CN110147032A - 掩模版移动装置、光刻机及光刻方法 - Google Patents

掩模版移动装置、光刻机及光刻方法 Download PDF

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CN110147032A CN201810145886.7A CN201810145886A CN110147032A CN 110147032 A CN110147032 A CN 110147032A CN 201810145886 A CN201810145886 A CN 201810145886A CN 110147032 A CN110147032 A CN 110147032A
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Abstract

本发明实施例公开了一种掩模版移动装置、光刻机及光刻方法。该掩模版移动装置包括：加热模块；所述加热模块包括掩模支架和加热单元；所述掩模支架内设置有掩模版设置区；所述加热单元固定于所述掩模支架上，所述加热单元包括第一加热面，所述第一加热面与所述掩模版设置区对应。本发明提供的掩模版移动装置，可以解决现有技术中，在光刻过程中，因掩模版受热膨胀后会产生弯曲，进而造成受热膨胀后掩模版上的图形偏离最佳的物面位置，致使出现物像距误差的问题，达到了提高掩模版定位的正确率，进而提高半导体集成电路的制作良率的目的。

Description

掩模版移动装置、光刻机及光刻方法
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造技术，尤其涉及一种掩模版移动装置、光刻机及光刻方法。
背景技术
在半导体集成电路制造过程中，一个完整的芯片通常需要经过多次光刻曝光才能制作完成。在光刻过程中，通常利用掩模版在基底上刻印形成图形。
目前，在典型的光刻成像过程中，利用定位装置将掩模版定位在正确的位置上，以使需要制造的图形可以正确的映射到基底上。其中，掩模版的定位错误会导致在整个集成电路工艺层内的成像最佳焦面会随空间位置不同而变化。随着用以生成集成电路图形的光源波长越来越短，在成像过程中产生的畸变在像质中所占的比重会越来越大，影响半导体集成电路的制作良率。
发明内容
本发明提供一种掩模版移动装置、光刻机及光刻方法，以实现提高掩模版定位的正确率，进而提高半导体集成电路的制作良率。
第一方面，本发明实施例提供了一种掩模版移动装置，该掩模版移动装置包括：加热模块；
所述加热模块包括掩模支架和加热单元；
所述掩模支架内设置有掩模版设置区；
所述加热单元固定于所述掩模支架上，所述加热单元包括第一加热面，所述第一加热面与所述掩模版设置区对应。
进一步地，还包括：
掩模版存储模块，用于存储掩模版；
掩模版载台模块，用于在光刻时固定掩模版；
掩模版传输模块，与所述掩模版存储模块和所述掩模版载台模块均相连，用于将掩模版在所述掩模版存储模块以及所述掩模版载台模块之间进行传输；
所述加热模块集成于所述掩模版存储模块内。
进一步地，掩模版存储模块，用于存储掩模版；
颗粒度检测模块，用于对掩模版颗粒度进行检测；
掩模版载台模块，用于在光刻时固定掩模版；
掩模版传输模块，与所述掩模版存储模块、所述颗粒度检测模块以及所述掩模版载台模块均相连，用于将掩模版在所述掩模版存储模块、所述颗粒度检测模块以及所述掩模版载台模块之间进行传输；
所述加热模块集成于所述掩模版存储模块和/或所述颗粒度检测模块内。
进一步地，所述加热单元为红外射线发射器或激光发射器。
进一步地，所述掩模版移动装置还包括温度维持单元，所述温度维持单元对所述加热模块加热后的所述掩模版进行温度维持。
进一步地，所述温度维持单元设置于掩模版传输模块和/或掩模版载台模块上；
所述掩模版载台模块，用于在光刻时固定掩模版；
所述掩模版传输模块，与掩模版存储模块、颗粒度检测模块以及所述掩模版载台模块均相连，用于将掩模版在所述掩模版存储模块、所述颗粒度检测模块以及所述掩模版载台模块之间进行传输。
进一步地，所述温度维持模块包括辅助加热单元和/或保温单元。
进一步地，若所述温度维持单元设置于所述掩模版传输模块，且所述温度维持单元包括辅助加热单元，所述掩模版传输模块包括版叉，所述辅助加热单元包括第一辅助加热单元；
所述版叉用于在掩模版传输的过程中支撑掩模版；
所述第一辅助加热单元固定于所述版叉上，所述版叉传输掩模版的过程中，所述第一辅助加热单元对所述掩模版进行加热。
进一步地，所述第一辅助加热单元包括第二接触端，所述第二接触端与被所述版叉所支撑的所述掩模版点接触或面接触。
进一步地，若所述温度维持单元设置于所述掩模版载台模块上，且所述温度维持单元包括辅助加热单元，所述掩模版载台模块包括掩模台，所述辅助加热单元包括第二辅助加热单元；
所述掩模台用于承载掩模版，所述第二辅助加热单元固定于所述掩模台上，所述第二辅助加热单元包括第三加热面，所述第三加热面与所述掩模版接触。
进一步地，所述第二辅助加热单元用于在曝光工艺前对所述掩模版进行加热。
进一步地，若所述温度维持单元包括保温单元；
所述保温单元设置于掩模版表面，以对所述掩模版进行保温。
进一步地，所述保温单元包括保护框、真空阀以及真空泵；
所述保护框的周围设置有吸盘，以吸附在掩模版上，使得所述保护框和所述掩模版之间形成封闭腔室；
所述保护框上设置有所述真空阀；
所述真空阀上连接有所述真空泵。
进一步地，所述保护框的材料为隔热透明材料。
第二方面，本发明实施例还提供了一种光刻机，该光刻机包括本发明实施例提供的任意一种所述的掩模版移动装置。
第三方面，本发明实施例还提供了一种光刻方法，该光刻方法包括：
对即将使用的掩模版进行加热，直至所述掩模版处于热饱和状态；
将处于热饱和状态的所述掩模版移动并固定于掩模版载台模块上；
进行光刻工艺。
进一步地，所述将处于热饱和状态的所述掩模版移动并固定于掩模版载台模块上的同时，还包括：对所述掩模版进行保温处理。
进一步地，所述对所述掩模版进行保温处理，包括：利用真空隔绝的方法或辅助加热的方法对所述掩模版进行保温处理。
本发明实施例通过在掩模版移动装置中增设加热模块，并设置所述加热模块包括掩模支架和加热单元；所述掩模支架内设置有掩模版设置区；所述加热单元固定于掩模支架上，所述加热单元包括第一加热面，所述第一加热面与所述掩模版设置区对应，以对掩模版进行加热，以使掩模版处于热饱和状态，解决了现有技术中，在光刻过程中，因掩模版在受热膨胀后会产生弯曲，进而造成受热膨胀后的掩模版上的图形偏离最佳的物面位置，致使出现物像距误差的问题，达到了提高掩模版定位的正确率，进而提高半导体集成电路的制作良率的目的。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种掩模版移动装置的结构示意图；
图2为掩模版热膨胀变化量与标准值的比值与加热时间的对应关系图；
图3为本发明实施例提供的另一种掩模版移动装置的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种掩模版移动装置的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种掩模版移动装置的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种掩模版移动装置的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种掩模版移动装置的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种光刻方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
研究表明，影响掩模版定位的正确率的一个重要因素是，在成像过程中，光源出射的光线会一直照射在掩模版上，使得掩模版会吸收一部分光能。这个过程相当于对掩模版进行加热。由于掩模版一般会由吸盘固定住，但吸盘只能固定掩模版的边缘，因此掩模版在受热后发生非均匀膨胀后会产生弯曲，进而造成受热非均匀膨胀后的掩模版上的图形偏离最佳的物面位置，致使出现物像距的误差。
图1为本发明实施例提供的一种掩模版移动装置的结构示意图。参见图1，该掩模版移动装置包括加热模块10；加热模块10包括掩模支架11和加热单元12；掩模支架11内设置有掩模版设置区13(在图1中，示例性地，在掩模版设置区13内设置了掩模版20)；加热单元12固定于掩模支架11上，加热单元12包括第一加热面121，第一加热面121与掩模版设置区13对应。
上述技术方案中，通过设置加热单元12的第一加热面121与掩模版设置区13对应，可以使得加热单元12的第一加热面121与设置于掩模版设置区13内的掩模版20对应，以对掩模版20进行加热，进而使得掩模版20发生热膨胀现象。
掩模版20热膨胀与加热时间的关系为指数关系。下式中具体给掩模版20热膨胀与加热时间t的函数关系。参见下式，
Drift(t)＝A1·[1-exp(-t/τ1)]+A2·[1-exp(-t/τ2)]
其中，Drift(t)为掩模版热膨胀形变大小；A1、A2为加热单元12输出的功率，其中A1＝μ1·S·T·I·WR，A2＝μ2·S·T·I·WR；μ1、μ2为LH模型的比例因子参数；τ1、τ2为为LH模型的时间常数参数，通常是一个定值，可以离线标定出来；S为成像视场尺寸；T为掩模版透射率；I为光通量；WR为待蚀刻的硅片反射率因子。
图2为掩模版热膨胀变化量与标准值的比值与加热时间的对应关系图。其中，横坐标为加热时间t，单位为秒(s)。纵坐标为掩模版热膨胀变化量与标准值之比M。这里“标准值”是指掩模版未发生热膨胀时的值。从图2可以发现，随着加热时间的延续，掩模版持续膨胀，直至达到热饱和状态，此时掩模版均匀膨胀。当掩模版达到热饱和状态后，随着加热时间的延续，掩模版不会继续膨胀，其形状保持不变。
上述技术方案中，通过设置加热单元12的第一加热面121与掩模版设置区13对应，目的是在光刻之前，利用加热单元12对掩模版20进行加热，使得掩模版20受热膨胀，直至达到热饱和状态。在光刻时，将达到饱和状态的掩模版20定位，这样在成像过程中，即使有从光源出射的光线照射在掩模版20上，但是由于掩模版20已经达到饱和状态，其不会继续膨胀。换言之，上述技术方案通过预热的方式使掩模版均匀受热，进而使掩模版均匀膨胀，改善了掩模版的非均匀受热导致掩模版定位错误，像质恶化的问题，达到了提高掩模版定位的正确率，进而提高半导体集成电路的制作良率的目的。
可选地，上述技术方案中，加热单元12可以以射线方式对掩模版20进行加热，也可以以热接触的方式对掩模版20进行加热，本申请对此不做限制。示例性地，若加热单元12可以以射线方式对掩模版20进行加热，其加热单元12可以为红外射线发射器或激光发射器。
图3为本发明实施例提供的另一种掩模版移动装置的结构示意图。参见图3，该掩模版移动装置包括：掩模版存储模块30，掩模版载台模块40以及掩模版传输模块50。其中，掩模版存储模块30，用于存储掩模版；掩模版载台模块40，用于在光刻时固定掩模版；掩模版传输模块50，与掩模版存储模块30以及掩模版载台模块40均相连，用于将掩模版在掩模版存储模块30以及掩模版载台模块40之间进行传输。
在实际设置时，可选地，设置加热模块10与掩模版存储模块30、掩模版载台模块40以及掩模版传输模块50均相互独立。或者，如图3所示，加热模块10集成于掩模版存储模块30内。其中，若加热模块10集成于掩模版存储模块30内，不需要单独为加热模块10设置掩模支架11，只需要将加热单元12固定于掩模版存储模块30内的掩模支架上即可，相当于将掩模版存储模块30内的掩模支架复用为加热模块10的掩模支架11，这样设置可以减小掩模版移动装置的体积，缩减掩模版移动装置的制作成本。
需要说明的是，掩模版存储模块30可以为版库。
图4为本发明实施例提供的又一种掩模版移动装置的结构示意图。参见图4，该掩模版移动装置包括：掩模版存储模块30，颗粒度检测模块60，掩模版载台模块40以及掩模版传输模块50。其中，掩模版存储模块30，用于存储掩模版；颗粒度检测模块60，用于对掩模版颗粒度进行检测；掩模版载台模块40，用于在光刻时固定掩模版；掩模版传输模块50，与掩模版存储模块30、颗粒度检测模块60以及掩模版载台模块40均相连，用于将掩模版在掩模版存储模块30、颗粒度检测模块60以及掩模版载台模块40之间进行传输。
在实际设置时，可选地，设置加热模块10与掩模版存储模块30、颗粒度检测模块60、掩模版载台模块40以及掩模版传输模块50均相互独立。或者，加热模块10集成于掩模版存储模块30内。或者，如图4所示，加热模块10集成于颗粒度检测模块60内。或者，加热模块10同时集成于掩模版存储模块30和颗粒度检测模块60内。
其中，加热模块10同时集成于掩模版存储模块30和颗粒度检测模块60内，是指，掩模版移动装置包括两个加热模块10。其中一个加热模块10集成于掩模版存储模块30，另一个加热模块10集成于颗粒度检测模块60内。
由于掩模版存储模块30中往往存储有多个掩模版20，在实际光刻过程中，每完成一次光刻工艺，仅需要一个掩模版20，而若将加热模块10集成于掩模版存储模块30，加热模块10会对掩模版存储模块30内的所有掩模版20均进行加热。显然这会造成能量的浪费，致使掩模版移动装置能耗过高。而颗粒度检测模块60用于在光刻工艺前对即将使用的掩模版颗粒度进行检测，将加热模块10集成于颗粒度检测模块60内，可以达到根据光刻需要，有针对性地对即将使用的掩模版20进行加热，进而有效地利用能量，降低掩模版移动装置的能耗的目的。
进一步地，为了使得掩模版在光刻工艺前是始终处于热饱和状态，可选地，掩模版移动装置还包括温度维持单元，温度维持单元对加热模块加热后的掩模版进行温度维持。
考虑到在实际中，处于热饱和状态的掩模版，容易在掩模版移动过程中，以及掩模版固定于掩模版载台模块后，光刻工艺之间的时间段内发生热量散失，致使掩模版恢复到不饱和状态。可选地，温度维持单元设置于掩模版传输模块和/或掩模版载台模块上；掩模版载台模块，用于在光刻时固定掩模版；掩模版传输模块，与掩模版存储模块、颗粒度检测模块以及掩模版载台模块均相连，用于将掩模版在掩模版存储模块、颗粒度检测模块以及掩模版载台模块之间进行传输。
在实际设计时，可选地，温度维持模块包括辅助加热单元和/或保温单元。下面就具体示例进行详细说明，但不构成对本申请的限制。
图5为本发明实施例提供的又一种掩模版移动装置的结构示意图。该掩模版移动装置中，温度维持单元设置于掩模版传输模块，且温度维持单元包括辅助加热单元。具体地，参见图5，掩模版传输模块包括版叉51，辅助加热单元包括第一辅助加热单元52。版叉51用于在掩模版20传输的过程中支撑掩模版20；第一辅助加热单元52固定于版叉51上。版叉51传输掩模版20的过程中，第一辅助加热单元52对掩模版20进行加热。这样设置的好处是，有助于在掩模版20传输过程中，补偿掩模版20的热量流失，以维持掩模版20处于热饱和状态，进而提高掩模版20定位的正确率，提高半导体集成电路的制作良率。
类似地，第一辅助加热单元52可以以射线方式对掩模版20进行加热，也可以以热接触的方式对掩模版20进行加热，本申请对此不做限制。
若以射线方式对掩模版20进行加热时，第一辅助加热单元52与掩模版20不接触。若以热接触的方式对掩模版20进行加热时，第一辅助加热单元52与掩模版20接触。示例性地，继续参见图5，若第一辅助加热单元52以热接触的方式对掩模版20进行加热，第一辅助加热单元52包括第二接触端521，第二接触端521与被版叉51所支撑的掩模版20点接触或面接触。在图5中，示例性地，第二接触端521与被版叉51所支撑的掩模版20面接触。
可选地，若掩模版20设有铬层，可以设置第一辅助加热单元52的第二接触端521与掩模版20的铬层接触，这样设置的好处是，铬为金属，其导热性能好，有助于热量在第一辅助加热单元52和掩模版20之间进行传递。
图6为本发明实施例提供的又一种掩模版移动装置的结构示意图。该掩模版移动装置中，温度维持单元设置于掩模版载台模块上，且温度维持单元包括辅助加热单元。具体地，参见图6，掩模版载台模块包括掩模台61，辅助加热单元包括第二辅助加热单元62；掩模台61用于承载掩模版20，第二辅助加热单元62固定于掩模台61上，第二辅助加热单元62包括第三加热面621，第三加热面621与掩模版20接触。这样设置的好处是，有助于在光刻过程中，补偿掩模版20的热量流失，以维持掩模版20处于热饱和状态，进而提高掩模版20定位的正确率，提高半导体集成电路的制作良率。
类似地，若掩模版20为铬层，可以设置第二辅助加热单元62的第三加热面621与掩模版20的铬层接触，这样设置的好处是，铬为金属，其导热性能好，有助于热量在第二辅助加热单元62和掩模版20之间进行传递。
可选地，第二辅助加热单元62用于在曝光工艺前对掩模版20进行加热。由于在曝光工艺过程中，会有从曝光光源出射的光照射在掩模版，起到对掩模版进行加热的作用。在此基础上，设置第二辅助加热单元62只在曝光工艺前对掩模版20进行加热，可以降低掩模版移动装置的能耗。
图7为本发明实施例提供的又一种掩模版移动装置的结构示意图。该掩模版移动装置中，温度维持单元包括保温单元。具体地，参见图7，保温单元80设置于掩模版20表面，以对掩模版20进行保温。这样设置可以进一步减少掩模版20在传输过程中流失的热量。
保温单元80的具体结构有多种，例如，保温单元80为保温层。或者如图7所示，保温单元80包括保护框81、真空阀82以及真空泵83；保护框81的周围设置有吸盘811，以吸附在掩模版20上，使得保护框81和掩模版20之间形成封闭腔室84；保护框81上设置有真空阀82；真空阀82上连接有真空泵83。使用时，打开真空阀82，利用真空泵83将由保护框81和掩模版20围成的封闭腔室83内的空气抽出，此时封闭腔室83处于真空状态，有助于减少热交换，减少热量损失，使得掩模版20维持在热饱和的状态，进而提高掩模版20定位的正确率，提高半导体集成电路的制作良率。
可选地，保护框81的材料为隔热透明材料，这样设置的好处是在进行光刻时，不需要摘除该保温结构80，由于使得掩模版81维持在热饱和的状态。
需要说明的是，当不需要抽取由保护框81和掩模版20围成的封闭腔室内的空气时，可选地，将真空阀82关闭，并将真空泵83与真空阀82之间的连接断开，这样便于移动掩模版20。
可选地，该保温单元80可以集成于掩模版载台模块中。即掩模版载台模块中，掩模台为透明真空腔室。当需要将掩模版放置于掩模台时，打开透明真空腔室，将掩模台放入，将透明真空腔室封闭，并抽真空。然后再进行曝光。这样，掩模台既可以达到支撑掩模版的目的，又能够起到对掩模版保温的作用。
本申请实施例还提供了一种光刻机，该光刻机包括本申请实施例提供的任意一种掩模版移动装置。
本发明实施例提供的光刻机，通过在掩模版移动装置中增设加热模块，并设置加热模块包括掩模支架和加热单元；掩模支架内设置有掩模版设置区；加热单元固定于掩模支架上，加热单元包括第一加热面，第一加热面与掩模版设置区对应，可以对掩模版进行加热，以使掩模版处于热饱和状态，解决了现有技术中，在光刻过程中，因掩模版在受热膨胀后会产生弯曲，进而造成受热膨胀后的掩模版上的图形偏离最佳的物面位置，致使出现物像距的误差的问题，达到了提高掩模版定位的正确率，进而提高半导体集成电路的制作良率的目的。
本发明实施例还提供了一种光刻方法。图8为本发明实施例提供的一种光刻方法的流程图。该光刻方法包括：
S110、对即将使用的掩模版进行加热，直至掩模版处于热饱和状态。
S120、将处于热饱和状态的掩模版移动并固定于掩模版载台模块上。
S130、进行光刻工艺。
本发明实施例提供的光刻方法，通过光刻工艺之前，对即将使用的掩模版进行加热，直至掩模版处于热饱和状态，解决了现有技术中，在光刻过程中，因掩模版在受热膨胀后会产生弯曲，进而造成受热膨胀后的掩模版上的图形偏离最佳的物面位置，致使出现物像距的误差的问题，达到了提高掩模版定位的正确率，进而提高半导体集成电路的制作良率的目的。
进一步地，在执行S120的同时，可选地，还包括：对掩模版进行保温处理，以使得掩模版在光刻工艺前始终处于热饱和状态。
进一步地，对掩模版进行保温处理，包括：利用真空隔绝的方法或辅助加热的方法对掩模版进行保温处理。
需要说明的是，上述光刻方法适用于上述光刻机，具备该光刻机相应的有益效果。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (18)

1.一种掩模版移动装置，其特征在于，包括：加热模块；
所述加热模块包括掩模支架和加热单元；
所述掩模支架内设置有掩模版设置区；
所述加热单元固定于所述掩模支架上，所述加热单元包括第一加热面，所述第一加热面与所述掩模版设置区对应。
2.根据权利要求1所述的掩模版移动装置，其特征在于，还包括：
掩模版存储模块，用于存储掩模版；
掩模版载台模块，用于在光刻时固定掩模版；
掩模版传输模块，与所述掩模版存储模块和所述掩模版载台模块均相连，用于将掩模版在所述掩模版存储模块以及所述掩模版载台模块之间进行传输；
所述加热模块集成于所述掩模版存储模块内。
3.根据权利要求1所述的掩模版移动装置，其特征在于，还包括：
掩模版存储模块，用于存储掩模版；
颗粒度检测模块，用于对掩模版颗粒度进行检测；
掩模版载台模块，用于在光刻时固定掩模版；
掩模版传输模块，与所述掩模版存储模块、所述颗粒度检测模块以及所述掩模版载台模块均相连，用于将掩模版在所述掩模版存储模块、所述颗粒度检测模块以及所述掩模版载台模块之间进行传输；
所述加热模块集成于所述掩模版存储模块和/或所述颗粒度检测模块内。
4.根据权利要求1所述的掩模版移动装置，其特征在于，
所述加热单元为红外射线发射器或激光发射器。
5.根据权利要求1、2或3所述的掩模版移动装置，其特征在于，所述掩模版移动装置还包括温度维持单元，所述温度维持单元对所述加热模块加热后的所述掩模版进行温度维持。
6.根据权利要求5所述的掩模版移动装置，其特征在于，所述温度维持单元设置于掩模版传输模块和/或掩模版载台模块上；
所述掩模版载台模块，用于在光刻时固定掩模版；
所述掩模版传输模块，与掩模版存储模块、颗粒度检测模块以及所述掩模版载台模块均相连，用于将掩模版在所述掩模版存储模块、所述颗粒度检测模块以及所述掩模版载台模块之间进行传输。
7.根据权利要求6所述的掩模版移动装置，其特征在于，所述温度维持模块包括辅助加热单元和/或保温单元。
8.根据权利要求2、3、6或7所述的掩模版移动装置，其特征在于，
若所述温度维持单元设置于所述掩模版传输模块，且所述温度维持单元包括辅助加热单元，所述掩模版传输模块包括版叉，所述辅助加热单元包括第一辅助加热单元；
所述版叉用于在掩模版传输的过程中支撑掩模版；
所述第一辅助加热单元固定于所述版叉上，所述版叉传输掩模版的过程中，所述第一辅助加热单元对所述掩模版进行加热。
9.根据权利要求8所述的掩模版移动装置，其特征在于，所述第一辅助加热单元包括第二接触端，所述第二接触端与被所述版叉所支撑的所述掩模版点接触或面接触。
10.根据权利要求2、3、6或7所述的掩模版移动装置，其特征在于，
若所述温度维持单元设置于所述掩模版载台模块上，且所述温度维持单元包括辅助加热单元，所述掩模版载台模块包括掩模台，所述辅助加热单元包括第二辅助加热单元；
所述掩模台用于承载掩模版，所述第二辅助加热单元固定于所述掩模台上，所述第二辅助加热单元包括第三加热面，所述第三加热面与所述掩模版接触。
11.根据权利要求10所述的掩模版移动装置，其特征在于，
所述第二辅助加热单元用于在曝光工艺前对所述掩模版进行加热。
12.根据权利要求1、2、3、6或7所述的掩模版移动装置，其特征在于，
若所述温度维持单元包括保温单元；
所述保温单元设置于掩模版表面，以对所述掩模版进行保温。
13.根据权利要求12所述的掩模版移动装置，其特征在于，所述保温单元包括保护框、真空阀以及真空泵；
所述保护框的周围设置有吸盘，以吸附在掩模版上，使得所述保护框和所述掩模版之间形成封闭腔室；
所述保护框上设置有所述真空阀；
所述真空阀上连接有所述真空泵。
14.根据权利要求13所述的掩模版移动装置，其特征在于，
所述保护框的材料为隔热透明材料。
15.一种光刻机，其特征在于，包括权利要求1-4中任一项所述的掩模版移动装置。
16.一种光刻方法，其特征在于，包括：
对即将使用的掩模版进行加热，直至所述掩模版处于热饱和状态；
将处于热饱和状态的所述掩模版移动并固定于掩模版载台模块上；
进行光刻工艺。
17.根据权利要求16所述的光刻方法，其特征在于，
所述将处于热饱和状态的所述掩模版移动并固定于掩模版载台模块上的同时，还包括：对所述掩模版进行保温处理。
18.根据权利要求17所述的光刻方法，其特征在于，
所述对所述掩模版进行保温处理，包括：利用真空隔绝的方法或辅助加热的方法对所述掩模版进行保温处理。
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