CN110161765B - 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板，其中，阵列基板包括栅极金属层和源漏极金属层，所述阵列基板还包括色阻层，所述色阻层包括多个色阻；在多个所述色阻中，至少部分所述色阻的相对的两侧边均设有隔垫块，至少部分所述色阻的相对的两侧边均设有避让位，一设有所述隔垫块的色阻与一设有所述避让位的色阻相邻设置，所述避让位对相邻色阻的所述隔垫块进行避让，所述隔垫块位于邻接该色阻的一所述数据线和一所述扫描线的交错区域。本申请技术方案旨在降低数据线上和扫描线上的寄生电容，减小数据线和扫描线的负载，提高像素的充电率，进而提升产品的显示对比度，提升产品的画质品位。

Description

阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板
技术领域
本申请涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板。
背景技术
目前，VA(Vertical Alignment，垂直对齐)显示模式的像素结构，分为TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)侧的像素结构和CF(Color Filter，彩色滤光片)侧的像素结构两部分。TFT侧的像素结构主要实现TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示器)的电学功能，是决定像素电容效应、配向延迟效应、灰阶电压写入特性及保持特性的主要因素；CF侧的像素结构主要实现TFT-LCD的光学功能，是决定TFT-LCD的对比度和色域度的主要因素。
但是，在现有的VA显示模式的像素结构中，数据线上和扫描线上会产生寄生电容，而寄生电容的存在会加大数据线与扫描线的负载，减小像素的充电率，从而使产品的显示对比度下降，影响产品的画质品位。
申请内容
本申请的主要目的是提供一种阵列基板，旨在降低数据线上和扫描线上的寄生电容，减小数据线和扫描线的负载，提高像素的充电率，进而提升产品的显示对比度，提升产品的画质品位。
为实现上述目的，本申请提出的阵列基板，包括栅极金属层和设于所述栅极金属层上方的源漏极金属层，所述栅极金属层包括并列设置的多条扫描线，所述源漏极金属层包括并列设置的多条数据线，每一所述扫描线与每一所述数据线交错设置，其特征在于，所述阵列基板还包括色阻层，所述色阻层包括多个色阻，每一所述色阻位于相邻两所述扫描线和相邻两所述数据线所限定的区域内，并延伸至覆盖相邻的部分所述扫描线；
在多个所述色阻中，至少部分所述色阻的相对的两侧边均设有隔垫块，至少部分所述色阻的相对的两侧边均设有避让位，一设有所述隔垫块的色阻与一设有所述避让位的色阻相邻设置，所述避让位对相邻色阻的所述隔垫块进行避让，所述隔垫块位于邻接该色阻的一所述数据线和一所述扫描线的交错区域。
可选地，所述色阻包括滤光部和连接所述滤光部的隔垫部，所述滤光部和所述隔垫部沿所述数据线的延伸方向排布，所述隔垫部覆盖相邻的部分所述扫描线，所述隔垫块由所述隔垫部沿所述扫描线的延伸方向延伸设置，所述避让位由所述隔垫部沿所述扫描线的延伸方向凹陷设置。
可选地，多个所述色阻为多个第一色阻、多个第二色阻以及多个第三色阻，一所述第一色阻、一所述第二色阻和一所述第三色阻依次排列设置一色彩单元，多个所述色彩单元沿所述扫描线的延伸方向依次排列。
可选地，所述第一色阻能过滤得到红光，所述第二色阻能过滤得到绿光，所述第三色阻能过滤得到蓝光；
一色彩单元中的第一色阻和第三色阻凸设设置有隔垫块，第二色阻凹陷设置有避让位；与该色彩单元相邻的另一色彩单元中的第一色阻和第三色阻凹陷设置有避让位，第二色阻凸设设置有隔垫块。
可选地，多个所述色阻分为多个第一色阻、多个第二色阻、多个第三色阻以及多个第四色阻，一所述第一色阻、一所述第二色阻、一所述第三色阻和一所述第四色阻依次排列设置一色彩单元，多个所述色彩单元沿所述扫描线的延伸方向依次排列。
可选地，所述第一色阻能过滤得到红光，所述第二色阻能过滤得到绿光，所述第三色阻能过滤得到蓝光，所述第四色阻能过滤得到白光；
每一色彩单元中的第一色阻和第三色阻凸设设置有隔垫块，第二色阻和第四色阻凹陷设置有避让位；
或，每一色彩单元中的第一色阻和第三色阻凹陷设置有避让位，第二色阻和第四色阻凸设设置有隔垫块。
可选地，所述阵列基板还包括黑色矩阵层，所述黑色矩阵层部分位于所述扫描线与所述数据线的交错区域内。
本申请还提出一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
提供衬底基板，并在所述衬底基板上设置栅极金属层；
在所述栅极金属层上和所述衬底基板上设置栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上设置有源层；
在所述栅极绝缘层上和所述有源层上设置源漏极金属层；
在所述源漏极金属层上和所述有源层上设置保护层；以及
在所述保护层上设置透明导电层；
在所述衬底基板上设置栅极金属层之后、且在所述衬底基板上设置源漏极金属层之前，还设置有色阻层。
可选地，在所述衬底基板上设置栅极金属层之后、且在所述衬底基板上设置源漏极金属层之前，还设置有黑色矩阵层。
本申请还提出一种显示面板，包括：
第一基板；
第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置；
液晶层，所述液晶层夹设于所述第一基板与所述第二基板之间；
其中，所述第二基板为权利要求至中任一项所述的阵列基板；
所述阵列基板包括栅极金属层和设于所述栅极金属层上方的源漏极金属层，所述栅极金属层包括并列设置的多条扫描线，所述源漏极金属层包括并列设置的多条数据线，每一所述扫描线与每一所述数据线交错设置，其特征在于，所述阵列基板还包括色阻层，所述色阻层包括多个色阻，每一所述色阻位于相邻两所述扫描线和相邻两所述数据线所限定的区域内，并延伸至覆盖相邻的部分所述扫描线；
多个所述色阻均设置有双向凸出的隔垫块，多个所述色阻均设置有双向凹陷的避让位，设有所述隔垫块的色阻与设有所述避让位的色阻于所述扫描线的延伸方向间隔设置，所述避让位对相邻色阻的所述隔垫块进行避让，所述隔垫块位于邻接该色阻的一所述数据线和一所述扫描线的交错区域。
本申请技术方案中，在制作该阵列基板过程中，将色阻层的制程设置于栅极金属层的制程和源漏极金属层的制程之间，且在多个色阻上设置有双向凸出的隔垫块，隔垫块位于邻接该色阻的一所述数据线和一所述扫描线的交错区域。即，在每一交错区域内，扫描线的上方、数据线的下方设置有隔垫块，从而使得扫描线与数据线的交错区域处的间距得到增大，数据线上和扫描线上的寄生电容得以降低，从而使得数据线和扫描线的负载得以减小，使得像素的充电率得以提升，进而提升了产品的显示对比度，提升了产品的画质品位。
为了保证色阻的滤光效果，相邻两色阻之间的间隙较小。由于部分色阻设置了该隔垫块，与其相邻的色阻需要设置避让位以设置避让该隔垫块的空间。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为应用有传统阵列基板的显示面板在数据线与扫描线正面交叠处沿扫描线的截面图；
图2为本申请显示面板一实施例在数据线与扫描线正面交叠处沿扫描线的截面图；
图3为图2中阵列基板的部分俯视图；
图4为图2中色阻层的部分俯视图；
图5为另一实施例中色阻层的部分俯视图；
图6为本申请显示面板另一实施例在数据线与扫描线正面交叠处沿扫描线的截面图；
图7为本申请一实施例中黑色矩阵层的部分俯视图。
附图标号说明：
Figure BDA0002091321570000041
Figure BDA0002091321570000051
本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明，本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本申请中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。
结合图2、图3和图4，本申请提出一种阵列基板100，应用于显示面板1000，该显示面板1000可以为液晶显示面板，该液晶显示面板包括阵列基板100和彩膜基板200，彩膜基板200与阵列基板100相对设置，且彩膜基板200与阵列基板100之间设置有液晶层。本申请技术方案通过对色阻层80的位置以及色阻层80上色阻81的结构进行改进，从而降低阵列基板100上数据线51和扫描线21所产生的寄生电容，减小数据线51和扫描线21的负载，提高像素的充电率，进而提升产品的显示对比度，提升产品的画质品位。
本申请实施例中，阵列基板100包括栅极金属层20和设于所述栅极金属层20上方的源漏极金属层50，所述栅极金属层20包括并列设置的多条扫描线21，所述源漏极金属层50包括并列设置的多条数据线51，每一所述扫描线21与每一所述数据线51交错设置，所述阵列基板100还包括色阻层80，所述色阻层80包括多个色阻81，每一所述色阻81位于相邻两所述扫描线21和相邻两所述数据线51所限定的区域内，并延伸至覆盖相邻的部分所述扫描线21；
参见图4和图5，在多个所述色阻81中，至少部分所述色阻81的相对的两侧边均设有隔垫块8131，至少部分所述色阻81的相对的两侧边均设有避让位8133，一设有所述隔垫块8131的色阻81与一设有所述避让位8133的色阻81相邻设置，所述避让位8133对相邻色阻81的所述隔垫块8131进行避让，所述隔垫块8131位于邻接该色阻81的一所述数据线51和一所述扫描线21的交错区域。
本实施例中，阵列基板100还包括衬底基板10、栅极绝缘层30、有源层40、保护层60及透明导电层70。衬底基板10、栅极金属层20、栅极绝缘层30、有源层40、源漏极金属层50、保护层60及透明导电层70依次设置。具体结构如下：栅极金属层20设于衬底基板10上；栅极绝缘层30设于栅极金属层20上和衬底基板10上，并覆盖栅极金属层20和衬底基板10；有源层40设于栅极绝缘层30上，并位于栅极金属层20的上方；源漏极金属层50设于栅极绝缘层30上和有源层40上，并与有源层40相接触；保护层60设于栅极绝缘层30上、有源层40上及源漏极金属层50上，并覆盖栅极绝缘层30、有源层40及源漏极金属层50；透明导电层70设于保护层60上，并与源漏极金属层50相接触(具体地，透明导电层70可通过保护层60上的贯通孔与源漏极金属层50相接触)。此时，栅极金属层20中的扫描线21与源漏极金属层50中的数据线51呈交叠设置，即扫描线21上存在与数据线51正面交叠的区域，数据线51上亦存在与扫描线21正面交叠的区域。扫描线21上与数据线51正面交叠的区域同数据线51上与该区域正面交叠的区域之间所夹区域，即为扫描线21与数据线51的交错区域。需要说明的是，阵列基板100包括有多条数据线51和多条扫描线21，每条数据线51与每条扫描线21呈交叠设置，也就是阵列基板100上存在若干个这样的交错区域。
可以理解地，这里所定义的每一扫描线21与每一数据线51交错设置，具体为，每一扫描线21和每一数据线51于衬底基板10的投影相交叉，且相互垂直。
本申请技术方案中，在制作该阵列基板100过程中，将色阻层80的制程设置于栅极金属层20的制程和源漏极金属层50的制程之间，且在多个色阻81上设置有双向凸出的隔垫块8131，隔垫块8131位于邻接该色阻81的一所述数据线51和一所述扫描线21的交错区域。即，在每一交错区域内，扫描线21的上方、数据线51的下方设置有隔垫块8131，从而使得扫描线21与数据线51的交错区域处的间距得到增大，数据线51上和扫描线21上的寄生电容得以降低，从而使得数据线51和扫描线21的负载得以减小，使得像素的充电率得以提升，进而提升了产品的显示对比度，提升了产品的画质品位。
为了保证色阻81的滤光效果，相邻两色阻81之间的间隙较小。由于部分色阻81设置了该隔垫块8131，与其相邻的色阻81需要设置避让位8133以形成避让该隔垫块8131的空间。
本申请技术方案的阵列基板100在实际应用过程中，不仅数据线51和扫描线21之间会产生寄生电容，且数据线51和扫描线21还会与彩膜基板200上的导电薄膜210之间产生寄生电容，该导电薄膜210设置于彩膜基板200面向阵列基板100的表面。
定义数据线51上产生的寄生电容为Cd，数据线51上产生的寄生电容主要包括以下两个部分：
1)数据线51与扫描线21正面交叠产生的寄生电容，记为Cd1；
2)数据线51与彩膜基板200上的导电薄膜210正面交叠产生的寄生电容，记为Cd2；
定义扫描线21上产生的寄生电容为Cg，扫描线21上产生的寄生电容主要包括以下两个部分：
3)扫描线21与数据线51正面交叠产生的寄生电容，记为Cg1；
4)扫描线21与彩膜基板200上的导电薄膜210正面交叠产生的寄生电容，记为Cg2。
下面主要对数据线51上的寄生电容进行举例说明，具体原理如下：
定义液晶层(未图示)的介电常数为α、保护层60的介电常数为β、栅极绝缘层30的介电常数为γ、色阻层80的介电常数为δ。
电容的计算公式为：
Figure BDA0002091321570000081
(其中，ξ为介电常数、S为交叠面积、k为静电力常量、d为相对距离)。
电容的串联公式为：
Figure BDA0002091321570000082
电容的并联公式为：
C3＝C1+C2
图1所示为改进前的方案，数据线51与扫描线21的交叠面积为S，数据线51与导电薄膜210的交叠面积也为S；数据线51和扫描线21的相对距离为d3；导电薄膜210与数据线51交错区域内，导电薄膜210与保护层60的间距为d1；导电薄膜210与数据线51交错区域内，导保护层60与数据线51的间距为d2。具体计算方式如下：
(1)数据线51与扫描线21正面交叠产生的寄生电容为Cd11：
Figure BDA0002091321570000083
(2)数据线51与彩膜基板200侧导电薄膜210正面交叠产生的寄生电容为：Cd21
Figure BDA0002091321570000084
参见图2，本申请改进后，一实施例中，将色阻层80的制程布置于栅极金属层20的制程和源漏极55技术层的制程之间时，隔垫块8131位于数据线51和扫描线21的交错区域内。数据线51和扫描线21的交叠面积为S，与改进前一致。由于，显示面板1000的整体厚度是不变的，故，图2中导电薄膜210与保护层60的间距为d1-d5，图2中数据线51和扫描线21的相对距离为d3+d5，基体计算方式如下：
(1)数据线51与扫描线21正面交叠产生的寄生电容为Cd12：
Figure BDA0002091321570000091
(2)数据线51与彩膜基板200侧的导电薄膜210正面交叠产生的寄生电容为Cd22：
Figure BDA0002091321570000092
将改进前和改进后数据线51和扫描线21之间的寄生电容做差，得到Δ1：
Figure BDA0002091321570000093
将改进前和改进后数据线51和彩膜基板200侧的导电薄膜210之间的寄生电容做差，得到Δ2：
Figure BDA0002091321570000094
综上，改进后，数据线51和扫描线21之间的寄生电容减小，数据线51和膜基板200侧的导电薄膜210之间的寄生电容增大。
可选地，现使用一般参数，对上述Δ1和Δ2进行实际换算，如下：
(1)保护层60和栅极绝缘层30的介电常数一般在6.75左右，即β＝γ＝6.75；
(2)液晶层的介电常数一般在3.5～7之间，即α＝3.5～7；
(3)色阻层80的介电常数一般在3.6左右，即δ＝3.6。
(4)d1一般为4.25μm左右，记d1＝4.25；
(5)d2一般在1.9μm左右(其中，PV1为0.2μm左右、PV2为1.7μm左右)，记d2＝1.9；
(6)d3一般在0.4μm左右，记d3＝0.4；
(7)d5一般在2.5μm左右，记d5＝2.5。
易算出：
Figure BDA0002091321570000101
Figure BDA0002091321570000102
(液晶层的介电常数取3.5时)；
Figure BDA0002091321570000103
(液晶层的介电常数取7.0时)；
即，
Figure BDA0002091321570000104
由此可知，不论液晶层的介电常数为何值(3.5～7)，Δ1的绝对值都远大于Δ2的绝对值；即改进后数据线51与扫描线21正面交叠产生的寄生电容的减小量，远大于改进后数据线51与彩膜基板200侧导电薄膜210正面交叠产生的寄生电容的增大量。
也即，本实施例的技术方案，可以极大地减小数据线51上的寄生电容，降低数据线51的负载。
同理，对于扫描线21上的寄生电容也可以做类似分析，同样可得到：本实施例的技术方案，可以极大地减小扫描线21上的寄生电容，降低扫描线21的负载。
综上，扫描线21上和数据线51上的寄生电容得以降低，扫描线21和数据线51的负载得以减小，像素的充电率得以提升，进而产品的显示对比度得以提升，产品的画质品位得以提升。
本申请实施例中，所述色阻81包括滤光部811和连接所述滤光部811的隔垫部813，所述滤光部811和所述隔垫部813沿所述数据线51的延伸方向排布，所述隔垫部813覆盖相邻的部分所述扫描线21，所述隔垫块8131由所述隔垫部813沿所述扫描线21的延伸方向延伸设置，所述避让位8133由所述隔垫部813沿所述扫描线21的延伸方向凹陷设置。
该实施例中，色阻81的滤光部811和隔垫部813沿数据线51的一延伸方向依次间隔排列。每一色阻81的滤光部811用于对背光源照射过来的白光进行过滤，从而透过不同颜色的光；每一色阻81的滤光部811不仅用于防止漏光，还可以对部分扫描线21进行覆盖，使得扫描线21与数据线51上的寄生电容得到减小。
参见图4，一实施例中，多个所述色阻81为多个第一色阻83、多个第二色阻85以及多个第三色阻87，一所述第一色阻83、一所述第二色阻85和一所述第三色阻87依次排列组成一色彩单元，多个所述色彩单元沿所述扫描线21的延伸方向依次排列。
该色彩单元为对应每一像素单元设置的色阻81，即，该实施例中每一像素单元中均包括一第一色阻83、一第二色阻85和一第三色阻87。
该实施例中，每一色彩单元中均由依次排列的第一色阻83、第二色阻85和第三色阻87组成，第一色阻83、第二色阻85和第三色阻87分别能过滤得到红光、绿光和蓝光的光线中的之一。
一实施例中，所述第一色阻83能过滤得到红光，所述第二色阻85能过滤得到绿光，所述第三色阻87能过滤得到蓝光；
一色彩单元中的第一色阻83和第三色阻87凸设设置有隔垫块8131，第二色阻85凹陷设置有避让位8133；与该色彩单元相邻的另一色彩单元中的第一色阻83和第三色阻87凹陷设置有避让位8133，第二色阻85凸设设置有隔垫块8131。
参见图5，一实施例中，多个所述色阻81分为多个第一色阻83、多个第二色阻85、多个第三色阻87以及多个第四色阻81，一所述第一色阻83、一所述第二色阻85、一所述第三色阻87和一所述第四色阻81依次排列组成一色彩单元，多个所述色彩单元沿所述扫描线21的延伸方向依次排列。该实施例中每一像素单元中均包括一第一色阻83、一第二色阻85、一第三色阻87以及一第四色阻89。
该实施例中，每一色彩单元中均由依次排列的第一色阻83、第二色阻85、第三色阻87以及第四色阻81组成，第一色阻83、第二色阻85、第三色阻87以及第四色阻81分别能过滤得到红光、绿光、蓝光以及白光的光线中的之一。
一实施例中，所述第一色阻83能过滤得到红光，所述第二色阻85能过滤得到绿光，所述第三色阻87能过滤得到蓝光，所述第四色阻89能过滤得到白光；
每一色彩单元中的第一色阻83和第三色阻87凸设设置有隔垫块8131，第二色阻85和第四色阻81凹陷设置有避让位8133；或者，每一色彩单元中的第一色阻83和第三色阻87凹陷设置有避让位8133，第二色阻85和第四色阻81凸设设置有隔垫块8131。
如此，不仅方便了色阻层80的成型，方便了阵列基板100的制造，提升了阵列基板100的可靠性和稳定性；同时，由R、G、B、W四种颜色构成一色彩单元的阵列基板100中也可应用本申请的技术方案，增强了本申请技术方案的适用性。
本申请实施例中，所述阵列基板100还包括栅极绝缘层30，所述栅极绝缘层30设于所述栅极金属层20和所述色阻层80之间，或所述栅极绝缘层30设于所述色阻层80和所述源漏极金属层50之间。该两种实施例均在本申请的保护范围内。
一实施例中，所述阵列基板100还包括有源层40，所述有源层40位于所述栅极金属层20和所述源漏极金属层50之间，当所述色阻层80位于所述有源层40上方时，所述隔垫部813开设有让位口8135，所述有源层40由所述让所述让位口8135显露，以使所述源漏极金属层50通过所述让位口8135与所述有源层40接触。
该实施例中，当色阻层80的制程在有源层40的制程与源漏极金属层50的制程之间时，色阻层80中隔垫部813开设有让位口8135，有源层40由该让位口8135得以显露，此时，源漏极金属层50中源极53和漏极55便可穿过该让位口8135而与有源层40接触。如此，可使有源层40与源漏极金属层50的连接更加简单、更加方便、更加可靠，从而使阵列基板100的性能更加稳定。
在本申请阵列基板100一实施例中，所述有源层40于所述色阻层80的投影位于所述让位口8135所在范围内。即，有源层40整个位于让位口8135的覆盖范围内。如此，有源层40的显露面积得以增大，进一步便于源漏极金属层50中源极53和漏极55与有源层40的连接。
在本申请阵列基板100一实施例中，所述让位口8135的周缘邻近所述有源层40的周缘设置。如此，可进一步增大位于有源层40边缘以外的源极53和漏极55与栅极金属层20之间的间距，降低源极53上、漏极55上及栅极金属层20上的寄生电容，从而进一步降低扫描线21上和数据线51上的寄生电容，减小扫描线21和数据线51的负载，提升像素的充电率，最终提升产品的显示对比度和产品的画质品位。
在本申请阵列基板100一实施例中，所述阵列基板100还包括黑色矩阵层90，所述黑色矩阵层90部分位于所述扫描线21与所述数据线51的交错区域内。
该实施例中，黑色矩阵层90的制程在所述栅极金属层20的制程与所述源漏极金属层50的制程之间，从而使得黑色矩阵层90能部分位于所述扫描线21与所述数据线51的交错区域内。
类似于前述实施例中将色阻层80设置在栅极金属层20与源漏极金属层50之间的技术方案，本实施例的技术方案，还将黑色矩阵层90设置在了栅极金属层20与源漏极金属层50之间。
类似于前述实施例中“数据线51上和扫描线21上的寄生电容得以降低”的论证过程，本实施例中黑色矩阵层90的设置，同样可以增大扫描线21与数据线51二者于交错区域处的间距。此时，由于扫描线21与数据线51二者于交错区域处的间距被增大了，数据线51上和扫描线21上的寄生电容得以降低，从而使得数据线51和扫描线21的负载得以减小，使得像素的充电率得以提升，进而提升了产品的显示对比度，提升了产品的画质品位。
具体原理如下：
定义液晶层的介电常数为α、保护层60的介电常数为β、栅极绝缘层30的介电常数为γ、色阻层80的介电常数为δ，黑色矩阵层90的介电常数为η。
则根据电容的计算公式
Figure BDA0002091321570000131
(其中，ξ为介电常数、S为交叠面积、k为静电力常量、d为相对距离)、电容的并联公式C3＝C1+C2及电容的串联公式
Figure BDA0002091321570000132
图1所示为改进前的方案，以在以上实施例中计算得出下述结论：
(1)数据线51与扫描线21正面交叠产生的寄生电容为Cd11：
Figure BDA0002091321570000133
(2)数据线51与彩膜基板200侧导电薄膜210正面交叠产生的寄生电容为Cd21：
Figure BDA0002091321570000141
参见图6，为本实施例改进后的方案，将色阻层80的制程和黑色矩阵层90的制程均设置于栅极金属层20的制程和源漏极55技术层的制程之间的情况。数据线51和扫描线21的交叠面积为S，与改进前一致。由于，显示面板1000的整体厚度是不变的，故，图5中导电薄膜210与保护层60的间距为d1-d5，图5中数据线51和扫描线21的相对距离为d3+d6+d5，基体计算方式如下：
(1)数据线51与扫描线21正面交叠产生的寄生电容为Cd13：
因为，
Figure BDA0002091321570000142
所以，
Figure BDA0002091321570000143
(2)数据线51与彩膜基板200侧导电薄膜210正面交叠产生的寄生电容为Cd23：
Figure BDA0002091321570000144
将改进前和改进后数据线51和扫描线21之间的寄生电容做差，得到Δ3：
因此，改进前后相比较，可得：
Figure BDA0002091321570000145
将改进前和改进后数据线51和彩膜基板200侧的导电薄膜210之间的寄生电容做差，得到Δ4：
Figure BDA0002091321570000146
综上，改进后，数据线51与扫描线21正面交叠产生的寄生电容减小，而后数据线51与彩膜基板200侧的导电薄膜210正面交叠产生的寄生电容增大。
可选地，现使用一般参数，对上述Δ3和Δ4进行实际换算，如下：
(1)保护层60和栅极绝缘层30的介电常数一般在6.75左右，即β＝γ＝6.75；
(2)液晶层的介电常数一般在3.5～7之间，即α＝3.5～7；
(3)色阻层80和黑色矩阵层90的介电常数一般在3.6左右，即δ＝η＝3.6。
(4)d1一般为4.25μm左右，记d1＝4.25；
(5)d2一般在1.9μm左右(其中，PV1为0.2μm左右、PV2为1.7μm左右)，记d2＝1.9；
(6)d3一般在0.4μm左右，记d3＝0.4；
(7)d5一般在2.5μm左右，记d5＝2.5；
(8)d6一般为1μm左右，记d6＝1。
易算出：
Figure BDA0002091321570000151
Figure BDA0002091321570000152
(液晶层的介电常数取3.5时)；
Figure BDA0002091321570000153
(液晶层的介电常数取7.0时)；
即，
Figure BDA0002091321570000154
由此可知，不论液晶层的介电常数为何值(3.5～7)，Δ3的绝对值都远大于Δ4的绝对值；即改进后数据线51与扫描线21正面交叠产生的寄生电容的减小量，远大于改进后数据线51与彩膜基板200侧的导电薄膜210正面交叠产生的寄生电容的增大量。
也即，本实施例的技术方案，可以极大地减小数据线51上的寄生电容，降低数据线51的负载。
同理，对于扫描线21上的寄生电容也可以做类似分析，同样可得到：本实施例的技术方案，可以极大地减小数据线51上的寄生电容，降低数据线51的负载。
综上，本实施例的技术方案，可使扫描线21上和数据线51上的寄生电容得以降低，使扫描线21和数据线51的负载得以减小，使像素的充电率得以提升，进而使产品的显示对比度得以提升，使产品的画质品位得以提升。
此外，需要补充的是，色阻层80和黑色矩阵层90，既可以一起设置在栅极绝缘层30的上方，也可以一起设置在栅极绝缘层30的下方，还可以分别设置在栅极绝缘层30的上方和下方。可选地，色阻层80和黑色矩阵层90之间，既可以是色阻层80设置在黑色矩阵层90的上方，也可以是黑色矩阵层90设置在色阻层80的上方。以此，得到的不同的组合方式的实施例均在本申请的保护范围内。
参见图7，在本申请阵列基板100一实施例中，所述黑色矩阵层90包括与多个所述数据线51对应排列的多个第一遮光部91，和与所述扫描线21对应排列的多个第二遮光部93，所述数据线51于所述黑色矩阵层90的投影落入所述第一遮光部91的范围内，所述扫描线21于所述黑色矩阵层90的投影落入所述第二遮光部的范围内，多个所述第一遮光部91和多个所述第二遮光部93围合设置多个透光区域911。
色阻层80上的每个色阻81对应每一透光区域911设置，每个色阻81上的遮光部至少覆盖相应的透光区域911。该第一遮光部91和第二遮光部93不仅能够对阵列基板100上的电路进行遮挡，而且可以保证相邻色阻81之间不会混色。第二遮光部93还进一步保障了扫描线21与数据线51二者于交错区域处间距的增大，即保障了扫描线21与数据线51正面交叠处间距的增大，而且结构简单、便于成型制造、稳定性和可靠性均优异。
在本申请阵列基板100一实施例中，当所述黑色矩阵层90位于所述阵列基板100的有源层40上方时，所述第二遮光部93开设有避让口931，用于所述有源层40与所述源漏极金属层50相接触。
即，当黑色矩阵层90的制程在有源层40的制程与源漏极金属层50的制程之间时，黑色矩阵层90中第二遮光部93的对应有源层40的表面开设有避让口931。此时，若色阻层80也位于有源层40上方，则避让口931还贯穿色阻层80，以使有源层40由该避让口931得以显露。此时，源漏极金属层50中源极53和漏极55便可穿过黑色矩阵层90和色阻层80而与有源层40接触。若色阻层80不在有源层40的上方，则避让口931无需贯穿色阻层80，有源层40可直接由避让口931显露，此时，源漏极金属层50中源极53和漏极55便可直接穿过该避让口931而与有源层40接触。
如此，可使有源层40与源漏极金属层50的连接更加简单、更加方便、更加可靠，从而使阵列基板100的性能更加稳定。
在本申请阵列基板100一实施例中，所述栅极金属层20于所述黑色矩阵层90的投影覆盖所述避让口931所在范围。即，避让口931在衬底基板10上的覆盖范围落入栅极金属层20在衬底基板10上的覆盖范围内。如此，避让口931处的遮光可由栅极金属层20完成，可起到阻挡光线穿透避让口931的作用，防止漏光，保障列阵基板和显示面板1000的显示性能。
本申请还提出一种阵列基板100的制作方法，包括以下步骤：
提供衬底基板10，并在所述衬底基板10上设置栅极金属层20；
在所述栅极金属层20上和所述衬底基板10上设置栅极绝缘层30；
在所述栅极绝缘层30上设置有源层40；
在所述栅极绝缘层30上和所述有源层40上设置源漏极金属层50；
在所述源漏极金属层50上和所述有源层40上设置保护层60；以及
在所述保护层60上设置透明导电层70；
在所述衬底基板10上设置栅极金属层20之后、且在所述衬底基板10上设置源漏极金属层50之前，还设置色阻层80。
其中，色阻层80既可以设置在栅极绝缘层30的上方，也可以设置在栅极绝缘层30的下方。
可选地，在所述衬底基板10上设置栅极金属层20之后、且在所述衬底基板10上设置源漏极金属层50之前，还在对应结构层上设置黑色矩阵层90。
其中，色阻层80和黑色矩阵层90，既可以一起设置在栅极绝缘层30的上方，也可以一起设置在栅极绝缘层30的下方，还可以分别设置在栅极绝缘层30的上方和下方。色阻层80和黑色矩阵层90之间，既可以是色阻层80设置在黑色矩阵层90的上方，也可以是黑色矩阵层90设置在色阻层80的上方
本申请还提出一种显示面板1000，包括：
第一基板；
第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置；
液晶层(未图示)，所述液晶层夹设于所述第一基板与所述第二基板之间；
其中，所述第二基板是如上所述的阵列基板100，该阵列基板100的具体结构参照上述实施例，由于本显示面板1000采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述所有实施例的全部技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。该第一基板为彩膜基板200，并且，第一基板的面向第二基板(阵列基板100)的表面设有导电薄膜210。
可选地，本申请的显示面板1000可应用于显示装置中，显示装置可为显示器、电视机、手机、平板电脑、或其他显示装置。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是在本申请的发明构思下，利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括栅极金属层和设于所述栅极金属层上方的源漏极金属层，所述栅极金属层包括并列设置的多条扫描线，所述源漏极金属层包括并列设置的多条数据线，每一所述扫描线与每一所述数据线交错设置，其特征在于，所述阵列基板还包括色阻层，所述色阻层包括多个色阻，每一所述色阻位于相邻两所述扫描线和相邻两所述数据线所限定的区域内，并延伸至覆盖相邻的部分所述扫描线；
在多个所述色阻中，至少部分所述色阻的相对的两侧边均设有隔垫块，至少部分所述色阻的相对的两侧边均设有避让位，一设有所述隔垫块的色阻与一设有所述避让位的色阻相邻设置，所述避让位对相邻色阻的所述隔垫块进行避让，所述隔垫块位于邻接该色阻的一所述数据线和一所述扫描线的交错区域；
所述色阻包括滤光部和连接所述滤光部的隔垫部，所述滤光部和所述隔垫部沿所述数据线的延伸方向排布，所述隔垫部覆盖相邻的部分所述扫描线，所述隔垫块由所述隔垫部沿所述扫描线的延伸方向延伸设置，所述避让位由所述隔垫部沿所述扫描线的延伸方向凹陷设置。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻包括滤光部和连接所述滤光部的隔垫部，所述滤光部和所述隔垫部沿所述数据线的延伸方向排布，所述隔垫部覆盖相邻的部分所述扫描线，所述隔垫块由所述隔垫部沿所述扫描线的延伸方向延伸设置，所述避让位由所述隔垫部沿所述扫描线的延伸方向凹陷设置。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述色阻为多个第一色阻、多个第二色阻以及多个第三色阻，一所述第一色阻、一所述第二色阻和一所述第三色阻依次排列组成一色彩单元，多个所述色彩单元沿所述扫描线的延伸方向依次排列。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一色阻能过滤得到红光，所述第二色阻能过滤得到绿光，所述第三色阻能过滤得到蓝光；
一色彩单元中的第一色阻和第三色阻凸设设置有隔垫块，第二色阻凹陷设置有避让位；与该色彩单元相邻的另一色彩单元中的第一色阻和第三色阻凹陷设置有避让位，第二色阻凸设设置有隔垫块。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述色阻分为多个第一色阻、多个第二色阻、多个第三色阻以及多个第四色阻，一所述第一色阻、一所述第二色阻、一所述第三色阻和一所述第四色阻依次排列组成一色彩单元，多个所述色彩单元沿所述扫描线的延伸方向依次排列。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一色阻能过滤得到红光，所述第二色阻能过滤得到绿光，所述第三色阻能过滤得到蓝光，所述第四色阻能过滤得到白光；
每一色彩单元中的第一色阻和第三色阻凸设设置有隔垫块，第二色阻和第四色阻凹陷设置有避让位；
或，每一色彩单元中的第一色阻和第三色阻凹陷设置有避让位，第二色阻和第四色阻凸设设置有隔垫块。
7.如权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括黑色矩阵层，所述黑色矩阵层部分位于所述扫描线与所述数据线的交错区域内。
8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底基板，并在所述衬底基板上设置栅极金属层；
在所述栅极金属层上和所述衬底基板上设置栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上设置有源层；
在所述栅极绝缘层上和所述有源层上设置源漏极金属层；
在所述源漏极金属层上和所述有源层上设置保护层；以及
在所述保护层上设置透明导电层；
所述栅极金属层包括并列设置的多条扫描线，所述源漏极金属层包括并列设置的多条数据线，每一所述扫描线与每一所述数据线交错设置；
其特征在于，在所述衬底基板上设置栅极金属层之后、且在所述衬底基板上设置源漏极金属层之前，还设置有色阻层；所述色阻层包括多个色阻，每一所述色阻位于相邻两所述扫描线和相邻两所述数据线所限定的区域内，并延伸至覆盖相邻的部分所述扫描线；
在多个所述色阻中，至少部分所述色阻的相对的两侧边均设有隔垫块，至少部分所述色阻的相对的两侧边均设有避让位，一设有所述隔垫块的色阻与一设有所述避让位的色阻相邻设置，所述避让位对相邻色阻的所述隔垫块进行避让，所述隔垫块位于邻接该色阻的一所述数据线和一所述扫描线的交错区域；
所述色阻包括滤光部和连接所述滤光部的隔垫部，所述滤光部和所述隔垫部沿所述数据线的延伸方向排布，所述隔垫部覆盖相邻的部分所述扫描线，所述隔垫块由所述隔垫部沿所述扫描线的延伸方向延伸设置，所述避让位由所述隔垫部沿所述扫描线的延伸方向凹陷设置。
9.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上设置栅极金属层之后、且在所述衬底基板上设置源漏极金属层之前，还设置有黑色矩阵层。
10.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一基板；
第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置；
液晶层，所述液晶层夹设于所述第一基板与所述第二基板之间；
其中，所述第二基板为权利要求1至7中任一项所述的阵列基板。
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