CN110138370A - Mos管驱动电路 - Google Patents

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CN110138370A CN201910570668.2A CN201910570668A CN110138370A CN 110138370 A CN110138370 A CN 110138370A CN 201910570668 A CN201910570668 A CN 201910570668A CN 110138370 A CN110138370 A CN 110138370A
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K2217/0081—Power supply means, e.g. to the switch driver

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Abstract

本发明公开了一种MOS管驱动电路，包括二极管D1、D2、三极管Q1至Q5、电容C1、电阻R1至R3，三极管Q1的b极依次经电阻R3、二极管D1与三极管Q1的c极连接；三极管Q1的c极与三极管Q3的c极连接；三极管Q1的c极经电阻R2与三极管Q3的e极连接；三极管Q1的e极与三极管Q3的b极连接；三极管Q3的e极与三极管Q5的e极连接；三极管Q3的e极与三极管Q5的e极的连接点经电容C1后与电阻R3和二极管D1的阴极的连接点连接；三极管Q5的b极与三极管Q4的e极连接；三极管Q4的b极与三极管Q2的c极连接；三极管Q4的b极和三极管Q2的c极的连接点与三极管Q1的b极连接；二极管D2的阳极与电阻R1的连接点与三极管Q2的b极连接。本发明的成本较低。

Description

MOS管驱动电路
技术领域
本发明属于驱动电路技术领域，具体涉及一种MOS管驱动电路。
背景技术
在很多MOS管驱动电路中，采用专门的驱动芯片来对MOS管的开关进行控制，以达到快速导通、关断的目的。但是，由于使用专门的驱动芯片，使MOS管驱动电路的成本也相应地升高了，不适于在利润较低的小电器产品中推广使用。
因此，有必要开发一种新的MOS管驱动电路。
发明内容
本发明的目的是提供一种成本较低的MOS管驱动电路。
本发明所述的一种MOS管驱动电路，包括二极管D1、二极管D2、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、电容C1、电阻R1、电阻R2和电阻R3，以上各元器件的连接关系如下：
三极管Q1的b极依次经电阻R3、二极管D1与三极管Q1的c极连接；
三极管Q1的c极还与三极管Q3的c极连接；
三极管Q1的c极还经电阻R2与三极管Q3的e极连接；
三极管Q1的e极与三极管Q3的b极连接；
三极管Q3的e极与三极管Q5的e极连接；
三极管Q3的e极与三极管Q5的e极的连接点还经电容C1后与电阻R3和二极管D1的阴极的连接点连接；
三极管Q5的b极与三极管Q4的e极连接；
三极管Q4的b极与三极管Q2的c极连接；
三极管Q4的b极和三极管Q2的c极的连接点与三极管Q1的b极连接；
三极管Q5的c极、三极管Q4的c极和三极管Q2的e极分别接地；
二极管D2与电阻R1并联；
二极管D2的阳极与电阻R1的连接点与三极管Q2的b极连接。
进一步，所述三极管Q1、三极管Q2和三极管Q3是NPN型三极管,所述三极管Q4和三极管Q5为PNP型三极管。
本发明的有益效果：MOS管驱动电路由三极管、二极管、电容和电阻组成，相对于采用专门的Mos驱动芯片而言，大大减低了成本。
附图说明
图1为本发明的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明。
如图1所示，本实施例中，包括二极管D1、二极管D2、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、电容C1、电阻R1、电阻R2和电阻R3，以上各元器件的连接关系如下：
三极管Q1的b极依次经电阻R3、二极管D1与三极管Q1的c极连接；三极管Q1的c极还与三极管Q3的c极连接；三极管Q1的c极还经电阻R2与三极管Q3的e极连接；三极管Q1的e极与三极管Q3的b极连接；三极管Q3的e极与三极管Q5的e极连接；三极管Q3的e极与三极管Q5的e极的连接点还经电容C1后与电阻R3和二极管D1的阴极的连接点连接；三极管Q5的b极与三极管Q4的e极连接；三极管Q4的b极与三极管Q2的c极连接；三极管Q4的b极和三极管Q2的c极的连接点与三极管Q1的b极连接；三极管Q5的c极、三极管Q4的c极和三极管Q2的e极分别接地；二极管D2与电阻R1并联；二极管D2的阳极与电阻R1的连接点与三极管Q2的b极连接。
本实施例中，所述三极管Q1、三极管Q2和三极管Q3是NPN型三极管,所述三极管Q4和三极管Q5为PNP型三极管。
本实施例中，使用时，将三极管Q3的e极与电阻R2的连接点与开关电源芯片（比如：型号为IRF9310PBF的开关电源芯片）的G极连接。MOS管驱动电路的工作过程如下：
（1）当外部（由单片机提供）给三极管Q2的b极一个高电平时，三极管Q2导通，三极管Q4、三极管Q5和二极管D1均处于导通状态，为电容C1充电，此时三极管Q3的e极输出低电平，即开关电源芯片Q5的G极为低电平。
（2）当外部（由单片机提供）给三极管Q2的b极一个低电平时，三极管Q2断开，电容C1放电，三极管Q1和三极管Q3均处于导通状态，此时三极管Q3的e极输出高电平，即给开关电源芯片Q5的G极一个高电平。
本实施例中，MOS管驱动电路由三极管、二极管、电容和电阻组成，其成本只需几角钱；若采用专门的驱动芯片，其成本需要2元多，故本发明相对于现有技术而言，其成本降低了一大半。

Claims (2)

1.一种MOS管驱动电路，其特征在于：包括二极管D1、二极管D2、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、电容C1、电阻R1、电阻R2和电阻R3，以上各元器件的连接关系如下：
三极管Q1的b极依次经电阻R3、二极管D1与三极管Q1的c极连接；
三极管Q1的c极还与三极管Q3的c极连接；
三极管Q1的c极还经电阻R2与三极管Q3的e极连接；
三极管Q1的e极与三极管Q3的b极连接；
三极管Q3的e极与三极管Q5的e极连接；
三极管Q3的e极与三极管Q5的e极的连接点还经电容C1后与电阻R3和二极管D1的阴极的连接点连接；
三极管Q5的b极与三极管Q4的e极连接；
三极管Q4的b极与三极管Q2的c极连接；
三极管Q4的b极和三极管Q2的c极的连接点与三极管Q1的b极连接；
三极管Q5的c极、三极管Q4的c极和三极管Q2的e极分别接地；
二极管D2与电阻R1并联；
二极管D2的阳极与电阻R1的连接点与三极管Q2的b极连接。
2.根据权利要求1所述的MOS管驱动电路，其特征在于：所述三极管Q1、三极管Q2和三极管Q3是NPN型三极管,所述三极管Q4和三极管Q5为PNP型三极管。
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