CN110178003B - 流体水平传感器 - Google Patents
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Abstract
流体贮存器可以包括沿着流体贮存器的壁的多个金属迹线，以及沿着金属迹线的长度的多个熔断器电路。每个熔断器电路可以包括沿着相应金属迹线的长度的熔断器，以及与熔断器并联的多个寄生电阻元件。寄生电阻元件在存在包含在流体贮存器内的流体的情况下减少通过熔断器的电流流动。
Description
背景技术
流体喷射系统和设备可以喷射流体。在一些示例中，诸如打印设备，可以将流体喷射到介质上以便在介质上形成图像或结构。流体可以存储在系统或设备可以从其吸取流体的贮存器或其他体积中。随着使用，贮存器内的流体水平或流体量可能被耗尽。
附图说明
附图图示了本文中描述的原理的各种示例并且是说明书的一部分。给出图示的示例仅用于说明，并且图示的示例不限制权利要求的范围。
图1A是根据本文中描述的原理的一个示例的流体贮存器的剖视图。
图1B是根据本文中描述的原理的另一个示例的流体贮存器的剖视图。
图2是根据本文中描述的原理的一个示例的流体贮存器的电气部件的图。
图3是根据本文中描述的原理的一个示例的在流体分析过程期间图1A和1B的流体贮存器的图。
图4是根据本文中描述的原理的一个示例的在流体分析过程期间图1A和1B的流体贮存器的图。
图5是根据本文中描述的原理的一个示例的包括图1A和1B的流体贮存器的流体分析系统的框图。
图6是描绘根据本文中描述的原理的一个示例的检测流体贮存器内的流体水平的方法的流程图。
图7是描绘根据本文中描述的原理的一个示例的形成流体水平传感器的方法的流程图。
贯穿附图，相同的参考标号标示类似但不一定相同的元素。
具体实施方式
如上面提及的，随着时间的推移，贮存器内的流体水平或流体量可能随着系统或设备喷射流体而被耗尽。多个设备可以用于感测和确定流体贮存器内的流体水平或流体量。在一些示例中，用于感测和确定贮存器内的流体量的设备可能是复杂的并且制造起来昂贵。
本文中描述的示例提供了一种形成流体水平传感器的方法。所述方法可以包括沿着流体贮存器的壁形成多个金属迹线，以及沿着金属迹线的长度形成多个熔断器电路。在一个示例中，形成熔断器电路可以包括：对于每个熔断器电路，沿着相应金属迹线的长度形成熔断器，以及形成与熔断器并联的多个寄生电阻元件。寄生电阻元件在存在包含在流体贮存器内的流体的情况下减少通过熔断器的电流流动。在一个示例中，当寄生电阻元件不在存在流体的情况下时，寄生电阻元件增加通过熔断器的电流流动，并且熔断器响应于电流流动的增加而跳闸。沿着流体贮存器的壁形成多个金属迹线可以包括使用激光直接成型(LDS)形成多个金属迹线。流体贮存器内的多个熔断器电路的位置限定流体贮存器内的流体水平的对应数量。熔断器内的宽度、金属迹线的宽度、金属迹线的厚度、熔断器电路内的寄生电阻元件的设计或其组合可以限定熔断器电路的分断能力。
本文中描述的示例还提供一种流体贮存器。所述流体贮存器可以包括沿着流体贮存器的壁的多个金属迹线，以及沿着金属迹线的长度的多个熔断器电路。每个熔断器电路可以包括沿着相应金属迹线的长度的熔断器，以及与熔断器并联的多个寄生电阻元件。寄生电阻元件可以在存在包含在流体贮存器内的流体的情况下减少通过熔断器的电流流动。可以使用激光直接成型(LDS)形成沿着流体贮存器的壁的多个金属迹线。此外，当寄生电阻元件不在存在流体的情况下时，寄生电阻元件增加通过熔断器的电流流动，并且熔断器响应于电流流动的增加而跳闸。流体贮存器内的熔断器电路的数量限定流体贮存器内流体水平的对应数量。此外，熔断器内的宽度、金属迹线的宽度、金属迹线的厚度、熔断器电路内的寄生电阻元件的设计或其组合限定熔断器电路的分断能力。对响应于电流流动的增加的熔断器跳闸进行响应，流体贮存器向可编程存储器设备发送信号以永久地改变与熔断器相关的数据。
本文中描述的示例进一步提供一种流体盒。流体盒可以包括流体贮存器，该流体贮存器包括限定内部腔室的壁。流体贮存器可以将流体存储在内部腔室中。可以沿着流体贮存器的至少一个壁的长度形成多个熔断器电路，使得多个熔断器电路的每个相应熔断器电路的相应位置对应于流体贮存器的流体水平。当流体贮存器的流体水平跨过相应熔断器电路的相应位置时，每个相应熔断器电路改变状态。流体盒可以进一步包括被流体地耦合到流体贮存器的流体喷射模具。流体喷射模具包括喷嘴，以喷射从流体贮存器运输的流体。流体喷射模具可以进一步包括被电气地耦合到多个熔断器电路的可编程存储器设备。可编程存储器设备可以响应于每个相应熔断器电路的状态的改变而永久地改变存储在其上的数据。每个熔断器电路可以包括熔断器以及与熔断器并联的多个寄生电阻元件。寄生电阻元件在存在包含在流体贮存器内的流体的情况下减少通过熔断器的电流流动。当流体贮存器的流体水平没有跨过相应熔断器电路的相应位置时，每个相应熔断器电路不改变其状态。此外，当至少一个寄生元件不在存在包含在流体贮存器内的流体的情况下时，与熔断器并联的多个寄生电阻元件使通过熔断器的电流流动增加到跳闸点。当流体贮存器的流体水平跨过相应熔断器电路的相应位置时，每个相应熔断器电路改变其状态。对响应于电流流动的增加的熔断器跳闸进行响应，向可编程存储器设备发送信号以用于可编程存储器设备永久地改变与相应熔断器电路相关的数据。
如在本说明书中和所附权利要求书中使用的，术语“多个”或类似语言意在广泛地理解为包括1到无穷大的任何正数；零不是数字，而是不存在数字。
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本系统和方法的透彻理解。然而，对本领域技术人员应清楚的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践本装置、系统和方法。本说明书中对“示例”或类似语言的引用意味着结合该示例描述的特定特征、结构或特性如所描述的那样被包括，但是可以不被包括在其他示例中。
现在转到附图，图1A是根据本文中描述的原理的一个示例的流体贮存器(100)的剖视图。此外，图1B是根据本文中描述的原理的另一个示例的流体贮存器(100)的剖视图。流体贮存器(100)可以是可以用于包含流体的任何器皿。在一个示例中，可以利用流体来不透气地密封流体贮存器(100)。此外，在一个示例中，流体贮存器(100)可以用于包含流体。在一个示例中，流体可以是可打印的流体，诸如例如墨水、染料、液体调色剂、粘合剂、可烧结材料、热塑性材料、生物流体、化学品、其他可分发流体或其组合。此外，在一个示例中，流体贮存器(100)可以流体地耦合到打印头。在该示例中，打印头可以包括被流体地耦合到贮存器(100)的多个流体喷射模具，用于将流体分发到基板上。
流体贮存器(100)可以具有任何大小、尺寸和内部体积，以允许流体贮存器用作墨水输送系统的至少一部分。在一个示例中，流体贮存器(100)可以流体地耦合到多个打印头，其中打印头被控制为在基板上打印流体。在另一个示例中，流体贮存器(100)可以与流体喷射模具(150)集成，如图1B中描绘的。在该示例中，流体贮存器(100)可以流体地耦合到流体喷射模具(150)。流体喷射模具(150)可以例如包括：硅基板、流体地耦合到多个流体发射腔室的多个槽、多个喷嘴和流体喷射模具的其他元件，以允许将包含在流体贮存器(100)内的流体喷射到目标基板上。
流体贮存器(100)可以包括壳体(101)。壳体可以包括任何数量的壁(110)以用于包含流体并限定壳体(101)的内部腔室。在图1A和1B中，流体贮存器(100)的剖视图描绘了若干个壁(110)，其中顶壁和侧壁(110)被移除以允许对壳体(101)的内部的查看。孔(103)可以限定在流体贮存器(100)的至少一个壁(110)内，以允许包含在流体贮存器(100)中的流体流动到流体输送系统的其他部分。端口(104)也可以形成在至少一个壁(110)上并且流体地耦合到孔(103)，以用作流体离开流体贮存器(100)的引导部或导管。
流体贮存器(100)可以进一步包括多个电气部件或迹线(102-1、102-2，本文中统称为102)，所述多个电气部件或迹线用于检测流体贮存器(100)内的流体的存在、检测流体贮存器(100)内的流体水平或者其组合。在一个示例中，可以通过在壳体(101)的至少一个壁(110)上沉积导电材料来将电气部件(102-1、102-2)形成在流体贮存器(100)的内部。在另一个示例中，电气部件(102-1、102-2)可以在流体贮存器(100)的内部上形成为模塑互连设备(molded interconnect device，MID)。MID是其上形成有集成的电子电路迹线的注塑的(injection-molded)热塑性部件。MID使用高温热塑性塑料和结构化金属化物来形成流体贮存器(100)。
在一个示例中，流体贮存器(100)的电气部件(102-1、102-2)可以使用激光直接结构化(LDS)过程来被形成，所述激光直接结构化(LDS)过程使用利用由激光激活的不导电金属无机化合物掺杂的热塑性材料。在该示例中，可以通过注塑来形成壳体(101)。然后，激光可以将电气部件(102-1、102-2)的走向(course)写在塑料上。在壳体(101)暴露于由激光提供的电磁辐射的情况下，金属添加剂形成微粗糙轨道(micro-rough track)。该轨道的金属颗粒形成用于后续金属化的核。暴露于激光的壳体(101)被放置在化学镀铜浴中，并且电气部件(102-1、102-2)的各种导体路径层产生被暴露于激光的电磁辐射的壳体(101)的那些部分。任何数量的接续金属(诸如铜、镍和金)层可以沉积在被暴露于激光的电磁辐射的壳体(101)的部分上。LDS过程允许在流体贮存器(100)的壳体(101)的内部上的电气部件(102-1、102-2)的精确、计算机辅助的形成。
在另一示例中，流体贮存器(100)的电气部件(102-1、102-2)可以使用沉积过程来被形成，在沉积过程中导电材料被沉积在壳体(101)的内部表面上。在该示例中，可以使用例如三维(3D)打印设备来沉积导电材料。
图1A和1B描绘了形成在流体贮存器(100)的壳体(101)的内部上的两排电气部件(102-1、102-2)。然而，可以在壳体(101)上形成任何数量的电气部件(102-1、102-2)或任何数量的电气部件(102-1、102-2)组。在一个示例中，两个电气部件(102-1、102-2)的组相对于彼此用作冗余元件。在另一个示例中，在壳体上形成单个电气部件(102-1、102-2)的组。此外，在一个示例中，该电气部件(102-1、102-2)的组耦合到诸如例如打印设备之类的电子设备的处理电路。在该示例中，该电气部件(102-1、102-2)的组在确定流体贮存器(100)内的流体水平中充当用于电气设备的传感器。
图2是根据本文中描述的原理的一个示例的流体贮存器(100)的电气部件(102-1、102-2)的图。流体贮存器(100)的电气部件(102)可以包括多个熔断器(201-1、201-2、201-3，本文中统称为201)。沿着流体贮存器(100)的长度布置熔断器(201)。在一个示例中，熔断器(201)形成沿着流体贮存器(100)的重力定向侧设置的阵列，其中箭头(250)指示重力的方向。以这种方式，设置在流体贮存器(100)内的流体被吸取到流体贮存器(100)的底部(251)，并且可以检测流体贮存器(100)内的流体水平。在一个示例中，熔断器(201)可以是寄生电阻元件，其当跳闸时指示处于离散水平的流体水平，这是因为熔断器(201)定位在流体贮存器(100)内的离散水平处。因此，当熔断器(201)跳闸时，熔断器(201)所定位在的流体贮存器(100)内的水平限定对应的流体水平。
图2描绘了如由单独的虚线框指示的熔断器(201)阵列中的三个熔断器(201-1、201-2、201-3)。然而，可以在流体贮存器(100)中包括任何数量的熔断器(201)。例如，流体贮存器(100)可以包括在一个和数千个之间的熔断器(201)。在另一个示例中，流体贮存器(100)可以包括十二个熔断器(201)。熔断器(201)阵列中的熔断器(201)的数量限定由熔断器(201)提供的所得流体水平测量的粒度和精度。
每个熔断器(201)可以是任何类型的低电阻电阻器，其充当牺牲器件以提供负载或源电路的过流保护。每个熔断器(201)可以包括金属引线或金属条，所述金属引线或金属条在太多的电流通过其流动的时候熔化，从而中断它连接的电路。熔断器(201)中断过量的电流，并且流体贮存器(100)以及流体贮存器(100)耦合到的电子设备将该电流中断解释为流体贮存器(100)内流体水平的指示。
流体贮存器(100)中的每个熔断器(201)可以包括多个迹线(202-1、202-2、202-3、202-4、202-5、202-6，本文中统称为202)。迹线(202)可以包括将熔断器(201)的第一端耦合到数据处理设备的第一迹线(202-1、202-3、202-5)以及将熔断器(201)的第二端耦合到数据处理设备的第二迹线(202-2、202-4、202-6)。在一个示例中，第二迹线(202-2、202-4、202-6)可以组合成一个返回路径，使得第二迹线(202-2、202-4、202-6)具有共同的迹线设计。数据处理设备可以是能够检测熔断器(201)的过载并且使用该检测到的事件来确定流体贮存器(100)内的流体水平的任何设备。
每个熔断器(201)还可以包括从迹线(202)延伸的多个电极(203-1、203-2、203-3、203-4、203-5、203-6，本文中统称为203)。在一个示例中，每个熔断器(201)包括六个电极(203)。第一对电极(203-1、203-2)和第二对电极(203-5、203-6)形成寄生电阻器，所述寄生电阻器允许在存在包含在流体贮存器(100)内的流体的情况下电流通过其相关联的熔断器(201)流动，但是不允许当不存在流体时电流流动。
细丝(204-1、204-2、204-3，本文中统称为204)可以电气地耦合在第三对电极(203-3、203-4)之间。细丝(204)可以是充当熔断器(201)的击穿部分的任何材料。细丝(204)可以具有任何宽度、厚度或尺寸，并且可以由允许细丝(204)在阈值的电流通过其流动的时候击穿的任何材料制成。在一个示例中，细丝可以是比电极(203)和迹线(202)更细的细金属迹线。此外，在一个示例中，细丝可以由诸如铝、铜、镍、钽、金之类的金属或金属合金制成。
此外，可以以允许细丝(204)在阈值的电流通过其流动的时候击穿的任何图案或布置来将细丝(204)安置在熔断器(201)内。在一个示例中，细丝(204)可以如图2中描绘的以蛇形图案安置，以在细丝(204)处提供阈值水平的电阻。在一个示例中，电极(203)和细丝(204)可以与彼此并联电气地耦合。
在一个示例中，电极(203)和细丝(204)可以由相同的材料制成。在该示例中，电极(203)可以如图中描绘的具有比细丝(204)相对更宽的宽度，以便允许电极(203)承载比细丝(204)更高的电流。这是因为最大电流密度对于相同材料而言是相等的，但对于较大宽度的相同材料而言是不相等的。在另一个示例中，电极(203)和细丝(204)可以由不同的材料制成。可以调整电极(203)和细丝(204)的材料和宽度以提供最大电流密度。
如果太高的电流通过细丝(204)流动以及当太高的电流通过细丝(204)流动时，细丝(204)上升到更高的温度或电子迁移升高，并且熔化或直接熔化熔断器(201)内的焊接接头。细丝(204)或到细丝(204)的连接的该熔化使电路断开，并且可以被称为熔断器(201)的跳闸或熔断器(201)的击穿。细丝(204)可以例如由诸如锌、铜、银和铝之类的任何金属或金属合金制成，以提供细丝(204)的稳定和可预测的击穿特性。熔断器可以无限期地维持其阈值额定电流，并且在暴露于该阈值中的小的过量时快速熔化。此外，在一个示例中，可以将细丝(204)制造成不被微小无害的电流浪涌损坏并且在延长的服务长度之后不氧化或改变其行为。
现在将结合图3和4描述熔断器(201)作为流体贮存器(100)内的流体水平的指示器的功能。图3是根据本文中描述的原理的一个示例的在流体分析过程期间图1A和1B的流体贮存器(100)的图。图4是根据本文中描述的原理的一个示例的在流体分析过程期间图1A和1B的流体贮存器(100)的图。图3和4中描绘的电路包括单个熔断器(201)。然而，将包括在流体贮存器(100)内的每个熔断器(201)电气地耦合到本文中描述的各种元件。
还将电气地耦合到地(302)的脉冲电流供给(301)电气地耦合到熔断器(201)的第一迹线(202)。脉冲电流供给(301)提供流动通过熔断器(201)的电流。此外，熔断器(201)的第二迹线(202)电气地耦合到地(302)。由脉冲电流供给(301)提供的电压和电流可以表征为熔断器(201)的设计，使得分别在其中流体存在和不存在的湿态和干态之间实现跳闸或击穿阈值。
如图3中描绘的，流体(303)存在于流体贮存器(100)中并且覆盖熔断器(201)。可以将熔断器(201)作为图1A和1B中描绘的电气部件(102-1、102-2)的部分来定位在沿着流体贮存器(100)的高度的任何位置。在该状态中，归因于对第一对和第二对电极(203-1、203-2、203-5、203-6)的包括，熔断器(201)在没有跳闸或击穿的情况下操作。此外，与例如空气相比，流体(303)的存在还提供从熔断器(201)的快速热传递。因此，由流体(303)本身提供的热导率也防止熔断器(201)跳闸或击穿。这些电极(203-1、203-2、203-5、203-6)具有电阻(RP)并且能够通过允许电流如箭头(305)指示的那样流动通过第一对和第二对电极(203-1、203-2、203-5、203-6)和流体(303)来减少通过细丝(204)的电流的流动。可以调整以下各项来允许熔断器(201)在暴露于流体(303)的时候运转且不跳闸或击穿，并且允许操作的裕度：第一对和第二对电极(203-1、203-2、203-5、203-6)的端部之间的距离、第一对和第二对电极(203-1、203-2、203-5、203-6)的大小、细丝(204)的大小、第一对和第二对电极(203-1、203-2、203-5、203-6)以及细丝(204)所由其被制成的材料、细丝(204)的长度、细丝(204)的布局、细丝(204)的电阻(R熔断器)、熔断器(201)的其他电阻参数以及其组合。
在图4中，归因于诸如例如打印设备之类的电子设备已经消耗了流体(303)，流体贮存器(100)内的流体(303)水平已经下降。在该示例中，流体(303)已经下降到熔断器(201)下方，并且第一对和第二对电极(203-1、203-2、203-5、203-6)以及细丝(204)不再与流体(303)接触，而是暴露于例如空气。因为暴露于空气不允许电流流动通过由第一对和第二对电极(203-1、203-2、203-5、203-6)形成的寄生电阻器，并且因为空气不与流体(303)一样好地热导热，因此迫使更多的电流通过细丝(204)。在该状态中，细丝(204)跳闸或击穿，使得电路被分断。
电气地和电子地耦合到流体贮存器(100)的电子设备的处理电路可以被编程为标识何时细丝(204)击穿以及熔断器(201)击穿，并且将在流体贮存器(100)的该水平处的熔断器(201)的跳闸处理为流体(303)已经耗尽超过流体贮存器(100)的该水平的指示。以这种方式，可以确定流体贮存器(100)内的流体(303)水平。
流体贮存器(100)内的熔断器(201)以这种方式创建双态存储器。该双态存储器可以包括未被击穿或跳闸的多个运转熔断器(201)。该状态可以被标识为编程“0”，所述编程“0”指示熔断器(201)内的低电阻状态以及至少与最高运转熔断器(201)一样高的流体贮存器(100)内的流体(303)水平。而且，该双态存储器可以包括已经被击穿的多个不运转的、跳闸的熔断器(201)。该状态可以被标识为编程“1”，所述编程“1”指示熔断器(201)内的高电阻状态以及至少与最低不运转熔断器(201)一样低的流体贮存器(100)内的流体(303)水平。在该示例中，每个熔断器(201)可以被视为存储器位，其中将“0”或“1”的指示存储在流体贮存器(100)被通信地耦合到的电子设备的存储设备中。在该示例中，当熔断器(201)从“0”移动到“1”时，每个位的编程可以发生，或者反之亦然。在一个示例中，在已将流体(303)引入流体贮存器(100)中之前，可以在干燥的流体贮存器(100)阶段对将在没有墨水水平防护的情况下被编程的任何位进行编程。
在一些示例中，流体(303)水平可以上升到中间水平，其中流体水平在第一对电极(203-1、203-2)和/或细丝(204)下方，但在第二对电极(203-5、203-6)上方。在该情形中，第二对电极(203-5、203-6)可以通过以下方式继续允许电流流动通过熔断器(201)而不使细丝(204)跳闸：通过允许电流也流动通过第二对电极(203-5、203-6)和流体(303)来将通过细丝(204)的电流的流动减少至阈值以下。以这种方式，第二对电极(203-5、203-6)可以用作流体水平防护，其中熔断器(201)保持运转，直到流体(303)下降超过包括第二对电极(203-5、203-6)的熔断器(201)。
在一个示例中，熔断器(201)可以是充当牺牲器件的任何熔断器，所述牺牲器件当超出阈值的电流负载被施加到熔断器时不可逆地跳闸。在另一示例中，熔断器(201)可以是使用热塑性导电元件的自复位熔断器，该热塑性导电元件可以被称为聚合物正温度系数(或PPTC)热敏电阻，其通过增加器件电阻来在过流状况期间阻碍电路，但是当电流被移除时器件将冷却并恢复到低电阻状态。在该示例中，可以通过允许电子设备的处理电路将该电路和熔断器(201)阵列作为整体地读取来区分编程位“0”和未编程位“1”，以确定流体贮存器(100)内的流体(303)水平。在一个示例中，在至少一个熔断器(201)是自复位熔断器的情况下，可以将流体贮存器(100)实现在其中流体贮存器(100)内的流体(303)水平维持在恒定水平处的持续墨水供给系统内。在该示例中，熔断器(201)可以用作对用户或整个系统的流体水平已经减少的提醒，这指示持续墨水供给系统的意外故障。
在又一个示例中，熔断器可以是牺牲熔断器和自复位熔断器的组合。在该示例中，熔断器(201)阵列中的第一顶部熔断器(201)可以是不可逆熔断器，并且熔断器(201)的其余部分可以是自复位熔断器。该不可逆熔断器可以用于当跳闸时向用户指示之前已经使用了流体贮存器(100)，而其余的自复位熔断器可以允许继续使用流体贮存器(100)以指示贮存器(100)中的流体(303)水平。以这种方式，可以使用户知道流体贮存器(100)的年限以及流体贮存器(100)是否可能先前已被重新填充。
图5是根据本文中描述的原理的一个示例的包括图1A和1B的流体贮存器(100)的流体分析系统(500)的框图。如本文中提及的，可以将流体贮存器(100)体现在也可以被称为流体盒的流体喷射设备(502)中。流体盒(502)可以耦合到电子设备(501)。在一个示例中，流体盒(502)可以是喷墨打印盒、打印笔、将诸如例如墨水之类的流体供给到多个打印头的流体供给盒或者与打印设备相关联的另一个部件。在该示例中，电子设备(501)可以是在打印过程期间控制多个打印头的打印设备。
如图5中描绘的，流体盒(502)可以包括流体贮存器(100)和耦合到例如熔断器(201)的多个接合焊盘(503)，以便将处理设备(508)电气地耦合到流体贮存器(100)。在一个示例中，处理设备(508)可以定位在流体盒(502)之外，并且可以定位在例如电子设备(501)的集成电路上。流体贮存器(100)包含用于形成例如打印作业的结果的流体(303)。在一个示例中，处理设备(508)可以定位在电子设备(501)中，并且可以用于指令流体贮存器(100)确定流体贮存器(100)内的流体(303)水平。在另一示例中，处理设备(508)可以定位在流体盒(502)上，并且可以用于将由处理设备(508)处理的数据中继到电子设备(501)。
电子设备(501)还可以包括数据存储设备(509)。数据存储设备(509)可以存储诸如由处理设备(508)执行的可执行程序代码之类的数据，并且可以具体地存储由处理器(101)执行以实现至少本文中描述的功能性的、表示多个应用的计算机代码。例如，表示流体贮存器(100)内感测的流体(303)水平的数据可以存储在数据存储设备(509)中。数据存储设备(509)可以包括包含易失性和非易失性存储器的各种类型的存储器模块。例如，本示例的数据存储设备(509)可以包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)和硬盘驱动器(HDD)存储器。还可以利用许多其他类型的存储器，并且本说明书设想到如可以适合本文中描述的原理的特定应用的、数据存储设备(509)中许多不同(多个)类型的存储器的使用。除其他外，数据存储设备(509)还可以包括计算机可读介质、计算机可读存储介质或非暂时性计算机可读介质。例如，数据存储设备(509)可以是但不限于电子、磁性、光学、电磁、红外或半导体系统、装置或设备或者前述的任何适当的组合。计算机可读存储介质的更具体示例可以包括例如以下：具有多个引线的电气连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM或闪速存储器)、便携式致密盘只读存储器(CD-ROM)、光学存储设备、磁性存储设备或者前述的任何适当的组合。在本文档的上下文中，计算机可读存储介质可以是如下任何有形介质：可以包含或存储以供指令执行系统、装置或设备使用或者与指令执行系统、装置或设备结合使用的计算机可用程序代码。在另一示例中，计算机可读存储介质可以是如下任何非暂时性介质：可以包含或存储以供指令执行系统、装置或设备使用或者与指令执行系统、装置或设备结合使用的程序。
流体喷射模具(150)可以对应于打印头。在一个示例中，流体盒(502)可以包括多个流体喷射模具。此外，在一个示例中，流体盒(502)可以包括流体地耦合到流体盒(502)的至少一个流体喷射模具，使得存储在流体盒(502)的流体贮存器(100)中的流体可以由至少一个流体喷射模具(150)喷射。每个流体喷射模具(150)可以包括可编程存储器设备(511)。此外，每个流体喷射模具(150)可以包括多个喷嘴(510-1、510-2......510-n，本文中统称为510)，可以通过所述多个喷嘴来分发流体(303)。以这种方式，喷嘴(510)被流体地耦合到流体贮存器(100)，以便从流体贮存器(100)分发流体(303)。
图6是描绘根据本文中描述的原理的一个示例的检测流体贮存器(100)内的流体(303)水平的方法的流程图。图6的方法可以通过检测(框601)在例如图5的电子设备(501)内的流体贮存器(100)的存在而开始。例如，当电子设备(501)已经消耗来自先前流体贮存器(100)的流体(303)时流体贮存器(100)到电子设备(501)的耦合可以发生，并且新的流体贮存器(100)耦合到电子设备(501)。流体贮存器(100)的检测可以用作对电子设备(501)执行流体贮存器(100)内的流体(303)分析的提示。在其他示例中，可以在流体贮存器(100)的寿命期间的任何点处分析流体贮存器(100)内的流体(303)。
做出关于是否将分析流体贮存器(100)内的流体(303)的确定(框602)。如果将不分析流体(303)(框602，确定为否)，则图6的方法可以终止。然而，如果将分析流体(303)(框602，确定为是)，则可以检测(框603)流体(303)水平或流体(303)量。在一个示例中，可以利用处理设备(508)检测流体贮存器(100)内的流体(303)水平。
可以报告(框604)流体贮存器(100)内的流体(303)水平或流体(303)量。在一个示例中，可以将流体贮存器(100)内的流体(303)水平或流体(303)量报告(框604)到电子设备(501)的处理设备(508)，以便处理描述流体(303)水平或流体(303)量的数据或向用户显示关于流体(303)水平或流体(303)量的信息。此外，在一个示例中，可以在任何时间并且以任何频率来检测流体贮存器(100)内的流体(303)水平或流体(303)量。
图7是描绘根据本文中描述的原理的一个示例的形成流体水平传感器的方法的流程图。图7的方法可以通过沿着流体贮存器(100)的壁(110)形成(框701)多个金属迹线(102)开始。沿着流体贮存器(100)的壁(110)形成(框701)多个金属迹线可以包括使用激光直接结构化(LDS)形成多个金属迹线(102)。
所述方法可以进一步包括沿着金属迹线(102)的长度形成(框702)多个熔断器电路(201)。形成熔断器电路(201)可以包括：对于每个熔断器电路，沿着相应金属迹线(102)的长度形成(框703)熔断器(201)，以及形成(框704)与熔断器(201)并联的多个寄生电阻元件(203)。在一个示例中，寄生电阻元件可以在存在包含在流体贮存器(100)内的流体(303)的情况下减少通过熔断器(201)的电流流动。如上面描述的，当寄生电阻元件(203)不在存在流体(303)的情况下时，寄生电阻元件(203)增加通过熔断器(201)的电流流动，并且熔断器(201)响应于电流流动的增加而跳闸。流体贮存器(100)内的多个熔断器电路(201)的位置限定流体贮存器(100)内的流体(303)水平的对应数量。此外，如本文中描述的，熔断器(201)内的宽度、金属迹线(102)的宽度、金属迹线(102)的厚度、熔断器电路(201)内的寄生电阻元件(203)的设计或其组合可以限定熔断器电路(201)的分断能力。
本文中参考根据本文中描述的原理的示例的方法、装置(系统)和计算机程序产品的流程图示和/或框图来描述本系统和方法的方面。可以由计算机可用程序代码来实现流程图示和框图的每个框以及流程图示和框图中的框的组合。可以将计算机可用程序代码提供给通用计算机、专用计算机的处理器或其他可编程数据处理装置以产生机器，使得计算机可用程序代码当经由例如电子设备(501)的处理设备(508)或其他可编程数据处理装置被执行时，实现在流程图和/或框图的一个框或多个框中指定的功能或动作。在一个示例中，计算机可用程序代码可以体现在计算机可读存储介质内；计算机可读存储介质是计算机程序产品的部分。在一个示例中，计算机可读存储介质是非暂时性计算机可读介质。
说明书和附图描述了流体贮存器，所述流体贮存器可以包括沿着流体贮存器的壁的多个金属迹线，以及沿着金属迹线的长度的多个熔断器电路。每个熔断器电路可以包括沿着相应金属迹线的长度的熔断器，以及与熔断器并联的多个寄生电阻元件。寄生电阻元件在存在包含在流体贮存器内的流体的情况下减少通过熔断器的电流流动。
本文中描述的流体水平传感器和流体贮存器减少可能存在于更复杂的系统和设备中的硅复杂性，并且减少流体贮存器以及其中并入流体贮存器的任何相关联的打印头的成本。此外，本文中描述的流体水平传感器和流体贮存器通过在贮存器中使用双态存储器而减少与在贮存器上或贮存器之外的存储器设备的包括相关联的成本。此外，提供一次性可编程墨水水平传感器的能力在贮存器的寿命期间提供更可靠的流体测量。
已经呈现了前面的描述来说明和描述所描述原理的示例。该描述不旨在是穷举性的或将这些原理限制于所公开的任何精确形式。鉴于上面的教导，许多修改和变型是可能的。
Claims (15)
1.一种形成流体水平传感器的方法，包括：
沿着流体贮存器的壁形成多个金属迹线；
沿着金属迹线的长度形成多个熔断器电路，其中形成熔断器电路包括，对于每个熔断器电路：
沿着相应金属迹线的长度形成熔断器，以及
形成与熔断器并联的多个寄生电阻元件，寄生电阻元件在存在包含在流体贮存器内的流体的情况下减少通过熔断器的电流流动。
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
当寄生电阻元件不在存在流体的情况下时，寄生电阻元件增加通过熔断器的电流流动，并且
熔断器响应于电流流动的增加而跳闸。
3.根据权利要求1所述的方法，其中沿着流体贮存器的壁形成多个金属迹线包括使用激光直接成型(LDS)形成多个金属迹线。
4.根据权利要求1所述的方法，其中流体贮存器内的多个熔断器电路的位置限定流体贮存器内的流体水平的对应数量。
5.根据权利要求1所述的方法，其中熔断器内的宽度、金属迹线的宽度、金属迹线的厚度、熔断器电路内的寄生电阻元件的设计或其组合限定熔断器电路的分断能力。
6.一种流体贮存器，包括：
沿着流体贮存器的壁的多个金属迹线；
沿着金属迹线的长度的多个熔断器电路，其中每个熔断器电路包括：
沿着相应金属迹线的长度的熔断器；以及
与熔断器并联的多个寄生电阻元件，寄生电阻元件在存在包含在流体贮存器内的流体的情况下减少通过熔断器的电流流动。
7.根据权利要求6所述的流体贮存器，其中使用激光直接成型(LDS)形成沿着流体贮存器的壁的多个金属迹线。
8.根据权利要求6所述的流体贮存器，其中：
当寄生电阻元件不在存在流体的情况下时，寄生电阻元件增加通过熔断器的电流流动，并且
熔断器响应于电流流动的增加而跳闸。
9.根据权利要求6所述的流体贮存器，其中流体贮存器内的多个熔断器电路的位置限定流体贮存器内的流体水平的对应数量。
10.根据权利要求6所述的流体贮存器，其中熔断器内的宽度、金属迹线的宽度、金属迹线的厚度、熔断器电路内的寄生电阻元件的设计或其组合限定熔断器电路的分断能力。
11.根据权利要求8所述的流体贮存器，其中，对响应于电流流动的增加的熔断器跳闸进行响应，流体贮存器向可编程存储器设备发送信号以永久地改变与熔断器相关的数据。
12.一种流体盒，包括：
流体贮存器，其包括限定内部腔室的壁，所述流体贮存器将流体存储在内部腔室中；
沿着流体贮存器的至少一个壁的长度形成的多个熔断器电路，使得多个熔断器电路的每个相应熔断器电路的相应位置对应于流体贮存器的流体水平，当流体贮存器的流体水平跨过相应熔断器电路的相应位置时，每个相应熔断器电路改变状态；以及
流体地耦合到流体贮存器的流体喷射模具，流体喷射模具包括喷嘴，以喷射从流体贮存器运输的流体，流体喷射模具进一步包括电气地耦合到多个熔断器电路的可编程存储器设备，可编程存储器设备响应于每个相应熔断器电路的状态的改变而永久地改变存储在其上的数据。
13.根据权利要求12所述的流体盒，其中：
每个熔断器电路包括：
熔断器；以及
与熔断器并联的多个寄生电阻元件，寄生电阻元件在存在包含在流体贮存器内的流体的情况下减少通过熔断器的电流流动，并且
当流体贮存器的流体水平没有跨过相应熔断器电路的相应位置时，每个相应熔断器电路不改变其状态。
14.根据权利要求12所述的流体盒，其中：
每个熔断器电路包括：
熔断器；以及
与熔断器并联的多个寄生电阻元件，当至少一个寄生元件不在存在包含在流体贮存器内的流体的情况下时，寄生电阻元件使通过熔断器的电流流动增加到跳闸点，并且
当流体贮存器的流体水平跨过相应熔断器电路的相应位置时，每个相应熔断器电路改变其状态。
15.根据权利要求14所述的流体盒，其中，对响应于电流流动的增加的熔断器跳闸进行响应，向可编程存储器设备发送信号以用于可编程存储器设备永久地改变与相应熔断器电路相关的数据。
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