CN110121754A - 线圈部件用芯和线圈部件 - Google Patents

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CN110121754A CN201880005394.6A CN201880005394A CN110121754A CN 110121754 A CN110121754 A CN 110121754A CN 201880005394 A CN201880005394 A CN 201880005394A CN 110121754 A CN110121754 A CN 110121754A
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Abstract

提供一种能够通过除了降低有效相对导磁率以外的方法改善直流叠加特性的构造的线圈部件用芯。一种线圈部件用芯(10)，其是具备呈环状连接地配置的多个芯片(11)而构成的线圈部件用芯(10)，其中，关于多个芯片(11)中的各个芯片，若将磁路方向上的长度设为l并将与磁路方向正交的截面的截面积设为S，则l/S为1.0以下。这样一来，线圈部件的直流叠加特性被大幅地改善。

Description

线圈部件用芯和线圈部件
技术领域
本发明涉及线圈部件用芯和线圈部件。
背景技术
在专利文献1中记载了包括环状的芯和卷绕于芯的线圈的线圈部件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-7855号公报
发明内容
发明要解决的问题
另外，为了调整线圈部件的L值、改善直流叠加特性，有时在芯设置间隙。
直流叠加特性的改善通过增大间隙而降低芯的有效相对导磁率来实现，但为了以降低了有效相对导磁率的芯获得充分的L值，需要增加线圈的匝数。然而，增加线圈的匝数会导致线圈的直流电阻的增大、因发热而导致的容许电流的降低以及损耗的增大，因此在确保线圈部件的良好的特性的方面不优选。
因此，寻求通过除了降低芯的有效相对导磁率以外的方法改善直流叠加特性。
本发明是鉴于上述的问题而完成的，提供能够通过除了降低芯的有效相对导磁率以外的方法改善直流叠加特性的构造的线圈部件用芯和线圈部件。
用于解决问题的方案
根据本发明，提供一种线圈部件用芯，其具备呈环状连接地配置的多个芯片而构成，其中，
关于所述多个芯片中的各个芯片，若将磁路方向上的长度设为l并将与磁路方向正交的截面的截面积设为S，则l/S为1.0以下。
另外，根据本发明，提供一种线圈部件，其中，该线圈部件包括本发明的线圈部件用芯和卷绕于所述线圈部件用芯的线圈。
发明的效果
根据本发明，能够通过除了降低线圈部件用芯的有效相对导磁率以外的方法改善线圈部件用芯的直流叠加特性。
附图说明
图1的(a)是第1实施方式的线圈部件用芯的示意性的俯视图，图1的(b)是第1实施方式的线圈部件用芯的示意性的立体图，图1的(c)是构成第1实施方式的线圈部件用芯的1个芯片的示意性的俯视图。
图2是第1实施方式的线圈部件的示意性的俯视图。
图3是第2实施方式的线圈部件用芯的示意性的俯视图。
图4是表示实施例和比较例的线圈部件用芯的参数的图。
图5是表示实施例和比较例的线圈部件用芯的特性的图。
图6的(a)、图6的(b)、图6的(c)、图6的(d)、图6的(e)、图6的(f)、图6的(g)、图6的(h)以及图6的(i)是表示实施例和比较例的线圈部件用芯的俯视形状的图。
图7是表示实施例和比较例的线圈部件用芯的特性的图表。
图8是表示实施例和比较例的线圈部件用芯的特性的图。
图9的(a)、图9的(b)、图9的(c)、图9的(d)、图9的(e)、图9的(f)、图9的(g)、图9的(h)、图9的(i)以及图9的(j)是表示实施例和比较例的线圈部件用芯的俯视形状的图。
图10是表示实施例和比较例的线圈部件用芯的特性的图表。
图11是表示实施例和比较例的线圈部件用芯的特性的图。
图12是表示实施例和比较例的线圈部件用芯的特性的图。
图13的(a)、图13的(b)、图13的(c)、图13的(d)、图13的(e)、图13的(f)、图13的(g)以及图13的(h)是表示实施例和比较例的线圈部件用芯的俯视形状的图。
图14是表示实施例和比较例的线圈部件用芯的特性的图表。
图15是表示实施例和比较例的线圈部件用芯的特性的图表。
具体实施方式
以下，使用附图，说明本发明的实施方式。此外，在所有的附图中，对同样的构成要素标注相同的附图标记，适当地省略说明。
〔第1实施方式〕
首先，使用图1的(a)～图2，说明第1实施方式。
对于具备由分割芯(多个芯片11)构成的线圈部件用芯10(图1的(a)、图1的(b))而构成的线圈部件100(图2)而言，通过使磁场集中于没有磁饱和的非磁性间隙15(磁隙)来改善直流叠加特性。
为了进一步改善这样的线圈部件100的直流叠加特性，本申请发明人等着眼于由分割芯的形状的不同导致的磁阻的不同并进行了研究。该研究的结果是，本申请发明人等认为，若降低分割芯的磁阻，则磁场更集中于非磁性间隙15，直流叠加特性改善。
若将芯片11的磁路方向上的长度设为l并将芯片11的与磁路方向正交的截面的截面积设为S，则芯片11的磁阻Rm由Rm＝(l/S)/μ表示。
此处，相对导磁率μ由构成芯片11的材料决定。以目的在于满足饱和磁通密度、频率特性的要求值的方式选择芯片11的材料，因此不能随意地选择μ值较高的材料。因此，本申请发明人等认为，作为降低芯片11的磁阻Rm的方法，着眼于由芯片11的形状决定的l/S的值即可。
关于l/S的值的优选的范围，本申请发明人等深入研究的结果是，新发现了如下内容，即，通过将l/S设为1.0以下，能够显著地改善线圈部件用芯10的直流叠加特性。
即，如图1的(a)和图1的(b)所示，本实施方式的线圈部件用芯10是具备呈环状连接地配置的多个芯片11而构成的线圈部件用芯10。在该线圈部件用芯10中，关于多个芯片11中的各个芯片11，若将磁路方向上的长度设为l(参照图1的(c))并将与磁路方向正交的截面的截面积设为S(参照图1的(b))，则l/S为1.0以下。
即，关于构成线圈部件用芯10的所有的芯片11中的各个芯片11，以使l/S成为1.0以下的方式设定长度l和截面积S。
此外，在截面积S根据芯片11的长度方向上的位置而变化的情况下，截面积S能够设为芯片11的长度方向上的各部分处的截面积S的平均值。
于在磁路方向上彼此相邻的芯片11彼此之间，分别形成有非磁性间隙15。因此，线圈部件用芯10具备多个非磁性间隙15。
各非磁性间隙15的大小(间隙间隔)例如能够设为彼此相等。不过，在多个非磁性间隙15中，也可以包含间隙间隔彼此不同的非磁性间隙15。
各芯片11由磁性体构成。
通过将线圈部件用芯10设为这样的结构，能够在不改变线圈部件用芯10的有效相对导磁率的前提下大幅地改善线圈部件用芯10的直流叠加特性。
另外，关于构成线圈部件用芯10的多个芯片11中的各个芯片11，更优选的是，l/S为0.8以下，这样一来，能够进一步改善线圈部件用芯10的直流叠加特性。
另外，关于构成线圈部件用芯10的多个芯片11中的各个芯片11，更优选的是，l/S为0.65以下，这样一来，能够进一步改善线圈部件用芯10的直流叠加特性。
另外，关于构成线圈部件用芯10的多个芯片11中的各个芯片11，更优选的是，l/S为0.5以下，这样一来，能够进一步改善线圈部件用芯10的直流叠加特性。
另外，关于构成线圈部件用芯10的多个芯片11中的各个芯片11，更优选的是，l/S为0.4以下，这样一来，能够进一步改善线圈部件用芯10的直流叠加特性。
此外，在图1的(a)和图1的(b)中，示出了线圈部件用芯10所具备的芯片11的数量为4个的例子，但线圈部件用芯10所具备的芯片11的数量能够设为2个以上的任意的数量。
另外，在图1的(a)和图1的(b)中，示出了线圈部件用芯10所具备的芯片11中的各个芯片11彼此形状相同(尺寸相同)的例子，但在线圈部件用芯10所具备的多个芯片11中，也可以包含形状(例如磁路方向上的长度l(图1的(c))彼此不同的芯片11。
另外，在图1的(a)中，示出了线圈部件用芯10呈圆环状的例子，但线圈部件用芯10的形状也可以是其他环状的形状。即，线圈部件用芯10的形状例如也可以是椭圆环状、多边环状(矩形环状等)的形状。
另外，在图1的(b)中，示出了各芯片11和线圈部件用芯10的截面形状为矩形状的例子。不过，本发明不限于该例，各芯片11和线圈部件用芯10的截面形状例如也可以是圆形状、椭圆形状、除了矩形以外的多边形状等。
如图2所示，本实施方式的线圈部件100包括本实施方式的线圈部件用芯10和卷绕于线圈部件用芯10的线圈50。
线圈部件100例如是电感器。
根据以上那样的第1实施方式，关于构成线圈部件用芯10的多个芯片11中的各个芯片11，通过将l/S设为1.0以下，能够在不改变线圈部件用芯10的有效相对导磁率的前提下大幅地改善线圈部件用芯10的直流叠加特性。
〔第2实施方式〕
接着，使用图3，说明第2实施方式。
本实施方式的线圈部件用芯10与上述的第1实施方式的线圈部件用芯10相比，特征进一步在于以下说明的方面，在其他方面，与上述的第1实施方式的线圈部件用芯10同样地构成。
另外，本实施方式的线圈部件(未图示)包括本实施方式的线圈部件用芯10和卷绕于线圈部件用芯10的线圈(未图示)。
关于构成线圈部件用芯10的多个芯片11的形状，本申请发明人等进一步深入研究的结果是，发现了如下内容，即，通过将构成线圈部件用芯10的多个芯片11的数量设为8以上，能够更恰当地改善直流叠加特性。
即，本实施方式的线圈部件用芯10的构成该线圈部件用芯10的芯片11的数量为8以上。
另外，更优选的是，构成线圈部件用芯10的芯片11的数量为10以上，这样一来，能够进一步改善线圈部件用芯10的直流叠加特性。
另外，关于构成线圈部件用芯10的多个芯片11的形状，本申请发明人等进一步深入研究的结果是，发现了如下内容，即，关于构成线圈部件用芯10的多个芯片11中的长度l最大的芯片11，通过将长度l设为线圈部件用芯10的磁路长度的25％以下，能够更恰当地改善直流叠加特性。
即，在本实施方式的线圈部件用芯10中，关于多个芯片11中的各个芯片11，优选的是，l为磁路长度的25％以下。
另外，关于多个芯片11中的各个芯片11，更优选的是，l为磁路长度的20％以下，这样一来，能够进一步改善线圈部件用芯10的直流叠加特性。
另外，关于多个芯片11中的各个芯片11，更优选的是，l为磁路长度的15％以下，这样一来，能够进一步改善线圈部件用芯10的直流叠加特性。
另外，在构成线圈部件用芯10的芯片11的数量为8以上的情况下，关于构成线圈部件用芯10的多个芯片11的形状，本申请发明人等进一步深入研究的结果是，发现了如下内容，即，关于构成线圈部件用芯10的多个芯片11中的长度l最大的芯片11，通过将长度l设为线圈部件用芯10的磁路长度的30％以下，能够更恰当地改善直流叠加特性。
即，在构成线圈部件用芯10的芯片的数量为8以上的情况下，关于多个芯片11中的各个芯片11，优选的是，l为磁路长度的30％以下，这样一来，能够良好地改善线圈部件用芯10的直流叠加特性。
在图3所示的例子中，构成线圈部件用芯10的芯片11的数量为8，各芯片11形成为彼此相同的形状。因此，在图3所示的例子中，各芯片11的长度l为磁路长度的12.5％。也就是说，在图3所示的线圈部件用芯10中，构成该线圈部件用芯10的芯片11的数量为8以上，并且关于构成线圈部件用芯10的多个芯片11中的长度l最大的芯片11，长度l为线圈部件用芯10的磁路长度的15％以下。
根据以上那样的第2实施方式，通过使构成线圈部件用芯10的芯片11的数量为8以上，能够更恰当地改善直流叠加特性。
另外，通过使构成线圈部件用芯10的多个芯片11各自的长度l为磁路长度的25％以下，能够更恰当地改善直流叠加特性。
另外，在构成线圈部件用芯10的芯片的数量为8以上的情况下，通过使构成线圈部件用芯10的多个芯片11各自的长度l为磁路长度的30％以下，也能够良好地改善直流叠加特性。
实施例
以下，说明各实施例和比较例。
＜关于实施例1～20和比较例1～7＞
首先，使用图4～图7，说明实施例1～实施例20、比较例1～比较例7。
将在各实施例1～20和各比较例1～7中使用的线圈部件用芯的参数示于图4。
作为各线圈部件用芯，使用圆环状的形状的线圈部件用芯。
如图4所示，外径为30mm，内径为20mm，因此图1的(b)所示的宽度w为10/2＝5mm。另外，如图5中所示，关于各实施例1～20和各比较例1～7，图1的(b)所示的高度(厚度)h设为5mm、2.5mm以及10mm这3种中的任一种。
如图4所示，关于各实施例1～20和各比较例1～7，作为构成线圈部件用芯的各芯片的芯材，使用相对导磁率μ为100的金属类的烧结芯材。
关于3种高度h中的各种高度h，准备芯片的数量为1个(图6的(a))、2个(图6的(b))、3个(图6的(c))、4个(图6的(d))、6个(图6的(e))、8个(图6的(f))、10个(图6的(g))、12个(图6的(h))以及16个(图6的(i))这9种线圈部件用芯。如图6的(a)所示，其中的芯片的数量为1个的线圈部件用芯的芯片(在该情况下，芯片是线圈部件用芯)呈C形环状。另外，如图6的(b)、图6的(c)、图6的(d)、图6的(e)、图6的(f)、图6的(g)、图6的(h)、图6的(i)分别所示，芯片的数量为2个以上的线圈部件用芯的各芯片呈弧状，各芯片的长度l彼此均等。在芯片的数量为2个以上的线圈部件用芯中，等间隔地配置数量与芯片的数量相同的非磁性间隙。另外，在各个线圈部件用芯中，多个非磁性间隙的间隙间隔的大小设为相同(恒定)。
另外，调整各非磁性间隙的间隙间隔以使有效相对导磁率成为40。通过将线径为0.9mm的包覆导线即金属线卷绕于线圈部件用芯50匝而设置线圈，构成线圈部件。然后，将线圈部件插入形成有两个外部电极的壳体，将线圈的两个端子分别软钎焊于外部电极，制作电感器。
将线圈部件用芯的有效相对导磁率调整为30，因此如图5所示，在高度h相同的线圈部件用芯彼此中，初始的电感(初始L值)在任一个电感器中都相同。
此外，在初始L值的测定中，将Agilent公司制的BIAS CURRENT TEST FIXTURE42842B(以下，称为第2测定装置)与Agilent公司制的Precision LCR Meter E4980A(以下，称为第1测定装置)连接，在不施加直流偏置电流的前提下进行电感值的测定。
关于各实施例1～20和各比较例1～7，将芯片的长度l、截面积S、l/S的值、10kHz条件下的初始L值、直流叠加特性的测定值以及直流叠加特性的相对评价分别示于图5。
此处，直流叠加特性是L值与初始相比减少了30％时的直流电流的值(Isat-30％的测定值)。能够判断为，该值越高则能够将电感值保持至越大的电流(即性能越优异)。
此外，在直流叠加特性的测定中，将上述第2测定装置与上述第1测定装置连接，进而将Agilent公司制的BIAS CURRENT SOURCE 42841A与第2测定装置连接，施加直流偏置电流而进行电感值的测定。此时，将直流偏置电流从0A每次提高0.5A而进行测定，直到电感值从初始L值降低30％以上为止进行测定。将测定的电感值标绘于图表，从图表读取电感值相对于初始L值成为-30％的点的电流值，从而测定直流叠加特性(Isat-30％的测定值)。
另外，对于直流叠加特性的相对评价而言，将评价极为良好的情况设为双圆圈，将评价良好的情况设为单圆圈，将除此以外的情况设为×。
如图5所示，关于各实施例1～20，即l/S的值为1.0以下的线圈部件用芯，均获得良好的直流叠加特性，直流叠加特性的相对评价成为双圆圈或单圆圈。特别是，关于各实施例4～7、11、12、15～20，即l/S的值为0.4以下的线圈部件用芯，均获得极为良好的直流叠加特性，直流叠加特性的相对评价成为双圆圈。
另外可知，优选的是，构成线圈部件用芯的芯片的数量为3个以上，更优选的是，数量为6个以上，进一步优选的是，数量为8个以上，更进一步优选的是，数量为10个以上。
图7是标绘有关于3种高度h中的各种高度h的9种线圈部件用芯的直流叠加特性的图表。在图7中，横轴为l/S，纵轴为直流叠加特性。
根据图7也可知，通过将l/S的值设为1.0以下，能够获得良好的直流叠加特性。另外可知，通过将l/S的值设为0.8以下，能够获得更良好的直流叠加特性，通过将l/S的值设为0.65以下，能够获得进而更良好的直流叠加特性，通过将l/S的值设为0.5以下，能够获得特别良好的直流叠加特性，通过将l/S的值设为0.4以下，能够获得极为良好的直流叠加特性。另外可知，在l/S的值为大约0.3以下的条件下，直流叠加特性存在饱和的倾向。也就是说，特别优选的是，l/S的值为0.3以下。
此外，图5所示的直流叠加特性是将小数点后第一位以后四舍五入而得到的值，在图7的图表中标绘的是四舍五入之前的值。
＜关于实施例21～28和比较例8、9＞
接着，使用图8～图10，说明实施例21～实施例28和比较例8、9。
在这些例子中也是，作为各线圈部件用芯，使用圆环状的形状的线圈部件用芯。
在这些例子中也是，线圈部件用芯的参数如图4所示。不过，关于高度(厚度)h，均设为5mm。
如图8～图9的(j)所示，准备芯片的数量为1个(图9的(a)：比较例8)、2个(图9的(b)：比较例9)、4个(图9的(c)：实施例21)、5个(图9的(d)：实施例22)、6个(图9的(e)：实施例23)、8个(图9的(f)：实施例24)、9个(图9的(g)：实施例25)、10个(图9的(h)：实施例26)、12个(图9的(i)：实施例27)、15个(图9的(j)：实施例28)这10种线圈部件用芯。
如图9的(a)所示，其中的芯片的数量为1个的线圈部件用芯的芯片(在该情况下，芯片是线圈部件用芯)呈C形环状。另外，如图9的(b)、图9的(c)、图6的(d)、图9的(e)、图9的(f)、图9的(g)、图9的(h)、图9的(i)、图9的(j)分别所示，芯片的数量为2个以上的线圈部件用芯的各芯片呈弧状，各芯片的长度l均等。在芯片的数量为2个以上的线圈部件用芯中，等间隔地配置数量与芯片的数量相同的非磁性间隙。另外，在各个线圈部件用芯中，多个非磁性间隙的间隙间隔的大小设为相同。
在这些例子中也是，将线径为0.9mm的包覆导线卷绕于线圈部件用芯50匝而设置线圈，构成线圈部件。然后，将线圈部件插入形成有两个外部电极的壳体，将线圈的两个端子分别软钎焊于外部电极，制作电感器。
将线圈部件用芯的有效相对导磁率调整为40，因此如图8所示，任一个电感器的初始的电感(初始L值)都相同。另外，构成线圈的金属线的匝数全部相同(50匝)，因此各电感器的直流电阻值也相同。
此外，与各实施例1～20和各比较例1～7同样地进行初始L值的测定。
关于实施例21～28和比较例8、9，将直流叠加特性的测定值示于图8。
在这些例子中也是，直流叠加特性是L值与初始相比减少了30％时的直流电流的值(Isat-30％的测定值)。能够判断为，该值越高则能够将电感值保持至越大的电流(即性能越优异)。
此外，与各实施例1～20和各比较例1～7同样地进行直流叠加特性的测定。
根据图8所示的结果可知，通过将芯片的数量设为4个以上，能够获得优异的直流叠加特性，通过将芯片的数量设为8个以上，能够获得特别优异的直流叠加特性。并且，通过将芯片的数量设为10个以上，能够获得极为优异的直流叠加特性。
图10是标绘有这些例子中的直流叠加特性的图表。在图10中，横轴为芯片的数量，纵轴为直流叠加特性。
根据图10也可知，通过将芯片的数量设为4个以上，能够获得优异的直流叠加特性，通过将芯片的数量设为8个以上，能够获得特别优异的直流叠加特性。可知，特别是，通过将芯片的数量设为10个以上，直流叠加特性存在饱和的倾向。也就是说，特别优选的是，芯片的数量为10个以上。
此外，图8所示的直流叠加特性是将小数点后第一位以后四舍五入而得到的值，在图10的图表中标绘的是四舍五入之前的值。
＜关于实施例29～64和比较例10～19＞
接着，使用图11～图15，说明实施例29～实施例64和比较例10～比较例19。
在这些例子中也是，作为各线圈部件用芯，使用圆环状的形状的线圈部件用芯。
在这些例子中也是，线圈部件用芯的参数如图4所示。不过，关于高度(厚度)h，均设为5mm。
如图11所示，关于实施例29～46和比较例10～14，将芯片的数量(芯片数)均设为8个。
如图12所示，关于实施例47～64和比较例15～19，将芯片的数量(芯片数)均设为10个。
各芯片呈弧状。另外，在各个线圈部件用芯中，多个非磁性间隙的间隙间隔的大小设为相同。
在实施例29中，各芯片的长度l均等。
另一方面，关于实施例30～46和比较例10～14，一部分芯片的长度l与其他芯片的长度l不同。
另外，实施例47中，各芯片的长度l均等。
另一方面，关于实施例48～64和比较例15～19，一部分芯片的长度l与其他芯片的长度l不同。
图13的(a)～图13的(h)表示关于实施例29～46中的一部分例子的线圈部件用芯的形状。
例如，图13的(a)表示各芯片的长度l均等的实施例29的线圈部件用芯的形状。此处，关于各芯片，沿着顺时针方向标注p1、p2、p3、p4、p5、p6、p7、p8的附图标记，该附图标记也与图11的记载相对应。如上所述，在实施例29中，各芯片的长度l均等，因此如图11所示，各芯片p1～p8的长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例分别成为100/8＝12.5％。此外，图11所示的各芯片p1～p8的长度的比例成为也包含非磁性间隙的间隙间隔的长度的比例。
图13的(b)表示实施例30的线圈部件用芯的形状。如图11所示，在实施例30中，仅芯片p1的长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例为15％，关于其他芯片p2～p8，长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例分别成为12％。
此处，图11所示的“最大芯片”是指芯片p1～p8中的长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例最大的芯片。例如，在实施例30中，仅芯片p1是最大芯片，因此在图11中，关于实施例30，记载了“最大芯片”的“数量”为1且“最大芯片”的“长度”为15％的主要内容。
图13的(c)表示实施例31的线圈部件用芯的形状。如图11所示，在实施例31中，仅芯片p1的长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例为20％，关于其他芯片p2～p8，长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例分别成为11％。如图11所示，在实施例31中，“最大芯片”的“数量”为1，“最大芯片”的“长度”为20％。
图13的(d)表示实施例32的线圈部件用芯的形状。如图11所示，在实施例32中，仅芯片p1的长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例为25％，关于其他芯片p2～p8，长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例分别成为11％。如图11所示，在实施例32中，“最大芯片”的“数量”为1，“最大芯片”的“长度”为25％。
图13的(e)表示实施例34的线圈部件用芯的形状。如图11所示，在实施例34中，仅芯片p1和芯片p2的长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例分别为15％，关于其他芯片p3～p8，长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例分别成为12％。如图11所示，在实施例34中，“最大芯片”的“数量”为2，“最大芯片”的“长度”为15％。
图13的(f)表示实施例35的线圈部件用芯的形状。如图11所示，在实施例35中，仅芯片p1和芯片p2的长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例分别为20％，关于其他芯片p3～p8，长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例分别成为10％。如图11所示，在实施例35中，“最大芯片”的“数量”为2，“最大芯片”的“长度”为20％。
图13的(g)表示实施例36的线圈部件用芯的形状。如图11所示，在实施例36中，仅芯片p1和芯片p2的长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例分别为25％，关于其他芯片p3～p8，长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例分别成为8％。如图11所示，在实施例36中，“最大芯片”的“数量”为2，“最大芯片”的“长度”为25％。
图13的(h)表示实施例38的线圈部件用芯的形状。如图11所示，在实施例38中，仅芯片p1、芯片p2以及芯片p3的长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例分别为15％，关于其他芯片p4～p8，长度相对于线圈部件用芯的磁路长度的比例分别成为11％。如图11所示，在实施例38中，“最大芯片”的“数量”为3，“最大芯片”的“长度”为15％。
另外，在图11中，关于其他实施例和比较例也是，分别示出了各芯片p1～p8的长度及最大芯片的数量和长度。
另外，图12所示的各实施例和比较例的线圈部件用芯分别具备10个芯片p1～p10。在图12中，关于这些实施例和比较例，分别示出了各芯片p1～p10的长度及最大芯片的数量和长度。
此外，在任一个例子中都是，在存在多个最大芯片的情况下，以使这些最大芯片在磁路方向上彼此相邻的方式配置各芯片(在磁路方向上，集中地配置最大芯片)。
关于实施例29～64和比较例10～19也是，将线径为0.9mm的包覆导线卷绕于线圈部件用芯50匝而设置线圈，构成线圈部件。然后，将线圈部件插入形成有两个外部电极的壳体，将线圈的两个端子分别软钎焊于外部电极，制作电感器。
将线圈部件用芯的有效相对导磁率调整为40，因此如图11和图12所示，任一个电感器的初始的电感(初始L值)都相同。另外，构成线圈的金属线的匝数全部相同(50匝)，因此电感器的直流电阻值也相同。
此外，与各实施例1～20和各比较例1～7同样地进行初始L值的测定。
关于实施例29～64和比较例10～19，将直流叠加特性的测定值示于图11和图12。
在这些例子中也是，直流叠加特性是L值与初始相比减少了30％时的直流电流的值(Isat-30％的测定值)。能够判断为，该值越高则能够将电感值保持至越大的电流(即性能越优异)。
此外，与各实施例1～20和各比较例1～7同样地进行直流叠加特性的测定。
根据图11和图12所示的结果可知，在构成线圈部件用芯的芯片的数量为8以上的情况下，关于构成线圈部件用芯的多个芯片中的长度最大的芯片，通过将l设为线圈部件用芯的磁路长度的30％以下，能够获得优异的直流叠加特性。也就是说，在构成线圈部件用芯的芯片的数量为8以上的情况下，通过将最大芯片的长度设为线圈部件用芯的磁路长度的30％以下，能够获得优异的直流叠加特性。
另外可知，通过将最大芯片的长度设为线圈部件用芯的磁路长度的25％以下，能够获得更优异的直流叠加特性，通过将最大芯片的长度设为线圈部件用芯的磁路长度的20％以下，能够获得进而更优异的直流叠加特性，通过将最大芯片的长度设为线圈部件用芯的磁路长度的15％以下，能够获得特别优异的直流叠加特性。
图14是标绘有图11所示的各实施例和比较例的直流叠加特性的图表，图15是标绘有图12所示的各实施例和比较例的直流叠加特性的图表。
在图14和图15各自中，横轴为最大芯片的长度，纵轴为直流叠加特性。
根据图14和图15也可知，在构成线圈部件用芯的芯片的数量为8以上的情况下，通过将最大芯片的长度设为线圈部件用芯的磁路长度的30％以下，能够获得优异的直流叠加特性。
另外可知，通过将最大芯片的长度设为线圈部件用芯的磁路长度的25％以下，能够获得更优异的直流叠加特性，通过将最大芯片的长度设为线圈部件用芯的磁路长度的20％以下，能够获得进而更优异的直流叠加特性，通过将最大芯片的长度设为线圈部件用芯的磁路长度的15％以下，能够获得特别优异的直流叠加特性。
此外，图11和图12所示的直流叠加特性是将小数点后第一位以后四舍五入而得到的值，在图14和图15的图表中标绘的是四舍五入之前的值。
以上，参照附图，说明了各实施方式，但这些实施方式是本发明的示例，也能够采用除了上述以外的各种结构。另外，能够将上述的各实施方式在不脱离本发明的主旨的范围内适当地组合。
本实施方式包含以下的技术思想。
(1)一种线圈部件用芯，其具备呈环状连接地配置的多个芯片而构成，其中，
关于所述多个芯片中的各个芯片，若将磁路方向上的长度设为l并将与磁路方向正交的截面的截面积设为S，则l/S为1.0以下。
(2)根据(1)所述的线圈部件用芯，其中，关于所述多个芯片中的各个芯片，l/S为0.8以下。
(3)根据(1)或(2)所述的线圈部件用芯，其中，所述芯片的数量为8以上。
(4)根据(1)或(2)所述的线圈部件用芯，其中，所述芯片的数量为10以上。
(5)根据(1)～(4)中任一项所述的线圈部件用芯，其中，关于所述多个芯片中的各个芯片，l为磁路长度的25％以下。
(6)根据(1)～(4)中任一项所述的线圈部件用芯，其中，关于所述多个芯片中的各个芯片，l为磁路长度的20％以下。
(7)根据(3)或(4)所述的线圈部件用芯，其中，关于所述多个芯片中的各个芯片，l为磁路长度的30％以下。
(8)一种线圈部件，其中，该线圈部件包括(1)～(7)中任一项所述的线圈部件用芯和卷绕于所述线圈部件用芯的线圈。

Claims (8)

1.一种线圈部件用芯，其具备呈环状连接地配置的多个芯片而构成，其中，
关于所述多个芯片中的各个芯片，若将磁路方向上的长度设为l并将与磁路方向正交的截面的截面积设为S，则l/S为1.0以下。
2.根据权利要求1所述的线圈部件用芯，其中，
关于所述多个芯片中的各个芯片，l/S为0.8以下。
3.根据权利要求1或2所述的线圈部件用芯，其中，
所述芯片的数量为8以上。
4.根据权利要求1或2所述的线圈部件用芯，其中，
所述芯片的数量为10以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的线圈部件用芯，其中，
关于所述多个芯片中的各个芯片，l为磁路长度的25％以下。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的线圈部件用芯，其中，
关于所述多个芯片中的各个芯片，l为磁路长度的20％以下。
7.根据权利要求3或4所述的线圈部件用芯，其中，
关于所述多个芯片中的各个芯片，l为磁路长度的30％以下。
8.一种线圈部件，其中，
该线圈部件包括权利要求1～7中任一项所述的线圈部件用芯和卷绕于所述线圈部件用芯的线圈。
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