CN110214412B - 功率转换装置 - Google Patents

Abstract

功率转换装置具备六个半导体模块(12U1、12U2、12V1、12V2、12W1、12W2)。六个半导体模块(12U1、12U2、12V1、12V2、12W1、12W2)的表面分别具有第1端子(P)、第2端子(N)及第3端子(AC)。构成同一相的半导体模块组的两个半导体模块的第1端子彼此相对地进行配置，多个半导体模块组沿与半导体模块组内的两个半导体模块的排列方向正交的方向进行排列。

Description

功率转换装置

技术领域

本发明涉及使用了半导体模块的功率转换装置，所述半导体模块具备串联连接的正极侧和负极侧的一对半导体开关元件。

背景技术

近年来，随着半导体技术的进步，大容量的半导体模块得以实现，将构成与逆变器的1相相对应的上下桥臂的正极侧和负极侧的一对半导体开关元件进行一体化而形成的半导体模块正得以广泛普及。这种半导体模块被称为二合一模块。

另外，为了进一步实现大容量化，有时采用将二合一模块进行并联的结构以用于构成与一相相对应的模块。在这种情况下，在使用用于对三相电动机进行驱动的两个逆变器、即两个三相逆变器来构成功率转换装置时，需要配置六个二合一模块。

在如上所述的技术背景下，在以下专利文献1中公开了一种将两个三相逆变器收纳于一台壳体的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2015－89244号公报

发明内容

发明所要解决的问题

专利文献1的目的在于实现小型化并减小设置面积。然而，在专利文献1中，在将汇流条用于以双并联方式来构成的一个半导体模块与另一个半导体模块之间的连接的基础上，采用将该汇流条用螺钉固定于半导体模块的端子的构造。因此，无法充分减小以双并联方式来进行排列的半导体模块间的间隔，可以认为存在小型化进一步改善的余地。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，获得一种能减小以双并联方式来进行排列的半导体模块间的间隔、从而进一步力图实现小型化的功率转换装置。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述问题，达到目的，本发明的功率转换装置使用了具备串联连接的一对半导体开关元件的半导体模块，该功率转换装置具备四个以上且为偶数个的所述半导体模块，所述半导体模块的表面具有第1端子、第2端子及第3端子，正侧开关元件的正极与所述第1端子进行电连接，负侧开关元件的负极与所述第2端子进行电连接，所述正侧开关元件的负极和所述负侧开关元件的正极与所述第3端子进行电连接，四个以上且为偶数个的所述半导体模块中构成同一相的半导体模块组的两个半导体模块的第1端子彼此、第2端子彼此或第3端子彼此相对地进行配置，多个所述半导体模块组沿与所述半导体模块组内的两个半导体模块的排列方向正交的方向进行排列。

发明效果

根据本发明，可获得如下效果：能减小以双并联方式来进行排列的半导体模块间的间隔，从而进一步力图实现小型化。

附图说明

图1是表示实施方式1所涉及的功率转换装置的结构例的电路图。

图2是表示实施方式1所涉及的功率转换装置所使用的半导体模块中的各端子的配置的俯视图。

图3是将图2所示的半导体模块适用于图1所示的逆变器电路而获得的电路图。

图4是示意性表示实施方式1的功率转换装置中的六个半导体模块的配置例的图。

图5是表示将实施方式1所涉及的功率转换装置搭载于铁道车辆的情况下的结构例的图。

图6是表示层压汇流条与半导体模块之间的连接状态的俯视图。

图7是示意性表示实施方式2的功率转换装置中的六个半导体模块的配置例的图。

图8是表示实施方式3所涉及的功率转换装置的结构例的图。

图9是表示实施方式4所涉及的功率转换装置中所使用的逆变器电路的电路结构的图。

具体实施方式

下面，基于附图详细说明本发明实施方式所涉及的功率转换装置。此外，本发明并不由以下实施方式所限定。

实施方式1.

图1是表示实施方式1所涉及的功率转换装置的结构例的电路图。在图1中，实施方式1所涉及的功率转换装置包括：输入电路2，该输入电路2至少包含开关、滤波电容器、滤波电抗器；逆变器电路3，该逆变器电路3具备开关元件4a1、4a2、5a1、5a2、6a1、6a2、4b1、4b2、5b1、5b2、6b1、6b2，连接至少一台电动机8而构成；以及控制部7，该控制部7生成并输出用于对开关元件4a1、4a2、5a1、5a2、6a1、6a2、4b1、4b2、5b1、5b2、6b1、6b2进行控制的PWM信号。与逆变器电路3相连接的电动机8的一个示例是感应电动机或同步电动机。

另外，图1中，输入电路2的一端经由集电装置51与架空线50相连接，另一端经由车轮53与提供大地电位的轨道52相连接。将由架空线50提供的直流功率或交流功率经由集电装置51提供给输入电路2的输入端，并且将在输入电路2的输出端产生的功率提供给逆变器电路3。

在逆变器电路3中，正侧开关元件即开关元件4a1、负侧开关元件即开关元件4b1串联连接而构成U相的第1支路，正侧开关元件即开关元件4a2、负侧开关元件即开关元件4b2串联连接而构成U相的第2支路。正侧开关元件也被称为正侧桥臂或上侧桥臂，负侧开关元件也被称为负侧桥臂或下侧桥臂。另外，用U1来表示U相的第1支路，用U2来表示U相的第2支路。

V相和W相的支路也相同。若以下同样地进行说明，则开关元件5a1和开关元件5b1串联连接而构成V相的第1支路，开关元件5a2和开关元件5b2串联连接而构成V相的第2支路。另外，开关元件6a1和开关元件6b1串联连接而构成W相的第1支路，开关元件6a2和开关元件6b2串联连接而构成W相的第2支路。此外，与U相相同，用V1来表示V相的第1支路，用V2来表示V相的第2支路，用W1来表示W相的第1支路，用W2来表示W相的第2支路。

由此，逆变器电路3构成各相中的各个第1支路及第2支路并联连接而形成的三相逆变器电路。此外，对于开关元件4a1、4a2、5a1、5a2、6a1、6a2、4b1、4b2、5b1、5b2、6b1、6b2，优选为内置有反向并联二极管的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)或IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor：绝缘栅双极晶体管)。

控制部7利用PWM(Pulse Width Modulation：脉宽调制)信号来对逆变器电路3的开关元件4a1、4a2、5a1、5a2、6a1、6a2、4b1、4b2、5b1、5b2、6b1、6b2进行PWM控制。利用控制部7的PWM控制，逆变器电路3将从输入电路2施加的直流电压转换成任意频率及任意电压的交流电压，并对电动机8进行驱动。

图2是表示实施方式1所涉及的功率转换装置所使用的半导体模块12中的各端子的配置的俯视图，图3是将图2所示的半导体模块12适用于图1所示的逆变器电路3而获得的电路图。

实施方式1所涉及的功率转换装置所使用的半导体模块12虽未在图2中示出，但在模块壳体即封装30的内部具备串联连接的一对半导体开关元件。

如图2所示，封装30中的一个表面侧设有第1端子M1、第2端子M2及第3端子M3。第1端子M1构成半导体模块12中的正极端子P，第2端子M2构成半导体模块12中的负极端子N，第3端子M3构成半导体模块12中的交流端子AC。

图3中，适用于U1相的功率模块12U1具有由作为晶体管元件的例示的MOSFET4a1s与作为所谓续流二极管(Free Wheeling Diode：FWD)进行动作的二极管(以下记为“FWD”)4a1d反向并联连接而形成的开关元件4a1和由MOSFET4b1s与FWD4b1d反向并联连接而形成的开关元件4b1。开关元件4a1与开关元件4b1串联连接，收纳于模块壳体即封装30内，构成半导体模块12U1中的开关元件对。适用于U2相的半导体模块12U2也具有与半导体模块12U1相同的结构。另外，分别适用于V1相及V2相、以及W1相及W2相的半导体模块12V1、12V2、12W1、12W2也具有与半导体模块12U1相同的结构。由此，半导体模块12U1、12U2、12V1、12V2、12W1、12W2分别为收纳有串联连接的两个开关元件的二合一模块。

另外，MOSFET4a1s的正极即漏极与第1端子M1进行电连接，MOSFET4b1s的负极即源极与第2端子M2进行电连接，MOSFET4a1s的负极即源极及MOSFET4b1s的正极即漏极与第3端子M3进行电连接。半导体模块12U1、12U2、12V1、12V2、12W1、12W2的第1端子M1与从滤波电容器10的正极端子P引出的正极侧母线11P进行电连接，半导体模块12U1、12U2、12V1、12V2、12W1、12W2的第2端子M2与从滤波电容器10的负极端子N引出的负极侧母线11N进行电连接。此外，滤波电容器10是存储功率转换所需的直流功率的电容器，是功率转换装置中的功率供给源。

另外，半导体模块12U1的第3端子M3与半导体模块12U2的第3端子M3进行电连接而构成U相交流端子，并与电动机8的U相进行电连接。半导体模块12V1的第3端子M3与半导体模块12V2的第3端子M3进行电连接而构成V相交流端子，并与电动机8的V相进行电连接。半导体模块12W1的第3端子M3与半导体模块12W2的第3端子M3进行电连接而构成W相交流端子，并与电动机8的W相进行电连接。

此外，图3中，作为搭载于半导体模块12U1的开关元件4a、4b举例示出了MOSFET，但也可以是MOSFET以外的元件。作为MOSFET以外的开关元件，可举例示出IGBT或IPM(Intelligent Power Module：智能功率模块)。

回到图2，对半导体模块12中的各端子的结构进行说明。半导体模块12的封装30形成为横向较长的形状。第1端子M1上设有两个紧固点32P，第2端子M2上设有两个紧固点32N，第3端子M3上设有三个紧固点32AC。由此，第1端子M1、第2端子M2及第3端子M3上设有多个紧固点，因此，模块内的芯片间的分流变好，具有能减小模块内的发热的不均的优点。此外，在图2中，将第1端子M1上的紧固点32P的数量以及第2端子M2上的紧固点32N的数量设为两个，将第3端子M3上的紧固点32AC的数量设为三个，但也可以根据电流容量来改变这些紧固点的数量。即，第1端子M1上的紧固点32P及第2端子M2上的紧固点32N的数量也可以分别为三个以上。另外，第3端子M3上的紧固点32AC的数量可以为两个，也可以为四个以上。

在封装30中的一侧的短边部33上排列第1端子M1上的两个紧固点32P，使得沿与封装30的长边方向正交的方向进行排列。第2端子M2上的两个紧固点32N与第1端子M1上的两个紧固点32P的排列平行，并且，第2端子M2上的两个紧固点32N排列得比第1端子M1要靠近封装30的内侧即中央部一侧。在封装30中的另一侧的短边部34上排列第3端子M3上的三个紧固点32AC，使得沿与封装30的长边方向正交的方向进行排列。利用这些排列，第1端子M1、第2端子M2及第3端子M3上的各紧固点配置于相对与封装30的长边方向平行的将短边方向彼此连结的中心线L1呈线对称的位置。

第1端子M1上的一个紧固点32P与第2端子M2上的一个紧固点32N隔开距离d进行配置。距离d是绝缘所需的距离。距离d能根据施加于第1端子M1的电压与施加于第2端子M2的电压之差、即第1端子M1与第2端子M2之间的电位差来决定。

第1端子M1上的两个紧固点32P最大限度地靠近封装30的一侧的短边部33上的一边33a侧进行配置，使得紧固点32P的外侧的一边35沿着该一边33a。此外，在封装30的另一侧的短边部34上，设有用于搭载第3端子M3上的三个紧固点32AC的底座部36。第3端子M3上的三个紧固点32AC最大限度地靠近底座部36的长边方向的一边36a侧进行配置，使得紧固点32AC的外侧的一边37沿着该一边36a。

如上所述构成第1端子M1上的两个紧固点32P及第3端子M3上的三个紧固点32AC，从而能抑制半导体模块12的壳体即封装30变大，并能确保收纳于封装30内的半导体元件的搭载面积。

此外，在图2中，将第1端子M1配置于封装30的外侧，将第2端子M2配置于封装30的内侧，但也可以颠倒它们的关系。即，也可以将第2端子M2配置于封装30的外侧，将第1端子M1配置于封装30的内侧。

接着，参照图4，对实施方式1的功率转换装置中的六个半导体模块的配置进行说明。图4是示意性表示实施方式1的功率转换装置中的六个半导体模块的配置例的图。

与实施方式1的功率转换装置中的六个半导体模块的配置有关的特征如下所述。此外，在以下的说明中，将第1端子M1(P)称为正极直流端子，将第2端子M2(N)称为负极直流端子，将第3端子M3(AC)称为交流端子。

(1)将构成同一相的半导体模块的两个半导体模块中的正极直流端子彼此相对地进行配置。

(2)在将构成同一相的半导体模块的两个半导体模块设为半导体模块组时，将三个半导体模块组沿与半导体模块组内的两个半导体模块的排列方向正交的方向进行排列。

(3)半导体模块组中的各个正极直流端子、负极直流端子及交流端子配置于相对与各半导体模块的短边平行延伸的中心线L2呈线对称的位置。

(4)同一相的半导体模块中的正极直流端子彼此接近地进行配置，同一相的半导体模块中的模块间的间隔d1比半导体模块组间的间隔即不同相的半导体模块中的模块间的间隔d2要小。

对上述特征进行补充。在图4中，构成W2相的半导体模块12W2相当于将构成W1相的半导体模块12W1相对于与配置面正交的轴旋转180度。即，半导体模块12W1与半导体模块12W2具有旋转对称的关系。另外，半导体模块12W1与半导体模块12W2具有相对于中心线L2呈镜像的关系。即，半导体模块12W1与半导体模块12W2具有线对称的关系。

满足如上所述的旋转对称及线对称的关系的原因在于，如上所述，第1端子M1、第2端子M2及第3端子M3上的各紧固点如图2所示，相对于封装30的中心线L1呈线对称地进行配置。由此，同一相的半导体模块中的正极直流端子彼此呈相对的关系。无论半导体模块12是同相还是异相，正极直流端子彼此都是以同电位进行变动的端子，逆变器电路3进行功率转换动作的情况下的电位也都以同电位进行变动。因此，端子间的电位差理论上为零，能使相对的正极直流端子彼此靠近。由此，能缩小模块间的间隔d1。

此外，在将负极直流端子配置于边部、将负极直流端子彼此相对地进行配置的情况下也同样能获得上述效果。

图5是表示将实施方式1所涉及的功率转换装置搭载于铁道车辆的情况下的结构例的图，是从车辆上部侧向导轨侧对搭载于铁道车辆的功率转换装置的内部进行目视确认时的主视图。图6是表示层压汇流条与半导体模块之间的连接状态的俯视图。

如图5所示，功率转换装置构成为包括散热器65、栅极控制单元67、断流器及I/F单元68以及逆变器装置70。另外，逆变器装置70具有栅极驱动电路基板40、滤波电容器10、元件部42及层压汇流条44。此外，实际的车辆搭载状态下，除了散热器65以外，栅极控制单元67、断流器及I/F单元68以及逆变器装置70收纳于壳体66的内部而与外部气体隔绝。另一方面，散热器65以与外部气体接触的方式安装于壳体66的外部，构成为能利用冷却风进行冷却。

元件部42是包含多个图2所示的半导体模块12的结构部。在图5中，作为元件部42，图示出了半导体模块12W1、12W2。栅极驱动电路基板40是搭载有生成对元件部42的半导体模块12进行PWM驱动所需的驱动信号的栅极驱动电路40a的基板。断流器及I/F单元68是具有切断流过逆变器装置70的电流的功能以及进行栅极控制单元67与栅极驱动电路40a之间的信号收发的功能的结构部。

滤波电容器10与构成元件部42的半导体模块12通过形成为L字形的层压汇流条44相连结。层压汇流条44是用层压材料对薄板金属板和绝缘物进行一体覆盖而形成的部件。在图5中，示出了形成薄板金属板的第1导体部44a和第2导体部44b。此外，也可以用未被层压材料所覆盖的层叠汇流条来代替层压汇流条44。

如图6所示，层压汇流条44中的第1导体部44a与半导体模块12U1、12U2、12V1、12V2、12W1、12W2的正极直流端子进行电连接，第2导体部44b与半导体模块12U1、12U2、12V1、12V2、12W1、12W2的负极直流端子进行电连接。

另外，如图5所示，层压汇流条44中的第1导体部44a与滤波电容器10的正极端子10a进行电连接，层压汇流条44中的第2导体部44b与滤波电容器10的负极端子10b进行电连接。通过这些连接，构成元件部42的半导体模块12U1、12U2、12V1、12V2、12W1、12W2与滤波电容器10之间分别进行电连接。

此外，虽未在图5及图6中图示出，但在形成图1及图3所示的电路结构时，也可以将同一相的半导体模块中的交流端子AC彼此进行电连接。在这种情况下，可以对图5及图6所示的层压汇流条44的结构进行变更来使用，也可以使用与层压汇流条44不同的层压汇流条或导体条。

如以上所说明的那样，根据实施方式1所涉及的功率转换装置，在由六个半导体模块中构成同一相的半导体模块的两个半导体模块所构成的半导体模块组中，将两个半导体模块的第1端子彼此或第2端子彼此相对地进行配置，并将三个半导体模块组沿与半导体模块组内的两个半导体模块的排列方向正交的方向进行排列，因此，能减小以双并联方式来进行配置的半导体模块间的间隔，能进一步力图使包含逆变器电路的功率转换装置实现小型化。

实施方式2.

图7是示意性表示实施方式2的功率转换装置中的六个半导体模块的配置例的图。在实施方式1中，如图4所示，构成同一相的半导体模块的两个半导体模块中的正极直流端子彼此相对地进行配置。与之相对，在实施方式2中，如图7所示，构成同一相的半导体模块的两个半导体模块中的交流端子彼此相对地进行配置。其它结构与实施方式1相同或等同，对相同或等同的结构部标注相同标号，并省略重复说明。

除了上述特征以外，在实施方式2的结构中，还具有以下特征。

(1)与实施方式1的结构相同，将三个半导体模块组沿与半导体模块组内的两个半导体模块的排列方向正交的方向进行排列。

(2)半导体模块组中的各个正极直流端子、负极直流端子及交流端子配置于相对与各半导体模块的短边平行延伸的中心线L3呈线对称的位置。

(3)同一相的半导体模块中的交流端子彼此接近地进行配置，同一相的半导体模块中的模块间的间隔d3比半导体模块组间的间隔即不同相的半导体模块中的模块间的间隔d4要小。

在实施方式2的结构中，同一相的交流端子彼此是以同电位进行变动的端子，逆变器电路3进行功率转换动作的情况下的电位也以同电位进行变动。因此，端子间的电位差理论上为零，能使相对的交流端子彼此靠近。由此，能缩小模块间的间隔d3。

如以上所说明的那样，根据实施方式2所涉及的功率转换装置，在由六个半导体模块中构成同一相的半导体模块的两个半导体模块所构成的半导体模块组中，将两个半导体模块的第3端子彼此相对地进行配置，并将三个半导体模块组沿与半导体模块组内的两个半导体模块的排列方向正交的方向进行排列，因此，能减小以双并联方式来进行配置的半导体模块间的间隔，能进一步力图使包含逆变器电路的功率转换装置实现小型化。

实施方式3.

在实施方式1、2中，对将图2所示的半导体模块12适用于逆变器电路3的情况的实施方式进行了说明，而在实施方式3中，对将图2所示的半导体模块12适用于转换器电路的情况的实施方式进行说明。

图8是表示实施方式3所涉及的功率转换装置的结构例的图。图8所示的实施方式3所涉及的功率转换装置是适用于交流输入的电车的功率转换装置的一个结构例，构成为具有转换器电路20、滤波电容器10和逆变器电路3。

在图8中，由变压器56来对经由集电装置51从架空线50进行集电的交流电压进行降压，然后，由转换器电路20将该交流电压转换为直流电压。利用逆变器电路3将转换后的直流电压经由滤波电容器10转换为任意频率及任意电压的交流电压，并施加于电动机8，以对电动机8进行驱动。

这里，图8所示的转换器电路20也与实施方式1相同，具有以下结构：各相具有两组由正侧开关元件和负侧开关元件串联连接而成的支路。因此，在图4或图7的结构中，使用四个半导体模块12U1、12U2、12V1、12V2来构成转换器电路20，根据上述结构，能力图使转换器电路20实现小型化。

如以上所说明的那样，根据实施方式3所涉及的功率转换装置，在由四个半导体模块中构成同一相的半导体模块的两个半导体模块所构成的半导体模块组中，将两个半导体模块的第1端子彼此、第2端子彼此或第3端子彼此相对地进行配置，并将两个半导体模块组沿与半导体模块组内的两个半导体模块的排列方向正交的方向进行排列，因此，能减小以双并联方式来进行配置的半导体模块间的间隔，能进一步力图使包含转换器电路的功率转换装置实现小型化。

实施方式4.

在实施方式1、2的逆变器电路3中，对使用由各相的各个第1支路及第2支路并联连接而成的三相逆变器电路来对一台或多台电动机8进行驱动的实施方式进行了说明，但在实施方式4中，对使用不将第1支路和第2支路并联连接而构成的两个三相逆变器电路来对一台或多台电动机8进行驱动的实施方式进行说明。

图9是表示实施方式4所涉及的功率转换装置中所使用的逆变器电路3A的电路结构的图。对与图1或图3所示的实施方式1相同或等同的结构部标注相同的标号来表示。

在图9所示的逆变器电路3A中，具备开关元件4a1、4a2、5a1、5a2、6a1、6a2、4b1、4b2、5b1、5b2、6b1、6b2这点与图1或图3所示的逆变器电路3相同，而不同点在于各相的各个第1支路及第2支路未并联连接。

此外，在图9中，示出了构成逆变器电路3A的一个三相逆变器电路对电动机8a进行驱动、构成逆变器电路3A的另一个三相逆变器电路对电动机8b进行驱动的结构，但电动机8a、8b可以是一台，也可以是多台。在实施方式1的结构中逆变器电路3所驱动的电动机8也既可以是一台也可以是多台，这点是共通的。

在图9所示的逆变器电路3A的结构中，也能采用图4或图7所示的配置例。另外，在这种情况下，如图9的电路图所示，成为如下电路结构：正极侧的开关元件的漏极与正极侧母线11P进行电连接，负极侧的开关元件的源极与负极侧母线11N进行电连接。因此，使用图5及图6所示的层压汇流条44，能将半导体模块12与滤波电容器10之间进行连接。

另外，上述实施方式所示的结构表示本发明内容的一个示例，也可以与其它公知技术进行组合，也可以在不脱离本发明主旨的范围内对结构的一部分进行省略、变更。

标号说明

2 输入电路，

3、3A 逆变器电路，

4a1、4a2、5a1、5a2、6a1、6a2、4b1、4b2、5b1、5b2、6b1、6b2 开关元件，

7 控制部，

8、8a、8b 电动机，

10 滤波电容器，

10a 正极端子，

10b 负极端子，

11P 正极侧母线，

11N 负极侧母线，

12、12U1、12U2、12V1、12V2、12W1、12W2 半导体模块，

20 转换器电路，

30 封装，

32P、32N、32AC 紧固点，

33、34 短边部，

33a、35、36a、37 一边，

36 底座部，

40 栅极驱动电路基板，

40a 栅极驱动电路，

42 元件部，

44 层压汇流条，

44a 第1导体部，

44b 第2导体部，

50 架空线，

51 集电装置，

52 导轨，

53 车轮，

56 变压器，

65 散热器，

66 壳体，

67 栅极控制单元，

68 断流器及I/F单元，

70 逆变器装置。

Claims (7)

1.一种功率转换装置，该功率转换装置使用了具备串联连接的一对半导体开关元件的半导体模块，其特征在于，

具备四个以上且为偶数个的所述半导体模块，

所述半导体模块的表面具有第1端子、第2端子及第3端子，

所述第1端子、所述第2端子及所述第3端子设有多个紧固点，

正侧开关元件的正极与所述第1端子进行电连接，

负侧开关元件的负极与所述第2端子进行电连接，

所述正侧开关元件的负极和所述负侧开关元件的正极与所述第3端子进行电连接，

四个以上且为偶数个的所述半导体模块中构成同一相的半导体模块组的两个半导体模块的第1端子彼此、第2端子彼此或第3端子彼此相对地进行配置，

多个所述半导体模块组沿与所述半导体模块组内的两个半导体模块的排列方向正交的方向进行排列。

2.如权利要求1所述的功率转换装置，其特征在于，

所述半导体模块的数量为六个，使用六个所述半导体模块来构成各相以双并联方式进行连接的三相逆变器电路。

3.如权利要求1所述的功率转换装置，其特征在于，

所述半导体模块的数量为四个，使用四个所述半导体模块来构成各相以双并联方式进行连接的转换器电路。

4.如权利要求1所述的功率转换装置，其特征在于，

所述半导体模块的数量为六个，使用六个所述半导体模块来构成两个三相逆变器电路。

5.如权利要求1至4的任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

所述第1端子是正极直流端子，

所述第2端子是负极直流端子，

所述第3端子是交流端子。

6.如权利要求1至4的任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

所述第1端子的多个所述紧固点在模块壳体的一侧的短边部，沿与所述模块壳体的长边方向正交的方向进行排列，

所述第2端子的多个所述紧固点与所述第1端子的多个所述紧固点的列平行，且排列得比所述第1端子要靠近所述模块壳体的内侧，

所述第3端子的多个所述紧固点在所述模块壳体的另一侧的短边部，沿与所述模块壳体的长边方向正交的方向进行排列。

7.如权利要求5所述的功率转换装置，其特征在于，

所述第1端子的多个所述紧固点在模块壳体的一侧的短边部，沿与所述模块壳体的长边方向正交的方向进行排列，

所述第2端子的多个所述紧固点与所述第1端子的多个所述紧固点的列平行，且排列得比所述第1端子要靠近所述模块壳体的内侧，

所述第3端子的多个所述紧固点在所述模块壳体的另一侧的短边部，沿与所述模块壳体的长边方向正交的方向进行排列。

Images