CN110176794A - 充电信号检测装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种充电信号检测装置，包括充电信号输入电路、至少一电源电路、至少一电压检测电路和分析电路；所述电压检测电路分别与所述充电信号输入电路和所述电源电路电性连接，且所述电压检测电路用于接收并比较所述充电信号输入电路输出的第一电压和所述电源输出的第二电压以得出检测电压；所述分析电路与所述电压检测电路电性连接，且所述分析电路用于接收所述检测电压并充电设备的充电状态。所述充电装置能够根据不同的充电信号输出不同的检测电压，并根据所述检测电压分析充电状态，实现了充电管理智能化。
Description
技术领域
本发明涉及智慧充电领域，具体而言，主要涉及一种检测充电设备充电信号的充电信号检测装置。
背景技术
随着科技水平和人们生活水平的不断提高，越来越多的人开始购买车辆来提升生活的便利性，改善生活质量。但是由于目前车辆容量的不断增多，车辆尾气的排放给生态环境带来了较大影响。为了改善日益恶化的生态环境，电动汽车应运而生，电动汽车通过电力驱动车辆行驶，在行驶过程中不会产生车辆尾气，对减少车辆尾气和改善环境污染具有较大作用。
目前电动汽车续航里程一般较低，需要较为频繁地使用充电桩在社区内为车辆充电以满足续航需求，在充电桩为电动汽车充电前，需要向电动汽车发送信号，电动汽车根据充电桩发出的信号产生充电信号反馈至充电桩，再由充电桩判断充电设备的充电状态，例如充电连接、未连接等。电动汽车反馈给充电桩的信号一般为电压信号，需要检测所述电压信号并根据所述电压信号分析所述充电设备的充电状态，因此如何设计一种能够便于检测电动汽车的充电信号的检测装置将成为充电行业发展的一个重要课题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种能够根据检测充电信号的充电信号检测装置。
为了实现上述目的，本发明采用如下的技术方案：
充电信号输入电路、至少一电源电路、至少一电压检测电路和分析电路，
所述电压检测电路分别与所述充电信号输入电路和所述电源电路电性连接，且所述电压检测电路用于接收并比较所述充电信号输入电路输出的第一电压和所述电源输出的第二电压以得出检测电压；
所述分析电路与所述电压检测电路电性连接，且所述分析电路用于接收所述检测电压并分析充电设备的充电状态。
本发明的有益效果：
本发明的提供的充电信号检测装置，能够比较电压检测电路和充电信号输入电路输入的电压并得出三路检测电压，再通过分析电路分析所述检测电压从而分析充电设备的充电状态，实现了充电智能化。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对本发明范围的限定。
图1为本发明一较佳实施方式的充电信号检测装置的结构框图；
图2为图1所述的充电信号检测装置的电路框图。
具体实施方式
在下文中，将更全面地描述本发明的各种实施例。本发明可具有各种实施例，并且可在其中做出调整和改变。然而，应理解：不存在将本发明的各种实施例限于在此公开的特定实施例的意图，而是应将本发明理解为涵盖落入本发明的各种实施例的精神和范围内的所有调整、等同物和/或可选方案。
在下文中，可在本发明的各种实施例中使用的术语“包括”或“可包括”指示所公开的功能、操作或元件的存在，并且不限制一个或更多个功能、操作或元件的增加。此外，如在本发明的各种实施例中所使用，术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。
在本发明的各种实施例中，表述“A或/和B”包括同时列出的文字的任何组合或所有组合，例如，可包括A、可包括B或可包括A和B二者。
在本发明的各种实施例中使用的表述(诸如“第一”、“第二”等)可修饰在各种实施例中的各种组成元件，不过可不限制相应组成元件。例如，以上表述并不限制所述元件的顺序和/或重要性。以上表述仅用于将一个元件与其它元件区别开的目的。例如，第一用户装置和第二用户装置指示不同用户装置，尽管二者都是用户装置。例如，在不脱离本发明的各种实施例的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，同样地，第二元件也可被称为第一元件。
应注意到：在本发明中，除非另有明确的规定和定义，“安装”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接、也可以是可拆卸连接、或者一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也是可以通过中间媒介间接相连；可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，本领域的普通技术人员需要理解的是，文中指示方位或者位置关系的术语为基于附图所示的方位或者位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的各种实施例中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的并且并非意在限制本发明的各种实施例。除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本发明的各种实施例中被清楚地限定。
请参考图1，图1示出了本发明一较佳实施方式的充电信号检测装置的结构框图。
具体地，所述充电信号检测装置100包括充电信号输入电路10、滤波电路20、至少一电源电路30、至少一电压检测电路40、分析电路50，所述滤波电路20电性连接于所述充电信号输入电路10和电压检测电路40之间，所述电压检测电路40进一步与所述电源电路30和所述分析电路50电性连接。在本实施方式中，所述充电信号输入电路10用于输入所述充电设备，例如电动汽车的充电信号；所述滤波电路20用于滤除传递至所述电压检测电路的电压信号中的干扰信号；所述电源电路30用于输入外部电压，所述电压检测电路40用于接收并比较所述充电信号输入电路输入的第一电压和所述电源输出的第二电压以得出检测电压，所述分析电路50用于接收所述检测电压并分析所述充电设备的充电状态。进一步地，所述充电设备可为电动汽车，所述供电设备可为交流充电桩，所述供电设备根据所述充电设备的充电状态为所述充电设备进行充电。
请结合参照图2，在本实施方式中，所述电源电路30的数量为三个，三个所述电源电路分别输出不同电压至所述电压检测电路40；相应地，所述电压检测电路40的数量为三个，一所述电压检测电路40与一所述电源电路30电性连接，以接收所述电源电路30传送的第二电压。在本实施方式中，三个所述电源电路30的输出的第二电压不同，以便于所述电压检测电路40检测接收不同的第二电压从而与所述第一电压进行比较以检测所述充电信号输入电路10输入的充电信号。进一步地，所述电源电路30包括第一电源电路31、第二电源电路32和第三电源电路33，所述电压检测电路40包括第一电压检测电路41、第二电压检测电路42和第三电压检测电路43，所述第一电源电路31与所述第一电压检测电路41电性连接，所述第二电源电路32与所述第二电压检测电路42电性连接，所述第三电源电路33与所述第三电压检测电路43电性连接。在本实施方式中，所述第一电源电路31用于输入低于12V高于9V的第二电压给第一金属氧化物半导体管Q1的栅极，所述第二电源电路32用于输入低于9V高于6V的第二电压给第四金属氧化物半导体管Q4的栅极，所述第三电源电路33用于输入低于6V的第二电压给第七金属氧化物半导体管Q7的栅极，所述第一电压检测电路41用于接收所述充电信号输入电路10输入的第一电压CP_signal和所述第一电源电路31输入的第二电压并输出第一检测电压PWM_12to MCU；所述第二电压检测电路42用于接收所述充电信号输入电路10输入的第一电压CP_signal和所述第二电源电路32输入的第二电压并输出第二检测电压PWM_9to MCU；所述第三电压检测电路43用于接收所述充电信号输入电路10输入的第一电压CP_signal和所述第三电源电路33输入的第二电压并输出第三检测电压PWM_6toMCU。
进一步地，在本实施方式中，所述第一电压检测电路41、所述第二电压检测电路42和第三电压检测电路43的电路结构相同，均为包括电容、电阻和金属氧化物半导体管元件的组合结构。因此下文以第一电压检测电路41为例说明所述电压检测电路的结构以及工作原理。
进一步地，在本实施方式中，所述第一电压检测电路411包括比较子电路411、第一隔离子电路412和第一隔离子电路413，所述比较子电路411、所述第一隔离子电路412和所述第二隔离子电路413依次电性连接。
进一步地，所述比较子电路411包括第一金属氧化物半导体管Q1和第一电阻R3。所述第一金属氧化物半导体管Q1的栅极与所述电源电路电性连接，所述第一金属氧化物半导体管的源极通过所述滤波电路20与所述充电信号输入电路电性连接，所述第一金属氧化物半导体管Q1的漏极与所述第一电阻R3电性连接。
进一步地，所述第一金属氧化物半导体管Q1用于比较所述充电信号输入电路输入的第一电压和所述电源电路输入的第二电压并为所述第一隔离子电路提供电源。可以理解，所述第一金属氧化物半导体管Q1接收并比较所述第一电压和第二电压，在所述第一电压小于所述第二电压时，所述第一金属氧化物半导体管Q1处于导通状态并允许电流由所述第一金属氧化物半导体管Q1的源极流向所述第一金属氧化物半导体管Q1的漏极并经由所述第一电阻R3流向所述第一隔离子电路412从而为所属第一隔离子电路412提供电源。当所述第一电压不小于所述第二电压时，所述第一金属氧化物半导体管Q1处于截止状态，不允许电流通过所述第一金属氧化物半导体管Q1。综上所述，第一金属氧化物半导体管Q1能够实现比较第一电压和第二电压并传输比较过的电压信号至第一隔离子电路412的功能。
进一步地，所述第一隔离子电路412包括第二金属氧化物半导体管Q2、第二电阻R4和第三电阻R5。所述第二电阻R4一端通过所述滤波电路20与所述充电信号输入电路10电性连接，另一端与所述第二金属氧化物半导体管Q2的栅极电性连接，所述第二金属氧化物半导体管Q2的源极通过所述第一电阻R3与所述第一金属氧化物半导体管Q1的漏极电性连接，所述第二金属氧化物半导体管Q2的漏极与所述第二隔离子电路42电性连接。所述第三电阻R5一端与所述第二电阻R4电性连接，另一端接地，为输入至所述第二金属氧化物半导体管Q2的电压进行分压。
进一步地，所述第二金属氧化物半导体管Q2用于隔离负电压噪声干扰并输出充电信号至所述第一隔离子电路413。可以理解，所述第二金属氧化物半导体管Q2在源极电压大于栅极电压时处于导通状态并允许电流由所述第二金属氧化物半导体管Q2的源极流向所述第二金属氧化物半导体管Q2的漏极并输出电压信号至所述第一隔离子电路413。当所述第二金属氧化物半导体管Q2的源极电压不大于所述栅极电压时，所述第二金属氧化物半导体管Q2处于截止状态，因此所述第二金属氧化物半导体管Q2的栅极为负电压时，所述第二金属氧化物半导体管Q2处于截止状态，从而将充电信号输入电路10的负电平信号转为0电平信号，同时能够隔离在所述第二金属氧化物半导体管Q2的栅极的外部负电压噪声和干扰，实现隔离负电压噪声干扰并输出充电信号至所述第一隔离子电路413的功能。
所述第一隔离子电路413包括第三金属氧化物半导体管Q3、数字信号电源DVDD、第四电阻R6、第五电阻R7、第六电阻R8、第七电阻R9和第一电容C1。所述第三金属氧化物半导体管Q3的栅极与所述数字信号电源电性DVDD连接，所述第三金属氧化物半导体管Q3的漏极通过第四电阻R6与所述第二金属氧化物半导体管Q2的漏极电性连接，所述第六电阻R8和所述第一电容C1的一端与所述第四电阻R6电性连接，另一端接地。进一步地，所述第四电阻R6与所述第六电阻R8为分压电路，为所述第三金属氧化物半导体管Q3提供电压，所述第一电容C1用于为传输至所述第三金属氧化物半导体管Q3的充电信号进行滤波。进一步地，所述第五电阻R7与所述数字信号电源DVDD，并和所述第三金属氧化物半导体管Q3的源极电性连接，所述第七电阻R9一端与所述第五电阻R7电性连接，另一端接地。进一步地，在本实施方式中，所述第六电阻R8的阻值远小于第五电阻R7的阻值，以便于所述第一电压检测模块41根据所述第一电压和第二电压输出第一检测电压PWM_12to MCU。
进一步地，所述第三金属氧化物半导体管Q3用于隔离正电压噪声干扰，还用于输出充电信号至所述分析电路50。可以理解，当所述第三金属氧化物半导体管Q3的漏极存在外部正电压噪声和干扰时，所述第三金属氧化物半导体管Q3的漏极电压大于数字信号电源DVDD，所述第三金属氧化物半导体管Q3处于截止状态，从而隔离正电压噪声干扰，并在导通时输出电压信号至所述分析电路50。
进一步地，所述滤波电路20包括第八电阻R12和第二电容C2，所述第八电阻R12与所述充电信号输入电路10电性连接，另一端与所述电压检测电路40电性连接，所述第二电容C2一端与所述第八电阻电性连接，另一端接地。所述滤波电路20用于滤除所述充电信号输入电路10中的外部干扰信号，产生稳定的充电信号至所述电压检测电路40。
进一步地，在本实施方式中，所述第二电压检测电路42和所述第三电压检测电路43与所述第一电压检测电路41的元器件构成和电路结构均相同，因此对于所述第二电压检测电路42和所述第三电压检测电路43的电路此处不再赘述，具体可参考上述第一电压检测电路41的结构描述。此外，由于所述第二电压检测电路42和所述第三电压检测电路43用于输出不同的电压检测信号，因此所述第二电压检测电路42和所述第三电压检测电路43中的元器件，如电阻和电容的数值可以根据实际需要进行设定以使得所述电压检测电路40能够根据所述充电信号输入电路10输入的电压信号输出不同的检测电压从而便于所述分析电路50分析所述充电信号从而得出充电设备的充电状态。
下面以第一电压检测电路41为例说明所述充电信号检测装置100的工作原理。进一步地，所述充电信号输入电路10输入第一电压CP_signal至所述第一电压检测电路41，所述第一电源电路31与所述第一电压检测电路41电性连接以输入第二电压至所述第一电压检测电路41。进一步地，在本实施方式中，所述第一电压CP_signal包括12V电平、+12V/-12V脉冲宽度调制信号、9V电平、+9V/-12V脉冲宽度调制信号、6V电平和+6V/-12V脉冲宽度调制信号。
当所述第一电压检测电路41接收到12V电平的第一电压和第二电压时，所述第一金属氧化物半导体管Q1和第二金属氧化物半导体管Q2处于导通状态，所述第三金属氧化物半导体管Q3处于截止状态，所述数字信号电源DVDD和所述第五电阻R7形成上拉电路，所述第一检测电压PWM_12to MCU为高电平。
当所述第一电压检测电路41接收到+12V/-12V脉冲宽度调制信号的第一电压和第二电压时，在所述第一检测电压为+12V时，所述第一金属氧化物半导体管Q1和第二金属氧化物半导体管Q2处于导通状态，所述第三金属氧化物半导体管Q3处于截止状态，所述数字信号电源DVDD和所述第五电阻R7形成上拉电路，所述第一检测电压PWM_12to MCU为高电平；当所述第一电压为-12V时，所述第一金属氧化物半导体管Q1、所述第二金属氧化物半导体管Q2处于截止状态，所述第三金属氧化物半导体管Q3的漏极电压为低电平，栅极和漏极的电压为正，所述第三金属氧化物半导体管Q3饱和导通，由于第六电阻R8的阻值远小于第五电阻R7的阻值，所述第一检测电压PWM_12to MCU为低电平，因此所述第一检测电压PWM_12to MCU为高电平/低电平的脉冲宽度调制信号。
当所述第一电压检测电路41接收到9V电平的第一电压和第二电压时，所述第一金属氧化物半导体管Q1处于截止状态，所述第二金属氧化物半导体管Q2的源极无供电回路，此时所述第三金属氧化物半导体管Q3的漏极电压为低电平，栅极和漏极的电压为正，所述第三金属氧化物半导体管Q3饱和导通，由于第六电阻R8的阻值远小于第五电阻R7的阻值，所述第一检测电压PWM_12to MCU为低电平。
当所述第一电压检测电路41接收到+9V/-12V脉冲宽度调制信号的第一电压和第二电压时，在第一电压为9V时，所述第一金属氧化物半导体管Q1处于截止状态，所述第二金属氧化物半导体管Q2的源极无供电回路，此时所述第三金属氧化物半导体管Q3的漏极电压为低电平，栅极和漏极的电压为正，所述第三金属氧化物半导体管Q3饱和导通，由于第六电阻R8的阻值远小于第五电阻R7的阻值，所述第一检测电压PWM_12to MCU为低电平；在第一电压为-12V时，所述第一第二金属氧化物半导体管Q1、所述第二金属氧化物半导体管Q2处于截止状态，所述第三金属氧化物半导体管Q3的漏极电压为低电平，栅极和漏极的电压为正，所述第三金属氧化物半导体管Q3饱和导通，由于第六电阻R8的阻值远小于第五电阻R7的阻值，所述第一检测电压PWM_12to MCU为低电平，因此所述第一检测电压PWM_12to MCU为低电平。
当所述第一电压检测电路41接收到6V电平的第一电压和第二电压时，所述第一金属氧化物半导体管Q1处于截止状态，所述第二金属氧化物半导体管Q2的源极无供电回路，此时所述第三金属氧化物半导体管Q3的漏极电压为低电平，栅极和漏极的电压为正，所述第三金属氧化物半导体管Q3饱和导通，由于第六电阻R8的阻值远小于第五电阻R7的阻值，所述第一检测电压PWM_12to MCU为低电平。
当所述第一电压检测电路41接收到+6V/-12V脉冲宽度调制信号的第一电压和低于12V的第二电压时，在第一电压为6V时，所述第一金属氧化物半导体管Q1处于截止状态，所述第二金属氧化物半导体管Q2的源极无供电回路，此时所述第三金属氧化物半导体管Q3的漏极电压为低电平，栅极和漏极的电压为正，所述第三金属氧化物半导体管Q3饱和导通，由于第六电阻R8的阻值远小于第五电阻R7的阻值，所述第一检测电压PWM_12to MCU为低电平；在第一电压为-12V时，所述第一第二金属氧化物半导体管Q1、所述第二金属氧化物半导体管Q2处于截止状态，所述第三金属氧化物半导体管Q3的漏极电压为低电平，栅极和漏极的电压为正，所述第三金属氧化物半导体管Q3饱和导通，由于第六电阻R8的阻值远小于第五电阻R7的阻值，所述第一检测电压PWM_12to MCU为低电平，因此所述第一检测电压PWM_12to MCU为低电平。
进一步地，所述第二电压检测电路42在接收到充电信号输入电路10输入的第一电压和第二电压电路32输入的第二电压时，第二检测电压PWM_9to MCU能够检测到不同的电平信号，具体原理参照上述第一电压检测电路41所述，此处不再赘述。
进一步地，所述第三电压检测电路43在接收到充电信号输入电路10输入的第一电压和第三电压电路33输入的第二电压时，第三检测电压PWM_6to MCU能够检测到不同的电平信号，具体原理参照上述第一电压检测电路41所述，此处不再赘述。可以理解，三个所述电压检测电路40中的电阻和电容的数值可以根据实际需要进行设定以使得三个所述电压检测电路40能够根据所述充电信号输入电路输入的电压信号输出不同的检测电压，从而便于所述分析电路50分析所述充电信号从而得出充电设备的充电状态。具体地，在本实施方式中，所述充电信号输入电路10输入的电压信号与所述电压检测电路40检测到的电压信号情况可参照下表所示：
进一步地，所述分析电路50分析充电状态后传送至供电设备，从而便于供电设备根据所述充电状态对充电设备进行充电。
进一步地，在本实施方式中，所述电压检测电路40的检测电压为高电平、低电平和脉冲宽度调制信号中的至少一种。
进一步地，当所述检测电压为三个高电平时，所述充电状态为未连接。
进一步地，当所述检测电压为三个脉冲宽度调制信号时，所述充电状态为三个脉冲宽度调制信号时，所述充电状态为未连接。
进一步地，当所述检测电压为一个低电平信号和两个高电平时，所述充电状态为充电连接状态。
进一步地，当所述检测电压为一个低电平和两个脉冲宽度调制信号时，所述充电状态为充电设备准备就绪状态。
进一步地，当所述检测电压为两个低电平和一个高电平信号时，所述充电状态为充电设备准备就绪状态。
进一步地，当所述检测电压为两个低电平和一个脉冲宽度调制信号时，所述充电状态为充电设备正在充电状态。
进一步地，当所述检测电压为其他电平信号时，所述充电状态为异常状态。
综上所述，本实施方式的充电信号检测装置设置三个电源电路和电压检测电路，并设置所述电压检测电路中的电阻和电容的不同数值，能够在充电信号输入电路输入12V电平时，三个所述电压检测电路检测到三个高电平信号；在充电信号输入电路输入+12V和-12V的脉冲宽度调制信号时，三个所述电压检测电路检测到三个脉冲宽度调制信号；在所述充电信号输入电路输入9V电平时，三个所述电压检测电路检测到一个低电平信号和两个高电平信号；在所述充电信号输入电路输输入+9V和-12V的脉冲宽度调制信号时，三个所述电压检测电路检测到一个低电平信号和两个脉冲宽度调制信号；在所述充电信号输入电路输入6V电平时，三个所述电压检测电路检测到两个低电平信号和一个高电平信号；在所述充电信号输入电路输入+6V和-12V的脉冲宽度调制信号时，检测到两个低电平信号和一个脉冲宽度调制信号，从而使得在接收到所述充电信号时能够输出不同的电平信号，所述分析电路接收到所述电平信号后能够根据所述电平信号分析所述充电设备的充电状态，从而便于供电设备根据所述充电设备的充电状态进行充电，实现了智能充电管理。
上述充电装置中的各个模块的划分仅用于举例说明，在其他实施方式中，可将充电装置按照需要划分为不同的模块，以完成上述充电装置的全部或部分功能。上述充电装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以软件形式存储于计算机设备的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在这里示出和描述的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制，因此，示例性实施例的其他示例可以具有不同的值。
应注意：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (15)
1.一种充电信号检测装置，其特征在于，所述装置包括充电信号输入电路、至少一电源电路、至少一电压检测电路和分析电路；
所述电压检测电路分别与所述充电信号输入电路和所述电源电路电性连接，且所述电压检测电路用于接收并比较所述充电信号输入电路输出的第一电压和所述电源输出的第二电压以得出检测电压；
所述分析电路与所述电压检测电路电性连接，且所述分析电路用于接收所述检测电压并分析充电设备的充电状态。
2.根据权利要求1所述的充电信号检测装置，其特征在于，所述电压检测电路的数量为三个，所述电源电路的数量为三个，一个电源电路与一个所述电压检测电路电性连接，所述分析电路具体用于根据所述三个所述电压检测电路输出的电压分析充电状态。
3.根据权利要求2所述的充电信号检测装置，其特征在于，一个所述电压检测电路包括比较子电路、第一隔离子电路和第二隔离子电路，所述比较子电路、所述第一隔离子电路和所述第二隔离子电路依次电性连接。
4.根据权利要求3所述的充电信号检测装置，其特征在于，所述比较子电路包括第一金属氧化物半导体管Q1和第一电阻R3，所述第一金属氧化物半导体管Q1的栅极与所述电源电路电性连接，所述第一金属氧化物半导体管Q1的源极与所述充电信号输入电路电性连接，所述第一金属氧化物半导体管Q1的漏极与所述第一电阻R4电性连接；所述第一金属氧化物半导体管Q1用于比较所述充电信号输入电路输入的第一电压和所述电源电路输入的第二电压并为所述第一隔离子电路提供电源。
5.根据权利要求4所述的充电信号检测装置，其特征在于，所述第一隔离子电路包括第二金属氧化物半导体管Q2、第二电阻R4和第三电阻R5，所述第二电阻R4一端与所述充电信号输入电路电性连接，另一端与所述第二金属氧化物半导体管Q2的栅极电性连接，所述第二金属氧化物半导体管Q2的源极通过所述第一电阻R3与所述第一金属氧化物半导体管Q1的漏极电性连接，所述第二金属氧化物半导体管Q2的漏极与所述第二隔离子电路电性连接，所述第三电阻R5一端与所述第二电阻R4电性连接，另一端接地；所述第二金属氧化物半导体管Q2用于隔离负电压噪声干扰并输出充电信号至所述第二隔离子电路。
6.根据权利要求5所述的充电信号检测装置，其特征在于，所述第二隔离子电路包括第三金属氧化物半导体管Q3、数字信号电源、第四电阻R6、第五电阻R7、第六电阻R8、第七电阻R9和第一电容C1，所述第三金属氧化物半导体管Q3的栅极与所述数字信号电源电性连接，所述第三金属氧化物半导体管Q3的漏极通过第四电阻R6与所述第二金属氧化物半导体管Q2的漏极电性连接，所述第五电阻R7与所述数字信号电源和所述第三金属氧化物半导体管Q3的源极电性连接，所述第六电阻R8和所述第一电容C1的一端与所述第四电阻R6电性连接，另一端接地，所述第七电阻R9一端与所述第五电阻R7电性连接，另一端接地；所述第三金属氧化物半导体管Q3用于隔离正电压噪声干扰并输出充电信号至所述分析电路。
7.根据权利要求1所述的充电信号检测方法，其特征在于，所述检测电压为高电平、低电平和脉冲宽度调制信号中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的充电信号检测方法，其特征在于，所述检测电压为三个高电平时，所述充电状态为未连接。
9.根据权利要求7所述的充电信号检测方法，其特征在于，所述检测电压为三个脉冲宽度调制信号时，所述充电状态为未连接。
10.根据权利要求7所述的充电信号检测方法，其特征在于，所述检测电压为一个低电平和两个高电平时，所述充电状态为充电连接状态。
11.根据权利要求7所述的充电信号检测方法，其特征在于，所述检测电压为一个低电平和两个脉冲宽度调制信号时，所述充电状态为充电设备准备就绪状态。
12.根据权利要求7所述的充电信号检测方法，其特征在于，所述检测电压为两个低电平和一个高电平时，所述充电状态为充电设备准备就绪状态。
13.根据权利要求7所述的充电信号检测方法，其特征在于，所述检测电压为两个低电平和一个脉冲宽度调制信号时，所述充电状态为充电设备正在充电状态。
14.根据权利要求1所述的充电信号检测装置，其特征在于，所述充电信号检测装置进一步包括滤波电路，所述滤波电路连接在所述充电信号输入电路和所述电压检测电路之间；所述滤波电路用于滤除传递至所述电压检测电路的电压信号中的干扰信号。
15.根据权利要求14所述的充电信号检测装置，其特征在于，所述滤波电路包括第八电阻R12和第二电容C2，所述第八电阻R12一端与所述充电信号输入电路电性连接，另一端与所述电压检测电路电性连接，所述第二电容C2一端与所述第八电阻R12电性连接，另一端接地。
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