CN110137161A - 一种高稳定性led灯丝 - Google Patents
一种高稳定性led灯丝 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110137161A CN110137161A CN201810129488.6A CN201810129488A CN110137161A CN 110137161 A CN110137161 A CN 110137161A CN 201810129488 A CN201810129488 A CN 201810129488A CN 110137161 A CN110137161 A CN 110137161A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- led filament
- filament
- substrate
- high stability
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010946 fine silver Substances 0.000 claims description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 3
- 238000009992 mercerising Methods 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000031709 bromination Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000019635 sulfation Effects 0.000 description 1
- 238000005670 sulfation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高稳定性LED灯丝,它包含LED灯丝支架和设在LED灯丝支架上的灯丝光源;所述的LED灯丝支架包含基板、绝缘层、电路层、白色油墨层;基板上表面除电路层以外的区域覆盖有氧化物涂层;所述的灯丝光源设在基板上表面未覆盖电路层的区域;基板上表面邦定芯片的区域,通过真空溅射技术、离子镀技术、电镀或化学镀技术,沉积氧化物涂层形成焊接界面,保护基板材料表面不容易被硫化、溴化、氧化等,提高基板反射率和光泽度,实现LED灯丝支架基板正面焊接工艺,在灯丝灯的组装过程中,可直接将灯丝带有阻焊焊盘那一端插入可用于配合灯丝灯的灯板卡槽中,让电流通过灯丝灯卡槽接触到阻焊焊盘实现灯丝发光。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域,具体涉及一种高稳定性LED灯丝。
背景技术
LED灯丝也叫LED灯柱,是一种新型的LED光源,以往LED光源要达到一定的光照度和光照面积,需加装透镜之类的光学器件,影响光照效果,会降低LED应有的节能功效,LED灯丝实现360°全角度发光,大角度发光且不需加透镜,实现立体光源,带来前所未有的照明体验。因LED灯丝具备360°全角度发光,其被广泛使用在灯丝灯上,并因其与白炽灯有相似的形态和配光曲线,是真正意义上的代替白光炽最理想的光源。
现阶段,除LED陶瓷灯丝外,市场上多为LED金属灯丝,其结构类似于陶瓷灯丝,以表面镀银的金属基板作为封装基座,基座两端与两片金属片分别靠绝缘胶材隔开,此种金属灯丝相对于陶瓷灯丝虽制作成本较低,但导热率较低,较易发生硫化现象影响灯丝的亮度,同时金属灯丝和陶瓷灯丝两端都设置有金属片,在后端加工灯泡的时候,由于碰焊和火焰封口,会产生热量,让金属片脱落,如果支架两端是胶水粘结的金属片,或者普通焊锡,都会脱落,这种都有一定的隐患;故开发稳定性强,组装方便的LED灯丝支架是目前亟待解决的技术难题。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的缺陷和不足,提供一种结构简单、设计合理、使用方便的一种高稳定性LED灯丝。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:它包含LED灯丝支架和设在LED灯丝支架上的灯丝光源;所述的LED灯丝支架包含基板、绝缘层、电路层、白色油墨层;绝缘层、电路层由下而上依次设在基板的上表面;电路层的两端的上表面设有焊接区域;焊接区域内设有多个焊接点和一对阻焊焊盘;基板上表面除电路层以外的区域覆盖有氧化物涂层;电路层的上表面除焊接区域以外的其他区域覆盖有白色油墨层;所述的灯丝光源设在基板上表面未覆盖电路层的区域;灯丝光源包含若干个LED芯片和键合导线;LED芯片通过键合导线相互连接后与电路层上表面的焊接点电连接;LED芯片、键合导线及焊接点的上方均覆盖有封装胶;封装胶同时覆盖住白色油墨层;
优选地,所述的基板为采用铝基体或铜基体的方形基板;
优选地,所述的电路层的材质为铜箔;
优选地,所述的绝缘层、电路层及白色油墨层总厚度为0.10mm-0.40mm;
优选地,所述的阻焊焊盘为长方形结构;
优选地,所述的焊接区域与电路层上下连接;
优选地,所述的氧化物涂层是通过真空溅射技术、离子镀技术、电镀或化学镀技术,在基板的上表面沉积形成焊接界面;
优选地,所述的氧化物涂层由里向外依次包含三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、三氧化二铝层、二氧化钛层;
优选地,所述的氧化物涂层由里向外依次包含三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层、二氧化钛层;
优选地,所述的氧化物涂层由里向外依次包含纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层、二氧化钛层;
优选地,所述的氧化物涂层由里向外依次包含镍层、银层、二氧化钛层、二氧化硅层、二氧化钛层。
采用上述结构后,本发明有益效果为:本发明所述的一种高稳定性LED灯丝,支架基板上表面邦定芯片的区域,通过真空溅射技术、离子镀技术、电镀或化学镀技术,沉积氧化物涂层,形成焊接界面,通过控制表面氧化物及银层厚度,材质密度,保护基板材料表面不容易被硫化、溴化、氧化等,提高基板反射率和光泽度,实现LED灯丝支架基板正面焊接工艺,在灯丝灯的组装过程中,可直接将灯丝带有阻焊焊盘那一端插入可用于配合灯丝灯的灯板卡槽中,让电流通过灯丝灯卡槽接触到阻焊焊盘实现灯丝发光,且具有结构简单、设置合理、制作成本低等优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的正视图;
图2是本发明的侧视图;
图3是LED灯丝支架的正视图;
图4是LED灯丝支架的侧视图。
附图标记说明:
1、LED芯片;2、键合导线;3、封装胶;4、LED灯丝支架;5、阻焊焊盘;6、焊接点;7、氧化物涂层;4-1、电路层;4-2、基板;4-3、绝缘层;4-4、白色油墨层。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明作进一步的说明。
参看图1-4所示,本具体实施方式采用的技术方案是:它包含LED灯丝支架4和设在LED灯丝支架上的灯丝光源;所述的LED灯丝支架4包含基板4-2、绝缘层4-3、电路层4-1、白色油墨层4-4;低热阻高导热的绝缘层4-3、材质为铜箔的电路层4-1由下而上依次设在基板4-2的上表面;基板4-2采用铝基体或铜基体的长方形基板;电路层4-1的两端的上表面设有焊接区域;焊接区域内设有多个焊接点6和一对阻焊焊盘5;焊接点6的作用是通过键合导线将邦定在基板上表面的LED芯片与焊接点进行相互焊接实现电气连接,阻焊焊盘5作为电路引出端,采用长方形结构,方便后续将使用LED灯丝支架封装成的灯丝其带有阻焊焊盘的那一段以插入的方式组装在灯丝灯的电板卡槽中,实现灯丝发光;基板4-2上表面除电路层以外的区域覆盖有氧化物涂层7;电路层4-1的上表面除焊接区域以外的其他区域覆盖有高反射率、耐高温的白色油墨层4-4;所述的灯丝光源设在基板上表面未覆盖电路层的区域;灯丝光源包含若干个LED芯片1和键合导线2;LED芯片1通过键合导线2相互连接后与电路层上表面的焊接点6电连接;LED芯片1、键合导线2及焊接点6的上方均覆盖有封装胶3,封装胶9同时覆盖住白色油墨层4-4;
所述的绝缘层4-3、电路层4-1及白色油墨层4-4总厚度为0.10mm-0.40mm;
当总厚度为0.10mm时, LED芯片厚度一般为0.15mm,LED芯片出光面将高出白色油墨层面,LED芯片发出的光经白色油墨层面会得到充分的反射;当总厚度为0.40mm时,LED芯片的厚度加上键合导线的线弧高度,在0.4mm范围内,可保护键合导线不受损伤;又因LED灯丝支架在邦定完芯片及焊完键合导线后,会进行封装胶包裹,故在满足芯片出光的前提及保护键合导线不受损伤的前提下,基板上表面邦定芯片的区域到白色油墨层那一面的深度在0.10mm-0.40mm范围内均可满足要求。
所述的焊接区域与电路层4-1上下连接;
所述的氧化物涂层7是通过真空溅射技术、离子镀技术、电镀或化学镀技术,在基板的上表面沉积形成焊接界面,厚度为30nm-5000nm之间;可通过控制表面氧化物及银层厚度、材质密度,从而保护基板的表面不容易被硫化、溴化、氧化等,提高基材的稳定性、光泽度和对LED光的反射率;
所述的氧化物涂层7由里向外依次包含三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、三氧化二铝层、二氧化钛层;可阻止外界的有害元素(例如氧、硫、溴、卤族元素等)与其中纯银层发生反应,从而起到抗硫化、抗氧化、抗卤化的效果,从而大大提高LED 器件的稳定性、可靠性、色温性能、光衰减性能和使用寿命。
作为对比,常规的包括铜及其表面银层的灯丝支架基材,其银层的厚度一般为0.5-3.0微米;将本具体实施方式中的基材和常规灯丝支架基材分别制成LED灯丝器件;
分别选取根据本具体实施方式中的基材制作的LED灯丝器件和常规灯丝支架基材制作的LED灯丝器件各10支,分别进行高温老化实验;其实验条件为:环境温度120度,电压9V,电流 100ma,通过1000小时点亮老化,之后测量本具体实施方式和传统支架的基板制作的LED灯丝器件在老化后的平均光通量;
测试结果表明,用本具体实施方式中的基材制作的LED灯丝器件在通过1000小时点亮老化的光通量衰减平均值为大约1%;而用常规LED灯丝支架基材制作的LED灯丝器件在通过1000小时点亮老化的光通量衰减平均值为大约10%。
上述对比测试结果表明,根据具体实施方式进行涂层处理的LED灯丝支架基板,可使得LED灯丝器件的光衰减性能与现有技术相比得到极大的改进。
采用上述结构后,本具体实施方式的有益效果为:本发明所述的一种高稳定性LED灯丝,支架基板上表面邦定芯片的区域,通过真空溅射技术、离子镀技术、电镀或化学镀技术,沉积氧化物涂层,形成焊接界面,通过控制表面氧化物及银层厚度,材质密度,保护基板材料表面不容易被硫化、溴化、氧化等,提高基板反射率和光泽度,实现LED灯丝支架基板正面焊接工艺,在灯丝灯的组装过程中,可直接将灯丝带有阻焊焊盘那一端插入可用于配合灯丝灯的灯板卡槽中,让电流通过灯丝灯卡槽接触到阻焊焊盘实现灯丝发光,且具有结构简单、设置合理、制作成本低等优点。
以上所述,仅用以说明本发明的技术方案而非限制,本领域普通技术人员对本发明的技术方案所做的其它修改或者等同替换,只要不脱离本发明技术方案的精神和范围,均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (11)
1.一种高稳定性LED灯丝,其特征在于它包含LED灯丝支架和设在LED灯丝支架上的灯丝光源;所述的LED灯丝支架包含基板、绝缘层、电路层、白色油墨层;绝缘层、电路层由下而上依次设在基板的上表面;电路层的两端的上表面设有焊接区域;焊接区域内设有多个焊接点和一对阻焊焊盘;基板上表面除电路层以外的区域覆盖有氧化物涂层;电路层的上表面除焊接区域以外的其他区域覆盖有白色油墨层;所述的灯丝光源设在基板上表面未覆盖电路层的区域;灯丝光源包含若干个LED芯片和键合导线;LED芯片通过键合导线相互连接后与电路层上表面的焊接点电连接;LED芯片、键合导线及焊接点的上方均覆盖有封装胶;封装胶同时覆盖住白色油墨层。
2.根据权利要求1所述的一种高稳定性LED灯丝,其特征在于所述的基板为采用铝基体或铜基体的方形基板。
3.根据权利要求1所述的一种高稳定性LED灯丝,其特征在于所述的电路层的材质为铜箔。
4.根据权利要求1或3所述的一种高稳定性LED灯丝,其特征在于所述的绝缘层、电路层及白色油墨层总厚度为0.10mm-0.40mm。
5.根据权利要求1所述的一种高稳定性LED灯丝,其特征在于所述的阻焊焊盘为长方形结构。
6.根据权利要求1所述的一种高稳定性LED灯丝,其特征在于所述的焊接区域与电路层上下连接。
7.根据权利要求1所述的一种高稳定性LED灯丝,其特征在于所述的氧化物涂层是通过真空溅射技术、离子镀技术、电镀或化学镀技术,在基板的上表面沉积形成焊接界面。
8.根据权利要求1或7所述的一种高稳定性LED灯丝,其特征在于所述的氧化物涂层由里向外依次包含三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、三氧化二铝层、二氧化钛层。
9.根据权利要求1或7所述的一种高稳定性LED灯丝,其特征在于所述的氧化物涂层由里向外依次包含三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层、二氧化钛层。
10.根据权利要求1或7所述的一种高稳定性LED灯丝,其特征在于所述的氧化物涂层由里向外依次包含纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层、二氧化钛层。
11.根据权利要求1或7所述的一种高稳定性LED灯丝,其特征在于所述的氧化物涂层由里向外依次包含镍层、银层、二氧化钛层、二氧化硅层、二氧化钛层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810129488.6A CN110137161A (zh) | 2018-02-08 | 2018-02-08 | 一种高稳定性led灯丝 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810129488.6A CN110137161A (zh) | 2018-02-08 | 2018-02-08 | 一种高稳定性led灯丝 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110137161A true CN110137161A (zh) | 2019-08-16 |
Family
ID=67567752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810129488.6A Pending CN110137161A (zh) | 2018-02-08 | 2018-02-08 | 一种高稳定性led灯丝 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110137161A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112885252A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-06-01 | 深圳市蝉翼科技有限公司 | 柔性透明led显示屏制作工艺 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN207504012U (zh) * | 2017-09-26 | 2018-06-15 | 江西鸿利光电有限公司 | 一种高稳定性led灯丝 |
-
2018
- 2018-02-08 CN CN201810129488.6A patent/CN110137161A/zh active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN207504012U (zh) * | 2017-09-26 | 2018-06-15 | 江西鸿利光电有限公司 | 一种高稳定性led灯丝 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112885252A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-06-01 | 深圳市蝉翼科技有限公司 | 柔性透明led显示屏制作工艺 |
CN112885252B (zh) * | 2021-04-13 | 2024-03-29 | 珠海华萃科技有限公司 | 柔性透明led显示屏制作工艺 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10476543B2 (en) | Method and apparatus for chip-on board flexible light emitting diode | |
EP3190616B1 (en) | A led light with omnidirectional light distribution | |
US20110148270A1 (en) | Spherical light output LED lens and heat sink stem system | |
CN107994112A (zh) | 具有散热结构的led灯丝及应用该led灯丝的led灯泡 | |
US20080174224A1 (en) | Lamp head structure | |
WO2014201774A1 (zh) | 一种全方向出光的led球泡灯 | |
JP2017532793A (ja) | Led封止に使用する基板、3次元led封止体、3次元led封止体を有する電球及びこれらの製造方法 | |
CN102575819A (zh) | 附灯头的灯以及照明器具 | |
CN102679206A (zh) | Led灯泡 | |
CN102803170A (zh) | 玻璃组合物、光源装置以及照明装置 | |
CN106067463A (zh) | 发光模块 | |
CN207504012U (zh) | 一种高稳定性led灯丝 | |
CN105822909A (zh) | 紫外灯丝灯 | |
CN203571486U (zh) | 可变形led全角度发光元件灯泡 | |
CN110137161A (zh) | 一种高稳定性led灯丝 | |
CN201318574Y (zh) | 大功率发光二极管 | |
CN207441737U (zh) | 半导体发光器件 | |
US20170236760A1 (en) | Light-emitting diode lighting device and method for repairing the same | |
CN208268801U (zh) | 一种高出光率紫外led照明装置 | |
EP3599415B1 (en) | Illuminating lamp and decorative lamp | |
CN203215377U (zh) | 一种多发光体的led筒灯结构 | |
CN203384679U (zh) | 一种全方向出光的led球泡灯 | |
CN108413264A (zh) | 一种高出光率紫外led照明装置 | |
CN104659028B (zh) | 一种led模组的构造及其制造工艺 | |
CN204062532U (zh) | 灯及照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190816 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |