CN202083915U - 零待机功耗的按键开关控制电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种零待机功耗的按键开关控制电路，包括可编程器件、MOS管、晶体三极管、轻触开关及两只阴极相连的二极管，所述晶体三极管的基极通过一第一电阻连接到所述可编程器件的IO口，集电极一方面通过一第二电阻连接到供电电源输入端，另一方面通过一第三电阻连接到所述MOS管的栅极，发射极接地；所述MOS管的源极连接所述供电电源输入端，漏极连接供电电源输出端，且MOS管的栅、源极之间并联一电容；所述轻触开关的一端接地，另一端与所述两只阴极相连的二极管的阴极连接；所述两只阴极相连的二极管中的一个二极管的阳极连接所述晶体三极管的集电极，另一个二极管的阳极一方面连接到所述可编程器件的另一IO口，另一方面通过一第四电阻连接到所述可编程器件的电源端。
Description
技术领域
本实用新型涉及绿色电源控制领域，更具体地涉及一种零待机功耗的按键开关控制电路。
背景技术
目前，市场上存在的大量电子产品为使用方便而采用按键作为电源开关，由按键激活主控IC从而进入工作模式。但问题是即使主控IC待机电流再小也会从电源吸取少量电能，无法真正实现零功耗待机。待机功耗问题在采用电池作为能源供给时尤为突出。
因此，亟待一种采用按键进行电源开与关的控制且待机时实现零功耗的电路，来克服上述缺陷。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种零待机功耗的按键开关控制电路，可以在手持式各类遥控器、电子书、MP4等数码产品实现真正待机零功耗，并可进一步延长电池使用寿命。
为了实现上述目的，本实用新型提供了一种零待机功耗的按键开关控制电路，包括可编程器件、MOS管、晶体三极管、轻触开关及两只阴极相连的二极管，所述晶体三极管的基极通过一第一电阻连接到所述可编程器件的IO口，集电极一方面通过一第二电阻连接到供电电源输入端，另一方面通过一第三电阻连接到所述MOS管的栅极，发射极接地；所述MOS管的源极连接所述供电电源输入端，漏极连接供电电源输出端，且MOS管的栅、源极之间并联一电容；所述轻触开关的一端接地，另一端与所述两只阴极相连的二极管的阴极连接；所述两只阴极相连的二极管中的一个二极管的阳极连接所述晶体三极管的集电极，另一个二极管的阳极一方面连接到所述可编程器件的另一IO口，另一方面通过一第四电阻连接到所述可编程器件的电源端。
较佳地，所述两个共阴极二极管可用一个共阴极双二极管代替。
较佳地，所述可编程器件为MCU器件。
较佳地，所述晶体三极管为NPN型晶体三极管。
较佳地，所述MOS管为P沟道增强型MOS管。
较佳地，所述可编程器件的电源端的电压由所述供电电源输入端的电压变换得到。
较佳地，所述MOS管可用三极管或其他类型的可做开关控制功能的元器件代替。
与现有技术相比，本实用新型零待机功耗的按键开关控制电路设于供电电源输入端及供电电源输出端之间，由于采用硬件按键激活机制，关机后待机功耗为零，且关机是软件控制，不属于强行断电，可使系统进入安全状态后再关机。整个控制电路结构简单，可靠性高，成本较低，能够有效解决以往的整机待机功耗大的问题，可以在手持式各类遥控器、电子书、MP4等数码产品实现真正待机零功耗，尤其对于采用电池作为能源供电的电子器件，可进一步延长电池使用寿命。并且可根据需要选择不同功率的MOS管，满足不同电流的需要，从而达到节能降耗的目的。
通过以下的描述并结合附图，本实用新型将变得更加清晰，这些附图用于解释本实用新型的实施例。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型零待机功耗的按键开关控制电路第一实施例的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。现在参考附图描述本实用新型的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元件。本实用新型提供了一种零待机功耗的按键开关控制电路，可以在手持式各类遥控器、电子书、MP4等数码产品实现真正待机零功耗，并可进一步延长电池使用寿命。
图1所示为本实用新型零待机功耗的按键开关控制电路第一实施例的电路原理图。本实用新型零待机功耗的按键开关控制电路100包括可编程器件、晶体三极管Q1、MOS管Q2、轻触开关K1及两只阴极相连的二极管D1、D2，所述晶体三极管Q1的基极B通过一第一电阻R1连接到所述可编程器件的一IO口，所述晶体三极管Q1的集电极C一方面通过一第二电阻R2连接到供电电源输入端VI，另一方面通过一第三电阻R3连接到所述MOS管的栅极G，所述晶体三极管Q1的发射极E接地, 其中，所述第一电阻R1用于保护所述MCU的I/O口，防止所述MCU输出电流过大而造成I/O损坏，第二电阻R2为所述晶体三极管Q1的负载电阻，使Q1可以输出高电平和低电平。
所述MOS管Q2的源极S连接所述供电电源输入端VI，MOS管Q2的漏极D连接供电电源输出端VO，且MOS管Q2的栅极G、源极S之间并联一电容C1，这样，电容C1与第三电阻R3的排布构成了RC延时网络，由于RC延时网络的存在，当控制信号的电流输入而驱动MOS管Q2时，MOS管Q2的栅极G电压在电容C1的作用下缓慢到达其门限值，使MOS管的导通电流逐渐变大，从而避免了激增的电流对MOS管Q2的损害，进而保护了MOS管Q2且延长了其使用寿命。
所述轻触开关K1的一端接地，另一端与所述两只阴极相连的二极管D1、D2的阴极连接；所述两只阴极相连的二极管D1、D2中的一个二极管D1的阳极连接所述晶体三极管Q1的集电极C，所述轻触开关K1与所述二极管D1组合构成所述MOS管Q2的初始信号控制电路。所述两只阴极相连的二极管D1、D2中的另一个二极管D2的阳极一方面连接到所述可编程器件的另一个IO口，另一方面通过一第四电阻R4连接到所述可编程器件的电源端VCC，以提供高电平，使当所述轻触开关K1没有被按下时，所述另一个IO口检测到的为高电平；当所述轻触开关K1被按下时，所述另一个IO口检测到的为低电平。所述两只阴极相连的二极管D1、D2能够有效地将按键开关控制电路和可编程器件的IO口隔离开来，使它们独立工作互不影响。可以理解地，所述两个共阴极二极管D1、D2可以用一个共阴极双二极管代替，并不影响本实施例的效果。
较佳地，所述可编程器件为MCU器件。
较佳地，所述晶体三极管Q1为NPN型晶体三极管。
较佳地，所述MOS管Q2为P沟道增强型MOS管。
较佳地，所述可编程器件的电源端VCC的电压可由所述供电电源输出端VO的电压变换得到，且可编程器件的电源端VCC的电压可大于、等于或小于所述供电电源输出端VO的电压。
较佳地，所述MOS管Q2可用三极管或其他类型的可做开关控制功能的元器件代替。
下面结合图1，介绍本实用新型第一实施例中零待机功耗的按键开关控制电路的具体工作过程。
当需要开启电源使系统工作时，按下所述轻触开关K1，使所述MOS管Q2的栅极G变为低电平而使其源极S-漏极D导通，从使电流从供电电源输入端VI输入并通过MOS管启动Q2的源极S-漏极D而从供电电源输出端VO输出，系统得电工作；系统工作后，由所述MCU器件向所述NPN型晶体三极管Q1的基极B输出高电平，则Q1导通，其集电极C变为低电平，从而维持所述MOS管Q2的导通；工作时，由于上拉电阻R4的存在，所述MCU器件用于检测按键状态的I/O口检测到高电平；当需要使系统从工作模式转入待机模式时，再次按下所述轻触开关K1，这时所述MCU器件用于检测按键状态的I/O口检测到按键信号（低电平），然后等轻触开关K1释放后所述MCU器件向所述NPN型晶体三极管Q1输出低电平，使晶体三极管Q1截止，从而使MOS管Q2的源极S-漏极D断开，切断电源，进而使系统进入待机模式。
本实用新型零待机功耗的按键开关控制电路100由于采用硬件按键激活机制，关机后待机功耗为零，且关机是软件控制，不属于强行断电，可使系统进入安全状态后再关机。整个控制电路结构简单，可靠性高，成本较低，能够有效解决以往的整机待机功耗大的问题，可以在手持式各类遥控器、电子书、MP4等数码产品实现真正待机零功耗，尤其对于采用电池作为能源供电的电子器件，可进一步延长电池使用寿命。并且可根据需要选择不同功率的MOS管，满足不同电流的需要，从而达到节能降耗的目的。
以上结合最佳实施例对本实用新型进行了描述，但本实用新型并不局限于以上揭示的实施例，而应当涵盖各种根据本实用新型的本质进行的修改、等效组合。
Claims (7)
1.一种零待机功耗的按键开关控制电路，其特征在于包括可编程器件、MOS管、晶体三极管、轻触开关及两只阴极相连的二极管，所述晶体三极管的基极通过一第一电阻连接到所述可编程器件的IO口，集电极一方面通过一第二电阻连接到供电电源输入端，另一方面通过一第三电阻连接到所述MOS管的栅极，发射极接地；所述MOS管的源极连接所述供电电源输入端，漏极连接供电电源输出端，且MOS管的栅、源极之间并联一电容；所述轻触开关的一端接地，另一端与所述两个共阴极二极管的阴极连接；所述两个共阴极二极管中的一个二极管的阳极连接所述晶体三极管的集电极，另一个二极管的阳极一方面连接到所述可编程器件的另一IO口，另一方面通过一第四电阻连接到所述可编程器件的电源端。
2.如权利要求1所述的零待机功耗的按键开关控制电路，其特征在于，所述两个共阴极二极管可用一个共阴极双二极管代替。
3.如权利要求1所述的零待机功耗的按键开关控制电路，其特征在于，所述可编程器件为MCU器件。
4.如权利要求1所述的零待机功耗的按键开关控制电路，其特征在于，所述晶体三极管为NPN型晶体三极管。
5.如权利要求1所述的零待机功耗的按键开关控制电路，其特征在于，所述MOS管为P沟道增强型MOS管。
6.如权利要求1所述的零待机功耗的按键开关控制电路，其特征在于，所述可编程器件的电源端的电压由所述供电电源输出端的电压变换得到。
7.如权利要求1所述的零待机功耗的按键开关控制电路，其特征在于，所述MOS管可用三极管或其他类型的可做开关控制功能的元器件代替。
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