CN110246935B - 一种led封装方法 - Google Patents
一种led封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110246935B CN110246935B CN201910514103.2A CN201910514103A CN110246935B CN 110246935 B CN110246935 B CN 110246935B CN 201910514103 A CN201910514103 A CN 201910514103A CN 110246935 B CN110246935 B CN 110246935B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- white wall
- wall film
- crystal
- film
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种LED封装方法,陶瓷基板上按间隔距离点胶,吸取晶体粘在所述陶瓷基板上,并经回流焊工序,使用真空贴合机将白墙膜水平贴合在所述陶瓷基板上,所述白墙膜包围着所述晶体四周,并通过热压成型使所述白墙膜与所述晶体固化,使用真空贴合机将荧光膜水平贴合并固化在所述白墙膜、晶体上表面,使用切刀对所述白墙膜进行网格式垂直切割,切割至所述陶瓷基板下表面,得到单个LED。本发明简化生产工艺,舍弃传统生产工艺,从而避免因注入流动性的白墙胶而导致成型时白墙胶分布不均匀,能有效提高成品良率。
Description
技术领域
本发明涉及LED生产技术领域,特别一种LED封装方法及由该封装方法生产的LED。
背景技术
单面发光型LED因具备体积小、厚度轻薄、可载高功率、尺寸小巧灵活性强等优势而被广泛应用到照明、背光及汽车等领域。
目前,市面上实现单面发光LED大多数是采用白墙胶将芯片包围的结构,在生产该单面发光型LED时,大多采用先焊接芯片再注入白墙胶进行模压生产,由于白墙胶注入的状态为液态,其具有流动性,经过模压后会容易出现LED灯珠结构不均匀或不平整的问题,模压一致性不好控制,最终导致生产出的LED灯珠结构一致性差。
发明内容
本发明的目的在于,针对上述问题,提供一种LED封装方法。
本发明的目的还在于,针对上述问题,提供一种由上述LED封装方法生产的 LED。
本发明为实现上述目的所采用的技术方案为:
一种LED封装方法,其包括以下步骤:
步骤一、陶瓷基板上按间隔距离点胶,吸取晶体粘在所述陶瓷基板上,并经回流焊工序;
步骤二、使用真空贴合机将白墙膜水平贴合在所述陶瓷基板上,所述白墙膜包围着所述晶体四周,并通过热压成型使所述白墙膜与所述晶体固化;
步骤三、使用真空贴合机将荧光膜水平贴合并固化在所述白墙膜、晶体上表面;
步骤四、使用切刀对所述白墙膜进行网格式垂直切割,切割至所述陶瓷基板下表面,得到单个LED。
作为优选,所述陶瓷基板上按间隔距离设置有若干焊点。
作为优选,所述白墙膜呈方形,所述白墙膜厚度与所述晶体厚度相同,所述白墙膜上对应所述晶体设置有若干容纳槽。
作为优选,所述容纳槽形状与所述晶体形状相匹配。
作为优选,所述步骤二中,所述白墙膜上表面与所述晶体上表面平齐,所述白墙膜与所述晶体四周贴合,真空贴合机用热压模具将白墙膜固定,抽真空使真空贴合机内的真空度小于-98Kpa,并加热白墙膜表面温度至110~150℃,持续10~20min,使所述白墙膜与所述晶体固化。
作为优选,所述步骤三中,真空贴合机将荧光膜水平贴在所述白墙膜、晶体上,加热至120℃持续烘烤1小时后,再加热至160℃烘烤2小时,完成加热固化。
作为优选,还包括步骤六,所述步骤六包括以下步骤:对分离出的单个LED 进行分光测试。
一种LED,包括白墙膜、晶体及荧光膜,所述白墙膜上贯穿设置有容纳槽,所述晶体四周贴合于所述容纳槽内侧面,所述白墙膜上、下表面与所述晶体上、下表面平齐,所述荧光膜贴合于所述白墙膜、晶体上表面。
作为优选,所述容纳槽形状与所述晶体形状相匹配。
作为优选,所述荧光膜上表面面积与所述白墙膜上表面面积相同。
本发明的有益效果为:本发明通过将白墙膜直接贴合在晶体四周,简化生产工艺,舍弃传统生产工艺,从而避免因注入流动性的白墙胶而导致成型时白墙胶分布不均匀,能有效提高成品良率。
下面结合附图与实施例,对本发明进一步说明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的结构示意图;
图2是本发明中白墙膜的结构示意图。
具体实施方式
如图1及图2所示,本实施例中,一种LED封装方法,其包括以下步骤:
步骤一、陶瓷基板1上按间隔距离点胶,吸取晶体2粘在所述陶瓷基板1上,并经回流焊工序;
步骤二、使用真空贴合机将白墙膜3水平贴合在所述陶瓷基板1上,所述白墙膜3包围着所述晶体2四周,并通过热压成型使所述白墙膜3与所述晶体2固化;
步骤三、使用真空贴合机将荧光膜4水平贴合并固化在所述白墙膜3、晶体2 上表面;
步骤四、使用切刀对所述白墙膜3进行网格式垂直切割,切割至所述陶瓷基板1下表面,得到单个LED。
具体地,进行回流焊工序时,需要通入氮气,其作用是:1、防止元件焊接时氧化;2、提高焊接润湿力;3、减少锡球产生,避免桥接,得到较好的焊接质量。在切割时,需要高压水冲洗切割处,以方便清理切割废屑,并能同时起到降温作用。
本实施例中,所述陶瓷基板1上按间隔距离设置有若干焊点。
具体地,固晶机识别陶瓷基板1上的焊点从而精确定位,并将晶体2方正地固定在焊点上。
本实施例中,所述白墙膜3呈方形,所述白墙膜3厚度与所述晶体2厚度相同,所述白墙膜3上对应所述晶体2设置有若干容纳槽30。
本实施例中,所述容纳槽30形状与所述晶体2形状相匹配。具体地,在本实施例中,晶体2呈正方体,容纳槽30则为方型槽。
本实施例中,所述步骤二中,所述白墙膜3上表面与所述晶体2上表面平齐,所述白墙膜3与所述晶体2四周贴合,真空贴合机用热压模具将白墙膜3固定,抽真空使真空贴合机内的真空度小于-98Kpa,并加热白墙膜3表面温度至110~ 150℃,持续10~20min,使所述白墙膜3与所述晶体2固化。
本实施例中,所述步骤三中,真空贴合机将荧光膜4水平贴在所述白墙膜3、晶体2上,加热至120℃持续烘烤1小时后,再加热至160℃烘烤2小时,完成加热固化。
本实施例中,还包括步骤六,所述步骤六包括以下步骤:对分离出的单个 LED进行分光测试。具体地,分光测试是对LED的光电参数进行测试,包括色温、色点、亮度、电压等性能参数。
一种LED,包括白墙膜3、晶体2及荧光膜4,所述白墙膜3上贯穿设置有容纳槽30,所述晶体2四周贴合于所述容纳槽30内侧面,所述白墙膜3上、下表面与所述晶体2上、下表面平齐,所述荧光膜4贴合于所述白墙膜3、晶体2上表面。
本实施例中,所述容纳槽30形状与所述晶体2形状相匹配。
本实施例中,所述荧光膜4上表面面积与所述白墙膜3上表面面积相同。
本发明通过将白墙膜3直接贴合在晶体2四周,简化生产工艺,舍弃传统生产工艺,从而避免因注入流动性的白墙胶而导致成型时白墙胶分布不均匀,能有效提高成品良率。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。故凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明之形状、构造及原理所作的等效变化,均应涵盖于本发明的保护范围内。
Claims (6)
1.一种LED封装方法,其特征在于,其包括以下步骤:
步骤一、陶瓷基板上按间隔距离点胶,吸取晶体粘在所述陶瓷基板上,并经回流焊工序;
步骤二、白墙膜呈方形,所述白墙膜厚度与所述晶体厚度相同,所述白墙膜上对应所述晶体设置有若干容纳槽,使用真空贴合机将所述白墙膜水平贴合在所述陶瓷基板上,所述白墙膜包围着所述晶体四周,并通过热压成型使所述白墙膜与所述晶体固化;
步骤三、使用真空贴合机将荧光膜水平贴合并固化在所述白墙膜、晶体上表面;
步骤四、使用切刀对所述白墙膜进行网格式垂直切割,切割至所述陶瓷基板下表面,得到单个LED。
2.根据权利要求1所述一种LED封装方法,其特征在于,所述陶瓷基板上按间隔距离设置有若干焊点。
3.根据权利要求1所述一种LED封装方法,其特征在于,所述容纳槽形状与所述晶体形状相匹配。
4.根据权利要求1所述一种LED封装方法,其特征在于,所述步骤二中,所述白墙膜上表面与所述晶体上表面平齐,所述白墙膜与所述晶体四周贴合,真空贴合机用热压模具将白墙膜固定,抽真空使真空度小于-98Kpa,并加热白墙膜表面温度至110~150℃,持续10~20min,使所述白墙膜与所述晶体固化。
5.根据权利要求1所述一种LED封装方法,其特征在于,所述步骤三中,真空贴合机将荧光膜水平贴在所述白墙膜、晶体上,加热至120℃持续烘烤1小时后,再加热至160℃烘烤2小时,完成加热固化。
6.根据权利要求1所述一种LED封装方法,其特征在于,还包括步骤六,所述步骤六包括以下步骤:对分离出的单个LED进行分光测试。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910514103.2A CN110246935B (zh) | 2019-06-14 | 2019-06-14 | 一种led封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910514103.2A CN110246935B (zh) | 2019-06-14 | 2019-06-14 | 一种led封装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110246935A CN110246935A (zh) | 2019-09-17 |
CN110246935B true CN110246935B (zh) | 2020-07-14 |
Family
ID=67887204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910514103.2A Active CN110246935B (zh) | 2019-06-14 | 2019-06-14 | 一种led封装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110246935B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111261749A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-06-09 | 东方日升(常州)新能源有限公司 | 新型的异质结电池切片方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105957937A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-09-21 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaAs基发光二极管芯片及其切割方法 |
CN106876551A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-06-20 | 东莞中之光电股份有限公司 | 芯片级led封装工艺 |
CN209169166U (zh) * | 2018-10-25 | 2019-07-26 | 江苏罗化新材料有限公司 | Csp封装结构 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI624966B (zh) * | 2015-11-23 | 2018-05-21 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體封裝裝置 |
-
2019
- 2019-06-14 CN CN201910514103.2A patent/CN110246935B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105957937A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-09-21 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种GaAs基发光二极管芯片及其切割方法 |
CN106876551A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-06-20 | 东莞中之光电股份有限公司 | 芯片级led封装工艺 |
CN209169166U (zh) * | 2018-10-25 | 2019-07-26 | 江苏罗化新材料有限公司 | Csp封装结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110246935A (zh) | 2019-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102062323A (zh) | Led灯条和led灯的制造方法 | |
CN103972369B (zh) | 一种led灯条及其制造方法 | |
US10158051B2 (en) | Process method for refining photoconverter to bond-package LED and refinement equipment system | |
CN105006511A (zh) | 一种led封装方法 | |
CN105845809A (zh) | Led封装结构及其制造方法 | |
CN110112129B (zh) | 一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺 | |
CN102569553A (zh) | 一种led发光二极管封装工艺 | |
CN110246935B (zh) | 一种led封装方法 | |
KR101957870B1 (ko) | 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법 | |
US9653660B1 (en) | Chip scale LED packaging method | |
CN100563035C (zh) | 一种大功率led的封装工艺 | |
CN102120213B (zh) | 一种led荧光粉喷涂工艺 | |
CN103367612A (zh) | Led封装结构及工艺 | |
US10276759B2 (en) | Process method using deformable organic silicone resin photoconverter to bond-package LED | |
CN104576900A (zh) | Led芯片的封装方法 | |
US10103294B2 (en) | Equipment system using deformable organic silicone resin photoconverter to bond-package LED | |
CN204178089U (zh) | 一种免二次透镜的led背光源及led背光源模组 | |
CN102809100A (zh) | 背光源及其制备方法 | |
KR102026842B1 (ko) | 직렬 롤링에 기반한 유기 실리콘 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법 | |
CN203746847U (zh) | 一种led灯丝及照明器具 | |
CN105655261A (zh) | 倒装白光芯片的制备工艺 | |
CN114220896B (zh) | 倒装晶片封装工艺及倒装晶片封装结构 | |
CN101944491A (zh) | 发光模块的制造方法 | |
CN209045604U (zh) | 一种新型指示类led光源封装结构 | |
CN209418547U (zh) | 一种色域高集中性指示类led光源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: No.3, Xincheng Avenue, Songshanhu, Dongguan, Guangdong 523000 Patentee after: Dongguan Zhongzhi Technology Co.,Ltd. Address before: No.3, Xincheng Avenue, Songshanhu, Dongguan, Guangdong 523000 Patentee before: DONGGUAN SINOWIN OPTO-ELECTRONIC Co.,Ltd. |