CN203537358U - 一种一键开关机电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种一键开关机电路,P沟道MOS管的源极连接电源输入端;P沟道MOS管的漏极连接电源输出端;P沟道MOS管的栅极连接三极管的集电极,三极管的发射极接地,三极管的基极通过第一电阻连接控制模块的信号输出端;按键开关的第一端接地,按键开关的第二端连接第一二极管的负极,第一二极管的正极连接控制模块的信号输入端,按键开关的第二端还连接第二二极管的负极,第二二极管的正极连接P沟道MOS管的栅极;P沟道MOS管的栅极与源极之间连接有第二电阻。本实用新型能够实现关机功耗为零、硬件一键开机的功能,同时还具有价格低廉、调试简单的优点,极大地降低了产品成本,结构简单,易于实现。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种开关机电路,尤其涉及一种一键开关机电路。
背景技术
开关机电路是电子产品的重要组成部分,关系到电子产品的正常使用。现有的电子产品,特别是手持终端中,开关机功能一般都采用专用的PMU电源管理单元负责。由于PMU电源管理单元价格较高,且调试复杂,应用并不广泛。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种一键开关机电路,具有关机功耗为零、硬件一键开机的特点,价格低廉、调试简单。
本实用新型采用下述技术方案:
一种一键开关机电路,包括P沟道MOS管、三极管、第一二极管、第二二极管和按键开关;P沟道MOS管的源极连接电源输入端;P沟道MOS管的漏极连接电源输出端;P沟道MOS管的栅极连接三极管的集电极,三极管的发射极接地,三极管的基极通过第一电阻连接控制模块的信号输出端;按键开关的第一端接地,按键开关的第二端连接第一二极管的负极,第一二极管的正极连接控制模块的信号输入端,按键开关的第二端还连接第二二极管的负极,第二二极管的正极连接P沟道MOS管的栅极;P沟道MOS管的栅极与源极之间连接有第二电阻。
所述的三极管基极与发射极之间连接有第三电阻。
所述的按键开关采用薄膜按键开关。
所述的三极管采用NPN型三极管。
所述的第一、第二和第三电阻均采用片式电阻。
本实用新型利用控制模块控制三极管的导通与关断,从而间接控制P沟道MOS管的导通与关断,最终达到控制电压输入的目的,实现电子产品的一键式开关机,由于系统仅采用了极少的分立元件,能够实现关机功耗为零、硬件一键开机的功能,同时还具有价格低廉、调试简单的优点,极大地降低了产品成本,结构简单,易于实现。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型所述的一键开关机电路,包括P沟道MOS管Q1、三极管Q2、第一二极管D1、第二二极管D2和用于开关机的按键开关K;P沟道MOS管Q1的源极2连接电源输入端VIN;P沟道MOS管Q1的漏极3连接电源输出端VOUT;P沟道MOS管Q1的栅极1连接三极管Q2的集电极,三极管Q2的发射极接地,三极管Q2的基极通过第一电阻R1连接控制模块的信号输出端POWEREN,三极管Q2基极与发射极之间连接有第三电阻R3;按键开关K的第一端接地,按键开关K的第二端连接第一二极管D1的负极,第一二极管D1的正极连接控制模块的信号输入端KEYFLAG,第一二极管D1用于检测按键开关K是否被按下;按键开关K的第二端还连接第二二极管D2的负极,第二二极管D2的正极连接P沟道MOS管Q1的栅极1。在按键开关K被按下时,从电源输入端VIN输入的电流经第二电阻R2、第二二极管D2和按键开关K接地,能够保证P沟道MOS管Q1的栅极1处于低电平,使P沟道MOS管Q1处于导通状态。
为了确保在关机状态下P沟道MOS管Q1处于关断状态,本实用新型在P沟道MOS管Q1的栅极1与源极2之间连接有第二电阻R2。
本实用新型在使用时,当用于开关机的按键开关K被按下闭合时,第一二极管D1和第二二极管D2同时导通。第二二极管D2导通,使P沟道MOS管Q1的栅极1处于低电平,P沟道MOS管Q1处于导通状态,建立第一电源开关通路,控制模块开始执行判断程序;控制模块通过KEYFLAG输入端口检测按键开关K所做动作完整性;若按键开关K动作完整,控制模块则开始判断电子产品当前状态是处于开机状态还是处于关机状态:
若电子产品处于关机状态,由于第二二极管D2处于导通状态,P沟道MOS管Q1的栅极1处于低电平,P沟道MOS管Q1处于导通状态,输入电压从电源输入端VIN输送至电源输出端VOUT,控制模块通过POWEREN输出端口向三极管Q2基极输出高电平信号,此时三极管Q2导通,P沟道MOS管Q1的栅极1处于低电平,同样使P沟道MOS管Q1处于导通状态,建立第二电源开关通路,确保在按键开关K松开后,即第一电源开关通路断开后系统能够正常供电,电子产品开机运行;
若电子产品处于开机状态,那么由第二二极管D2导通形成的第二电源开关通路已经存在,按键开关K按下时同样将建立第一电源开关通路;控制模块先调用系统关机程序,保存相关数据,然后控制模块通过POWEREN输出端口向三极管Q2输出低电平信号,此时三极管Q2不导通, P沟道MOS管Q1的栅极1处于高电平,P沟道MOS管Q1处于关断状态,第二电源开关通路断开,系统进入等待断电状态,当按键K松开,第一电源开关通路断开,输入电压无法从电源输入端VIN输送到电源输出端VOUT,电子设备断电关机。
本实施例中,按键开关K可采用薄膜按键开关K;三极管Q2采用NPN型三极管Q2;第一、第二和第三电阻R3均采用片式电阻。
Claims (5)
1.一种一键开关机电路,其特征在于:包括P沟道MOS管、三极管、第一二极管、第二二极管和按键开关;P沟道MOS管的源极连接电源输入端;P沟道MOS管的漏极连接电源输出端;P沟道MOS管的栅极连接三极管的集电极,三极管的发射极接地,三极管的基极通过第一电阻连接控制模块的信号输出端;按键开关的第一端接地,按键开关的第二端连接第一二极管的负极,第一二极管的正极连接控制模块的信号输入端,按键开关的第二端还连接第二二极管的负极,第二二极管的正极连接P沟道MOS管的栅极;P沟道MOS管的栅极与源极之间连接有第二电阻。
2.根据权利要求1所述的一键开关机电路,其特征在于:所述的三极管基极与发射极之间连接有第三电阻。
3.根据权利要求2所述的一键开关机电路,其特征在于:所述的按键开关采用薄膜按键开关。
4.根据权利要求3所述的一键开关机电路,其特征在于:所述的三极管采用NPN型三极管。
5.根据权利要求4所述的一键开关机电路,其特征在于:所述的第一、第二和第三电阻均采用片式电阻。
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