CN110120356A - 分割预定线的检测方法 - Google Patents

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Abstract

提供分割预定线的检测方法，能够降低伴随着加工的切削屑附着于器件芯片的可能性。分割预定线的检测方法对用于将具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置按照每个器件芯片进行单片化的分割预定线进行检测，该分割预定线的检测方法具有保持步骤(ST1)、超声波测量步骤(ST2)以及检测步骤(ST3)。在保持步骤中，将半导体装置保持于保持工作台。在超声波测量步骤中，一边使保持工作台所保持的半导体装置和作为超声波照射单元发挥功能的超声波探头按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边对半导体装置的规定的厚度部分照射超声波，并对反射回波进行测量。在检测步骤中，根据反射回波的分布对分割预定线进行检测。

Description

分割预定线的检测方法
技术领域
本发明涉及分割预定线的检测方法。
背景技术
当按照每个器件芯片对具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置进行分割时，为了识别分割预定线，已知有将半导体装置的外周部去除而使埋设于分割预定线的槽的树脂露出的方法(例如，专利文献1)。
专利文献1：日本特开2017-117990号公报
但是，在专利文献1的方法中，存在如下的问题：对半导体装置的外周部进行加工，从而伴随着外周部的加工的切削屑有可能会附着于器件芯片。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供分割预定线的检测方法，降低伴随着加工的切削屑附着于器件芯片的可能性。
为了解决上述的课题而实现目的，本发明的分割预定线的检测方法对用于将具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置按照每个该器件芯片进行单片化的分割预定线进行检测，其特征在于，该分割预定线的检测方法具有如下的步骤：保持步骤，将该半导体装置保持于保持工作台；超声波测量步骤，一边使该保持工作台所保持的该半导体装置和超声波照射单元按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边对该半导体装置的规定的厚度部分照射超声波，并对反射回波进行测量；以及检测步骤，根据该反射回波的分布对该分割预定线进行检测。
也可以是，该检测步骤进一步具有如下的图像处理步骤：将该反射回波转换成具有颜色信息的图像数据，该分割预定线的检测方法根据该图像数据的颜色信息对该分割预定线进行检测。
也可以是，该分割预定线的检测方法在实施该超声波测量步骤之前具有如下的步骤：准备超声波测量步骤，一边使该半导体装置和该超声波照射单元按照规定的间隔在该半导体装置的厚度方向上相对移动，一边对该半导体装置的内部照射超声波，并对准备反射回波进行测量；以及准备检测步骤，根据该准备反射回波在该半导体装置的厚度方向上的分布而确定在该超声波测量步骤中照射超声波的位置。
也可以是，该准备检测步骤进一步具有如下的准备图像处理步骤：将该准备反射回波转换成具有颜色信息的准备图像数据，该分割预定线的检测方法根据该准备图像数据的颜色信息而确定在该超声波测量步骤中照射超声波的位置。
本申请发明的分割预定线的检测方法起到如下的效果：能够降低伴随着加工的切削屑附着于器件芯片的可能性。
附图说明
图1是示出作为实施方式1的分割预定线的检测方法的对象的半导体装置的一例的正面视图。
图2是图1的半导体装置的II-II剖视图。
图3是示出切削装置的结构例的立体图，该切削装置包含实施方式1的分割预定线的检测方法中所用的分割预定线的检测装置。
图4是图3的切削装置所包含的超声波检查单元的IV-IV剖视图。
图5是实施方式1的分割预定线的检测方法的流程图。
图6是对图5的超声波测量步骤进行说明的说明图。
图7是示出在图5的超声波测量步骤中所测量的反射回波的一例的说明图。
图8是示出在图5的超声波测量步骤中所测量的反射回波的另一例的说明图。
图9是示出在图5的图像处理步骤中所得到的图像数据的一例的说明图。
图10是实施方式2的分割预定线的检测方法的流程图。
图11是对图10的准备超声波测量步骤进行说明的说明图。
图12是示出在图10的准备超声波测量步骤中所测量的准备反射回波的一例的说明图。
图13是示出在图10的准备超声波测量步骤中所测量的准备反射回波的另一例的说明图。
图14是示出在图10的准备图像处理步骤中所得到的准备图像数据的一例的说明图。
图15是示出在图10的准备图像处理步骤中所得到的准备图像数据的另一例的说明图。
图16是示出实施方式3的分割预定线的检测方法中所用的分割预定线的检测装置的结构例的概略结构图。
图17是实施方式3的分割预定线的检测方法的一例的流程图。
图18是实施方式3的分割预定线的检测方法的另一例的流程图。
图19是示出作为实施方式1至实施方式3的变形例1的分割预定线的检测方法的对象的半导体装置的一例的正面视图。
图20是图19的半导体装置的XX-XX剖视图。
图21是示出在实施方式1至实施方式3的变形例1的分割预定线的检测方法的图像处理步骤中所得到的图像数据的一例的说明图。
图22是示出作为实施方式1至实施方式3的变形例2的分割预定线的检测方法的对象的半导体装置的一例的正面视图。
图23是图22的半导体装置的XXIII-XXIII剖视图。
标号说明
1、301、331：半导体装置；3：器件芯片；4：树脂；5：分割预定线；6：外周剩余区域；7、307、337：封装器件；8：再布线层；9、305：焊球；10：切削装置；11：保持工作台；12：保持面；13：旋转驱动源；20：切削单元；21：切削刀具；22：主轴；23：主轴壳体；30：X轴移动单元；31、41、51：滚珠丝杠；32、42、52：脉冲电动机；33、43、53：导轨；34：X方向位置检测单元；35、45：线性标尺；36、46：读取头；40：Y轴移动单元；44：Y方向位置检测单元；50：Z轴移动单元；54：Z方向位置检测单元；60：拍摄单元；70：超声波检查单元；71：超声波探头；71-1、71-2、71-3：位置；72：支托；73：水提供路；78：空间；79：水；80：水提供单元；90、200：分割预定线的检测装置；100：控制单元；110：超声波测量部；111：超声波脉冲发生器；112：超声波接收器；113：超声波检测器；120：图像处理部；130：显示单元；140、140-1、140-2、140-3：超声波；150-1、150-2、150-3：反射回波；151、152、153、171、172、173：电压信号；155、315：图像数据；157、158、181、182、183、184、185、192、194、317、318：像素区域；160-1、160-2：点；170-1、170-2：准备反射回波；180、190：准备图像数据；230：扫描装置；234：试样载台；235：支柱；236：3轴扫描器；236-1：X轴方向导轨；236-2：Y轴方向导轨；236-3：Z轴方向导轨；237：保持工作台；240：超声波测量装置；260：控制装置；270：驱动装置；280：图像处理装置；303：焊料凸起；304：封装基板；332：槽；333：凸起。
具体实施方式
参照附图，对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[实施方式1]
根据附图，对本发明的实施方式1的分割预定线的检测方法进行说明。图1是示出作为实施方式1的分割预定线的检测方法的对象的半导体装置1的一例的正面视图。图2是图1的半导体装置1的II-II剖视图。
实施方式1的分割预定线的检测方法是用于将图1和图2所示的半导体装置1按照每个器件芯片3进行单片化的方法。如图1和图2所示，半导体装置1是晶片形状、即圆形的板状，其具有多个器件芯片3、树脂4、分割预定线5、外周剩余区域6、再布线层8以及焊球9。
在半导体装置1中，如图1所示，多个器件芯片3是正方形状，沿着相互垂直的各方向二维排列。器件芯片3是高集成度半导体，是对以硅、蓝宝石、镓等作为母材的半导体晶片或光器件晶片进行分割而制造的，构成各种存储器或LSI(Large Scale Integration：大规模集成)等。器件芯片3排列在再布线层8上并被树脂4密封。
在半导体装置1中，如图1和图2分别所示，树脂4从正面覆盖多个器件芯片3、分割预定线5以及外周剩余区域6而进行密封。树脂4优选使用作为热硬化性的液态树脂的环氧系树脂，在该情况下，树脂4按照覆盖半导体装置1的正面的方式设置，并且在埋设于分割预定线5之后，按照150℃左右进行加热而发生硬化。
在半导体装置1中，如图1和图2分别所示，分割预定线5是设置于相邻的两个器件芯片3之间、在按照每个器件芯片3进行划分并且按照每个器件芯片3进行单片化时作为分割预定的槽。分割预定线5埋设有树脂4。
在半导体装置1中，外周剩余区域6是围绕排列有多个器件芯片3的器件区域且未排列多个器件芯片3的区域。外周剩余区域6与多个器件芯片3以及分割预定线5同样地通过树脂4覆盖正面。
如图2所示，再布线层8配置于器件芯片3的背面侧、即与器件芯片3的覆盖有树脂4的侧相反的一侧。再布线层8共通地设置于多个器件芯片3和分割预定线5。再布线层8是设置有将器件芯片3和搭载有器件芯片3的印刷布线基板之间电连接的布线的层。
如图2所示，在再布线层8的背面侧、即与再布线层8的配设有器件芯片3的侧相反的一侧均匀地配设有多个焊球9。焊球9用于在按照每个器件芯片3对半导体装置1进行了分割之后按照能够电传导的方式将再布线层8与未图示的印刷布线基板之间接合。
图1和图2所示的半导体装置1例如是在将规定的晶片分割成器件芯片3之后，将器件芯片3排列在再布线层8上并利用树脂4进行密封而制造的。半导体装置1沿着分割预定线5按照每个器件芯片3进行分割而分割成各个图1和图2所示的封装器件7。封装器件7具有：再布线层8，其配设有焊球9；一个器件芯片3，其安装于再布线层8上；以及树脂4，其对器件芯片3进行密封。在实施方式1中，封装器件7是FOWLP(Fan Out Wafer Level Package：扇出型晶片级封装)，其是在印刷基板上正面安装单个的器件芯片3时能够以较小的占有面积完成的半导体部件的封装的一个方式。对于作为FOWLP的封装器件7而言，封装面积大于器件芯片3的水平方向的面积，从而能够使端子扩展至器件芯片3的水平方向的外侧，因此在端子数与器件芯片3的水平方向的面积相比较多的用途中也能够采用，在该方面，比后述的WLCSP(Wafer Level Chip Size Package：晶片级芯片尺寸封装)优异。
接着，对包含实施方式1的分割预定线的检测方法中所用的分割预定线的检测装置90在内的切削装置10的一例进行说明。图3是示出切削装置10的结构例的立体图，该切削装置10包含实施方式1的分割预定线的检测方法中所用的分割预定线的检测装置90。
切削装置10是使切削刀具21沿着分割预定线5切入至半导体装置1而按照每个器件芯片3对半导体装置1进行分割从而将半导体装置1单片化成各个封装器件7的装置。对于能够通过可见光线或红外线来检测分割预定线5的被加工物，切削装置10利用拍摄单元60对分割预定线5进行检测而执行对准。对于半导体装置1，切削装置10利用后述的超声波检查单元70对分割预定线5进行检测而执行对准。
如图3所示，切削装置10具有：保持工作台11，其利用保持面12对半导体装置1进行吸引保持；切削单元20，其沿着保持工作台11所保持的半导体装置1的分割预定线5实施切削加工；X轴移动单元30，其使保持工作台11和切削单元20在与水平方向平行的X轴方向上相对移动；Y轴移动单元40，其使保持工作台11和切削单元20在与水平方向平行且与X轴方向垂直的Y轴方向上相对移动；Z轴移动单元50，其使保持工作台11和切削单元20在与X轴方向和Y轴方向这双方垂直的Z轴方向上相对移动；拍摄单元60；超声波检查单元70；以及控制单元100。
关于保持工作台11，朝向Z轴方向的上侧而构成保持面12的部分是由多孔陶瓷等形成的圆盘形状，经由未图示的真空吸引路径而与未图示的真空吸引源连接，通过对载置于保持面12的半导体装置1进行吸引而进行保持。另外，保持工作台11通过旋转驱动源13绕与Z轴方向平行的轴心旋转移动。
X轴移动单元30是使保持工作台11与旋转驱动源13一起在X轴方向上移动而将保持工作台11在X轴方向上进行加工进给的加工进给单元。Y轴移动单元40是使切削单元20与拍摄单元60和超声波检查单元70一起在Y轴方向上移动而将保持工作台11进行分度进给的分度进给单元。Z轴移动单元50是使切削单元20与拍摄单元60和超声波检查单元70一起在Z轴方向上移动而将切削单元20进行切入进给的切入进给单元。X轴移动单元30、Y轴移动单元40和Z轴移动单元50具有：周知的滚珠丝杠31、41、51，它们设置成绕轴心旋转自如；周知的脉冲电动机32、42、52，它们使滚珠丝杠31、41、51绕轴心旋转；以及周知的导轨33、43、53，它们将保持工作台11或切削单元20支承为在X轴方向、Y轴方向或Z轴方向上移动自如。
另外，切削装置10具有：X方向位置检测单元34，其用于对保持工作台11的X方向上的位置进行检测；Y方向位置检测单元44，其用于对切削单元20、拍摄单元60和超声波检查单元70的Y方向上的位置进行检测；以及Z方向位置检测单元54，其用于对切削单元20、拍摄单元60和超声波检查单元70的Z方向上的位置进行检测。X方向位置检测单元34和Y方向位置检测单元44可以包含：与X方向或Y方向平行的线性标尺35、45；以及与保持工作台11或切削单元20一体地移动的读取头36、46。Z方向位置检测单元54利用脉冲电动机52的脉冲对切削单元20的Z方向上的位置进行检测。X方向位置检测单元34、Y方向位置检测单元44和Z方向位置检测单元54将保持工作台11的X方向上的位置、切削单元20、拍摄单元60和超声波检查单元70的Y方向或Z方向上的位置输出至控制单元100。
切削单元20具有：主轴22，其绕与Y轴方向平行的轴心旋转；主轴壳体23，其对主轴22进行收纳且通过Y轴移动单元40和Z轴移动单元50在Y轴方向和Z轴方向上移动；以及切削刀具21，其安装于主轴22。切削刀具21是形成为极薄的环形状的切削磨具，一边被提供切削水一边通过主轴22绕与Y轴方向平行的轴心旋转，从而对保持工作台11所保持的半导体装置1进行切削加工。切削单元20的切削刀具21的切刃的厚度的值优选为半导体装置1的分割预定线5的宽度以下。
拍摄单元60对保持工作台11所保持的被加工物进行拍摄，在实施方式1中，例示出拍摄单元60配设在与切削单元20在X轴方向上并列的位置的方式，但本发明不限于此。拍摄单元60安装于主轴壳体23。拍摄单元60由对保持工作台11所保持的被加工物进行拍摄的CCD相机构成。
超声波检查单元70利用超声波对保持工作台11所保持的半导体装置1进行检查，配设在与切削单元20和拍摄单元60在X轴方向上并列的位置。在实施方式1中，具体而言，超声波检查单元70安装于拍摄单元60的与切削单元20所在侧相反的一侧。
图4是图3的切削装置10中包含的超声波检查单元70的IV-IV剖视图。如图4所示，超声波检查单元70具有超声波探头71和支托72。如图3所示，超声波探头71以能够进行信息通信的方式与控制单元100电连接。
超声波探头71是直径为6mm以上且10mm以下的程度的圆柱状，其轴向配置成与Z轴方向平行。超声波探头71以能够进行信息通信的方式与控制单元100电连接，根据控制单元100的超声波测量部110的动作，能够作为朝向Z轴方向的下侧照射超声波的超声波照射单元进行动作，或者能够作为从Z轴方向的下侧接收超声波而进行检测的超声波检测单元进行动作。超声波探头71的动作的详细情况与超声波测量部110的详细说明一起在后文进行叙述。
如图4所示，支托72设置成比超声波探头71的Z轴方向的下侧的前端部分向Z轴方向的下侧突出而固定于超声波探头71，以便覆盖超声波探头71的Z轴方向的下侧的前端部分的X轴方向和Y轴方向的整个圆周。由此，如图4所示，支托72在比超声波探头71的前端部分靠Z轴方向的下侧的区域形成有空间78，该空间78朝向Z轴方向的下侧具有开口。
如图4所示，支托72具有水提供路73，其用于将水79从设置于超声波检查单元70的外部的水提供单元80提供至空间78。水提供路73是将支托72的外周部与空间78连通的贯通孔，支托72的外周部侧经由水路软管或水路管等而与水提供单元80连通。
水提供单元80是作为经由水提供路73而向空间78和比空间78靠Z轴方向的下侧的空间提供水79的水提供单元发挥功能的装置。水提供单元80能够根据控制单元100的控制而切换至提供水79的状态和停止提供的状态。
控制单元100分别对切削装置10的上述各构成要素进行控制，作为使切削装置10实施对于半导体装置1的加工动作的控制单元发挥功能。控制单元100是能够执行计算机程序的计算机，其具有：运算处理装置，其具有CPU(Central Processing Unit：中央处理器)那样的微处理器；存储装置，其具有ROM(Read Only Memory：只读存储器)或RAM(RandomAccess Memory：随机存取存储器)那样的存储器；以及输入输出接口装置。控制单元100的运算处理装置在RAM上执行存储于ROM的计算机程序，生成用于控制切削装置10的控制信号。控制单元100的运算处理装置将所生成的控制信号经由输入输出接口装置而输入至切削装置10的各构成要素。另外，控制单元100与由显示加工动作的状态或图像等的液晶显示装置等构成的显示单元130和操作者在登记加工内容信息等时所用的未图示的输入单元连接。输入单元由设置于显示单元130的触摸面板和键盘等中的至少一个构成。
如图3所示，控制单元100以能够进行信息通信的方式与切削装置10的上述各构成要素例如切削单元20、X轴移动单元30、Y轴移动单元40、Z轴移动单元50、拍摄单元60、超声波检查单元70、水提供单元80以及显示单元130电连接而对各部进行控制。
控制单元100根据X方向位置检测单元34、Y方向位置检测单元44和Z方向位置检测单元54而获取切削单元20、拍摄单元60和超声波检查单元70的X方向、Y方向和Z方向上的位置信息，并对X轴移动单元30、Y轴移动单元40和Z轴移动单元50进行控制，从而对切削单元20、拍摄单元60和超声波检查单元70的位置进行控制。控制单元100由此使超声波探头71沿着作为检测对象的半导体装置1的Z轴方向的上侧的面进行扫描移动。控制单元100例如使超声波探头71沿着按照规定的间隔在X轴方向和Y轴方向分别排列的各测量点进行扫描移动。另外，该规定的间隔是测量间距，例示出几百μm至1.0mm左右，但并不限于此，可以根据作为检测对象的半导体装置1的尺寸等适当变更。
控制单元100对切削单元20的切削动作、拍摄单元60的拍摄动作以及水提供单元80的水提供动作进行控制。控制单元100的这些功能均通过控制单元100的运算处理装置执行存储于存储装置的计算机程序来实现。
如图3所示，控制单元100具有超声波测量部110和图像处理部120。超声波测量部110的功能和图像处理部120的功能均通过控制单元100的运算处理装置执行存储于存储装置的计算机程序来实现。
超声波测量部110是作为使用超声波探头71而执行超声波测量的超声波测量单元发挥功能的装置，如图3所示，超声波测量部110具有超声波脉冲发生器111、超声波接收器112以及超声波检测器113。
超声波脉冲发生器111对超声波探头71施加脉冲状的电压从而使超声波探头71照射超声波。通过超声波探头71照射的超声波在作为检测对象的半导体装置1的树脂4的正面以及树脂4与器件芯片3的边界面等发生反射，成为反射波而返回至超声波探头71。超声波探头71对该反射波进行检测而转换成电压信号，并发送至超声波接收器112。
超声波接收器112将从超声波探头71输入的电压信号放大而发送至超声波检测器113。超声波检测器113设定有进行检测对象即反射回波的时间指定的门(gate)，对处在该门内的电压信号的强度进行测量。关于超声波检测器113，在实施方式1的分割预定线的检测方法中，例如设定有对从半导体装置1的树脂4与器件芯片3的边界面反射的反射波的电压信号进行检测的门。超声波检测器113获取门内的电压信号的强度的信息作为测量数据。
另外，经超声波接收器112放大的反射波的电压信号与从超声波探头71照射超声波起至返回为止的期间的时间信息相关联。在本说明书中，由反射波的电压信号和与反射波的电压信号相关联的时间信息来构成通过超声波接收器112所获取的反射回波。该反射回波能够按照时间的单位用μs表示、按照电压信号的强度的单位用V表示，并且能够以横轴为时间、纵轴为强度的曲线图等表示为波形。这里，时间是超声波的传播时间，因此通过对该时间的信息使用超声波的传播速度，从而能够求出反射波的厚度方向上的位置。因此，超声波检测器113能够设定进行检测对象即电压信号的时间指定的门。
图像处理部120根据超声波检测器113所获取的测量数据以及X方向位置检测单元34、Y方向位置检测单元44和Z方向位置检测单元54的检测结果而获取图像数据。即，图像处理部120将该测量数据根据X方向位置检测单元34和Y方向位置检测单元44的检测结果而与半导体装置1的X轴方向和Y轴方向上的位置相关联，转换成具有颜色信息的图像数据。具体而言，图像处理部120按照根据X方向位置检测单元34和Y方向位置检测单元44的检测结果而得到的测量数据的每个测量点，根据测量数据所包含的电压信号的强度，将测量数据转换成预先设定的颜色信息，从而制作出作为与各测量点的电压信号相对应的颜色信息的集合体的图像数据。图像处理部120例如将该测量数据转换成具有多个色阶(例如256色阶)的RGB信息的图像数据。或者，图像处理部120也可以将该测量数据转换成具有多个色阶(例如256色阶)的亮度信息的黑白的图像数据。在控制单元100执行对分割预定线5进行检测的处理时，使用图像处理部120制作的图像数据中所包含的颜色信息。
控制单元100根据图像处理部120所获取的图像数据对分割预定线5进行检测。控制单元100能够将从图像处理部120获取的图像数据发送并显示于显示单元130。控制单元100能够将根据图像数据所检测的分割预定线5的信息(例如分割预定线5的宽度方向的中央的位置)与图像数据重叠而发送并显示于显示单元130。
显示单元130从控制单元100获取并显示图像处理部120制作的图像数据。显示单元130能够从控制单元100获取控制单元100进行检测而获取的分割预定线5的信息，并与图像数据重叠而进行显示。显示单元130例示出液晶显示装置，也可以是一并具有作为输入装置的功能的触摸面板。
图3所示的切削装置10的上述保持工作台11、超声波检查单元70、使超声波检查单元70沿着X方向、Y方向和Z方向移动的X轴移动单元30、Y轴移动单元40和Z轴移动单元50、水提供单元80以及控制单元100构成对分割预定线5进行检测的分割预定线的检测装置90，在实施方式1的分割预定线的检测方法中使用该检测装置90。另外，超声波检查单元70和超声波测量部110构成超声波测量单元，该超声波测量单元一边使保持工作台11所保持的半导体装置1和超声波探头71按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边对半导体装置1的规定的厚度部分照射超声波，对反射回波150-1、150-2、150-3(参照图7和图8)进行测量。
接着，对实施方式1的分割预定线的检测方法进行说明。实施方式1的分割预定线的检测方法是分割预定线的检测装置90的动作，在实施方式1中，该检测方法是由切削装置10对用于将半导体装置1按照每个器件芯片3进行单片化的分割预定线5进行检测而沿着切削装置10所检测到的分割预定线5将半导体装置1分割成各个封装器件7的方法。图5是实施方式1的分割预定线的检测方法的流程图。
实施方式1的分割预定线的检测方法是使用图3所示的分割预定线的检测装置90对分割预定线5进行检测的检测方法，如图5所示，该检测方法具有保持步骤ST1、超声波测量步骤ST2以及检测步骤ST3。检测步骤ST3具有图像处理步骤ST4。实施方式1的分割预定线的检测方法还具有对准步骤ST5和切削步骤ST6。
保持步骤ST1是将作为检测对象的半导体装置1保持于保持工作台11的步骤。在保持步骤ST1中，详细而言，首先在支托72的Z轴方向的下侧的端部相对于供作为检测对象的半导体装置1载置的保持工作台11的保持面12充分分开的状态下，使用未图示的搬运装置从未图示的半导体装置1的收纳部搬运作为检测对象的半导体装置1，并载置于保持工作台11的保持面12上。在保持步骤ST1中，接着通过真空吸引源执行吸引动作，从而在保持工作台11的保持面12上对作为检测对象的半导体装置1进行吸引、保持。通过如此执行保持步骤ST1，从而作为检测对象的半导体装置1按照在X轴方向、Y轴方向和Z轴方向中的任意方向上无法移动的方式保持于保持工作台11的保持面12上。
超声波探头71所照射的超声波在空气中传播效率较低。因此，在空气存在于超声波探头71的Z轴方向的下侧的前端部分与作为检测对象的半导体装置1之间的状态下，无法执行反射回波的测量。因此，在对反射回波进行测量时，需要形成如图4所示那样用水79充满超声波探头71的Z轴方向的下侧的前端部分与作为检测对象的半导体装置1之间的区域的状态。
因此，在分割预定线的检测方法中，切削装置10在实施超声波测量步骤ST2之前，实施水提供步骤，该水提供步骤是成为能够测量反射回波的状态的步骤。在水提供步骤中，详细而言，首先通过控制单元100对Z轴移动单元50进行控制，使超声波探头71向Z轴方向的下侧移动，从而使支托72的Z轴方向的下侧的端部如图4所示那样相对于作为检测对象的半导体装置1的Z轴方向的上侧的面靠近至规定的距离d。这里，规定的距离d是表示能够将超声波探头71所照射的超声波的焦点设定于树脂4与器件芯片3的边界面上或边界面的附近的超声波探头71的Z轴方向上的位置的参数，具体而言为几mm左右。
在水提供步骤中，接着通过控制单元100对水提供单元80的水提供动作进行控制，从而水提供单元80经由水提供路73而对空间78和比空间78靠Z轴方向的下侧的空间提供水79。这样，通过执行水提供步骤，能够形成如图4所示那样用水79充满超声波探头71的Z轴方向的下侧的前端部分与作为检测对象的半导体装置1之间的区域的状态，从而能够成为能够测量反射回波的状态。
至之后的超声波测量步骤ST2执行结束为止，控制单元100对水提供单元80的水提供动作进行控制。至之后的超声波测量步骤ST2执行结束为止，水提供单元80持续经由水提供路73对空间78和比空间78靠Z轴方向的下侧的空间提供水79，从而维持能够测量反射回波的状态。
超声波探头71在水提供步骤中定位于使支托72的下侧的端部相对于半导体装置1的上侧的面靠近至规定的距离d的位置。具体而言，优选规定的距离d是超声波探头71在水提供步骤中发送和接收超声波且来自树脂4与器件芯片3的边界面的反射回波的强度极大的Z轴方向上的位置。
关于器件芯片3，由于作为检测对象的半导体装置1构成上述的作为FOWLP的封装器件7，因此器件芯片3配置于作为检测对象的半导体装置1的Z轴方向的中央附近。因此，关于树脂4与器件芯片3的边界面的Z轴方向上的位置，在已知器件芯片3的Z轴方向的厚度的情况下，能够大概计算出。因此，在已知器件芯片3的Z轴方向的厚度的情况下，能够根据预先设定的超声波探头71与超声波的焦点的距离等，计算出上述规定的距离d。因此，关于切削装置10，在水提供步骤的阶段，通过使支托72的下侧的端部相对于半导体装置1的上侧的面靠近至规定的距离d，能够使超声波探头71移动至使超声波探头71所照射的超声波的焦点设定于树脂4与器件芯片3的边界面上或边界面附近的位置。这样，能够使切削装置10成为能够可靠地对来自半导体装置1的树脂4与器件芯片3的边界面的反射波进行检测并且能够精度良好地进行测量的状态。
超声波测量步骤ST2是如下的步骤：一边使保持工作台11所保持的作为检测对象的半导体装置1与作为超声波照射单元发挥功能的超声波探头71按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边对作为检测对象的半导体装置1的规定的厚度部分照射超声波，并对在图7和图8中示例的反射回波150-1、150-2、150-3进行测量。这里，规定的厚度部分表示半导体装置1的树脂4与器件芯片3的边界面和边界面的附近。另外，对半导体装置1的规定的厚度部分照射超声波是指超声波探头71所照射的超声波的焦点设定于树脂4与器件芯片3的边界面上或边界面的附近。在实施方式1中，在执行超声波测量步骤ST2之前，在执行水提供步骤的阶段，将超声波探头71的Z轴方向上的位置调整至由规定的距离d所限定的位置，以便能够对该规定的厚度部分照射超声波。
图6是对图5的超声波测量步骤ST2进行说明的说明图。图7是示出在图5的超声波测量步骤ST2中所测量的反射回波的一例的说明图。图8是示出在图5的超声波测量步骤ST2中所测量的反射回波的另一例的说明图。另外，在图6中，示出超声波探头71和作为检测对象的半导体装置1，省略了分割预定线的检测装置90的其他各构成要素的图示。
以下，本说明书使用图6以及图7和图8对如下的情况进行说明：在超声波测量步骤ST2中，如图6所示那样切削装置10使超声波探头71相对于半导体装置1依次相对移动至分割预定线5上的位置71-1、器件芯片3上的位置71-2以及另一条分割预定线5上的位置71-3。
另外，图7所示的反射回波150-1是位于图6所示的位置71-1的超声波探头71照射了超声波140-1的情况下通过超声波测量部110的超声波接收器112获取的。图7所示的反射回波150-3是位于图6所示的位置71-3的超声波探头71照射了超声波140-3的情况下通过超声波测量部110的超声波接收器112获取的。反射回波150-1、150-3具有彼此类似的波形。
如图7所示，反射回波150-1、150-3具有：表面波的电压信号151，该表面波是在作为检测对象的半导体装置1的树脂4的表面发生了反射的反射波；以及背面波的电压信号152，该背面波是在作为检测对象的半导体装置1的背面、即再布线层8的背面与水79的边界面发生了反射的反射波。反射回波150-1、150-3均是在分割预定线5上的位置71-1、71-3获取的，因此不具有在树脂4与器件芯片3的边界面发生了反射的反射波的电压信号。
另外，图8所示的反射回波150-2是位于图6所示的位置71-2的超声波探头71照射了超声波140-2的情况下通过超声波测量部110的超声波接收器112获取的。
如图8所示，反射回波150-2除了与反射回波150-1、150-3所具有的同样的表面波的电压信号151和背面波的电压信号152以外，还具有界面波的电压信号153，该界面波是在树脂4与器件芯片3的边界面发生了反射的反射波。反射回波150-2是在器件芯片3上的位置71-2获取的，因此如此具有界面波的电压信号153。
在超声波测量步骤ST2中，如上所述，超声波测量部110的超声波脉冲发生器111和超声波接收器112使用超声波探头71进行超声波测量，从而在器件芯片3上的位置71-2获取具有界面波的电压信号153的反射回波150-2，在分割预定线5上的位置71-1、71-3获取不具有界面波的电压信号153的反射回波150-1、150-3。
在超声波测量步骤ST2中，通过控制单元100对X轴移动单元30和Y轴移动单元40进行控制，使超声波探头71沿着按照规定的间隔在X轴方向和Y轴方向上分别排列的各测量点进行扫描移动，从而在全部测量点获取反射回波150-1、150-2、150-3。另外，在实施方式1中，在超声波测量步骤ST2中，控制单元100一边使保持工作台11所保持的半导体装置1和超声波探头71按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边将所获取的所有的反射回波150-1、150-2、150-3临时存储。即，在实施方式1中，控制单元100临时存储与测量点相同数量的反射回波150-1、150-2、150-3。
检测步骤ST3是在超声波测量步骤ST2之后执行的、根据反射回波的分布而对分割预定线5进行检测的步骤。在检测步骤ST3中，详细而言，首先超声波测量部110的超声波检测器113针对超声波测量部110的超声波接收器112所获取的反射回波150-1、150-2、150-3，对处于在包含检测到界面波的电压信号153的时间在内的规定的范围内所设定的门内的电压信号的强度进行测量。在检测步骤ST3中，作为超声波测量部110的超声波检测器113所测量的电压信号，在器件芯片3上的位置71-2成为明确大于0的正的值，在分割预定线5上的位置71-1、71-3成为0或0附近的值。在检测步骤ST3中，获取处于门内的界面波的电压信号153的强度的信息作为测量数据。
在检测步骤ST3中，控制单元100根据超声波测量部110的超声波检测器113作为测量数据而获取的界面波的电压信号153的强度的信息，将全部测量点分类成界面波的电压信号153的强度为规定的阈值以上的测量点和界面波的电压信号153的强度不足规定的阈值的测量点。由此，在检测步骤ST3中，控制单元100能够将全部测量点分类成界面波的电压信号153的强度的信息成为明确大于0的正的值的测量点和界面波的电压信号153的强度的信息成为0或0附近的值的测量点。
在检测步骤ST3中，此后，控制单元100将界面波的电压信号153的强度为规定的阈值以上的测量点判定为器件芯片3上的测量点，将界面波的电压信号153的强度不足规定的阈值的测量点判定为不是器件芯片3上的测量点。在检测步骤ST3中，再然后，控制单元100将不是器件芯片3上的测量点中的、除了外周剩余区域6上的测量点以外的测量点判定为分割预定线5上的测量点。在检测步骤ST3中，能够如此根据反射回波150-1、150-2、150-3的各波的电压信号151、152、153的分布而对分割预定线5进行检测。
优选检测步骤ST3具有图像处理步骤ST4。在该情况下，图像处理步骤ST4是将反射回波150-1、150-2、150-3的各波的电压信号151、152、153的分布转换成具有颜色信息的图像数据的步骤。另外，在该情况下，检测步骤ST3是根据在图像处理步骤ST4中转换而得到的图像数据的颜色信息而对分割预定线5进行检测的步骤。
在检测步骤ST3具有图像处理步骤ST4的情况下，在图像处理步骤ST4中，详细而言，关于超声波测量部110的超声波检测器113所获取的界面波的电压信号153的强度的信息，控制单元100将包含界面波的电压信号153的强度为规定的阈值以上的测量点在内的像素作为第1色、将包含界面波的电压信号153的强度不足规定的阈值的测量点在内的像素作为第2色而制作包含第1色和第2色在内的图像。由此，在图像处理步骤ST4中，控制单元100能够制作将包含界面波的电压信号153的强度的信息成为明确大于0的正的值的测量点在内的像素作为第1色、将包含界面波的电压信号153的强度的信息成为0或0附近的值的测量点在内的像素作为第2色的图像。
图9是示出在图5的图像处理步骤ST4中得到的图像数据的一例的说明图。图9所示的图像数据155是对作为检测对象的半导体装置1执行图像处理步骤ST4而得到的，具有第1色的像素区域157和第2色的像素区域158。
如图9所示，图像数据155中的第1色的像素区域157与排列有器件芯片3的区域相对应。如图9所示，图像数据155中的第2色的像素区域158与未排列器件芯片3的区域、即分割预定线5和外周剩余区域6相对应。
在检测步骤ST3具有图像处理步骤ST4的情况下，在检测步骤ST3中，控制单元100首先在图像处理步骤ST4中转换而得到的图像数据中将第1色的像素区域157判定为排列有器件芯片3的区域，将第2色的像素区域158判定为未排列器件芯片3的区域。在检测步骤ST3具有图像处理步骤ST4的情况下，在检测步骤ST3中，控制单元100接着将判定为未排列器件芯片3的区域的区域中的除了外周剩余区域6以外的区域判定为分割预定线5。在检测步骤ST3中，能够如此根据反射回波150-1、150-2、150-3的各波的电压信号151、152、153的分布而对分割预定线5进行检测。
另外，控制单元100也可以将在图像处理步骤ST4中制作出的图像数据和在检测步骤ST3中检测到的分割预定线5的信息发送并显示于显示单元130。在该情况下，能够一目了然地确认检测出分割预定线5的情况。
对准步骤ST5是在检测步骤ST3之后执行的步骤，是控制单元100使用在检测步骤ST3中检测到的分割预定线5的信息(例如分割预定线5的宽度方向的中央的位置)而执行上述对准的步骤。在对准步骤ST5中，具体而言，控制单元100执行图像匹配等处理，该图像匹配等用于进行在检测步骤ST3中检测到的分割预定线5与切削单元20的切削刀具21的对位。这样，在对准步骤ST5中，使用在检测步骤ST3中检测到的、相当于希望利用切削刀具21进行切削的部分的分割预定线5的位置信息而执行对准，因此能够提高在对准步骤ST5之后所执行的切削步骤ST6中的基于切削刀具21的切削位置的精度。
切削步骤ST6是在对准步骤ST5之后执行的步骤，是利用切削刀具21沿着分割预定线5对半导体装置1进行切削的步骤。在切削步骤ST6中，具体而言，首先控制单元100根据对准步骤ST5的实施结果，利用切削刀具21沿着分割预定线5对半导体装置1进行切削加工。
如上所述，根据实施方式1的分割预定线的检测方法，一边使作为检测对象的半导体装置1和作为超声波照射单元发挥功能的超声波探头71按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边对作为检测对象的半导体装置1的规定的厚度部分照射超声波，并对反射回波150-1、150-2、150-3进行测量，根据该反射回波150-1、150-2、150-3的各波的电压信号151、152、153的分布而对分割预定线5进行检测。因此，实施方式1的分割预定线的检测方法无需进行用于对分割预定线5进行检测的切削加工等加工，因此能够降低伴随着加工的切削屑附着于器件芯片3的可能性。
另外，实施方式1的分割预定线的检测方法将反射回波150-1、150-2、150-3的界面波的电压信号153转换成具有颜色信息的图像数据155，根据该图像数据155的颜色信息而对分割预定线5进行检测。因此，能够一目了然地确认检测出分割预定线5的情况。
[实施方式2]
根据附图，对本发明的实施方式2的分割预定线的检测方法进行说明。实施方式2的分割预定线的检测方法与实施方式1的分割预定线的检测方法同样地，是分割预定线的检测装置90的动作。在实施方式2的分割预定线的检测方法的说明中，对与实施方式1相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
图10是实施方式2的分割预定线的检测方法的流程图。如图10所示，实施方式2的分割预定线的检测方法除了实施方式1的分割预定线的检测方法所具有的保持步骤ST1、超声波测量步骤ST2、检测步骤ST3、对准步骤ST5以及切削步骤ST6以外，在实施超声波测量步骤ST2和检测步骤ST3之前，还具有准备超声波测量步骤ST7、准备检测步骤ST8以及界面波检测判定步骤ST10。准备检测步骤ST8具有准备图像处理步骤ST9。
在水提供步骤中，超声波探头71移动至使超声波的焦点设定于半导体装置1的Z轴方向的中央附近的位置。或者，在水提供步骤中，当超声波探头71移动至使超声波的焦点设定于半导体装置1的Z轴方向的中央附近的位置时，在超声波探头71的Z轴方向的下侧的前端部分与作为检测对象的半体装置1的Z轴方向的上侧的面接触的情况下，使下侧的前端部分移动至刚刚不与半导体装置1的上侧的面接触的位置。这样，能够使超声波探头71成为能够可靠地检测来自半导体装置1的树脂4与器件芯片3的边界面的反射回波的状态。
但是，关于以此方式使超声波探头71移动的状态，尤其例如在器件芯片3的厚度未知的情况下，有时难以精度充分良好地对来自半导体装置1的树脂4与器件芯片3的边界面的反射波即界面波进行测量。因此，在实施方式2的分割预定线的检测方法中，即使在器件芯片3的Z轴方向的厚度未知的情况下，通过在超声波测量步骤ST2和检测步骤ST3的实施前实施准备超声波测量步骤ST7、准备检测步骤ST8和界面波检测判定步骤ST10，从而也能够成为能够精度充分良好地对来自半导体装置1的树脂4与器件芯片3的边界面的反射波即界面波进行测量的状态。
准备超声波测量步骤ST7是如下的步骤：一边使作为检测对象的半导体装置1和作为超声波照射单元发挥功能的超声波探头71按照规定的间隔在作为半导体装置1的厚度方向的Z轴方向上相对移动，一边对半导体装置1的内部照射超声波，并对图12和图13所示的准备反射回波170-1、170-2进行测量。准备超声波测量步骤ST7在执行了水提供步骤之后执行。以下，本说明书为了将在准备超声波测量步骤ST7中所测量的反射回波与在超声波测量步骤ST2中所测量的反射回波150-1、150-2、150-3相区别，适当地称为准备反射回波170-1、170-2。
图11是对图10的准备超声波测量步骤ST7进行说明的说明图。图12是示出在图10的准备超声波测量步骤ST7中所测量的准备反射回波的一例的说明图。图13是示出在图10的准备超声波测量步骤ST7中所测量的准备反射回波的另一例的说明图。另外，在图11中，示出超声波探头71和作为检测对象的半导体装置1，省略了分割预定线的检测装置90的其他各构成要素的图示。
在准备超声波测量步骤ST7中，详细而言，首先通过控制单元100对X轴移动单元30和Y轴移动单元40进行控制，使超声波探头71在X轴方向或Y轴方向上移动，从而使其如图11所示那样按照相对于作为检测对象的半导体装置1来到Z轴方向的上侧的方式进行移动。
在准备超声波测量步骤ST7中，此后，通过控制单元100对Z轴移动单元50进行控制，使超声波探头71从Z轴方向的下侧的界限的位置按照规定的间隔、例如几十μm左右向Z轴方向的上侧移动，直至Z轴方向的上侧的界限的位置为止，从而一边使其在Z轴方向上按照规定的间隔移动一边照射超声波并获取反射波。即，在准备超声波测量步骤ST7中，一边使超声波探头71从最靠近作为检测对象的半导体装置1的状态慢慢向远离的方向移动，一边照射超声波并获取反射波。这里，超声波探头71的Z轴方向的下侧的界限的位置是在水提供步骤的阶段进行了移动的超声波探头71的位置。另外，超声波探头71的Z轴方向的上侧的界限的位置是在使超声波探头71向Z轴方向的上侧移动时，在作为检测对象的半导体装置1的树脂4的表面发生了反射的反射回波即表面波的电压信号171(参照图12和图13)的强度从增加转变为减少时的超声波探头71的位置。另外，在实施方式2中，在准备超声波测量步骤ST7中，例示出了使超声波探头71从Z轴方向的下侧的界限的位置向Z轴方向的上侧移动直至Z轴方向的上侧的界限的位置为止的方式，但本发明不限于此，也可以使超声波探头71从Z轴方向的上侧的界限的位置向Z轴方向的下侧移动直至Z轴方向的下侧的界限的位置为止。
在准备超声波测量步骤ST7中，一边使超声波探头71向Z轴方向的上侧移动一边照射超声波，从而超声波探头71所照射的超声波的焦点向Z轴方向的上侧移动。在准备超声波测量步骤ST7中，进一步在使超声波探头71在Z轴方向上按照规定的间隔移动的各状态下，超声波测量部110通过超声波探头71照射超声波140，并对图12和图13所示的准备反射回波170-1、170-2进行检测而获取。
以下，本说明书使用图11以及图12和图13对如下的情况进行说明：在准备超声波测量步骤ST7中，如图11所示那样使超声波探头71沿着在包含使超声波探头71所照射的超声波140的焦点设定于比器件芯片3靠Z轴方向的上侧的树脂4的内部的点160-1的位置以及使超声波140的焦点设定于器件芯片3的内部的点160-2的位置在内的沿Z轴方向延伸的直线上，相对于作为检测对象的半导体装置1相对移动而获取准备反射回波170-1、170-2。
图12所示的准备反射回波170-1是如图11所示那样在超声波探头71将所照射的超声波140的焦点设定于点160-1而照射超声波140并进行检测的情况下通过超声波测量部110的超声波接收器112而获取的。
如图12所示，准备反射回波170-1具有：表面波的电压信号171，该表面波是在作为检测对象的半导体装置1的树脂4的表面发生了反射的反射波；以及背面波的电压信号172，该背面波是在作为检测对象的半导体装置1的背面、即再布线层8的背面与水79的边界面发生了反射的反射波。所照射的超声波140的焦点设定于比树脂4与器件芯片3的边界面靠树脂4侧的点160-1，因此准备反射回波170-1不具有在树脂4与器件芯片3的边界面发生反射的反射波的电压信号。另外，通常接触界面的反射波的电压信号的强度远大于接合界面的反射波的电压信号的强度，因此根据超声波140的焦点的Z轴方向上的位置，有时发生如下的现象：虽然未检测到在树脂4与器件芯片3的边界面发生了反射的反射波的电压信号，但是检测到在比边界面更靠Z轴方向的下侧的再布线层8的背面与水79的边界面发生了反射的反射波即背面波的电压信号172。
图13所示的准备反射回波170-2是如图11所示那样在超声波探头71将所照射的超声波140的焦点设定于点160-2而照射超声波140并进行检测的情况下通过超声波测量部110的超声波接收器112获取的。
如图13所示，准备反射回波170-2除了与准备反射回波170-1所具有的同样的表面波的电压信号171和背面波的电压信号172以外，还具有在树脂4与器件芯片3的边界面发生了反射的反射波即界面波的电压信号173。所照射的超声波140的焦点设置于比树脂4与器件芯片3的边界面略微靠器件芯片3侧的点160-2，因此与点160-1相比，所照射的超声波140的焦点靠近树脂4与器件芯片3的边界面，因此准备反射回波170-2具有界面波的电压信号173。
在准备超声波测量步骤ST7中，如上所述，超声波测量部110的超声波接收器112使用超声波探头71进行超声波测量，从而在超声波探头71所照射的超声波140的焦点设定于点160-1的情况下，获取不具有界面波的电压信号173的准备反射回波170-1，在超声波探头71所照射的超声波140的焦点设定于点160-2的情况下，获取具有界面波的电压信号173的准备反射回波170-2。
在准备超声波测量步骤ST7中，通过控制单元100对Z轴移动单元50进行控制，使超声波探头71沿着按照规定的间隔在Z轴方向上分别排列的各位置进行扫描移动，在全部测量点中获取准备反射回波170-1、170-2。另外，在实施方式2的分割预定线的检测方法的准备超声波测量步骤ST7中，按照使超声波的焦点在Z轴方向上在夹着树脂4与器件芯片3的边界面的至少两点间移动的方式，一边使超声波探头71在Z轴方向上移动一边对准备反射回波170-1、170-2进行测量。另外，在实施方式2中，在准备超声波测量步骤ST7中，控制单元100一边使保持工作台11所保持的半导体装置1与超声波探头71按照规定的间隔在厚度方向上相对移动，一边将所获取的所有准备反射回波170-1、170-2临时存储。即，在实施方式2中，控制单元100临时存储与测量点相同数量的准备反射回波170-1、170-2。
准备检测步骤ST8是根据准备反射回波170-1、170-2的半导体装置1的厚度方向的各波的电压信号171、172、173的分布而确定在超声波测量步骤ST2中照射超声波的厚度方向上的位置的步骤。
在准备检测步骤ST8中，详细而言，首先超声波测量部110的超声波检测器113针对超声波测量部110的超声波接收器112所获取的准备反射回波170-1、170-2，对处于在包含检测到界面波的电压信号173的时间在内的规定的范围内所设定的门内的界面波的电压信号173的强度进行测量。在准备检测步骤ST8中，获取处于门内的界面波的电压信号173的强度的信息作为测量数据。
在准备检测步骤ST8中，超声波测量部110提取超声波检测器113所测量的各准备反射回波170-1、170-2的界面波的电压信号173的强度中的具有强度最大的界面波的电压信号173的准备反射回波170-1、170-2。在准备检测步骤ST8中，超声波测量部110计算出测量到具有强度最大的界面波的电压信号173的准备反射回波170-1、170-2时的超声波探头71的Z轴方向上的位置。超声波测量部110此处计算出的超声波探头71的Z轴方向上的位置成为将超声波探头71所照射的超声波140的焦点设定于树脂4与器件芯片3的边界面上或边界面的附近的位置。在准备检测步骤ST8中，此后，超声波测量部110将所计算出的超声波探头71的Z轴方向上的位置确定为在超声波测量步骤ST2中照射超声波的超声波探头71的位置。
界面波的电压信号173极大的超声波探头71的前端部分的Z轴方向上的位置比表面波的电压信号171极大的超声波探头71的前端部分的Z轴方向上的位置靠Z轴方向的下侧。另外，界面波的电压信号173极大的超声波探头71的前端部分的Z轴方向上的位置比使超声波探头71的前端部分向Z轴方向的下侧靠近至界限的位置靠Z轴方向的上侧。因此，在准备检测步骤ST8中，在准备超声波测量步骤ST7中使超声波探头71的前端部分移动的Z轴方向的范围内，计算出界面波的电压信号173极大的超声波探头71的前端部分的Z轴方向上的位置，将所计算出的界面波的电压信号173极大的超声波探头71的前端部分的Z轴方向上的位置确定为在超声波测量步骤ST2中照射超声波的超声波探头71的位置。
优选准备检测步骤ST8具有准备图像处理步骤ST9。在该情况下，准备图像处理步骤ST9是将准备反射回波170-1、170-2的各波的电压信号171、172、173的分布转换成具有颜色信息的准备图像数据的步骤。另外，在该情况下，准备检测步骤ST8是根据准备图像数据的颜色信息的、作为检测对象的半导体装置1的厚度方向上的分布而确定在超声波测量步骤ST2中照射超声波的超声波探头71的位置的步骤。
在准备检测步骤ST8具有准备图像处理步骤ST9的情况下，在准备图像处理步骤ST9中，详细而言，关于超声波测量部110的超声波检测器113所获取的各波的电压信号171、172、173的强度的信息，超声波测量部110将各波的电压信号171、172、173的强度满足规定的各条件的情况下的半导体装置1的厚度方向即Z轴方向上的位置的各像素作为规定的各颜色，制作出包含多个颜色的一维图像。
图14是示出在图10的准备图像处理步骤ST9中得到的准备图像数据的一例的说明图。图14所示的准备图像数据180是对作为检测对象的半导体装置1执行准备图像处理步骤ST9而得到的，从Z轴方向的上侧朝向下侧，具有各颜色的像素区域181、182、183、184、185。
像素区域181在图14中带有间隔窄的右端向下的平行斜线，是着色成第1色的区域。像素区域181与表面波的电压信号171按照规定的阈值以上被检测到的区域相对应，所照射的超声波140的焦点的Z轴方向上的位置与作为检测对象的半导体装置1的树脂4的表面附近即树脂4的表面与水79的边界面附近的区域相对应。
像素区域182在图14中带有间隔宽的右端向上的平行斜线，是着色成第2色的区域。像素区域182与表面波的电压信号171按照规定的阈值以上被检测到的区域与界面波的电压信号173按照规定的阈值以上被检测到的区域之间的、各波的电压信号171、172、173均在不足规定的阈值被检测到的区域相对应，所照射的超声波140的焦点的Z轴方向上的位置与作为检测对象的半导体装置1的树脂4中的比器件芯片3靠上的部分的内部的区域相对应。即，像素区域182的Z轴方向的长度、表面波的电压信号171与界面波的电压信号173的时间的间隔以及半导体装置1的树脂4中的比器件芯片3靠上的部分的厚度分别相对应。
像素区域183在图14中带有间隔窄的右端向下的平行斜线与右端向上的平行斜线交叉的图案，是着色成第3色的区域。像素区域183与界面波的电压信号173按照规定的阈值以上被检测到的区域相对应，所照射的超声波140的焦点的Z轴方向上的位置与作为检测对象的半导体装置1的树脂4与器件芯片3的边界面附近的区域相对应。
像素区域184在图14中带有间隔宽的右端向下的平行斜线，是着色成第4色的区域。像素区域184与界面波的电压信号173按照规定的阈值以上被检测到的区域与背面波的电压信号172按照规定的阈值以上被检测到的区域之间的、各波的电压信号171、172、173均在不足规定的阈值被检测到的区域相对应，所照射的超声波140的焦点的Z轴方向上的位置与作为检测对象的半导体装置1的器件芯片3和再布线层8的内部的区域相对应。即，像素区域184的Z轴方向的长度、界面波的电压信号173与背面波的电压信号172的时间的间隔以及半导体装置1的器件芯片3和再布线层8的总厚度分别相对应。
另外，在本实施方式中，超声波探头71扫描至将界面波的电压信号173作为明确大于规定的阈值的值进行检测的区域的附近，因此器件芯片3与再布线层8的边界面所致的电压信号未被检测的可能性高，但本发明不限于此，可检测到器件芯片3与再布线层8的边界面所致的电压信号，得到将与器件芯片3相对应的区域、与器件芯片3和再布线层8的边界面相对应的区域以及与再布线层8相对应的区域分别着色成不同的颜色的准备图像数据。
像素区域185在图14中带有间隔窄的右端向上的平行斜线，是着色成第5色的区域。像素区域185与背面波的电压信号172按照规定的阈值以上被检测到的区域相对应，所照射的超声波140的焦点的Z轴方向上的位置与作为检测对象的半导体装置1的再布线层8的背面附近、即再布线层8的背面与水79的边界面的区域相对应。
另外，像素区域182、184均是各波的电压信号171、172、173均在不足规定的阈值被检测到的区域，根据在不足该规定的阈值被检测到的各波的电压信号171、172、173的强度的比等信息，通过控制单元100能够将这些区域分离而进行检测，进行分别赋予各个颜色的图像处理。
在准备检测步骤ST8具有准备图像处理步骤ST9且在准备图像处理步骤ST9中得到准备图像数据180的情况下，在准备检测步骤ST8中，控制单元100首先在通过准备图像处理步骤ST9进行转换而得到的准备图像数据180中，根据各颜色的各像素区域，计算出像素区域183的Z轴方向上的位置。在这样的情况下，在准备检测步骤ST8中，控制单元100将作为照射像素区域183的Z轴方向上的位置的中央的位置的超声波140的焦点的超声波探头71的位置确定为在超声波测量步骤ST2中超声波探头71照射超声波的位置、即超声波探头71的Z轴方向上的位置。在准备检测步骤ST8中，能够如此对在超声波测量步骤ST2中最适的超声波探头71的Z轴方向上的位置进行检测并进行设定。
图15是示出在图10的准备图像处理步骤ST9中所得到的准备图像数据的另一例的说明图。图15所示的准备图像数据190与上述的图14所示的准备图像数据180同样地，是对作为检测对象的半导体装置1执行准备图像处理步骤ST9而得到的，从Z轴方向的上侧朝向下侧，具有各颜色的像素区域192、194。准备图像数据190是在上述的准备图像数据180中变更为不具有像素区域181、183、185的准备图像数据的方式。这里，不具有像素区域181、183、185也包含像素区域181、183、185的Z轴方向上的厚度薄至小于超声波测量部110的能够制作图像的最小区域而实质上不显示在图像上的方式。
准备图像数据190中的像素区域192与准备图像数据180中的像素区域182相对应，准备图像数据190中的像素区域194与准备图像数据180中的像素区域184相对应。另外，准备图像数据190中的像素区域192的上端实质上与准备图像数据180中的像素区域181相对应，准备图像数据190中的像素区域192与像素区域194的边界线实质上与准备图像数据180中的像素区域183相对应，准备图像数据190中的像素区域194的下端实质上与准备图像数据180中的像素区域185相对应。
在准备检测步骤ST8具有准备图像处理步骤ST9且在准备图像处理步骤ST9中得到准备图像数据190的情况下，在准备图像数据190中没有与准备图像数据180中的像素区域183相对应的区域，因此在准备检测步骤ST8中，控制单元100首先在该准备图像数据190中，根据各颜色的各像素区域，计算出像素区域192与像素区域194的边界中的Z轴方向上的位置。在这样的情况下，在准备检测步骤ST8中，控制单元100将成为照射像素区域192与像素区域194的边界中的Z轴方向上的位置的超声波140的焦点的超声波探头71的位置确定为在超声波测量步骤ST2中超声波探头71照射超声波的位置、即超声波探头71的Z轴方向上的位置。在准备检测步骤ST8中，能够如此对在超声波测量步骤ST2中最适的超声波探头71的Z轴方向上的位置进行检测并进行设定。
界面波检测判定步骤ST10是使超声波探头71移动至在准备检测步骤ST8中所确定的Z轴方向上的位置而进行超声波测量从而对界面波的电压信号173是否在充分的强度被检测进行判定的步骤。在界面波检测判定步骤ST10中，具体而言，控制单元100使超声波探头71移动至在准备检测步骤ST8中所确定的Z轴方向上的位置而进行超声波测量，从而在界面波的电压信号173按照规定的阈值以上的强度被检测到的情况下，判定为界面波的电压信号173按照充分的强度被检测(界面波检测判定步骤ST10：是)，处理进入至超声波测量步骤ST2。对于超声波测量步骤ST2及其以后的处理，与实施方式1相同，因此省略了其详细的说明。
另一方面，控制单元100使超声波探头71移动至在准备检测步骤ST8中所确定的Z轴方向上的位置而进行超声波测量，从而在界面波的电压信号173仅按照不足规定的阈值的强度被检测到的情况下，判定为界面波的电压信号173未按照充分的强度被检测(界面波检测判定步骤ST10：否)，在使超声波探头71沿水平方向移动规定的距离之后，处理返回至准备超声波测量步骤ST7。在界面波检测判定步骤ST10中，重复进行准备超声波测量步骤ST7和准备检测步骤ST8，直至判定为界面波的电压信号173按照充分的强度被检测为止。
另外，控制单元100可以将在准备图像处理步骤ST9中制作出的准备图像数据180和在准备检测步骤ST8中所检测的超声波探头71的Z轴方向上的位置的信息发送并显示于显示单元130。在该情况下，能够一目了然地确认检测出超声波探头71的Z轴方向上的位置的情况，并且能够一目了然地确认界面波检测判定步骤ST10的判定结果。
如上所述，根据实施方式2的分割预定线的检测方法，进一步在超声波测量步骤ST2的实施之前，一边使作为检测对象的半导体装置1和作为超声波照射单元发挥功能的超声波探头71按照规定的间隔在半导体装置1的厚度方向上相对移动，一边对作为检测对象的半导体装置1的内部照射超声波140，并对准备反射回波170-1、170-2进行测量，根据半导体装置1的厚度方向上的该准备反射回波170-1、170-2的各波的电压信号171、172、173的分布，确定在超声波测量步骤ST2中由超声波探头71照射超声波的位置。因此，实施方式2的分割预定线的检测方法能够对在超声波测量步骤ST2中最佳的超声波探头71的Z轴方向上的位置进行检测并进行设定。
另外，实施方式2的分割预定线的检测方法将准备反射回波170-1、170-2转换成具有颜色信息的准备图像数据180，根据该准备图像数据180的颜色信息，确定在超声波测量步骤ST2中由超声波探头71照射超声波的位置。因此，能够一目了然地确认对在超声波测量步骤ST2中由超声波探头71照射超声波的位置进行确定的情况。
[实施方式3]
图16是示出实施方式3的分割预定线的检测方法中所用的分割预定线的检测装置200的结构例的概略结构图。根据附图对本发明的实施方式3的分割预定线的检测方法进行说明。实施方式3的分割预定线的检测方法是分割预定线的检测装置200的动作。在实施方式3的分割预定线的检测方法的说明中，对与实施方式1和实施方式2相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
如图16所示，分割预定线的检测装置200具有：超声波检查单元70；水提供单元80；扫描装置230，其使超声波检查单元70进行扫描；超声波测量装置240，其使用超声波检查单元70进行超声波测量；控制装置260，其对分割预定线的检测装置200的各部进行控制；驱动装置270，其对扫描装置230进行驱动；图像处理装置280，其根据通过超声波测量而得到的测量数据进行图像处理；以及显示单元130，其显示实施了图像处理的图像等。
超声波测量装置240与在实施方式1和实施方式2中所用的分割预定线的检测装置90中的超声波测量部110同样地，具有超声波脉冲发生器111、超声波接收器112以及超声波检测器113，发挥与在实施方式1和实施方式2中所用的分割预定线的检测装置90中的超声波测量部110同样的功能，因此省略了其详细的说明。图像处理装置280起到与在实施方式1和实施方式2中所用的分割预定线的检测装置90中的图像处理部120同样的功能，因此省略了其详细的说明。超声波测量装置240、控制装置260和图像处理装置280合起来起到与在实施方式1和实施方式2中所用的分割预定线的检测装置90中的控制单元100同样的功能，因此省略了其详细的说明。
扫描装置230和驱动装置270起到与在实施方式1和实施方式2中所用的分割预定线的检测装置90中的保持工作台11、X轴移动单元30、Y轴移动单元40和Z轴移动单元50同样的功能。如图16所示，扫描装置230是作为超声波扫描单元发挥功能的装置，将用于进行超声波测量的超声波探头71在X轴方向、Y轴方向和Z轴方向上进行扫描，该扫描装置230具有试样载台234、一对支柱235、3轴扫描器236以及保持工作台237。
试样载台234是用于载置作为检测对象的半导体装置1的载台。如图16所示，一对支柱235竖立设置于试样载台234，对3轴扫描器236进行支承。
如图16所示，3轴扫描器236具有：与X轴方向平行设置的X轴方向导轨236-1、与Y轴方向平行设置的Y轴方向导轨236-2以及与Z轴方向平行设置的Z轴方向导轨236-3。3轴扫描器236在X轴方向导轨236-1的两端部设置于一对支柱235而被支承。
如图16所示，3轴扫描器236在Z轴方向导轨236-3的Z轴方向的下侧的端部设置有超声波探头71的Z轴方向的上侧的端部。3轴扫描器236将超声波探头71支承为能够沿着X轴方向导轨236-1、Y轴方向导轨236-2以及Z轴方向导轨236-3在X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向上移动。3轴扫描器236与驱动装置270电连接，能够接受来自驱动装置270的驱动力的提供而使超声波探头71在X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向上移动。
如图16所示，保持工作台237设置于试样载台234的Z轴方向的上侧。保持工作台237与未图示的真空吸引源连接，通过真空吸引源进行吸引，从而在Z轴方向的上侧的面上对作为检测对象的半导体装置1进行吸引、保持。另外，在保持工作台237的周围设置有多个未图示的夹持部，它们通过未图示的空气致动器进行驱动而对作为检测对象的半导体装置1的周围的外周剩余区域6进行夹持。在实施方式3中，保持工作台237按照使多个器件芯片3二维排列的各方向分别沿着X轴方向和Y轴方向的方式对作为检测对象的半导体装置1进行保持。
控制装置260对驱动装置270进行控制从而对超声波探头71的位置进行控制。控制装置260对驱动装置270进行控制从而对超声波探头71沿X轴方向和Y轴方向的扫描进行控制。控制装置260对驱动装置270进行控制从而对超声波探头71沿Z轴方向的移动进行控制。
驱动装置270使内置于3轴扫描器236的各轴的电动机进行动作。驱动装置270由此使超声波探头71沿着作为检测对象的半导体装置1的Z轴方向的上侧的面进行扫描移动。
接着，对实施方式3的分割预定线的检测方法进行说明。实施方式3的分割预定线的检测方法是分割预定线的检测装置200的动作。图17是实施方式3的分割预定线的检测方法的一例的流程图。图18是实施方式3的分割预定线的检测方法的另一例的流程图。
如图17所示，实施方式3的分割预定线的检测方法的一例具有保持步骤ST1、超声波测量步骤ST2以及检测步骤ST3。检测步骤ST3具有图像处理步骤ST4。实施方式3的分割预定线的检测方法是在实施方式1的分割预定线的检测方法中省略了对准步骤ST5和切削步骤ST6的方法。
如图18所示，实施方式3的分割预定线的检测方法的另一例除了保持步骤ST1、超声波测量步骤ST2以及检测步骤ST3以外，在超声波测量步骤ST2和检测步骤ST3之前还具有准备超声波测量步骤ST7、准备检测步骤ST8以及界面波检测判定步骤ST10。检测步骤ST3具有图像处理步骤ST4。准备检测步骤ST8具有准备图像处理步骤ST9。实施方式3的分割预定线的检测方法是在实施方式2的分割预定线的检测方法中省略了对准步骤ST5和切削步骤ST6的方法。
如上所述，根据实施方式3的分割预定线的检测方法，除了对准步骤ST5和切削步骤ST6相关的部分以外，起到与实施方式1和实施方式2的分割预定线的检测方法同样的作用效果。
另外，实施方式3的分割预定线的检测方法使用不具有切削单元20的分割预定线的检测装置200，因此在不需要对作为检测对象的半导体装置1进行切削加工的情况下，也能够容易且适当地实施。
[变形例1]
图19是示出实施方式1至实施方式3的变形例1的分割预定线的检测方法的对象的半导体装置301的一例的正面视图。图20是图19的半导体装置301的XX-XX剖视图。根据附图，对本发明的实施方式1至实施方式3的变形例1的分割预定线的检测方法进行说明。本发明的实施方式1至实施方式3的变形例1的分割预定线的检测方法是在本发明的实施方式1至实施方式3的各实施方式的分割预定线的检测方法中将分割预定线的检测方法的对象从半导体装置1变更为半导体装置301的方法。在实施方式1至实施方式3的变形例1的分割预定线的检测方法的说明中，在与实施方式1至实施方式3相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
如图19和图20所示，半导体装置301是封装基板状、即长方形的板状，其具有多个器件芯片3、树脂4、分割预定线5、外周剩余区域6、焊料凸起303、封装基板304以及焊球305。半导体装置301中的多个器件芯片3、树脂4、分割预定线5和外周剩余区域6与半导体装置1中的相同，因此省略了其详细的说明。
图19和图20所示的半导体装置301例如是将对规定的晶片进行分割而得到的器件芯片3隔着焊料凸起303而排列在封装基板304上并利用树脂4进行密封而制造的。
如图20所示，焊料凸起303配设于器件芯片3的背面侧、即与器件芯片3的覆盖有树脂4的侧相反的一侧。焊料凸起303按照能够进行电传导的方式将器件芯片3与载置器件芯片3的封装基板304之间进行接合。
如图20所示，封装基板304配设于焊料凸起303的背面侧、即与焊料凸起303的设置有器件芯片3的侧相反的一侧。封装基板304在正面侧隔着焊料凸起303而载置有器件芯片3。封装基板304共通地设置于多个器件芯片3和分割预定线5。封装基板304是在内部设置有将器件芯片3与搭载有器件芯片3的印刷布线基板之间电连接的电路的基板。
如图20所示，在封装基板304的背面侧、即与封装基板304的配设有器件芯片3的侧相反的一侧均匀地配设有多个焊球305。焊球305用于在按照每个器件芯片3对半导体装置301进行分割之后按照能够电传导的方式将封装基板304与印刷布线基板之间进行接合。
将半导体装置301沿着分割预定线5按照每个器件芯片3进行分割而分割成各个图19和图20所示的封装器件307。封装器件307具有：封装基板304，其配设有焊球305；一个器件芯片3，其安装于封装基板304上；以及树脂4，其对器件芯片3进行密封。在变形例1中，封装器件307是WLCSP(Wafer Level Chip Size Package：晶片级芯片尺寸封装)，其是不进行基于焊线的内部布线而保持单个器件芯片3的一部分露出的状态的几乎最小的半导体部件的封装的一个方式。对于作为WLCSP的封装器件307而言，封装面积与器件芯片3的水平方向的面积相同，因此将单个器件芯片3正面安装于印刷基板上时能够以较小的占有面积完成。
接着，对本发明的实施方式1至实施方式3的变形例1的分割预定线的检测方法进行说明。图21是示出在实施方式1至实施方式3的变形例1的分割预定线的检测方法的图像处理步骤ST4中得到的图像数据315的一例的说明图。作为本发明的实施方式1至实施方式3的变形例1的分割预定线的检测方法，在本发明的实施方式1至实施方式3的各实施方式的分割预定线的检测方法中，在图像处理步骤ST4中得到的图像数据变更为图像数据315。
图21所示的图像数据315是对作为检测对象的半导体装置301执行图像处理步骤ST4而得到的，其具有第1色的像素区域317和第2色的像素区域318。
如图21所示，图像数据315中的第1色的像素区域317与排列有器件芯片3的区域相对应。如图21所示，图像数据315中的第2色的像素区域318与未排列器件芯片3的区域、即分割预定线5和外周剩余区域6相对应。
如上所述，根据实施方式1至实施方式3的变形例1的分割预定线的检测方法，在实施方式1至实施方式3的各实施方式的分割预定线的检测方法中，分割预定线的检测方法的对象变更为半导体装置301，在图像处理步骤ST4中得到的图像数据变更为图像数据315，因此起到与实施方式1至实施方式3的各实施方式的分割预定线的检测方法同样的作用效果。
[变形例2]
图22是示出实施方式1至实施方式3的变形例2的分割预定线的检测方法的对象的半导体装置331的一例的正面视图。图23是图22的半导体装置331的XXIII-XXIII剖视图。根据附图，对本发明的实施方式1至实施方式3的变形例2的分割预定线的检测方法进行说明。作为本发明的实施方式1至实施方式3的变形例2的分割预定线的检测方法，是在本发明的实施方式1至实施方式3的各实施方式的分割预定线的检测方法中将分割预定线的检测方法的对象从半导体装置1变更为半导体装置331的方法。在实施方式1至实施方式3的变形例2的分割预定线的检测方法的说明中，对与实施方式1至实施方式3相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
如图22和图23所示，半导体装置331是晶片形状、即圆形的板状，其具有多个器件芯片3、树脂4、分割预定线5、外周剩余区域6、槽332以及凸起333。半导体装置331中的多个器件芯片3、树脂4、分割预定线5和外周剩余区域6与半导体装置1中的相同，因此省略了其详细的说明。
图22和图23所示的半导体装置331是半导体部件的封装的一个方式，对于作为多个器件芯片3的来源的晶片，沿着分割预定线5形成作为槽332的基础的半切割槽，利用树脂4从正面覆盖该半切割槽而进行密封和埋设，从背面进行研磨处理，从而使该半切割槽成为形成于相邻的两个器件芯片3之间的槽332，从而制造出所述半导体装置331。
槽332沿着分割预定线5设置并埋设有树脂4。凸起333设置成在器件芯片3的正面上贯通树脂4而突起。将半导体装置331沿着分割预定线5按照每个器件芯片3对槽332内的树脂4进行分割而分割成图23所示的封装器件337。
接着，对本发明的实施方式1至实施方式3的变形例2的分割预定线的检测方法进行说明。本发明的实施方式1至实施方式3的变形例2的分割预定线的检测方法与本发明的实施方式1至实施方式3的各实施方式的分割预定线的检测方法相比较，除了凸起333有可能在超声波测量步骤ST2和准备超声波测量步骤ST7中的超声波测量时带来略微的影响这点以外，大致相同。
如上所述，根据实施方式1至实施方式3的变形例2的分割预定线的检测方法，与实施方式1至实施方式3的各实施方式的分割预定线的检测方法相比，除了凸起333有可能在超声波测量步骤ST2和准备超声波测量步骤ST7中的超声波测量时带来略微的影响这点以外大致相同，因此起到与实施方式1至实施方式3的各实施方式的分割预定线的检测方法同样的作用效果。
另外，根据上述的实施方式1、实施方式2和实施方式3以及各实施方式的变形例1和变形例2的分割预定线的检测方法，得到以下的分割预定线的检测装置。
(附记1)
一种分割预定线的检测装置，其对用于将具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置按照每个该器件芯片进行单片化的分割预定线进行检测，其特征在于，
该检测装置具有：
保持工作台，其对该半导体装置进行保持；
超声波测量单元，其一边使该保持工作台所保持的该半导体装置和超声波照射单元按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边对该半导体装置的规定的厚度部分照射超声波，并对反射回波进行测量；以及
控制单元，其对该超声波测量单元的各部进行控制，
该控制单元根据该反射回波的分布对该分割预定线进行检测。
(附记2)
根据附记1所述的分割预定线的检测装置，其特征在于，
该超声波测量单元在对该反射回波进行测量之前，
一边使该半导体装置和该超声波照射单元按照规定的间隔在该半导体装置的厚度方向上相对移动，一边对该半导体装置的内部照射超声波，并对准备反射回波进行测量，
该控制单元在对该反射回波进行测量之前，
根据该准备反射回波在该半导体装置的厚度方向上的分布而确定在对该反射回波进行测量时照射超声波的位置。
(附记3)
一种切削装置，其将具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置按照每个该器件芯片进行单片化，其特征在于，
该切削装置具有：
保持工作台，其对该半导体装置进行保持；
切削单元，其对该保持工作台所保持的该半导体装置进行切削；
超声波测量单元，其一边使该保持工作台所保持的该半导体装置和超声波照射单元按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边对该半导体装置的规定的厚度部分照射超声波，并对反射回波进行测量；以及
控制单元，其对各构成要素进行控制，
该控制单元根据该反射回波的分布对该分割预定线进行检测。
上述分割预定线的检测装置和切削装置与实施方式1和实施方式2的分割预定线的检测方法同样地，一边使作为检测对象的半导体装置和作为超声波照射单元发挥功能的超声波探头按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边对作为检测对象的半导体装置的规定的厚度部分照射超声波，并对反射回波进行测量，根据该反射回波的分布而对分割预定线进行检测。因此，上述分割预定线的检测装置无需为了检测分割预定线而进行加工，因此能够降低伴随着加工的切削屑附着于器件芯片的可能性。
另外，本发明并不限于上述实施方式。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。

Claims (4)

1.一种分割预定线的检测方法，对用于将具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置按照每个该器件芯片进行单片化的分割预定线进行检测，其特征在于，
该分割预定线的检测方法具有如下的步骤：
保持步骤，将该半导体装置保持于保持工作台；
超声波测量步骤，一边使该保持工作台所保持的该半导体装置和超声波照射单元按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边对该半导体装置的规定的厚度部分照射超声波，并对反射回波进行测量；以及
检测步骤，根据该反射回波的分布对该分割预定线进行检测。
2.根据权利要求1所述的分割预定线的检测方法，其特征在于，
该检测步骤进一步具有如下的图像处理步骤：将该反射回波转换成具有颜色信息的图像数据，
该分割预定线的检测方法根据该图像数据的颜色信息对该分割预定线进行检测。
3.根据权利要求1或2所述的分割预定线的检测方法，其特征在于，
该分割预定线的检测方法在实施该超声波测量步骤之前具有如下的步骤：
准备超声波测量步骤，一边使该半导体装置和该超声波照射单元按照规定的间隔在该半导体装置的厚度方向上相对移动，一边对该半导体装置的内部照射超声波，并对准备反射回波进行测量；以及
准备检测步骤，根据该准备反射回波在该半导体装置的厚度方向上的分布而确定在该超声波测量步骤中照射超声波的位置。
4.根据权利要求3所述的分割预定线的检测方法，其特征在于，
该准备检测步骤进一步具有如下的准备图像处理步骤：将该准备反射回波转换成具有颜色信息的准备图像数据，
该分割预定线的检测方法根据该准备图像数据的颜色信息而确定在该超声波测量步骤中照射超声波的位置。
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