CN110168355A - 未接地样本的带电粒子束检查 - Google Patents

未接地样本的带电粒子束检查 Download PDF

Info

Publication number
CN110168355A
CN110168355A CN201780078427.5A CN201780078427A CN110168355A CN 110168355 A CN110168355 A CN 110168355A CN 201780078427 A CN201780078427 A CN 201780078427A CN 110168355 A CN110168355 A CN 110168355A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fov
region
sample
method described
charged particle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201780078427.5A
Other languages
English (en)
Inventor
关键
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of CN110168355A publication Critical patent/CN110168355A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/21—Means for adjusting the focus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002—Details
    • H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/004—Charge control of objects or beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/004—Charge control of objects or beams
    • H01J2237/0041—Neutralising arrangements
    • H01J2237/0044—Neutralising arrangements of objects being observed or treated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/004—Charge control of objects or beams
    • H01J2237/0048—Charging arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
    • H01J2237/1538—Space charge (Boersch) effect compensation

Abstract

本文公开了一种方法，包括：开始用第一束带电粒子对样本的区域预充电；在晚于开始对该区域预充电的时间，开始用第二束带电粒子对该区域成像；其中该区域电未接地。从该区域的图像中，可以标识缺陷。

Description

未接地样本的带电粒子束检查
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年12月19日提交的美国临时申请62/436,095、于2017年2月22日提交的美国临时申请62/461,974、于2017年9月29日提交的美国临时申请62/566,189的优先权，并且所有三个申请的公开内容均通过引用以其整体并入本文。
技术领域
本公开涉及用于检查(例如，观察、测量和成像)样本的方法和装置，样本诸如通过器件制造过程(例如，集成电路(IC)的制造)和其中所使用的图案化设备而被图案化的衬底。
背景技术
器件制造过程可以包括将所期望的图案施加到衬底上。可以使用备选地被称为掩模、掩模版或模具的图案化设备来生成所期望的图案。这些图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括裸片的一部分、一个或几个裸片)上。
图案的转印可以通过光刻进行，其中图案被成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。单个衬底可以包含连续图案化的相邻目标部分的网络。光刻装置可以用于这种转印。一种类型的光刻装置被称为步进器，其中每个目标部分通过一次将整个图案曝光到目标部分上而被辐射。另一种类型的光刻装置被称为扫描仪，其中每个目标部分通过在给定方向上通过辐射束扫描图案同时平行或反平行于该方向扫描衬底而被辐射。
还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化设备转印到衬底。压印技术的一个示例被称为纳米压印光刻(NIL)。在NIL中，具有图案的模具被压在衬底上，从而将图案转印到衬底。在一个示例中，衬底可以具有涂覆在其上的抗蚀剂的层，并且将模具压在衬底上引起抗蚀剂的变形。在移除模具之前，可以使抗蚀剂固化(例如，通过冷却或UV光照射)。在使抗蚀剂固化并移除模具之后，抗蚀剂的层具有模具的图案。可以使用图案转印过程(例如，反应离子蚀刻)来将抗蚀剂中的图案转印到衬底。
为了监测器件制造过程的一个或多个步骤(例如，曝光、抗蚀剂处理、蚀刻、显影、烘烤、压印等)，可以检查样本，诸如通过器件制造过程或者其中所使用的图案化设备而被图案化的衬底，其中可以测量样本的一个或多个参数。一个或多个参数可以包括例如边缘位置误差(EPE)，其是衬底或图案化设备上的图案的边缘与图案的预期设计的对应边缘之间的距离。检查还可以发现图案缺陷(例如，失败的连接或失败的分离)和不速而至的颗粒。
检查器件制造过程中所使用的衬底和图案化设备可以帮助提高产量。从检查中获得的信息可以用于标识缺陷或调整器件制造过程。
发明内容
本文公开了一种方法，包括：开始用第一束带电粒子对样本的区域预充电；在晚于开始对该区域预充电的时间，开始用第二束带电粒子对该区域成像；其中该区域电未接地。
根据一个实施例，样本是纳米压印光刻模具。
根据一个实施例，该区域通过黑色边界而与样本的其他区域电隔离。
根据一个实施例，样本是适合于极紫外光刻的图案化设备。
根据一个实施例，第一束带电粒子和第二束带电粒子相同。
根据一个实施例，开始对由该区域涵盖的每个FOV预充电与开始对该FOV成像之间的时间间隔是常数。
根据一个实施例，对由该区域涵盖的FOV预充电在时间上不连续。
根据一个实施例，对由该区域涵盖的FOV成像在时间上不连续。
根据一个实施例，在该区域的预充电期间，表示第一束和样本的相互作用的信号不被记录。
根据一个实施例，在区域的成像期间，表示第二束和样本的相互作用的信号被记录。
根据一个实施例，方法还包括：基于信号形成区域的图像。
根据一个实施例，在区域中的任何FOV被成像之前，区域的整体被预充电。
根据一个实施例，在该区域中的FOV的列中的任何FOV被成像之前，该列中的所有FOV被预充电。
根据一个实施例，在该区域中的FOV中的另一FOV被预充电之前，该区域中的FOV中的被预充电的每个FOV被成像。
本文公开了一种计算机程序产品，包括具有记录在其上的指令的非暂态计算机可读介质，指令在由计算机执行时实现上述方法中的任何方法。
附图说明
图1示意性地示出了可以执行带电粒子束检查的装置。
图2示意性地示出了适合于EUV光刻的图案化设备的横截面图。
图3A示意性地示出了围绕衬底上的目标部分的周边区域的过度曝光。
图3B示意性地示出了通过围绕图案化设备的活跃区域域的边界区域中的黑色边界消除或减少图3A的过度曝光。
图4A示意性地示出了NIL模具的横截面图。
图4B示意性地示出了NIL模具，其可以被压在其上具有抗蚀剂的层的衬底上并且引起抗蚀剂的变形。
图4C示意性地示出了NIL模具的图案留在抗蚀剂中。
图5示意性地示出了用于样本的带电粒子束检查的方法的流程图。
图6A示意性地示出了FOV的预充电。
图6B示意性地示出了图6A的FOV的成像。
图7A示意性地示出了用于样本的带电粒子束检查的方法的流程图。
图7B示意性地示出了使用图7A的方法的一个示例。
图8A示意性地示出了用于样本的带电粒子束检查的方法的流程图。
图8B示意性地示出了使用图8A的方法的一个示例。
图9A示意性地示出了用于样本的带电粒子束检查的方法的流程图。
图9B示意性地示出了使用图9A的方法的一个示例。
具体实施方式
存在用于检查样本(例如，衬底和图案化设备)的各种技术。一种检查技术是光学检查，其中光束被引导到衬底或图案化设备，并且表示光束和样本的相互作用(例如，散射、反射、衍射)的信号被记录。另一种检查技术是带电粒子束检查，其中带电粒子(例如，电子)的束被引导到样本，并且表示带电粒子和样本的相互作用(例如，二次发射和背散射发射)的信号被记录。
图1示意性地示出了可以执行带电粒子束检查的装置100。装置100可以包括被配置成生成和控制带电粒子束的组件，诸如可以产生自由空间中的带电粒子的源10、束提取电极11、聚光透镜12、束消隐偏转器13、孔径14、扫描偏转器15和物镜16。装置100可以包括被配置成检测表示带电粒子束和样本的相互作用的信号的组件，诸如E×B带电粒子绕行(detour)装置17、信号检测器21。装置100还可以包括被配置成处理信号或控制其他组件的组件，诸如处理器。
在检查过程的一个示例中，带电粒子束18被引导到定位于台30上的样本9(例如，晶片或掩模)。表示束18和样本9的相互作用的信号20由E×B带电粒子绕行装置17引导到信号检测器21。处理器可以使得台30移动或使得束18扫描。
由于在带电粒子束检查中使用的带电粒子的波长比在光学检查中使用的光的波长短，带电粒子束检查可以具有比光学检查高的分辨率。由于随着器件制造工艺的发展，衬底和图案化设备上的图案的尺寸变得越来越小，带电粒子束检查的使用变得更加广泛。
在带电粒子束检查中，可以在对区域成像之前将电荷施加到样本的区域。在成像之前施加电荷的过程可以称为预充电。预充电可以减少该区域中的非均匀电荷分布对成像的不利影响，或者可以通过利用与该区域中的特征之间的电荷的相互作用的差异来增强对比度。
可以通过跨区域的整体扫描由束在样本上生成的斑点，来使用带电粒子束对区域预充电。相同的束也可以用于对该区域成像。使用相同的带电粒子束来进行预充电和成像两者允许预充电的精确控制。在处于适合于成像的不同配置中的相同的束跨区域被扫描之前，处于适合于预充电的配置中的带电粒子束可以跨该区域被扫描。
需要经历带电粒子束检查的一些样本可能不适合于电接地。一个示例是用于极紫外(EUV)光刻的图案化设备。图2示意性地示出了适合于EUV光刻的图案化设备200的横截面图。图案化设备200具有衬底230、衬底230上的反射性多层240、以及反射性多层240上的吸收剂图案220。衬底230被配置成提供用于图案化设备200的机械完整性。反射性多层240被配置成反射入射的EUV光。反射性多层240具有针对EUV光(例如，具有13.5nm的波长)的不同折射率的交替层(例如，Mo和Si)，并借助于层间干涉来反射EUV光。吸收剂图案220表示将要由器件制造过程形成的结构的设计。吸收剂图案220减少或消除由反射性多层240对入射的EUV光的反射。衬底230通常是电绝缘材料，诸如石英。因此，图案化设备200不可以通过衬底230而电接地。尽管电极290的存在可能增加污染图案化设备200的概率，但是通过将一个或多个电极290连接到反射性多层240的边缘来使图案化设备200电接地是可能的。
在一些情况下，图案化设备200也不能通过连接到反射性多层240的电极而电接地。例如，当反射性多层240由一个或多个所谓的“黑色边界”分成彼此不电连接的多个部分时，将电极290连接到反射性多层240的边缘将不会使图案化设备200电接地。
适合于EUV的图案化设备上的“黑色边界”被配置成减少或消除围绕使用图案化设备而被曝光的衬底上的目标部分的周边区域的过度曝光。图3A示意性地示出了这种过度曝光。用于EUV光刻的图案化设备200具有活跃(active)区域251，其包含多个吸收剂图案220。围绕活跃区域251的是没有任何吸收剂图案220的约2mm-3mm宽的边界区域252。可以通过多次曝光将由吸收剂图案220表示的设计转印到衬底300上的多个目标部分(例如，目标部分353和354)。然而，在每次曝光中从图案化设备200反射的EUV光291包含从边界区域252反射的部分。从边界区域252反射的部分使围绕目标部分的周边区域(例如，355和356)曝光。当目标部分彼此靠近时，围绕相邻目标部分的周边区域可能具有重叠(例如，359)。重叠被曝光多次，因此可能过度曝光。过度曝光可能不利影响与重叠相邻的目标部分。
图3B示意性地示出了通过在围绕图案化设备200的活跃区域251的边界区域252中的黑色边界260来消除或减少这种过度曝光。黑色边界260可以是延伸到反射性多层240中并填充有材料的沟槽。黑色边界260具有比反射性多层240低得多的对EUV光的反射率。当存在黑色边界260时，在每次曝光中从图案化设备200反射的EUV光291不包含从边界区域252反射的部分，或者包含比图3A中的场景小得多的从边界区域252反射的部分。因此，当存在黑色边界260时，围绕每个目标部分的周边区域不被曝光或者接收非常少的曝光。因此消除或减少了围绕相邻目标部分的周边区域的重叠的过度曝光。然而，黑色边界260可以将反射性多层240分成彼此不电连接的多个部分，从而防止了通过连接到反射性多层240的边缘的电极而对图案化设备200的电接地。
需要经历带电粒子束检查但可能不适合于电接地的样本的另一示例是用于NIL的模具。图4A示意性地示出了NIL模具400的横截面图。NIL模具400是具有形成于其中的图案的石英衬底。因为石英是电绝缘的，所以NIL模具400不能电接地。在一个示例中，如图4B中所示，NIL模具400可以被压在其上具有抗蚀剂460的层的衬底450上，并引起抗蚀剂460的变形。如图4C中所示，在NIL模具400仍然被压在衬底450上的情况下抗蚀剂460被固化之后，NIL模具400被移除，并且NIL模具400的图案被留在抗蚀剂460中。
图5示意性地示出了用于样本的带电粒子束检查的方法的流程图。样本的示例可以包括图案化设备，诸如适合于EUV光刻的图案化设备，或者适合于NIL的模具。在步骤5010中，开始对样本的区域预充电，其中该区域电未接地(例如，通过黑色边界而与样本的其他区域电隔离的区域)。在步骤5020中，在晚于开始对该区域预充电的时间，开始用带电粒子束对区域成像。对该区域预充电可以使用相同的带电粒子束。在一个实施例中，开始对由该区域涵盖的每个视场(FOV)预充电和开始对该FOV成像之间的时间间隔是常数。FOV是在不改变样本相对于绝对参考系(reference frame)的速度(其是矢量)的情况下，带电粒子束在样本上可以到达的范围。速度的幅度可以是零(即，样本静止)或非零。在一个实施例中，在该区域的预充电期间，不记录表示用于对区域预充电的带电粒子束和样本的相互作用的信号。在一个实施例中，在该区域的成像期间，记录表示用于对区域成像的带电粒子束和样本的相互作用的信号；可以基于所记录的信号形成区域的图像。
图6A示意性地示出了FOV 600的预充电。为方便起见，在相对于FOV 600静止的参考系中定义了两个方向x和y。x方向和y方向相互垂直。带电粒子束在FOV 600中生成斑点610。FOV在x方向上的尺寸是L。斑点610在y方向上的尺寸是W。斑点610可以在FOV 600的整体之上扫描。例如，斑点610可以重复地在x方向上以距离L扫描，然后在y方向上以距离W扫描，然后在-x方向上以距离L扫描，然后在y方向上以距离W扫描，直到斑点610扫描FOV 600的整体。斑点610的扫描在时间上可以不连续；即，FOV 600的预充电在时间上不连续。在一个实施例中，在斑点610跨FOV 600的扫描期间(即，在FOV 600的预充电期间)，不记录表示生成斑点610的束和样本的相互作用的信号。
图6B示意性地示出了FOV 600的成像。带电粒子束生成探测斑点620。生成探测斑点620的束可以与生成斑点610的束相同或不同。探测斑点620在y方向上的尺寸是V，其可以等于W。探测斑点620可以在FOV 600的整体之上扫描。在斑点610开始扫描FOV 600之后，探测斑点620开始扫描FOV 600。探测斑点620可以在斑点610完成扫描FOV 600的整体之前开始扫描FOV600。例如，探测斑点620可以重复地在x方向上以距离L扫描，然后在y方向上以距离V扫描，然后在-x方向上以距离L扫描，然后在y方向上以距离V扫描，直到探测斑点620扫描FOV 600的整体。探测斑点620的扫描在时间上可以不连续；即，FOV 600的成像在时间上不连续。在探测斑点620跨FOV 600的扫描期间(即，在FOV 600的成像期间)，记录表示生成探测斑点620的束和样本的相互作用的信号。可以基于所记录的信号形成FOV 600的图像。图像可以不以人眼容易察觉的形式。相反，图像可以是表示所记录信号的空间分布的数据的汇编。
在FOV 600的预充电或成像期间，样本可以相对于绝对参考系移动或不移动。例如，如果样本在FOV 600的预充电或成像期间移动，则斑点610或探测斑点620可以跟随样本的移动，并同时重复地在x方向上以距离L扫描，然后在y方向上以距离W扫描，然后在-x方向上以距离L扫描，然后在y方向上以距离W扫描，直到斑点610扫描FOV 600的整体。即，斑点610相对于绝对参考系的移动是样本的移动与在x方向上以距离L、然后在y方向上以距离W、然后在-x方向上以距离L、然后在y方向上以距离W的重复扫描之和。这种类型的扫描可以被称为“连续扫描”，其细节可以在美国专利8063363中找到，该专利的公开内容通过引入以其整体并入本文。连续扫描可以显著扩大FOV。
图7A示意性地示出了用于样本的带电粒子束检查的方法的流程图。样本的示例可以包括图案化设备，诸如适合于EUV光刻的图案化设备，或者适合于NIL的模具。在步骤7010中，对样本的区域中的FOV预充电，其中该区域电未接地。在步骤7020中，确定该区域中的所有FOV是否均被预充电。响应于该区域中的所有FOV尚未均被预充电，流程返回到步骤7010，其中该区域中的另一FOV被预充电。响应于该区域中的所有FOV均被预充电，流程进行到步骤7030，其中该区域中的FOV被成像。在步骤7040中，确定区域中的所有FOV是否均被成像。响应于该区域中的所有FOV尚未均被成像，流程返回到步骤7030，其中该区域中的另一FOV被成像。响应于该区域中的所有FOV均被成像，流程结束。
图7B示意性地示出了使用图7A的方法，在对区域700中的FOV 710中的任何FOV成像(如字母“I”所指示)之前，区域700的所有FOV 710的预充电(如字母“P”所指示)。区域700的整体可以一次对一个FOV预充电并且一次对一个FOV成像。对区域700中的FOV预充电的顺序可以与对区域700中的FOV成像的顺序相同。
图8A示意性地示出了用于样本的带电粒子束检查的方法的流程图。样本的示例可以包括图案化设备，诸如适合于EUV光刻的图案化设备，或者适合于NIL的模具。在步骤8010中，对样本的区域中的FOV列中的FOV预充电，其中该区域电未接地。在步骤8020中，确定列中的所有FOV是否均被预充电。响应于列中的所有FOV尚未均被预充电，流程返回到步骤8010，其中列中的另一FOV被预充电。响应于列中的所有FOV均被预充电，流程进行到步骤8030，其中列中的FOV被成像。在步骤8040中，确定列中的所有FOV是否均被成像。响应于列中的所有FOV尚未均被成像，流程返回到步骤8030，其中列中的另一FOV被成像。响应于列中的所有FOV均被成像，流程进行到步骤8050，其中确定该区域中的所有FOV是否均被成像。响应于该区域中的所有FOV尚未均被成像，流程返回到步骤8010，其中该区域中的另一FOV列中的FOV被预充电。响应于该区域中的所有FOV均被成像，流程结束。
图8B示意性地示出了使用图8A的方法，在对区域800中的FOV列(例如，810和820)中的FOV中的任何FOV成像(如字母“I”所指示)之前，该列中的所有FOV的预充电(如字母“P”所指示)。FOV列可以一次对一个FOV预充电，或者一次对一个FOV成像。对FOV预充电的顺序可以与对FOV成像的顺序相同。
图9A示意性地示出了用于样本的带电粒子束检查的方法的流程图。样本的示例可以包括图案化设备，诸如适合于EUV光刻的图案化设备，或者适合于NIL的模具。在步骤9010中，样本的区域中的FOV被预充电，其中该区域电未接地。在步骤9020中，该FOV被成像。在步骤9030中，确定该区域中的所有FOV是否均被成像。响应于该区域中的所有FOV尚未均被成像，流程返回到步骤9010，其中该区域中的另一FOV被预充电。响应于该区域中的所有FOV均被成像，流程结束。
图9B示意性地示出了使用图9A的方法，在对区域900中的FOV中的另一FOV(例如，FOV 920)预充电之前，区域900中的被预充电(如字母“P”所指示)的FOV中的每个FOV(例如，FOV 910)被成像(如字母“I”所指示)。对FOV预充电的顺序可以与对FOV成像的顺序相同。
连续扫描可以用于对区域预充电、对区域成像或两者。例如，当样本是用于EUV光刻的图案化设备时，连续扫描可能是合适的。由于反射性多层的导电，用于EUV光刻的图案化设备的活跃区域可以是等电位的。例如，可以按照美国专利8063363中的方法，使用连续扫描对区域预充电或成像。当样本完全电绝缘(例如，NIL模具)时，对隔离的位点逐个预充电和成像可能是合适的。
虽然本文所公开的构思可以用于对样本(诸如硅晶片或诸如玻璃上的铬的图案化设备)的检查，但应当理解，所公开的构思可以与任何类型的样本一起使用，例如，检查除硅晶片以外的样本。
以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域技术人员来说将显而易见的是，在不脱离下面陈述的权利要求的范围的情况下，如所描述的那样可以进行修改。

Claims (15)

1.一种方法，包括：
开始用第一束带电粒子对样本的区域预充电；
在晚于开始对所述区域预充电的时间，开始用第二束带电粒子对所述区域成像；
其中所述区域是电未接地的。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述样本是纳米压印光刻模具。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述区域通过黑色边界而与所述样本的其他区域电隔离。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述样本是适合于极紫外光刻的图案化设备。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一束带电粒子和所述第二束带电粒子相同。
6.根据权利要求1所述的方法，其中开始对由所述区域涵盖的每个FOV预充电与开始对所述FOV成像之间的时间间隔是常数。
7.根据权利要求1所述的方法，其中对由所述区域涵盖的FOV预充电在时间上不连续。
8.根据权利要求1所述的方法，其中对由所述区域涵盖的FOV成像在时间上不连续。
9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述区域的预充电期间，表示所述第一束和所述样本的相互作用的信号不被记录。
10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述区域的成像期间，表示所述第二束和所述样本的相互作用的信号被记录。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括：基于所述信号来形成所述区域的图像。
12.根据权利要求1所述的方法，其中在所述区域中的任何FOV被成像之前，所述区域的整体被预充电。
13.根据权利要求1所述的方法，其中在所述区域中的FOV的列中的任何FOV被成像之前，所述列中的所有FOV被预充电。
14.根据权利要求1所述的方法，其中在所述区域中的FOV中的另一FOV被预充电之前，所述区域中的所述FOV中的被预充电的每个FOV被成像。
15.一种计算机程序产品，包括具有记录在其上的指令的非暂态计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时，实现根据权利要求1-14中的任一项所述的方法。
CN201780078427.5A 2016-12-19 2017-12-04 未接地样本的带电粒子束检查 Pending CN110168355A (zh)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662436095P 2016-12-19 2016-12-19
US62/436,095 2016-12-19
US201762461974P 2017-02-22 2017-02-22
US62/461,974 2017-02-22
US201762566189P 2017-09-29 2017-09-29
US62/566,189 2017-09-29
PCT/EP2017/081334 WO2018114299A1 (en) 2016-12-19 2017-12-04 Charged particle beam inspection of ungrounded samples

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110168355A true CN110168355A (zh) 2019-08-23

Family

ID=60569926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780078427.5A Pending CN110168355A (zh) 2016-12-19 2017-12-04 未接地样本的带电粒子束检查

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11448607B2 (zh)
KR (1) KR102329054B1 (zh)
CN (1) CN110168355A (zh)
TW (1) TWI660169B (zh)
WO (1) WO2018114299A1 (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000014765A1 (en) * 1998-09-03 2000-03-16 Kla-Tencor Corporation Scanning electron beam microscope
US20020047093A1 (en) * 2000-10-24 2002-04-25 Ki-Jung Son Method of capturing scanning electron microscope images and scanning electron microscope apparatus for performing the method
CN1514231A (zh) * 2002-08-19 2004-07-21 光子力学公司 集成视觉成像和电子检测检查系统
CN1820346A (zh) * 2003-05-09 2006-08-16 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
US7253410B1 (en) * 2005-03-16 2007-08-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Charge-control pre-scanning for e-beam imaging
CN102053098A (zh) * 2009-11-05 2011-05-11 上海华虹Nec电子有限公司 用于定位梳状金属线结构中低阻抗微小缺陷的方法
CN102629540A (zh) * 2011-02-07 2012-08-08 Fei公司 在包括对比度增强元件的tem中使光学元件居中的方法
CN103358035A (zh) * 2012-03-31 2013-10-23 Fei公司 用于在激光烧蚀期间保护光线光学组件的系统
CN103688333A (zh) * 2011-02-18 2014-03-26 应用材料以色列公司 聚焦带电粒子成像系统
CN104217910A (zh) * 2013-04-25 2014-12-17 Fei公司 在透射电子显微镜中使用相位片的方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5329133A (en) 1991-03-06 1994-07-12 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method of automatically determining flaws of an object of examination
TWI435361B (zh) * 2007-04-16 2014-04-21 Ebara Corp 電子射線裝置及使用該電子射線裝置之試料觀察方法
US20080296496A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Hermes Microvision, Inc. (Taiwan) Method and apparatus of wafer surface potential regulation
TWI380136B (en) 2008-02-29 2012-12-21 Nanya Technology Corp Exposing system, mask and design method thereof
US8063363B2 (en) 2008-03-31 2011-11-22 Hermes-Microvision, Inc. Method and apparatus for charged particle beam inspection
US8094428B2 (en) 2008-10-27 2012-01-10 Hermes-Microvision, Inc. Wafer grounding methodology
WO2010095392A1 (ja) * 2009-02-20 2010-08-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料観察方法および走査電子顕微鏡
JP5341924B2 (ja) * 2011-01-28 2013-11-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
JP5963453B2 (ja) * 2011-03-15 2016-08-03 株式会社荏原製作所 検査装置
US9599575B2 (en) * 2012-02-07 2017-03-21 Applied Materials Israel, Ltd. System, a method and a computer program product for CAD-based registration
JP6251525B2 (ja) * 2013-09-13 2017-12-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US9666412B1 (en) 2016-01-25 2017-05-30 Applied Materials Israel Ltd. Method for charging and imaging an object

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000014765A1 (en) * 1998-09-03 2000-03-16 Kla-Tencor Corporation Scanning electron beam microscope
US20020047093A1 (en) * 2000-10-24 2002-04-25 Ki-Jung Son Method of capturing scanning electron microscope images and scanning electron microscope apparatus for performing the method
CN1514231A (zh) * 2002-08-19 2004-07-21 光子力学公司 集成视觉成像和电子检测检查系统
CN1820346A (zh) * 2003-05-09 2006-08-16 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
US7253410B1 (en) * 2005-03-16 2007-08-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Charge-control pre-scanning for e-beam imaging
CN102053098A (zh) * 2009-11-05 2011-05-11 上海华虹Nec电子有限公司 用于定位梳状金属线结构中低阻抗微小缺陷的方法
CN102629540A (zh) * 2011-02-07 2012-08-08 Fei公司 在包括对比度增强元件的tem中使光学元件居中的方法
CN103688333A (zh) * 2011-02-18 2014-03-26 应用材料以色列公司 聚焦带电粒子成像系统
CN103358035A (zh) * 2012-03-31 2013-10-23 Fei公司 用于在激光烧蚀期间保护光线光学组件的系统
CN104217910A (zh) * 2013-04-25 2014-12-17 Fei公司 在透射电子显微镜中使用相位片的方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190096392A (ko) 2019-08-19
TW201833540A (zh) 2018-09-16
KR102329054B1 (ko) 2021-11-22
US20200088657A1 (en) 2020-03-19
US11448607B2 (en) 2022-09-20
TWI660169B (zh) 2019-05-21
WO2018114299A1 (en) 2018-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7288020B2 (ja) メトロロジー方法、ターゲット、及び基板
CN105874388B (zh) 用于量测目标的设计的方法和设备
CN105874387B (zh) 用于设计量测目标的方法和设备
US5496669A (en) System for detecting a latent image using an alignment apparatus
TWI618976B (zh) 於微影製程中使圖案合格
US9875534B2 (en) Techniques and systems for model-based critical dimension measurements
CN108369387A (zh) 使用非对称亚分辨率特征改善测量的光刻过程的光学量测术
TW201708942A (zh) 用於預測晶圓級缺陷可印性之裝置及方法
JP2002530878A5 (zh)
JP2003519923A (ja) 潜像の格子構造を用いて整合性を測定する方法
CN107949807A (zh) 用于使用焦点敏感叠盖目标进行焦点确定的系统及方法
JPH1083069A (ja) 半導体装置を製造する方法
CN108139686A (zh) 处理参数的间接确定
KR102110913B1 (ko) 파면 분석을 위한 디바이스 및 방법
CN105874389A (zh) 用于设计量测目标的方法和设备
CN105359039A (zh) 检验设备和方法、光刻设备、光刻处理单元以及器件制造方法
CN110088688A (zh) 量测传感器、光刻设备和用于制造器件的方法
US7691544B2 (en) Measurement of a scattered light point spread function (PSF) for microelectronic photolithography
JP4392914B2 (ja) 面位置検出装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP7264751B2 (ja) 検査装置及び検査方法
CN106030411A (zh) 确定边缘定位误差的方法、检测设备、图案形成装置、衬底及器件制造方法
CN110168355A (zh) 未接地样本的带电粒子束检查
TW201629443A (zh) 影像感測器、感測方法及微影裝置
CN110088689A (zh) 用于图案保真度控制的方法与设备
CN110140085A (zh) 多图像粒子检测系统和方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination