CN110129800A - 一种蚀刻液循环再生技术的开发装置 - Google Patents

一种蚀刻液循环再生技术的开发装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110129800A
CN110129800A CN201910422126.0A CN201910422126A CN110129800A CN 110129800 A CN110129800 A CN 110129800A CN 201910422126 A CN201910422126 A CN 201910422126A CN 110129800 A CN110129800 A CN 110129800A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tank
copper
case
development device
electrolyte tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910422126.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110129800B (zh
Inventor
潘江国
卢大伟
刘腾
方常
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Zhanbang Electronic Technology Co ltd
Original Assignee
ZHEJIANG ZAPON ELECTRONIC TECHNOLOGY CO LTD
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZHEJIANG ZAPON ELECTRONIC TECHNOLOGY CO LTD filed Critical ZHEJIANG ZAPON ELECTRONIC TECHNOLOGY CO LTD
Priority to CN201910422126.0A priority Critical patent/CN110129800B/zh
Publication of CN110129800A publication Critical patent/CN110129800A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110129800B publication Critical patent/CN110129800B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/46—Regeneration of etching compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25C—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25C1/00—Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions
    • C25C1/12—Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25C—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25C7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells; Servicing or operating of cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20—Recycling

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种蚀刻液循环再生技术的开发装置，包括电解箱，所述电解箱的内部两侧对称安装有多个析铜箱，所述析铜箱的底部贯穿电解箱的底端面，且底端面与外界连通。本发明中，通过电解箱内部对高浓度铜离子的母液进行电解，金属感应器未感应到有色金属铜，同时气缸处于向内推动封底挡板的状态，通过封底挡板的面积大于析铜箱的底端面面积，所以电解液通过析铜箱的反应孔进入至两个封孔挡板之间，当金属感应器感应到铜时，气缸自动启动，拉回封底挡板，析出的铜板自由下落，封孔挡板封死反应孔，阻挡母液流通，从而实现了铜板的自动拾取，提高开发装置的实用性和便捷性。

Description

一种蚀刻液循环再生技术的开发装置
技术领域
本发明涉及蚀刻液再生技术领域，尤其涉及一种蚀刻液循环再生技术的开发装置。
背景技术
蚀刻液再生实际上是印制电路板(PCB)蚀刻线上排出的蚀刻母液采用封闭式循环系统，经蚀刻液再生循环设备将其中的铜离子萃取出来再返回生产线的过程，印制电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"，即先在板子外层需保留的铜箔部分上(是电路的图形部分)预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻，蚀刻液再生多应用于线路板生产企业中，相对于线路板生产企业生产工艺中，蚀刻工序可分为：碱性蚀刻、酸性蚀刻及微蚀三种。
然而现有的蚀刻液循环再生技术的开发装置特指一种碱性蚀刻循环再生技术仍存在一些不足之处，首先，碱性溶液具有腐蚀性，析出铜板之后，缺少自动铜板拾取结构，降低了开发装置的智能性和便捷性；其次，现有的碱性蚀刻液循环再生技术的开发装置，占用面积较大，无法充分利用空间，降低了其次装置的面积使用率。
发明内容
本发明的目的在于：为了解决碱性蚀刻液循环再生技术的开发装置缺少自动拾取铜板结构和占用面积较大的问题，而提出的一种蚀刻液循环再生技术的开发装置。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种蚀刻液循环再生技术的开发装置，包括电解箱，所述电解箱的内部两侧对称安装有多个析铜箱，所述析铜箱的底部贯穿电解箱的底端面，且底端面与外界连通，所述析铜箱的外壁两侧均呈矩形阵列开设有多个反应孔，所述析铜箱的内侧对称设置有两个封孔挡板，两个所述封孔挡板的底端面均延伸至析铜箱的底端面，两个所述封孔挡板的底端面均安装有封底挡板，所述析铜箱的一侧中心位置处安装有金属感应器，以及
在电解箱的内壁顶部相对的两长侧分别设有一字管路，一字管路的两端封闭且并联在进气总管上，在每根一字管路与进气总管连接的一端分别设有气动控制阀，在每根一字管路上还分别设有L形出气子管，L形出气子管的出气端向下延长至电解箱的内底部。
进气总管与空气压缩机连接。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述电解箱的底端面中心位置处安装有驱动电机，所述电解箱的底部内表壁中心位置处设置有搅拌扇，所述驱动电机的输出轴贯穿电解箱与搅拌扇传动连接。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述封孔挡板的宽度大于反应孔阵列的总宽度，且小于析铜箱的内侧宽度，两个所述封底挡板的总面积大于析铜箱的底端面面积。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述电解箱的底端面两侧对称安装有多个气缸，所述封底挡板远离析铜箱的一侧与气缸的延伸端固定连接，所述金属感应器与气缸通过电线电性连接。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述电解箱的顶端面两侧对称安装有再生子液调配罐和再生液储罐，所述再生子液调配罐和再生液储罐的顶部安装有母液储罐，所述母液储罐的顶端面安装有蚀刻机，所述电解箱的底部四个拐角处均安装有支撑柱。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述封底挡板和封孔挡板的底部呈十字交叉形结构，两个所述封底挡板之间的最小间距等于析铜厚度。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述蚀刻机的一侧通过连通管与母液储罐连通，所述母液储罐的一侧通过连通管与电解箱连通。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述电解箱的一侧通过泵管与再生液储罐连通，所述再生液储罐通过泵管与再生子液调配罐连通，所述再生子液调配罐通过泵管与蚀刻机连通。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
1、本发明中，通过电解箱内部对高浓度铜离子的母液进行电解，金属感应器未感应到有色金属铜，同时气缸处于向内推动封底挡板的状态，通过封底挡板的面积大于析铜箱的底端面面积，所以电解液通过析铜箱的反应孔进入至两个封孔挡板之间，当金属感应器感应到铜时，气缸自动启动，拉回封底挡板，析出的铜板自由下落，封孔挡板封死反应孔，阻挡母液流通，从而实现了铜板的自动拾取，提高开发装置的实用性和便捷性。
2、本发明中，通过电解箱的顶部依次安装有再生液储罐和再生子液调配罐、母液储罐和蚀刻机，从而通过充分利用高度空间，大大节约了开发装置所需的占用空间，提高了其他装置的空间使用率，通过蚀刻机与母液储罐连通，母液储罐与电解箱连通，完成了母液回收装置，通过电解箱电解出铜板后，将溶液排放到再生液储罐，再生液储罐传送到再生子液调配罐进行调配，最后传送给蚀刻机，从而实现了母液的再生利用，大大提高了环保性、经济性和实用性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提出的一种蚀刻液循环再生技术的开发装置的电解箱的俯视图；
图2为本发明提出的一种蚀刻液循环再生技术的开发装置的正视结构示意图；
图3为本发明提出的一种蚀刻液循环再生技术的开发装置的电解箱的仰视图；
图4为本发明提出的一种蚀刻液循环再生技术的开发装置的电解箱的局部断面结构示意图；
图5为本发明提出的一种蚀刻液循环再生技术的开发装置的电解箱的顶部结构示意图。
图中：1、蚀刻机；2、母液储罐；3、电解箱；4、再生液储罐；5、再生子液调配罐；6、析铜箱；7、金属感应器；8、封孔挡板；9、封底挡板；10、气缸；11、反应孔；12、驱动电机；13、搅拌扇；14、一字管路；15、进气总管；16、L形出气子管。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本发明的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本发明的描述中，需要理解的是，若出现术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“连接”等指示部件之间的连接关系，该术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个部件内部的连通或两个部件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
请参阅图1-4，本发明提供一种技术方案：一种蚀刻液循环再生技术的开发装置，包括电解箱3，电解箱3的内部两侧对称安装有多个析铜箱6，析铜箱6的底部贯穿电解箱3的底端面，且底端面与外界连通，便于后期铜板析出之后的自由下落，析铜箱6的外壁两侧均呈矩形阵列开设有多个反应孔11，保证了电解液的流通，析铜箱6的内侧对称设置有两个封孔挡板8，两个封孔挡板8的底端面均延伸至析铜箱6的底端面，两个封孔挡板8的底端面均安装有封底挡板9，析铜箱6的一侧中心位置处安装有金属感应器7，利用金属感应器7可以感应有色金属铜板，从而得知封孔挡板8之间的析铜状态。
具体的，如图1-3所示，电解箱3的底端面中心位置处安装有驱动电机12，电解箱3的底部内表壁中心位置处设置有搅拌扇13，驱动电机12的输出轴贯穿电解箱3与搅拌扇13传动连接，利用搅拌扇13的转动，加快了电解箱3内的电解效率。
具体的，如图4所示，封孔挡板8的宽度大于反应孔11阵列的总宽度，且小于析铜箱6的内侧宽度，两个封底挡板9的总面积大于析铜箱6的底端面面积，保证了铜板下落时，封孔挡板8将反应孔11封死，避免母液流失。
具体的，如图2所示，电解箱3的底端面两侧对称安装有多个气缸10，封底挡板9远离析铜箱6的一侧与气缸10的延伸端固定连接，金属感应器7与气缸10通过电线电性连接，保证了封底挡板9拉回和推出的稳定性。
具体的，如图2所示，电解箱3的顶端面两侧对称安装有再生子液调配罐5和再生液储罐4，再生子液调配罐5和再生液储罐4的顶部安装有母液储罐2，母液储罐2的顶端面安装有蚀刻机1，电解箱3的底部四个拐角处均安装有支撑柱，通过充分利用高度空间，降低了开发装置的总体空间占用率，提高了开发装置的实用性。
具体的，如图2-4所示，封底挡板9和封孔挡板8的底部呈十字交叉形结构，两个封底挡板9之间的最小间距等于析铜厚度，保证了析铜过程中，析铜箱6底端面的密封性。
具体的，如图2所示，蚀刻机1的一侧通过连通管与母液储罐2连通，母液储罐2的一侧通过连通管与电解箱3连通，实现了母液的回收。
具体的，如图2所示，电解箱3的一侧通过泵管与再生液储罐4连通，再生液储罐4通过泵管与再生子液调配罐5连通，再生子液调配罐5通过泵管与蚀刻机1连通，保证了母液析铜之后再生利用的稳定性。
如图5所示，
在电解箱3的内壁顶部相对的两长侧分别设有一字管路14，一字管路14的两端封闭且并联在进气总管15上，在每根一字管路14与进气总管15连接的一端分别设有气动控制阀，在每根一字管路14上还分别设有L形出气子管16，L形出气子管16的出气端向下延长至电解箱3的内底部。
进气总管15将外界的空气通过空气压缩机进入至一字管路14内，最后从L形出气子管16排出，排出的气流可以对电解箱3的内底部形成清洗，避免了杂物滞留堆积而导致频繁清理电解箱3，还可以对蚀刻液形成紊流以提高蚀刻液混合均匀性。
一字管路14位于相邻的两个析铜箱6之间且呈对称设置。
在电解箱3的内壁顶部相对的两长侧分别设有半圆槽，一字管路14的一半固定在半圆槽内，一字管路14的另一半突出于半圆槽外，L形出气子管16连接在一字管路14突出于半圆槽外的一半上。
在一字管路14的另一半上设有若干拱形压板，以及穿设在拱形压板两端的螺栓，螺栓与电解箱3的内壁顶部上的螺纹孔螺纹连接。
另外，L形出气子管16的出气端朝向电解箱3两长侧边的直角处，以便于对直角处的滞留物进行清理。
工作原理：使用时，通过蚀刻机1将高浓度铜离子溶液储存在母液储罐2内，母液储罐2将母液传送给电解箱3，通过电解箱3内部对高浓度铜离子的母液进行电解，金属感应器7未感应到有色金属铜，气缸10处于向内推动封底挡板9的状态，析铜箱6底端面保持密封，当金属感应器7感应到铜时，气缸10自动启动，拉回封底挡板9，析出的铜板自由下落，封孔挡板8封死反应孔11，阻挡母液流通，从而实现了铜板的自动拾取，然后电解箱3内的溶液排放到再生液储罐4，再生液储罐4传送到再生子液调配罐5进行调配，最后传送给蚀刻机1，从而实现了母液的再生利用，大大提高了环保性、经济性和实用性。
需要声明的是，上述具体实施方式仅仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员应该明白，还可以对本发明做各种修改、等同替换、变化等等。但是，这些变换只要未背离本发明的精神，都应在本发明的保护范围之内。另外，本申请说明书和权利要求书所使用的一些术语并不是限制，仅仅是为了便于描述。

Claims (8)

1.一种蚀刻液循环再生技术的开发装置，包括电解箱(3)，其特征在于，所述电解箱(3)的内部两侧对称安装有多个析铜箱(6)，所述析铜箱(6)的底部贯穿电解箱(3)的底端面，且底端面与外界连通，所述析铜箱(6)的外壁两侧均呈矩形阵列开设有多个反应孔(11)，所述析铜箱(6)的内侧对称设置有两个封孔挡板(8)，两个所述封孔挡板(8)的底端面均延伸至析铜箱(6)的底端面，两个所述封孔挡板(8)的底端面均安装有封底挡板(9)，所述析铜箱(6)的一侧中心位置处安装有金属感应器(7)；以及
在电解箱(3)的内壁顶部相对的两长侧分别设有一字管路(14)，一字管路(14)的两端封闭且并联在进气总管(15)上，在每根一字管路(14)与进气总管(15)连接的一端分别设有气动控制阀，在每根一字管路(14)上还分别设有L形出气子管(16)，L形出气子管(16)的出气端向下延长至电解箱(3)的内底部。
2.根据权利要求1所述的一种蚀刻液循环再生技术的开发装置，其特征在于，所述电解箱(3)的底端面中心位置处安装有驱动电机(12)，所述电解箱(3)的底部内表壁中心位置处设置有搅拌扇(13)，所述驱动电机(12)的输出轴贯穿电解箱(3)与搅拌扇(13)传动连接。
3.根据权利要求1所述的一种蚀刻液循环再生技术的开发装置，其特征在于，所述封孔挡板(8)的宽度大于反应孔(11)阵列的总宽度，且小于析铜箱(6)的内侧宽度，两个所述封底挡板(9)的总面积大于析铜箱(6)的底端面面积。
4.根据权利要求1所述的一种蚀刻液循环再生技术的开发装置，其特征在于，所述电解箱(3)的底端面两侧对称安装有多个气缸(10)，所述封底挡板(9)远离析铜箱(6)的一侧与气缸(10)的延伸端固定连接，所述金属感应器(7)与气缸(10)通过电线电性连接。
5.根据权利要求1所述的一种蚀刻液循环再生技术的开发装置，其特征在于，所述电解箱(3)的顶端面两侧对称安装有再生子液调配罐(5)和再生液储罐(4)，所述再生子液调配罐(5)和再生液储罐(4)的顶部安装有母液储罐(2)，所述母液储罐(2)的顶端面安装有蚀刻机(1)，所述电解箱(3)的底部四个拐角处均安装有支撑柱。
6.根据权利要求1所述的一种蚀刻液循环再生技术的开发装置，其特征在于，所述封底挡板(9)和封孔挡板(8)的底部呈十字交叉形结构，两个所述封底挡板(9)之间的最小间距等于析铜厚度。
7.根据权利要求5所述的一种蚀刻液循环再生技术的开发装置，其特征在于，所述蚀刻机(1)的一侧通过连通管与母液储罐(2)连通，所述母液储罐(2)的一侧通过连通管与电解箱(3)连通。
8.根据权利要求5所述的一种蚀刻液循环再生技术的开发装置，其特征在于，所述电解箱(3)的一侧通过泵管与再生液储罐(4)连通，所述再生液储罐(4)通过泵管与再生子液调配罐(5)连通，所述再生子液调配罐(5)通过泵管与蚀刻机(1)连通。
CN201910422126.0A 2019-05-21 2019-05-21 一种蚀刻液循环再生技术的开发装置 Active CN110129800B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910422126.0A CN110129800B (zh) 2019-05-21 2019-05-21 一种蚀刻液循环再生技术的开发装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910422126.0A CN110129800B (zh) 2019-05-21 2019-05-21 一种蚀刻液循环再生技术的开发装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110129800A true CN110129800A (zh) 2019-08-16
CN110129800B CN110129800B (zh) 2023-09-08

Family

ID=67571666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910422126.0A Active CN110129800B (zh) 2019-05-21 2019-05-21 一种蚀刻液循环再生技术的开发装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110129800B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5085730A (en) * 1990-11-16 1992-02-04 Macdermid, Incorporated Process for regenerating ammoniacal chloride etchants
JP2015052155A (ja) * 2013-09-09 2015-03-19 日鉄鉱業株式会社 銅含有劣化エッチング液再生用電解槽
CN204898096U (zh) * 2015-09-09 2015-12-23 中山市鸿博化工助剂有限公司 废蚀刻液中提取铜装置
CN206529526U (zh) * 2017-01-17 2017-09-29 陈灏康 一种酸性蚀刻液再生循环使用铜回收设备
CN207567362U (zh) * 2017-09-27 2018-07-03 江西明匠智能系统有限公司 阴极铜板剥离设备

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5085730A (en) * 1990-11-16 1992-02-04 Macdermid, Incorporated Process for regenerating ammoniacal chloride etchants
JP2015052155A (ja) * 2013-09-09 2015-03-19 日鉄鉱業株式会社 銅含有劣化エッチング液再生用電解槽
CN204898096U (zh) * 2015-09-09 2015-12-23 中山市鸿博化工助剂有限公司 废蚀刻液中提取铜装置
CN206529526U (zh) * 2017-01-17 2017-09-29 陈灏康 一种酸性蚀刻液再生循环使用铜回收设备
CN207567362U (zh) * 2017-09-27 2018-07-03 江西明匠智能系统有限公司 阴极铜板剥离设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN110129800B (zh) 2023-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109628748B (zh) 蚀刻液的萃取电积装置和萃取电积方法
CN110129800A (zh) 一种蚀刻液循环再生技术的开发装置
CN208632271U (zh) 一种去除线路板棕化废液cod的装置
CN212894987U (zh) 一种多级溶解吸收氯气再生回用装置
US11230792B2 (en) Vertical electroplating module and electroplating method for fan-out panel level chip
CN103628064A (zh) 酸性蚀刻液循环再生系统
CN212770969U (zh) 一种蚀刻液处理装置
CN210104081U (zh) 一种蚀刻液循环再生技术的开发装置
CN201125266Y (zh) 一种蚀液再生及铜回收预处理装置
CN207531189U (zh) 一种pcb阻焊油墨塞孔板翻洗槽装置
CN113981493B (zh) 一种覆铜板铜箔生产电解设备
CN215742534U (zh) 一种适用于吸入气体压力大的洗涤罐
CN218959216U (zh) 电路板处理槽
CN207391167U (zh) 一种碱性蚀刻线水洗段废水再生系统
CN202010453U (zh) 过滤式循环水洗槽
CN109267066A (zh) 一种印制电路板碱性蚀刻废液循环再生及回收铜系统
CN202717848U (zh) 酸性蚀刻液循环再生系统
CN220746037U (zh) 一种从含钯电镀废水中回收钯黑的装置
CN211051255U (zh) 一种回收废碱用液相回收装置
CN219430122U (zh) 一种改进型碱性蚀刻液再生循环及铜回收装置
CN213965869U (zh) 铜箔设备酸雾处理系统
CN217314873U (zh) 一种多功能的pcb用钻头清洗装置
CN206359591U (zh) 一种钴萃取槽反萃取钙段槽体装置
CN218756070U (zh) 一种碱性刻蚀液铜回收再生设备
CN214360735U (zh) 一种甲壳素加工用含酸废水处理回收装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20230811

Address after: No. 31 Pengju Road, Guangde Economic Development Zone, Xuancheng City, Anhui Province, 242000

Applicant after: Anhui Zhanbang Electronic Technology Co.,Ltd.

Address before: 325016 No.75, Fuquan Road, Xiayu Industrial Zone, Guoxi street, Ouhai District, Wenzhou City, Zhejiang Province

Applicant before: ZHEJIANG ZAPON ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant