cheng Thermal management of high-power white LED package
CN102214746B (zh) 一种氮化镓基功率型led芯片制作方法
CN107154450A (zh) 一种用于垂直结构led芯片的多层键合方法
CN102569573A (zh) 改善热传导的led芯片
GB2455069A (en) LED cooling arrangement
TWI528596B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
CN110246936A (zh) 一种高亮度led光源及其制作方法
CN209963079U (zh) 一种高亮度led光源
CN206864498U (zh) 一种倒装led芯片阵列结构
CN103296160B (zh) 一种降低有源区工作温度的led结构及其制备方法
CN104086223A (zh) 一种led用高效散热陶瓷基板的制作方法
CN104733584A (zh) 一种多出光面、高光亮度、三维立体led半导体芯片
TW201429009A (zh) 發光二極體裝置及散熱基板的製造方法
CN105047778B (zh) 一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法
Zhang et al. Research progress on packaging thermal management techniques of high power led
CN103943745B (zh) 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具
CN204257692U (zh) 具有双反射层的倒装发光二极管芯片
CN103915556B (zh) 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具
CN202534678U (zh) 改善热传导的led芯片
CN218632093U (zh) 一种可导热的Mini LED芯片

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190917