CN110224063A - 一种非易失自旋轨道转矩元件以及基于电致阻变效应的非易失电控自旋轨道转矩方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及信息储存技术领域，具体涉及一种非易失自旋轨道转矩元件，包括：用于承载所述元件衬底；设置于衬底上方的第一电极；由重金属薄膜以及阻变薄膜组合沉积构成的异质结构层；以及形成于异质结构层上方的第二电极。在所述非易失自旋轨道转矩元件的第一电极以及第二电极处施加外加电场，能够实现阻变效应对自旋轨道转矩的磁矩翻转的调控。本发明克服了现有技术中的自旋轨道转矩驱动器件通过电流或电压调控的磁矩反转过程是易失的这一缺陷，而本发明的磁矩反转过程是非易失性的，当撤去电流或电压后，磁矩的翻转态会继续存在。本发明中使用的调节电压为低电压，调控过程中不会产生大量的能量损耗，有利于器件的节能化。

Description

一种非易失自旋轨道转矩元件以及基于电致阻变效应的非易 失电控自旋轨道转矩方法
技术领域
本发明涉及信息储存技术领域，具体涉及一种非易失自旋轨道转矩元件以及基于该元件的电致阻变效应的非易失电控自旋轨道转矩方法。
背景技术
自旋轨道转矩(Spin-Orbit Torque，SOT)基于自旋轨道耦合，利用电荷流诱导的自旋流来产生自旋转移力矩，进而达到调控磁性存储单元的目的。由于其读写路径分开化，能耗低，写入速度快，磁矩翻转性强，效率高，局域性强，稳定性高等优良性能，在磁信息存储器件，磁记忆，运算等领域具有重要的应用前景，引起科学界和技术界的广泛关注。
然而，尽管SOT能够调控输入电流或电压的大小实现很强的磁矩翻转，但其输入的电流或电压在调控磁矩反转过程是易失的。当撤去电流或电压后，磁矩的翻转态将消失，不利于SOT的磁信息存储。
例如申请号为CN201811135828.2的一种自旋轨道转矩驱动器件，包括顺序堆叠的第一磁性层、重金属层和第二磁性层的堆叠结构，其中所述第一磁性层具有面内各向异性，所述第二磁性层具有垂直各向异性。但是该器件在运行时需要持续保持电压，当撤去电流或电压后，磁矩的翻转态将消失，其调控磁矩反转过程是易失的。
发明内容
本发明是为了克服现有技术中的自旋轨道转矩驱动器件通过电流或电压调控的磁矩反转过程是易失的这一缺陷，提供了一种非易失自旋轨道转矩元件以及基于该元件的电致阻变效应的非易失电控自旋轨道转矩方法。
为实现上述发明目的，本发明通过以下技术方案实现：
一种非易失自旋轨道转矩元件，包括：
衬底，用于承载所述元件，所述的衬底为硅基衬底；
第一电极，所述的第一电极设置于衬底上方；
异质结构层，所述的异质结构层设置于第一电极上方，其由重金属薄膜以及阻变薄膜组合沉积构成；
第二电极，所述第二电极形成于异质结构层上方。
阻变随机存储器在电极/绝缘层/电极组成的三明治异质结构中，通过在绝缘层上施加几伏的电压使其在高电阻态和低电阻态之间可逆切换，并且这两种阻态在撤去电压后可以长时间保持表现出非易失性。将阻变随机存储器的非易失性能与自旋轨道转矩(Spin-Orbit Torque，SOT)强的磁矩翻转性能相结合，这将为非易失电控SOT磁矩翻转的实现提供一个非常有效的途径。
在SOT的发展进程中，重金属材料在SOT的磁矩翻转研究中发挥着举足轻重的作用。重金属因具有强的自旋积聚和自旋霍尔效应，流动于重金属中的电流会产生竖直方向的自旋流，自旋流造成界面自旋积聚，积聚的自旋对相邻铁磁层产生力矩作用。而对于非易失性电致阻变效应的研究，在二元金属氧化物、钙钛矿结构氧化物和有机物等材料中都有研究。
我们将在硅基衬底上依次生长重金属薄膜和铁磁性金属与具有优异的电致阻变性能的阻变材料相结合，构成异质结构来实现阻变效应对自旋轨道转矩的非易失调控。
作为优选，所述的异质结构层中的重金属薄膜的材料为铂、钽、钯、或着钨中的一种。
作为优选，所述的重金属薄膜材料的厚度为0.5~2 nm。
作为优选，所述的异质结构层中的铁磁性金属薄膜的材料为铁、钴、镍、CoFe或者NiFe中的一种。
作为优选，所述的铁磁性金属薄膜的厚度为1~2 nm。
作为优选，所述异质结构层中的阻变薄膜的材料为CeO2，其厚度为20~50 nm。
阻变材料CeO2是一种价格低廉且应用广泛的轻稀土氧化物。由于Ce3+/Ce4+间的电极电动势较低，在电场的作用下很容易发生CeO2-CeO2-x之间的氧化还原反应，即在这一材料内氧空位能很快地形成和修复，具有很强的蓄氧能力以及优异的电致阻变性能。
作为优选，所述异质结构为磁性单层膜、磁性多层膜、磁性隧道结或自旋阀中的一种。
一种基于电致阻变效应的非易失电控自旋轨道转矩方法，所述的方法包括以下步骤：
衬底清洁；
在清洁后的衬底上沉积第一电极；
在所述第一电极上依次沉积重金属薄膜以及阻变薄膜，形成异质结构层；
在所述异质结构层上沉积第二电极；
在所述第一电极以及第二电极处施加外加电场，实现阻变效应对自旋轨道转矩的磁矩翻转的调控。
作为优选，所述的外加电场的电压为0.1~5V。
因此，本发明具有以下有益效果：
（1）本发明通过电流或电压调控的磁矩反转过程是非易失性的，当撤去电流或电压后，磁矩的翻转态会继续存在。
（2）本发明中使用的调节电压为低电压，调控过程中不会产生大量的能量损耗，有利于器件的节能化。
附图说明
图1 为本发明非易失自旋轨道转矩元件的结构示意图。
图2 为本发明元件的伏安特性曲线。
图3 为本发明元件的维持特性。
其中：1衬底，2第一电极，3异质结构层，3-1重金属薄膜，3-2铁磁性金属薄膜，3-3阻变薄膜，4第二电极。
具体实施方式
下面结合说明书附图以及具体实施例对本发明作进一步说明。
本发明中所有的原料均可市购，以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，因此只作为个例，而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例1
如图1所示，一种非易失自旋轨道转矩元件，包括：
衬底1，用于承载所述元件，所述的衬底为硅基衬底；
第一电极2，所述的第一电极材料为0.5nm Ta，其设置于衬底上方；
异质结构层3，所述的异质结构层设置于第一电极上方，其为0.5 nm厚的由Pt制备得到的重金属薄膜3-1、1~2 nm厚的由Ni制备得到的铁磁性金属薄膜3-2以及20nm厚的CeO2阻变薄膜3-3组合沉积构成的磁性多层膜结构；
第二电极4，所述第二电极材料为Au，其设置于异质结构层上方。
实施例2
一种基于电致阻变效应的非易失电控自旋轨道转矩方法，所述的方法包括以下步骤：
制备实施例1中的非易失自旋轨道转矩元件：
衬底清洁：将硅基衬底浸入丙酮中，超声清洗10分钟，然后用蒸馏水清洗三遍；然后再将硅基衬底浸入60%双氧水与98%浓硫酸体积比为1:1的混合液中，浸泡15分钟；取出后置于水中超声10分钟，流水洗净，得到清洁的衬底清洁。
在清洁后的衬底上磁控溅射沉积一层厚度为1nm的Ta第一电极；
在所述第一电极上依次通过磁控溅射沉积Pt重金属薄膜、铁磁性Fe薄膜以及CeO2阻变薄膜，形成异质结构层；
在所述异质结构层上磁控溅射沉积一层厚度为5nm的Au第二电极，得到非易失自旋轨道转矩元件。
在所述非易失自旋轨道转矩元件的第一电极以及第二电极处施加2 V的外加电场，实现阻变效应对自旋轨道转矩的磁矩翻转的调控。
实施例3
一种非易失自旋轨道转矩元件，包括：
衬底，用于承载所述元件，所述的衬底为硅基衬底；
第一电极，所述的第一电极材料为Au，其设置于衬底上方；
异质结构层，所述的异质结构层设置于第一电极上方，其为1nm厚的Pt重金属薄膜、1.5nm厚的Co薄膜以及20 nm厚的CeO2阻变薄膜组合沉积构成的磁性多层膜结构；
第二电极，所述第二电极材料为Ag，其设置于异质结构层上方。
实施例4
一种基于电致阻变效应的非易失电控自旋轨道转矩方法，所述的方法包括以下步骤：
制备实施例3中的非易失自旋轨道转矩元件：
衬底清洁：将硅基衬底浸入丙酮中，超声清洗12分钟，然后用蒸馏水清洗三遍；然后再将硅基衬底浸入60%双氧水与98%浓硫酸体积比为1:1的混合液中，浸泡16分钟；取出后置于水中超声12分钟，流水洗净，得到清洁的衬底清洁。
在清洁后的衬底上磁控溅射沉积一层厚度为2 nm的Ta第一电极；
在所述第一电极上依次通过磁控溅射沉积Pt重金属薄膜、铁磁性的Co薄膜以及CeO2阻变薄膜，形成异质结构层；
在所述异质结构层上磁控溅射沉积一层厚度为10nm的Ag第二电极，得到非易失自旋轨道转矩元件。
在所述非易失自旋轨道转矩元件的第一电极以及第二电极处施加3 V的外加电场，实现阻变效应对自旋轨道转矩的磁矩翻转的调控。
实施例5
一种非易失自旋轨道转矩元件，包括：
衬底，用于承载所述元件，所述的衬底为硅基衬底；
第一电极，所述的第一电极材料为Cu，其设置于衬底上方；
异质结构层，所述的异质结构层设置于第一电极上方，其为1nm厚的Pd重金属薄膜、1nm厚的Co薄膜以及20 nm厚的CeO2阻变薄膜组合沉积构成的磁性隧道结结构；
第二电极，所述第二电极材料为Cu，其设置于异质结构层上方。
实施例6
一种基于电致阻变效应的非易失电控自旋轨道转矩方法，所述的方法包括以下步骤：
制备实施例5中的非易失自旋轨道转矩元件：
衬底清洁：将硅基衬底浸入丙酮中，超声清洗10分钟，然后用蒸馏水清洗三遍；然后再将硅基衬底浸入60%双氧水与98%浓硫酸体积比为1:1的混合液中，浸泡20分钟；取出后置于水中超声15分钟，流水洗净，得到清洁的衬底清洁。
在清洁后的衬底上磁控溅射沉积一层厚度为2nm的Ta第一电极；
在所述第一电极上依次通过磁控溅射沉积Pt重金属薄膜、铁磁性的NiFe薄膜以及CeO2阻变薄膜，形成异质结构层；
在所述异质结构层上磁控溅射沉积一层厚度为15nm的Cu第二电极，得到非易失自旋轨道转矩元件。
在所述非易失自旋轨道转矩元件的第一电极以及第二电极处施加2V的外加电场，实现阻变效应对自旋轨道转矩的磁矩翻转的调控。
实施例7
一种非易失自旋轨道转矩元件，包括：
衬底，用于承载所述元件，所述的衬底为硅基衬底；
第一电极，所述的第一电极材料为Au，其设置于衬底上方；
异质结构层，所述的异质结构层设置于第一电极上方，其为1.2nm厚的Ta重金属薄膜、1.5nm厚的CoFe薄膜以及20 nm厚的CeO2阻变薄膜组合沉积构成的自旋阀结构；
第二电极，所述第二电极材料为Au，其设置于异质结构层上方。
实施例8
一种基于电致阻变效应的非易失电控自旋轨道转矩方法，所述的方法包括以下步骤：
制备实施例7中的非易失自旋轨道转矩元件：
衬底清洁：将硅基衬底浸入丙酮中，超声清洗12分钟，然后用蒸馏水清洗三遍；然后再将硅基衬底浸入60%双氧水与98%浓硫酸体积比为1:1的混合液中，浸泡20分钟；取出后置于水中超声14分钟，流水洗净，得到清洁的衬底清洁。
在清洁后的衬底上磁控溅射沉积一层厚度为10nm的Au第一电极；
在所述第一电极上依次通过磁控溅射沉积锡重金属薄膜、铁磁性的CoFe薄膜以及CeO2阻变薄膜，形成异质结构层；
在所述异质结构层上磁控溅射沉积一层厚度为10nm的Au第二电极，得到非易失自旋轨道转矩元件。
在所述非易失自旋轨道转矩元件的第一电极以及第二电极处施加2.5V的外加电场，实现阻变效应对自旋轨道转矩的磁矩翻转的调控。
实施例9
一种非易失自旋轨道转矩元件，包括：
衬底，用于承载所述元件，所述的衬底为硅基衬底；
第一电极，所述的第一电极材料为Ag，其设置于衬底上方；
异质结构层，所述的异质结构层设置于第一电极上方，其为1.8nm厚的钯重金属薄膜、1.6 nm厚的NiFe薄膜以及20nm厚的CeO2阻变薄膜组合沉积构成的自旋阀结构；
第二电极，所述第二电极材料为Ag，其设置于异质结构层上方。
实施例10
一种基于电致阻变效应的非易失电控自旋轨道转矩方法，所述的方法包括以下步骤：
制备实施例9中的非易失自旋轨道转矩元件：
衬底清洁：将硅基衬底浸入丙酮中，超声清洗15分钟，然后用蒸馏水清洗三遍；然后再将硅基衬底浸入60%双氧水与98%浓硫酸体积比为1:1的混合液中，浸泡25分钟；取出后置于水中超声15分钟，流水洗净，得到清洁的衬底清洁。
在清洁后的衬底上磁控溅射沉积一层厚度为5nm的Ag第一电极；
在所述第一电极上依次通过磁控溅射沉积钯金属薄膜、铁磁性的NiFe薄膜以及CeO2阻变薄膜，形成异质结构层；
在所述异质结构层上磁控溅射沉积一层厚度为5nm的Ag第二电极，得到非易失自旋轨道转矩元件。
在所述非易失自旋轨道转矩元件的第一电极以及第二电极处施加5V的外加电场，实现阻变效应对自旋轨道转矩的磁矩翻转的调控。
本发明元件的伏安特性曲线如图1中箭头所示,当电压从0 V缓慢向正向电压增加时，电流值也随之缓慢的增加。当电压增加到约2.3 V时，电流突然急剧的升高，表明元件中CeO2阻变层（3-3）由高阻态转变到低阻态，此为Set过程。在反向偏压的作用下，器件从低阻态转变到高阻态，此过程称为Reset。经过Set和Reset过程之后，器件表现出稳定的双极性电致电阻效应。同时，在撤去电压后，电阻值保持不变，说明元件具有非易失性。
随后，我们还对器件阻变的稳定性进行了测试,如图2所示。在读写操作过程中，写入电压为-2.7 V和3 V，读出电压为0.4 V。两个电阻态在0.4 V的读取电压下的开关比为103，并且高低阻态在104 s内保持稳定。CeO2的双极性电致电阻效应一般归因于电场作用下CeO2-CeO2-x之间的氧化还原反应所产生的氧空位组成的导电细丝的形成和断裂。电场作用下CeO2层（3-3）中氧空位的移动会使铁磁层（3-2）的磁性能发生改变，从而改变铁磁层（3-2）和重金属层（3-1）界面处自旋积累的状态，我们知道，积聚的自旋对相邻铁磁层产生力矩作用。因此，CeO2层（3-3）在高低阻态下，将会调控铁磁层（3-2）和重金属层（3-1）界面处的自旋轨道转矩态。

Claims (10)

1.一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，包括：
衬底，用于承载所述元件，所述的衬底为硅基衬底；
第一电极，所述的第一电极设置于衬底上方；
异质结构层，所述的异质结构层设置于第一电极上方，其由重金属薄膜、铁磁性金属薄膜以及阻变薄膜组合沉积构成；
第二电极，所述第二电极形成于异质结构层上方。
2.根据权利要求1所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述的异质结构层中的重金属薄膜的材料为铂、钽、钯、或者钨中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述的重金属薄膜材料的厚度为0.5~2 nm。
4.根据权利要求1所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述的异质结构层中的铁磁性金属薄膜的材料为Fe、Co、Ni、CoFe或者NiFe中的一种。
5.根据权利要求4所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述的铁磁性金属薄膜的厚度为1~2 nm。
6.根据权利要求1所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述异质结构层中的阻变薄膜的材料为CeO2，其厚度为20~50 nm。
7.根据权利要求1或2或4或6所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述异质结构为磁性单层膜、磁性多层膜、磁性隧道结或自旋阀中的一种。
8.根据权利要求1所述的一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，所述第一电极以及第二电极的材料为Au、Ag或者Cu中的一种。
9.一种基于电致阻变效应的非易失电控自旋轨道转矩方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：
衬底清洁；
在清洁后的衬底上沉积第一电极；
在所述第一电极上依次沉积重金属薄膜、铁磁性金属薄膜以及阻变薄膜，形成异质结构层；
在所述异质结构层上沉积第二电极；
在所述第一电极以及第二电极处施加外加电场，实现阻变效应对自旋轨道转矩的磁矩翻转的调控。
10.根据权利要求9所述的一种基于电致阻变效应的非易失电控自旋轨道转矩方法，其特征在于，所述的外加电场的电压为0.1~5V。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111293217A (zh) * 2019-09-18 2020-06-16 南京理工大学 一种基于应力增强铁磁/重金属薄膜体系中电荷流-自旋流有效转换效率的方法
CN113437210A (zh) * 2021-06-24 2021-09-24 杭州电子科技大学 一种基于自旋轨道转矩的电流调控磁性随机存储器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106531884A (zh) * 2016-12-23 2017-03-22 中国科学院半导体研究所 电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件
US20180301621A1 (en) * 2015-12-25 2018-10-18 Tohoku University Spintronics element
JP6485588B1 (ja) * 2018-12-26 2019-03-20 Tdk株式会社 データの書き込み方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180301621A1 (en) * 2015-12-25 2018-10-18 Tohoku University Spintronics element
CN106531884A (zh) * 2016-12-23 2017-03-22 中国科学院半导体研究所 电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件
JP6485588B1 (ja) * 2018-12-26 2019-03-20 Tdk株式会社 データの書き込み方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111293217A (zh) * 2019-09-18 2020-06-16 南京理工大学 一种基于应力增强铁磁/重金属薄膜体系中电荷流-自旋流有效转换效率的方法
CN113437210A (zh) * 2021-06-24 2021-09-24 杭州电子科技大学 一种基于自旋轨道转矩的电流调控磁性随机存储器

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