CN110186872B - 一种折射率传感器及其制备方法 - Google Patents

一种折射率传感器及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110186872B
CN110186872B CN201910541876.XA CN201910541876A CN110186872B CN 110186872 B CN110186872 B CN 110186872B CN 201910541876 A CN201910541876 A CN 201910541876A CN 110186872 B CN110186872 B CN 110186872B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chiral
refractive index
dielectric layer
metal material
metamaterial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910541876.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110186872A (zh
Inventor
王志明
朱奕松
余鹏
童鑫
林峰
巫江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN201910541876.XA priority Critical patent/CN110186872B/zh
Publication of CN110186872A publication Critical patent/CN110186872A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110186872B publication Critical patent/CN110186872B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/41—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明涉及光学技术领域，具体为一种折射率传感器及其制备方法，所述方法包括：在预先提供的基底层上沉积第一金属材料，形成金属反射镜面，在所述金属反射镜面上制备电介质层，再在所述电介质层上涂抹有机材料，对其进行冷却、干燥处理后，再对所述有机材料进行电子束刻蚀处理，得到手性结构并在其表面沉积第二金属材料，使用浸泡液浸泡沉积了所述第二金属材料的所述手性结构，移除所述手性结构上的有机材料和多余的所述第二金属材料，得到手性超材料，基于所述手性超材料，制备得到折射率传感器。通过该方法，可以便捷地制备出精度高、结构简单且能够规避环境中噪声光源影响的折射率传感器。

Description

一种折射率传感器及其制备方法
技术领域
本发明涉及光学技术领域，具体而言，涉及一种手性超材料传感器及其制备方法。
背景技术
随着纳米光子学的兴起，光学仪器的设计使用波段也不仅仅局限于可见光的部分，而且不断向非可见光扩展。同时，在光通讯中具有重要意义的两个波1310nm、1550nm，也位于非可见光中的近红外波段之中。因此，对于光通讯而言，测量非可见光的光学参数具有十分重要的意义，折射率作为重要的光学参数，对折射率进行测量也尤为重要。
在等离子体激元学领域，亚波长尺寸纳米金属结构在与入射电磁波相互作用的过程中会产生一种名为局域表面等离激元谐振(LSPR)的效应，这种效应强烈的受纳米颗粒的尺寸、形状以及周围环境的影响，这为设计折射率传感器开辟了一条新的道路。这种传感器可以检测出目标分子的微小浓度变化，也可以实现近红波段的折射率传感。
然而，在实际应用中，环境中不可避免的存在一些近红外光，其将对折射率的测量产生干扰，使得近红外折射率传感器失真，测试精度低，并且一些复杂的超材料结构也增加了材料加工的难度以及成本。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种折射率传感器及其制备方法，该折射率传感器检测精度高、结构简单，能够规避环境中噪声光源的影响。
第一方面，本发明实施例提供的折射率传感器制备方法包括：
在预先提供的基底层上沉积第一金属材料，形成金属反射镜面；
在所述金属反射镜面上制备电介质层；
在所述电介质层上涂抹有机材料，对所述有机材料进行冷却、干燥处理；
对干燥后的所述有机材料进行电子束刻蚀处理，得到手性结构；
在所述手性结构的表面沉积第二金属材料；
使用浸泡液浸泡沉积了所述第二金属材料的所述手性结构，移除所述手性结构上的有机材料和多余的所述第二金属材料，得到手性超材料；
基于所述手性超材料，制备得到折射率传感器。
可选地，在预先提供的基底层上沉积第一金属材料，形成金属反射镜面具体为：
在所述基底层上沉积钛，形成粘附层；
在所述粘附层上沉积第一金属材料。
可选地，在所述金属反射镜面上制备电介质层具体为：
使用物理气相沉积方法，在所述金属反射镜面上制备二氧化硅电介质层。
可选地，在所述电介质层上涂抹有机材料，对所述有机材料进行冷却、干燥处理具体为：
在所述电介质层上涂抹聚甲基丙烯酸甲酯材料；
在所述聚甲基丙烯酸甲酯材料上刻蚀出直角梯形形状结构；
冷却、干燥所述直角梯形形状结构后得到手性超材料。
可选地，所述手性超材料在近红外波段具有圆二色性；所述第一金属材料和所述第二金属材料为金或者银。
可选地，当所述第二金属材料为银时，使用银与铝共沉积法，进行铝掺杂，使所述手性超材料的表面钝化。
可选地，使用浸泡液浸泡沉积了所述第二金属材料的所述手性结构，移除所述手性结构上的有机材料和多余的所述第二金属材料，得到手性超材料具体为：
使用加热至预设温度的丙酮溶液，浸泡所述手性结构，移除所述手性结构上的有机材料和多余的所述第二金属材料。
基于圆二色光源，对所述手性超材料进行测试和标定，得到手性超材料。
第二方面，本发明实施例还提供了一种折射率传感器，包括手性超材料、金属反射镜面、电介质层和基底层，所述金属反射镜面、所述电介质层和所述手性超材料依次堆叠于所述基底层上。
所述手性超材料在近红外波段具有圆二色性，其表面存在对环境敏感的等离子体共振效应。
可选地，所述电介质层为二氧化硅介质层。
可选地，所述金属反射镜面的材质为金或银。
综上所述，本发明实施例提供的折射率传感器及其制备方法，该方法通过在预先提供的基底层上沉积第一金属材料，形成金属反射镜面，在所述金属反射镜面上制备电介质层，再在所述电介质层上涂抹有机材料，对其进行冷却、干燥处理后，再对所述有机材料进行电子束刻蚀处理，得到手性结构并在其表面沉积第二金属材料，使用浸泡液浸泡沉积了所述第二金属材料的所述手性结构，移除所述手性结构上的有机材料和多余的所述第二金属材料，得到手性超材料，基于所述手性超材料，制备得到折射率传感器。通过该方法，可以便捷地制备出精度高、结构简单且能够规避环境中噪声光源影响的折射率传感器。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
图1为本发明实施例提供的折射率传感器的一种示意图。
图标：1-基底层；2-金属反射镜面；3-电介质层；4-手性超材料。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解发明的技术方案，下面结合具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
随着纳米光子学的兴起，光学仪器的设计使用波段也不仅仅局限于可见光的部分，而且不断向非可见光扩展。近红外光一直是人们重点关注的研究方向，近红外光可广泛应用于各种领域，如微光夜视、火控系统、光电对抗、火灾预防、环境监测、食品安全、无人驾驶等。同时光通讯的两个重要波1310nm、1550nm也位于近红外波段之中。
折射率是光学材料的重要参数之一，其测量方法可分为两类:一类是应用折射率及反射、全反射定律，通过准确测量角度来求折射率的几何光学方法，如最小偏向角法、掠入射法、全反射法和位移法等。另一类是利用光通过介质(或由介质反射)后，透射光的相位变化(或反射光的偏振态变化)与折射率密切相关的原理来测定折射率的物理光学方法，如布儒斯特角法、干涉法、椭偏法等。
在等离子体激元学领域，亚波长尺寸纳米金属结构在与入射电磁波相互作用的过程中会产生一种名为局域表面等离激元谐振(LSPR)的效应，这种效应强烈的受纳米颗粒的尺寸、形状以及周围环境的影响。因此，这就为设计折射率传感器开辟了一条新的道路，这种传感器可以检测出目标分子的微小浓度变化，也可以实现近红波段的折射率传感。
然而，折射率在不同波段中是变化的，这对于折射率的测量精度而言是一个很大的挑战。此外，有需求提出，非可见光波段折射率测量的精度，应该和可见光相同的或者更高的测试精度。不仅如此，在实际应用中，环境中也不可避免的存在一些近红外光对折射率的测量产生干扰，使得近红外折射率传感器失真的问题依然无法解决，并且一些复杂的超材料结构也增加了材料加工的难度以及成本。
基于上述研究，本发明实施例提供了一种折射率传感器及其制备方法。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和指示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
请结合参阅图1，图1为本发明实施例提供的折射率传感器的一种示意图。本发明实施例提供的折射率传感器，包括基底层1、电介质层3、金属反射镜面2和手性超材料4。所述金属反射镜面2、所述电介质层3和所述手性超材料4依次堆叠于所述基底层1上。所述手性超材料4在近红外波段具有圆二色性，其表面存在对环境敏感的等离子体共振效应。
可选地，在本发明实施例中，所述电介质层3为二氧化硅介质层。
可选地，在本发明实施例中，所述金属反射镜面2的材质为金或银。
在本发明实施例中，所述基底层1的材质为P型外延单晶硅片。通过磁控溅射、热蒸镀等物理气相沉积方法，在所述基底层1依次沉积生长出所述金属反射镜面2和所述电介质层3。在所述电介质层3的沉积结束之后，利用电子束光刻技术与电子束蒸镀技术制备出所述手性超材料4。
在本发明实施例中，由于所选用的所述手性超材料4，对圆极化光具有表面等离子体共振效应，且对左旋光与右旋光的共振增强存在的差异会造成吸收差值，即具有圆二色性，由于等离子体共振受环境折射率的影响，致使圆二色光谱共振峰移动，进而实现近红外折射率的传感。且圆二色光的等离子体共振效应规避了环境中噪声光源的影响，可提高对环境折射率探测的准确度。
进一步可选地，所述手性超材料4可设置为容易加工的直角梯形的结构，从而降低了材料的加工难度，节省了制造成本。
由此，通过实验和测试数据能够得出，本发明实施例所提供的所述折射率传感器的折射率敏感度S＝300nm/RIU，品质因子FOM＝3.5，在环境中近红外光的干扰下依然能够正常工作。且在制备工艺方面，其相对其他超材料折射率传感器更容易加工。
本发明实施例还提供了一种折射率传感器制备方法，所述方法包括以下步骤：
在预先提供的基底层1上沉积第一金属材料，形成金属反射镜面2；
在所述金属反射镜面2上制备电介质层3；
在所述电介质层3上涂抹有机材料，对所述有机材料进行冷却、干燥处理；
对干燥后的所述有机材料进行电子束刻蚀处理，得到手性结构；
在所述手性结构的表面沉积第二金属材料；
使用浸泡液浸泡沉积了所述第二金属材料的所述手性结构，移除所述手性结构上的有机材料和多余的所述第二金属材料，得到手性超材料4；
基于所述手性超材料4，制备得到折射率传感器。
可选地，在本发明实施例中，所述基底层1的材料为P型外延单晶硅片，在预先提供的基底层1上沉积第一金属材料，形成金属反射镜面2具体为：
在所述基底层1上沉积钛，形成粘附层；
在所述粘附层上沉积第一金属材料。
可选地，在本发明实施例中，所述粘附层的形成，可在所述基底层1上用热蒸镀法沉积的钛，钛的厚度可以是10nm。
所述粘附层位于所述金属反射镜面2和所述基底层1之间，从而使得所述金属反射镜面2和所述基底层1粘接更紧密。
在本发明实施例中，所述在预先提供的基底层1上沉积第一金属材料，形成金属反射镜面2的步骤，可选地，是在所述基底层1上已经形成粘附层之后，继续沉积第一金属材料作为金属反射镜面2。其中，所述第一金属材料可以是金或者银，厚度可以是100nm。
可选地，在所述金属反射镜面2上制备电介质层3具体为：
使用物理气相沉积方法，在所述金属反射镜面2上制备二氧化硅电介质层。
可选地，所述物理气相沉积方法包括热蒸发和磁控溅射等，所述二氧化硅电介质层3的厚度可以是100-150nm。
可选地，在所述电介质层3上涂抹有机材料，对所述有机材料进行冷却、干燥处理具体为：
在所述电介质层3上涂抹聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料；
在所述聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料上刻蚀出直角梯形形状结构；
冷却、干燥所述直角梯形形状结构后得到手性超材料4。
可选地，在本发明实施例中，所述聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料的涂抹采用的是旋涂，厚度可以是130nm。
可选地，在本发明实施例中，所述手性超材料4设置为容易加工的直角梯形的结构，能够降低材料的加工难度，节省制造成本。
应当说明的是，该方法中所提供的所述手性超材料4，采用的材质包括金或者银，其对圆极化光具有表面等离子体共振效应，且对左旋光与右旋光的共振增强存在的差异会造成吸收差值，即具有圆二色性，由于等离子体共振受环境折射率的影响，致使圆二色光谱共振峰移动，进而实现近红外折射率的传感。且圆二色光的等离子体共振效应规避了环境中噪声光源的影响，可提高对环境折射率探测的准确度。
可选地，冷却、干燥得到手性超材料4具体为：
使用预设溶液，对所述手性超材料4进行冷却。
对冷却后的所述手性超材料4进行冲洗和吹干。
可选地，在本发明实施例中，所述预设溶液是，比例为1：3的甲基异丁基酮(MIBK)与异丙醇(IPA)溶液。使用异丙醇(IPA)对冷却后的所述手性超材料4进行冲洗，以及使用氮气对其进行吹干。
可选地，在本发明实施例中，在所述手性结构的表面沉积第二金属材料具体为：
采用电子束蒸发的方式在所述手性结构的表面沉积第二金属材料。
其中电子束蒸发的速率为
Figure BDA0002102797920000081
/秒，沉积的所述第二金属材料的厚度可以是20-40nm。
可选地，所述第一金属材料和所述第二金属材料为金或者银。
进一步可选地，当所述第二金属材料为银时，使用银与铝共沉积法，进行铝掺杂，使所述手性超材料4的表面钝化。其中，铝的掺杂浓度约为9％。
可选地，使用浸泡液浸泡沉积了所述第二金属材料的所述手性结构，移除所述手性结构上的有机材料和多余的所述第二金属材料，得到手性超材料4具体为：
使用加热至预设温度的丙酮溶液，浸泡所述手性结构，移除所述手性结构上的有机材料和多余的所述第二金属材料；
基于圆二色光源，对所述手性超材料4进行测试和标定，得到手性超材料4。
可选地，在本发明实施例中，所述预设温度可以是80℃，将所述手性超材料4浸泡于丙酮溶液中，以移除所述手性超材料4表面的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
可选地，基于所述手性超材料4，制备得到折射率传感器具体为：
封装标定后的所述手性超材料4，制得折射率传感器。
综上所述，本发明实施例提供的折射率传感器及其制备方法，该方法通过在预先提供的基底层1上沉积第一金属材料，形成金属反射镜面2，在所述金属反射镜面2上制备电介质层3，再在所述电介质层3上涂抹有机材料，对其进行冷却、干燥处理后，再对所述有机材料进行电子束刻蚀处理，得到手性结构并在其表面沉积第二金属材料，使用浸泡液浸泡沉积了所述第二金属材料的所述手性结构，移除所述手性结构上的有机材料和多余的所述第二金属材料，得到手性超材料4，基于所述手性超材料4，制备得到折射率传感器。通过该方法，可以便捷地制备出精度高、结构简单且能够规避环境中噪声光源影响的折射率传感器。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种折射率传感器制备方法，其特征在于，包括：
在预先提供的基底层上沉积第一金属材料，形成金属反射镜面；
在所述金属反射镜面上制备电介质层；
在所述电介质层上涂抹有机材料，对所述有机材料进行冷却、干燥处理；
对干燥后的所述有机材料进行电子束刻蚀处理，得到手性结构；
在所述手性结构的表面沉积第二金属材料；
使用浸泡液浸泡沉积了所述第二金属材料的所述手性结构，移除所述手性结构上的有机材料和多余的所述第二金属材料，得到手性超材料；
所述手性超材料在近红外波段具有圆二色性，所述手性超材料呈直角梯形形状结构；
所述第一金属材料为金或者银；
所述第二金属材料为银，使用银与铝共沉积法，进行铝掺杂，铝的掺杂浓度为9％，使所述手性超材料的表面钝化；
基于所述手性超材料，制备得到折射率传感器。
2.根据权利要求1所述的折射率传感器制备方法，其特征在于，在预先提供的基底层上沉积第一金属材料，形成金属反射镜面具体为：
在所述基底层上沉积钛，形成粘附层；
在所述粘附层上沉积第一金属材料。
3.根据权利要求1所述的折射率传感器制备方法，其特征在于，在所述金属反射镜面上制备电介质层具体为：
使用物理气相沉积方法，在所述金属反射镜面上制备二氧化硅电介质层。
4.根据权利要求1所述的折射率传感器制备方法，其特征在于，在所述电介质层上涂抹有机材料，对所述有机材料进行冷却、干燥处理具体为：
在所述电介质层上涂抹聚甲基丙烯酸甲酯材料；
在所述聚甲基丙烯酸甲酯材料上刻蚀出直角梯形形状结构；
冷却、干燥所述直角梯形形状结构后得到手性超材料。
5.根据权利要求1所述的折射率传感器制备方法，其特征在于，使用浸泡液浸泡沉积了所述第二金属材料的所述手性结构，移除所述手性结构上的有机材料和多余的所述第二金属材料，得到手性超材料具体为：
使用加热至预设温度的丙酮溶液，浸泡所述手性结构，移除所述手性结构上的有机材料和多余的所述第二金属材料；
基于圆二色光源，对所述手性超材料进行测试和标定，得到手性超材料。
6.一种采用权利要求1至5任一项所述折射率传感器制备方法制得的折射率传感器，其特征在于，包括手性超材料、金属反射镜面、电介质层和基底层，所述金属反射镜面、所述电介质层和所述手性超材料依次堆叠于所述基底层上；
所述手性超材料在近红外波段具有圆二色性，其表面存在对环境敏感的等离子体共振效应，所述手性超材料所采用的第二金属材料为银并掺杂铝，铝的掺杂浓度为9％。
7.根据权利要求6所述的折射率传感器，其特征在于，所述电介质层为二氧化硅介质层。
CN201910541876.XA 2019-06-21 2019-06-21 一种折射率传感器及其制备方法 Active CN110186872B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910541876.XA CN110186872B (zh) 2019-06-21 2019-06-21 一种折射率传感器及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910541876.XA CN110186872B (zh) 2019-06-21 2019-06-21 一种折射率传感器及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110186872A CN110186872A (zh) 2019-08-30
CN110186872B true CN110186872B (zh) 2022-01-28

Family

ID=67722751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910541876.XA Active CN110186872B (zh) 2019-06-21 2019-06-21 一种折射率传感器及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110186872B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113866863B (zh) * 2021-10-28 2023-12-29 觉芯电子(无锡)有限公司 一种手性光学元件及其制备方法

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101150089A (zh) * 2006-09-19 2008-03-26 北京大学 单壁碳纳米管器件集成方法
CN101246123A (zh) * 2008-01-04 2008-08-20 清华大学 一种长程表面等离子波折射率检测芯片
CN101865841A (zh) * 2010-06-28 2010-10-20 北京航空航天大学 一种高灵敏度表面等离子体共振传感器
CN103063607A (zh) * 2011-10-20 2013-04-24 西北工业大学 一种基于超材料吸收器的光学折射率传感器
CN103196867A (zh) * 2013-04-01 2013-07-10 中山大学 局域等离子体谐振折射率传感器及其制造方法
CN103808691A (zh) * 2014-02-19 2014-05-21 中国科学院半导体研究所 非对称Au粒子阵列和FP腔耦合的折射率传感器
CN104216039A (zh) * 2014-09-26 2014-12-17 东南大学 一种能够实现宽带不对称传输的光学特异材料
CN104316988A (zh) * 2014-11-17 2015-01-28 中国人民解放军国防科学技术大学 一种单层平面手性金属结构圆偏振器
CN104865628A (zh) * 2015-06-02 2015-08-26 中国科学院上海技术物理研究所 类螺旋金属手性超材料圆偏振器
WO2016159880A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-06 Agency For Science, Technology And Research Method of changing a circular dichroism spectrum of an electromagnetic wave
CN106092906A (zh) * 2016-08-15 2016-11-09 福州大学 一种基于线偏振光入射的圆二色谱和折射率测量系统
CN205941336U (zh) * 2016-08-15 2017-02-08 福州大学 可同时测量圆二色谱和折射率的光学装置
CN106646680A (zh) * 2016-11-14 2017-05-10 四川大学 基于复合结构的单向导波器件
CN107146827A (zh) * 2017-04-27 2017-09-08 电子科技大学 一种红外超材料吸收器及其制备方法
CN107946182A (zh) * 2017-12-08 2018-04-20 陕西师范大学 一种实现非对称传输的微纳金属结构及其制备方法
CN108107684A (zh) * 2017-12-27 2018-06-01 陕西师范大学 一种调控圆二色性的双层纳米结构及其制备方法
CN108957614A (zh) * 2018-06-26 2018-12-07 南京理工大学 双层螺旋线手性非对称平面超材料圆二色性器件
CN208226096U (zh) * 2018-04-09 2018-12-11 电子科技大学 一种超材料吸收器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8271241B2 (en) * 2005-01-18 2012-09-18 University Of Massachusetts Lowell Chiral metamaterials
US9739710B2 (en) * 2012-10-15 2017-08-22 Nutech Ventures Optical sensing and separation based on ordered three-dimensional nanostructured surfaces
CN103594550B (zh) * 2013-10-12 2016-10-26 南昌大学 一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法
CN103996719B (zh) * 2014-05-16 2016-04-20 中国科学技术大学 基于介质-介质-金属结构的超材料光学传感器及其制备方法
CN107036971B (zh) * 2016-11-14 2019-06-25 四川大学 手性传感元件、设备，手性表征方法，浓度表征方法

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101150089A (zh) * 2006-09-19 2008-03-26 北京大学 单壁碳纳米管器件集成方法
CN101246123A (zh) * 2008-01-04 2008-08-20 清华大学 一种长程表面等离子波折射率检测芯片
CN101865841A (zh) * 2010-06-28 2010-10-20 北京航空航天大学 一种高灵敏度表面等离子体共振传感器
CN103063607A (zh) * 2011-10-20 2013-04-24 西北工业大学 一种基于超材料吸收器的光学折射率传感器
CN103196867A (zh) * 2013-04-01 2013-07-10 中山大学 局域等离子体谐振折射率传感器及其制造方法
CN103808691A (zh) * 2014-02-19 2014-05-21 中国科学院半导体研究所 非对称Au粒子阵列和FP腔耦合的折射率传感器
CN104216039A (zh) * 2014-09-26 2014-12-17 东南大学 一种能够实现宽带不对称传输的光学特异材料
CN104316988A (zh) * 2014-11-17 2015-01-28 中国人民解放军国防科学技术大学 一种单层平面手性金属结构圆偏振器
WO2016159880A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-06 Agency For Science, Technology And Research Method of changing a circular dichroism spectrum of an electromagnetic wave
CN104865628A (zh) * 2015-06-02 2015-08-26 中国科学院上海技术物理研究所 类螺旋金属手性超材料圆偏振器
CN106092906A (zh) * 2016-08-15 2016-11-09 福州大学 一种基于线偏振光入射的圆二色谱和折射率测量系统
CN205941336U (zh) * 2016-08-15 2017-02-08 福州大学 可同时测量圆二色谱和折射率的光学装置
CN106646680A (zh) * 2016-11-14 2017-05-10 四川大学 基于复合结构的单向导波器件
CN107146827A (zh) * 2017-04-27 2017-09-08 电子科技大学 一种红外超材料吸收器及其制备方法
CN107946182A (zh) * 2017-12-08 2018-04-20 陕西师范大学 一种实现非对称传输的微纳金属结构及其制备方法
CN108107684A (zh) * 2017-12-27 2018-06-01 陕西师范大学 一种调控圆二色性的双层纳米结构及其制备方法
CN208226096U (zh) * 2018-04-09 2018-12-11 电子科技大学 一种超材料吸收器
CN108957614A (zh) * 2018-06-26 2018-12-07 南京理工大学 双层螺旋线手性非对称平面超材料圆二色性器件

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Increased Refractive Index Sensitivity by Circular Dichroism Sensing;Gunnar Klös;《PHYSICAL CHEMISTRY》;20190308;全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN110186872A (zh) 2019-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhou et al. Enhanced photonic spin Hall effect due to surface plasmon resonance
CA2912304A1 (en) Structural colorimetric sensor
Miao et al. Heterogeneous doped one-dimensional photonic crystal with low emissivity in infrared atmospheric window
Le et al. Fabrication and numerical characterization of infrared metamaterial absorbers for refractometric biosensors
Kim et al. Lithography-free and Highly angle sensitive structural coloration using Fabry–Perot resonance of tin
CN110186872B (zh) 一种折射率传感器及其制备方法
Byun et al. Enhanced surface plasmon resonance detection using porous ITO–gold hybrid substrates
Song et al. Dispersion topological darkness at multiple wavelengths and polarization states
CN105549133A (zh) 一种基于双曲特异材料微腔的近红外全向吸收器
US9740031B2 (en) Incoherently-induced coherent perfect absorption (CPA) apparatus, method, and applications thereof
Yuhashi et al. A surface plasmon resonance temperature sensor using TiO2 nanoparticles on hetero-core fiber optic structure with Au thin film
KR101393200B1 (ko) 금속 나노 입자가 적용된 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서 및 그 제조 방법
Démarest et al. Optimization of bandpass optical filters based on TiO2 nanolayers
Makarenko et al. Mueller polarimetry of discontinuous gold films
CN108827166B (zh) Spr相位测量金属薄膜厚度和光学常数sapso方法
Grezes-Besset et al. Absorbing coating in magnetron sputtering for parasitic light reduction
Tsubota et al. Silicon-coated gold nanodiffraction grating structures as plasmonic absorbers for short-wavelength infrared light
Jandaghian et al. Performance improvement of long-range surface plasmon structure for use in an all-optical switch
Karki et al. ZnO-silicon enhanced surface plasmon resonance sensor for chemical sensing
Thomas et al. Plasmonics
CN111788329A (zh) 纳米结构薄膜材料及其制造和用途
Garoli et al. Engineered/tailored nanoporous gold structures for infrared plasmonics
George et al. Wafer-scale aluminum nano-plasmonics
Grèzes-Besset et al. Metal-dielectric absorbers with magnetron sputtering technique
Simlan et al. Design and fabrication of high-performance guided-mode resonance infrared filters

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant