CN110120460B - 显示面板和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板和电子设备。所述显示面板包括：基板；薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层位于所述基板上；发光层，所述发光层位于所述薄膜晶体管层上，所述发光层包括多个像素点；其中，所述发光层还包括多个聚光单元，所述聚光单元中的每一个均位于两个相邻的像素点之间，与所述像素点间隔设置。本发明提供的显示面板和电子设备能够增强光线识别单元接收到的反射光线的强度，避免设备老化。

Description

显示面板和电子设备
技术领域
本发明涉及电子显示领域，尤其涉及一种显示面板和电子设备。
背景技术
随着显示技术的发展，为了实现具有超高屏占比的智能设备，需要将指纹识别设备、摄像头等光学元件集成在显示面板中或设置在显示面板下方。
以指纹识别设备为例，为了获取指纹图像，需要由显示面板的像素点发出光线，穿过显示面板照射到手指上，之后由位于显示屏下方的指纹识别设备接收被手指反射的光线进行成像。这一过程中，显示面板的各个功能膜层会对光线进行吸收和反射，导致反射光线被大幅度损耗，达不到识别所需要的强度。因此，需要指纹识别区域的像素点发出强度很高(600nits以上)的光线才能实现屏下指纹识别。
然而，高强度的发射光会使得该区域的像素点相比于其他区域更容易老化，影响显示面板的显示效果，降低显示面板的使用寿命。
发明内容
本发明提供一种显示面板和电子设备，以增强光线识别单元接收到的反射光线的强度，避免设备老化。
为解决上述问题，本发明提供了一种显示面板，其包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层位于所述基板上；
发光层，所述发光层位于所述薄膜晶体管层上，所述发光层包括多个像素点；
聚光结构，所述聚光结构包括多个聚光单元，每一所述聚光单元与所述像素点间隔设置。
根据本发明的其中一个方面，所述聚光单元为折射率渐变的透光膜层。
根据本发明的其中一个方面，所述聚光单元的折射率从周围到中心逐渐增大，所述聚光单元的几何中心的折射率最大。
根据本发明的其中一个方面，所述发光层包括非功能区，所述非功能区设有像素定义层，所述聚光结构位于所述像素定义层中。
根据本发明的其中一个方面，所述聚光单元位于两个相邻的像素点之间的像素定义层中。
根据本发明的其中一个方面，所述聚光单元的高度等于所述像素定义层的高度。
根据本发明的其中一个方面，所述平坦化层设有多个金属避让区，所述多个聚光单元位于所述薄膜晶体管层的金属避让区中。
根据本发明的其中一个方面，所述聚光单元的高度小于或等于所述金属避让区的高度。
相应的，本发明还提供了一种电子设备，其包括显示面板，所述显示面板包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层位于所述基板上；
发光层，所述发光层位于所述薄膜晶体管层上，所述发光层包括多个像素点；
聚光结构，所述聚光结构包括多个聚光单元，每一所述聚光单元与所述像素点间隔设置。
根据本发明的其中一个方面，所述电子设备还包括位于所述基板背离所述发光层一侧的光线识别单元。
本发明在发光层的像素点之间设置了聚光单元，聚光单元为折射率渐变的透光膜层，能够聚集被手指反射后进入屏幕的光线，进而在弱光强下收集更多的指纹信息，并投射到对应的光学传感器上。本发明无需指纹识别区的像素单元发出高强度的光线即可实现数据采集，有效的提高了显示面板的使用寿命。
附图说明
图1为现有技术中的显示面板的剖面图；
图2为本发明的一个具体实施例中的显示面板的剖面图；
图3为本发明的一个具体实施例中的显示面板的局部剖面图；
图4为本发明的一个具体实施例中的显示面板的放大结构图；
图5为本发明的另一个具体实施例中的显示面板的放大结构图；
图6为本发明的再一个具体实施例中的显示面板的放大结构图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
首先对现有技术进行简要说明。参见图1，图1为现有技术中的显示面板的结构示意图。所述显示面板包括基板20、发光层30、封装层40和盖板50。
所述基板20中含有用于控制显示的包膜晶体管层。多数发光层30包括多个像素点32和位于所述多个像素点32之间的隔离单元34。在本实施例中，所述隔离单元为像素定义层。
光线识别单元10设置在所述显示面板下方。通常，所述光线识别单元10为指纹识别单元，用于根据进入显示面板的反射光线识别出对应的指纹图像。
为了获取指纹图像，需要由显示面板的像素点32发出光线，穿过显示面板照射到手指上，之后由位于显示屏下方的指纹识别设备接收被手指反射的光线进行成像。这一过程中，显示面板的各个功能膜层会对光线进行吸收和反射，导致反射光线被大幅度损耗，达不到识别所需要的强度。因此，需要指纹识别区域的像素点发出强度很高(600nits以上)的光线才能实现屏下指纹识别。
然而，高强度的发射光会使得该区域的像素点相比于其他区域更容易老化，影响显示面板的显示效果，降低显示面板的使用寿命。
为了解决上述问题，本发明提供一种显示面板和电子设备，以增强光线识别单元接收到的反射光线的强度，避免设备老化。参见图2、图3和图4。图2为本发明的一个具体实施例中的显示面板的剖面图；图3为本发明的一个具体实施例中的显示面板的局部剖面图；图4为本发明的一个具体实施例中的显示面板的放大结构图。
本发明提供了一种显示面板，其包括：基板20、发光层30、封装层40和盖板50。
所述基板20包括薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层位于所述基板20上。所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管与发光层中的发光结构对应。
所述发光层30位于所述薄膜晶体管层上，所述发光层30包括多个像素点32。
参见图4，图4示出了所述薄膜晶体管层和所述发光层30的结构。所述薄膜晶体管层包括衬底112、缓冲层116、有源区120、栅极介质层130、栅极金属层140、层间介质层150、源漏金属层160以及平坦化层170。所述发光层包括像素定义层210、阳极220、发光材料230以及阴极240，薄膜封装层250覆盖所述发光结构30。
相比于现有技术，本发明还包括聚光结构，所述聚光结构包括多个聚光单元36，所述聚光单元36中的每一个均位于两个相邻的像素点之间，与所述像素点32间隔设置。
参见图2，所述发光层30包括非功能区，所述非功能区设有像素定义层，所述聚光结构位于所述像素定义层中。所述像素定义层定义了多个像素点32，所述多个聚光单元36位于所述非功能区的多个像素点32中的任意两个之间。聚光单元36能够将进入显示面板的光线汇聚，减少光线损失，增强光线强度。
所述聚光单元36为折射率渐变的透光膜层，本实施例中，所述聚光单元36可以是微透镜，也可以是其他透光材料。优选的，所述聚光单元36的折射率从周围到中心逐渐增大，靠近像素点30的区域折射率小，中心处的折射率最大。与不同颜色的像素点相邻的聚光单元36可具有相同的折射率变化，也可具有不同的折射率变化。构成所述聚光单元36的渐变折射率层可通过在原像素定义层内扩散高折射率的有机或无机材料得到，折射率的变化可通过计算扩散时间控制。
探测器灵敏度与微透镜的光线收集能力直接相关。本发明中的聚光单元36能够汇聚光线用，当像素点32发射出强度较弱的光时，其反射光经微透镜汇聚也可被探测器有效地接收，进而提高了光学屏下指纹的探测灵敏度。
参见图3和图4，所述聚光单元36位于两个相邻的像素点32之间的像素定义层210中，所述聚光单元36的高度等于所述像素定义层210的高度。本实施例中，所述薄膜晶体管层具有多个金属避让区，所述多个金属避让区的位置与所述多个聚光单元36的位置一一对应。
参见图5和图6，在本发明的其他实施例中，所述薄膜晶体管层的平坦化层设有多个金属避让区，所述聚光单元36位于所述金属避让区中。如图5所示，所述聚光单元36位于所述薄膜晶体管层的平坦化层170中。如图6所示，所述聚光单元36位于所述薄膜晶体管层的平坦化层170和所述发光层的像素定义层210中。所述聚光单元36的高度小于或等于所述金属避让区的高度。
相应的，本发明还提供了一种电子设备，其包括显示面板和位于所述基板背离所述发光层一侧的光线识别单元，所述光线识别单元位于至少部分所述聚光单元36下方。
所述显示面板包括基板20、发光层30、封装层40、聚光结构和盖板50。
所述基板20包括薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层位于所述基板20上。所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管与发光层中的发光结构对应。
所述发光层30位于所述薄膜晶体管层上，所述发光层30包括多个像素点32。所述聚光结构包括多个聚光单元，每一所述聚光单元与所述像素点间隔设置。
参见图4，图4示出了所述薄膜晶体管层和所述发光层30的结构。所述薄膜晶体管层包括衬底112、缓冲层116、有源区120、栅极介质层130、栅极金属层140、层间介质层150、源漏金属层160以及平坦化层170。所述发光层包括像素定义层210、阳极220、发光材料230以及阴极240，薄膜封装层250覆盖所述发光结构30。
相比于现有技术，本发明在所述发光层30中设置了聚光结构，所述聚光结构包括多个聚光单元36，所述聚光单元36中的每一个均位于两个相邻的像素点之间，与所述像素点32间隔设置。
参见图2，所述发光层30包括非功能区，所述非功能区设有像素定义层，所述聚光结构位于所述像素定义层中。所述像素定义层定义了多个像素点32，所述多个聚光单元36位于所述功能区的多个像素点32中的任意两个之间。聚光单元36能够将进入显示面板的光线汇聚，减少光线损失，增强光线强度。
所述聚光单元36为折射率渐变的透光膜层，本实施例中，所述聚光单元36可以是微透镜，也可以是其他透光材料。优选的，所述聚光单元36的折射率从周围到中心逐渐增大，靠近像素点30的区域折射率小，中心处的折射率最大。与不同颜色的像素点相邻的聚光单元36可具有相同的折射率变化，也可具有不同的折射率变化。构成所述聚光单元36的渐变折射率层可通过在原像素定义层内扩散高折射率的有机或无机材料得到，折射率的变化可通过计算扩散时间控制。
探测器灵敏度与微透镜的光线收集能力直接相关。本发明中的聚光单元36能够汇聚光线用，当像素点32发射出强度较弱的光时，其反射光经微透镜汇聚也可被探测器有效地接收，进而提高了光学屏下指纹的探测灵敏度。
参见图3和图4，所述聚光单元36位于两个相邻的像素点32之间的像素定义层210中，所述聚光单元36的高度等于所述像素定义层210的高度。本实施例中，所述薄膜晶体管层具有多个金属避让区，所述多个金属避让区的位置与所述多个聚光单元36的位置一一对应。
参见图5和图6，在本发明的其他实施例中，所述薄膜晶体管层的平坦化层设有多个金属避让区，所述聚光单元36位于所述金属避让区中。如图5所示，所述聚光单元36位于所述薄膜晶体管层的平坦化层170中。如图6所示，所述聚光单元36位于所述薄膜晶体管层的平坦化层170和所述发光层的像素定义层210中。所述聚光单元36的高度小于或等于所述金属避让区的高度。
本发明在发光层的像素点之间设置了聚光单元，聚光单元为折射率渐变的透光膜层，能够聚集被手指反射后进入屏幕的光线，进而在弱光强下收集更多的指纹信息，并投射到对应的光学传感器上。本发明无需指纹识别区的像素单元发出高强度的光线即可实现数据采集，有效的提高了显示面板的使用寿命。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层位于所述基板上，所述薄膜晶体管层包括平坦化层，所述平坦化层设有多个金属避让区；
发光层，所述发光层位于所述薄膜晶体管层上，所述发光层包括多个像素点，所述发光层包括非功能区，所述非功能区设有像素定义层，所述像素定义层定义了多个像素点，所述像素定义层与所述金属避让区一一对应设置；
聚光结构，所述聚光结构包括多个聚光单元，所述聚光单元位于所述金属避让区和所述像素定义层中，以使每一所述聚光单元与所述像素点间隔设置；
所述聚光单元为折射率渐变的透光膜层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述聚光单元的折射率从周围到中心逐渐增大，所述聚光单元的几何中心的折射率最大。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光层包括功能区，所述功能区包括至少部分彼此相邻的多个像素点，所述多个聚光单元位于所述功能区的多个像素点中的任意两个像素点之间。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述聚光单元的高度等于所述像素定义层的高度。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述聚光单元的高度等于所述金属避让区的高度。
6.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括显示面板，所述显示面板包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层位于所述基板上，所述薄膜晶体管层包括平坦化层，所述平坦化层设有多个金属避让区；
发光层，所述发光层位于所述薄膜晶体管层上，所述发光层包括多个像素点，所述发光层包括非功能区，所述非功能区设有像素定义层，所述像素定义层定义了多个像素点，所述像素定义层与所述金属避让区一一对应设置；
聚光结构，所述聚光结构包括多个聚光单元，所述聚光单元位于所述金属避让区和所述像素定义层中，以使每一所述聚光单元与所述像素点间隔设置；
所述聚光单元为折射率渐变的透光膜层。
7.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括位于所述基板背离所述发光层一侧的光线识别单元。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110600508B (zh) * 2019-08-22 2021-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110808271A (zh) * 2019-11-13 2020-02-18 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN110797383B (zh) * 2019-11-14 2021-09-07 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN111584754B (zh) * 2020-05-27 2022-07-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111697037B (zh) * 2020-06-04 2024-04-09 武汉天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板及显示装置
CN112086489B (zh) * 2020-09-08 2024-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113960837A (zh) * 2021-10-29 2022-01-21 上海天马微电子有限公司 双面显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010773A (ja) 2006-06-30 2008-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子およびその製造方法
EP2710582A4 (en) * 2011-05-17 2014-12-31 Cross Match Technologies Inc DIGITAL FOOTPRINT SENSORS
CN103728544A (zh) * 2012-10-10 2014-04-16 新世纪光电股份有限公司 检测装置
CN103500754B (zh) * 2013-09-29 2016-11-02 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制作方法、显示装置
US10635878B2 (en) * 2015-10-23 2020-04-28 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Optical fingerprint sensor with force sensing capability
US9934418B2 (en) * 2015-12-03 2018-04-03 Synaptics Incorporated Display integrated optical fingerprint sensor with angle limiting reflector
CN106022324B (zh) * 2016-08-04 2019-04-30 京东方科技集团股份有限公司 一种纹路识别显示装置
JP6873737B2 (ja) * 2017-02-23 2021-05-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び照明装置
CN106847872B (zh) * 2017-03-24 2020-03-20 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
CN107368822B (zh) 2017-08-18 2020-09-08 上海天马微电子有限公司 一种显示装置及其制造方法、以及电子设备
CN208654805U (zh) * 2018-07-31 2019-03-26 Oppo广东移动通信有限公司 显示屏组件及电子设备
WO2020068242A1 (en) * 2018-09-27 2020-04-02 Apple Inc. Under-display optical fingerprint sensor with nfv collimator and tft/organic imager
US11482644B2 (en) * 2018-09-29 2022-10-25 Intel Corporation Nanowire light emitting diodes with high extraction efficiency for micro LED displays
CN109190599A (zh) 2018-10-15 2019-01-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN109472236A (zh) * 2018-11-02 2019-03-15 成都晶砂科技有限公司 一种全屏指纹识别屏及指纹识别方法

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