CN110119032B - 一种产生远红外偏振光的方法 - Google Patents

一种产生远红外偏振光的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110119032B
CN110119032B CN201810109211.7A CN201810109211A CN110119032B CN 110119032 B CN110119032 B CN 110119032B CN 201810109211 A CN201810109211 A CN 201810109211A CN 110119032 B CN110119032 B CN 110119032B
Authority
CN
China
Prior art keywords
carbon nanotube
nanotube structure
carbon
far
far infrared
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810109211.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110119032A (zh
Inventor
蒋利娟
柳鹏
周段亮
张春海
刘长洪
范守善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University, Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd filed Critical Tsinghua University
Priority to CN201810109211.7A priority Critical patent/CN110119032B/zh
Priority to TW107106420A priority patent/TWI709525B/zh
Priority to US16/212,916 priority patent/US11360253B2/en
Publication of CN110119032A publication Critical patent/CN110119032A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110119032B publication Critical patent/CN110119032B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/14—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters for producing polarised light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
    • G02B27/286—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising for controlling or changing the state of polarisation, e.g. transforming one polarisation state into another
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B2207/00—Coding scheme for general features or characteristics of optical elements and systems of subclass G02B, but not including elements and systems which would be classified in G02B6/00 and subgroups
    • G02B2207/101—Nanooptics

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及一种产生远红外偏振光的方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括一第一碳纳米管结构和一第二碳纳米管结构，所述第一碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的第一碳纳米管，所述第二碳纳米管结构包括多个随机分散在该第一碳纳米管结构的表面的第二碳纳米管，且该多个第二碳纳米管与该多个第一碳纳米管搭接设置；对所述碳纳米管结构进行预处理，除去至少部分第二碳纳米管，得到预处理后的碳纳米管结构；将该预处理后的碳纳米管结构设置于一远红外光源的出射面一侧；使该远红外光源激发产生远红外光，并使该远红外光透过该预处理后的碳纳米管结构后发射出去；以及加热所述预处理后的碳纳米管结构。

Description

一种产生远红外偏振光的方法
技术领域
本发明涉及远红外光偏振以及应用技术领域。
背景技术
光是一种电磁波，一般的光线在前进时，电磁振动方向四面八方都有。如果电磁振动只发生在一个平面内，也即电场振动方向及磁场振动方向固定的光称为偏振光，其电场方向称为光的偏振方向。偏振器用来吸收某一方向的线偏振光，而输出与其垂直的线偏振光。可用偏光器来选择某一特定方向的偏振光，已偏振化的光再经过一个偏光器时可全部通过或部分通过，视第二个偏光器的方向而定。偏振器在照明、照相机、太阳镜和3D电影等有了广泛的应用。
通常用偏振度来衡量线偏振光偏振的程度。当使用偏振光照明时，光刻机的照明系统中存在诸多因素会影响光的偏振态。最主要的是光学材料的本征双折射和应力双折射使光的偏振度降低。此外，光学薄膜的偏振特性，光在界面的反射和折射也会影响光的偏振。因此，在偏振光照明系统中，由于偏振控制的需要，应保证具有高偏振度的线偏振光输出。
发明内容
本申请发明人研究发现，用碳纳米管结构制作偏振装置时，通过加热碳纳米管结构可以调节远红外光的偏振度和透射率，即，通过提高所述碳纳米管结构的温度，可以提高远红外光的偏振度，用2层碳纳米管膜在温度为641K对远红外光偏振时，偏振度可以从室温(300K)下的40％提高到70％。鉴于此，本发明提供一种既能提高偏振度又能保证透射率的产生远红外偏振光的方法。
一种产生远红外偏振光的方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括一第一碳纳米管结构和一第二碳纳米管结构，所述第一碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的第一碳纳米管，所述第二碳纳米管结构包括多个随机分散在该第一碳纳米管结构的表面的第二碳纳米管，且该多个第二碳纳米管与该多个第一碳纳米管搭接设置；对所述碳纳米管结构进行预处理，除去至少部分第二碳纳米管，得到预处理后的碳纳米管结构；将该预处理后的碳纳米管结构设置于一远红外光源的出射面一侧；使该远红外光源激发产生远红外光，并使该远红外光光透过该预处理后的碳纳米管结构后发射出去；以及加热所述预处理后的碳纳米管结构。
相较于现有技术，本发明提供的产生远红外偏振光的方法，通过加热碳纳米管结构的方式来提高偏振度的方法，结构简单，方法可靠。
附图说明
图1为本发明实施例1提供的远红外偏振光产生装置的结构示意图。
图2为本发明实施例1提供的偏振装置的结构示意图。
图3为本发明实施例1采用的碳纳米管拉膜的扫描电镜照片。
图4为本发明实施例1采用的非扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。
图5为本发明实施例1采用的扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。
图6为本发明实施例1提供的远红外偏振光产生装置的偏振装置和加热装置的结构示意图。
图7为图6沿线S-S的剖视图。
图8为本发明实施例1提供的远红外偏振光产生装置的另一种加热装置的结构示意图。
图9为本发明实施例1提供的碳纳米管拉膜的结构示意图。
图10为图9中的局部放大结构示意图。
图11为预处理后的碳纳米管结构。
图12(a)和图12(b)分别为实施例1提供的两层同一方向设置的碳纳米管拉膜在不同温度下对远红外光的透射率和透射调制深度的测试结果。
图13为远红外光源发射的远红外光依次经过偏振装置和检偏器的结构示意图。
图14(a)为采用图13所提供的偏振装置和检偏器在300K下对远红外光的透射率的测试结果，图14(b)为图14(a)中0°-180°，每间隔30°旋转一次进行绘图的结果，图14(c)为图14(a)中180°-360°，每间隔30°旋转一次进行绘图的结果。
图15(a)为采用图13所提供的偏振装置和检偏器在641K下对远红外光的透射率的测试结果，图15(b)为图15(a)中0°-180°，每间隔30°旋转一次进行绘图的结果，图15(c)为图15(a)中180°-360°，每间隔30°旋转一次进行绘图的结果。
图16(a)-图16(e)为采用图13所提供的偏振装置和检偏器在不同温度下波数为100cm-1、200cm-1、300cm-1、400cm-1和500cm-1的远红外光的透射率的测试结果。
图17为采用图13所提供的偏振装置和检偏器在室温和641K下不同频率的远红外光的偏振深度的测试结果。
图18为室温下分别采用同一方向设置的不同层数的碳纳米管拉膜在波数为300cm-1和400cm-1下对远红外光的偏振深度的测试结果。
图19为室温下采用同一方向设置的4层和5层碳纳米管拉膜用不同频率的远红外光的透射率的测试结果。
图20为本发明实施例3提供的远红外偏振光产生装置的结构示意图。
图21为本发明实施例3提供的偏振装置和旋转装置的结构示意图。
图22为本发明实施例4提供的远红外偏振光产生装置的结构示意图。
图23为本发明实施例5提供的远红外偏振光产生装置的结构示意图。
图24为本发明实施例6提供的红外成像系统。
图25为本发明实施例6提供的远红外成像系统中远红外偏振光产生装置与偏振装置中的碳纳米管结构的位置关系示意图。
图26为本发明实施例7提供的红外成像系统。
主要元件符号说明
Figure GDA0002432128570000031
Figure GDA0002432128570000041
具体实施方式
下面将结合附图及具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
实施例1
请参阅图1，本发明实施例1提供一种远红外偏振光产生装置10，其包括一远红外光源11A、一置于该远红外光源11A的出射面111一侧的偏振装置12A、一真空容器14A以及一加热装置15A。所述远红外光源11A用于激发远红外光。所述远红外光源11A激发的远红外光经该偏振装置12A后形成远红外偏振光并发射出去。所述加热装置15A用于加热所述偏振装置12A。
所述远红外光源11A的结构不限，可以为热辐射红外光源、气体放电红外光源和激光红外光源。本实施例中，所述远红外光源11A是由低温生长的汞制成的。
请参阅图2，所述偏振装置12A包括一支撑框架120以及一碳纳米管结构121。所述支撑框架120的形状和尺寸可以根据需要选择。所述支撑框架120的材料不限，可以为金属、聚合物、玻璃、陶瓷或碳材料等。所述支撑框架120定义一开口。所述碳纳米管结构121的边缘固定于该支撑框架120上，且中间部分通过该支撑框架120悬空设置。所述碳纳米管结构121可以通过粘结剂固定于所述支撑框架120上。所述碳纳米管结构121可以直接设置于所述远红外光源11A的出射面111上，也可以与所述远红外光源11A的出射面111间隔设置。当所述碳纳米管结构121直接设置于所述远红外光源11A的出射面111上时，所述支撑框架120可以省略。
所述碳纳米管结构121包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管且形成多个均匀分布的微孔。所述多个碳纳米管通过范德华力紧密连接从而使该碳纳米管结构121形成一自支撑结构。所谓自支撑结构是指该结构可以无需一支撑体而保持一特定的膜状结构。因而，所述碳纳米管结构121具有自支撑性而可部分悬空设置。所述碳纳米管平行于所述碳纳米管结构121的表面。所述碳纳米管包括单壁碳纳米管、双壁碳纳米管及多壁碳纳米管中的一种或多种。所述单壁碳纳米管的直径为0.5纳米～10纳米，双壁碳纳米管的直径为1.0纳米～15纳米，多壁碳纳米管的直径为1.5纳米～50纳米。所述碳纳米管的长度大于50微米。优选地，该碳纳米管的长度为200微米～900微米。该微孔的尺寸为1纳米～0.5微米。具体地，所述碳纳米管结构121可以包括至少一碳纳米管拉膜或多个平行且间隔设置的碳纳米管线。所述碳纳米管线可以是非扭转的碳纳米管线或扭转的碳纳米管线。本发明实施例中，所述碳纳米管结构121为至少一碳纳米管拉膜。
请参阅图3，该碳纳米管拉膜包括多个连续且定向延伸的碳纳米管束。该多个碳纳米管束通过范德华力首尾相连。每一碳纳米管束包括多个相互平行的碳纳米管，该多个相互平行的碳纳米管通过范德华力紧密结合。远红外光的发射方向与碳纳米管拉膜中多个碳纳米管组成的表面垂直。所述碳纳米管的衍射方向可以为任意方向，本发明实施例中所述碳纳米管的延伸方向与地面的夹角为0°，即碳纳米管的延伸方向为水平方向。该碳纳米管束的直径为10纳米～200纳米，优选的，10纳米～100纳米。该碳纳米管拉膜中的碳纳米管沿同一方向择优取向排列。所述碳纳米管拉膜包括多个微孔。该微孔为一贯穿该碳纳米管拉膜的厚度方向的通孔。该微孔可为孔隙和/或间隙。当所述碳纳米管结构121仅包括单层碳纳米管拉膜时，该碳纳米管拉膜中相邻的碳纳米管片段之间具有间隙，其中，该间隙的尺寸为1纳米～0.5微米。所述碳纳米管拉膜的厚度为0.01微米～100微米。可以理解，在由多层碳纳米管拉膜组成的碳纳米管结构121中，相邻两个碳纳米管拉膜中的碳纳米管的排列方向相同。所述碳纳米管拉膜可以通过拉取一碳纳米管阵列直接获得。所述碳纳米管拉膜的结构及其制备方法请参见范守善等人于2007年2月9日申请的，于2010年5月26日公告的第CN101239712B号中国公告专利“碳纳米管薄膜结构及其制备方法”，申请人：清华大学，鸿富锦精密工业(深圳)有限公司。为节省篇幅，仅引用于此，但上述申请所有技术揭露也应视为本发明申请技术揭露的一部分。
请参阅图4，该非扭转的碳纳米管线包括多个沿该非扭转的碳纳米管线长度方向排列的碳纳米管。具体地，该非扭转的碳纳米管线包括多个碳纳米管片段，该多个碳纳米管片段通过范德华力首尾相连，每一碳纳米管片段包括多个相互平行并通过范德华力紧密结合的碳纳米管。该碳纳米管片段具有任意的长度、厚度、均匀性及形状。该非扭转的碳纳米管线长度不限，直径为0.5纳米～100微米。非扭转的碳纳米管线为将碳纳米管拉膜通过有机溶剂处理得到。具体地，将有机溶剂浸润所述碳纳米管拉膜的整个表面，在挥发性有机溶剂挥发时产生的表面张力的作用下，碳纳米管拉膜中的相互平行的多个碳纳米管通过范德华力紧密结合，从而使碳纳米管拉膜收缩为一非扭转的碳纳米管线。该有机溶剂为挥发性有机溶剂，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本实施例中采用乙醇。通过有机溶剂处理的非扭转的碳纳米管线与未经有机溶剂处理的碳纳米管膜相比，比表面积减小，粘性降低。
所述扭转的碳纳米管线为采用一机械力将所述碳纳米管拉膜两端沿相反方向扭转获得。请参阅图5，该扭转的碳纳米管线包括多个绕该扭转的碳纳米管线轴向螺旋排列的碳纳米管。具体地，该扭转的碳纳米管线包括多个碳纳米管片段，该多个碳纳米管片段通过范德华力首尾相连，每一碳纳米管片段包括多个相互平行并通过范德华力紧密结合的碳纳米管。该碳纳米管片段具有任意的长度、厚度、均匀性及形状。该扭转的碳纳米管线长度不限，直径为0.5纳米～100微米。进一步地，可采用一挥发性有机溶剂处理该扭转的碳纳米管线。在挥发性有机溶剂挥发时产生的表面张力的作用下，处理后的扭转的碳纳米管线中相邻的碳纳米管通过范德华力紧密结合，使扭转的碳纳米管线的比表面积减小，密度及强度增大。
所述碳纳米管线状结构及其制备方法请参见范守善等人于2002年9月16日申请的，于2008年8月20日公告的第CN100411979C号中国公告专利“一种碳纳米管绳及其制造方法”，申请人：清华大学，鸿富锦精密工业(深圳)有限公司，以及于2005年12月16日申请的，于2009年6月17日公告的第CN100500556C号中国公告专利申请“碳纳米管丝及其制作方法”，申请人：清华大学，鸿富锦精密工业(深圳)有限公司。为节省篇幅，仅引用于此，但上述申请所有技术揭露也应视为本发明申请技术揭露的一部分。
所述加热装置15A用于加热所述碳纳米管结构121。为了防止高温时所述碳纳米管结构被氧化，优选地，所述偏振装置12A设置于一真空容器14A内，用于保护所述偏振装置12A的碳纳米管结构121，以防止该碳纳米管结构121被加热到高温后氧化。此外，所述远红外光源11A、偏振装置12A和加热装置15A均可以设置于所述真空容器14A内。所述真空容器14A为一可选结构，本发明实施例1中所述所述偏振装置12A置于所述真空容器14A内。可以理解，由于碳纳米管结构121设置于真空容器14A内，所述加热装置15A可以为设置于所述真空容器14A内的专门电加热装置，也可以设置于真空容器14A外的光加热装置，例如激光加热。优选地，通过对该碳纳米管结构121施加电压来实现加热，而不引入碳纳米管结构121以外的其他加热装置。因为其他加热装置与碳纳米管结构121之间的热交换主要通过热辐射进行，而热辐射会引入其他电磁波，从而对远红外光的偏振形成干扰。
所述真空容器14A采用远红外光可以穿透的材料制备，例如玻璃或透明树脂。所述真空容器14A的压强小于等于10-2Pa。本实施例中所述压强为10-4Pa即可。
本实施例中，所述加热装置15A包括一第一电极151、一第二电极152以及一电源153。所述第一电极151与第二电极152间隔设置，且分别与所述电源153电连接。所述第一电极151或第二电极152为金属层或金属片。所述第一电极151与第二电极152固定于所述支撑框架120上，且与所述碳纳米管结构121电连接。所述碳纳米管结构121夹持在所述支撑框架120与所述第一电极151或第二电极152之间。所述电源153可以为交流电源或直流电源。当通过所述第一电极151和第二电极152向所述碳纳米管结构121施加电压时，所述碳纳米管结构121会自身发热。
请参阅图6-7，具体地，所述碳纳米管结构121的长度大于所述支撑框架120在长度方向的尺寸。所述碳纳米管结构121设置于所述支撑框架120的一表面，且两端分别弯折后设置于所述支撑框架120的背面。所述第一电极151或第二电极152均为金属环，套设于所述支撑框架120上，从而使得所述支撑框架120正面和背面的碳纳米管结构121均夹持在所述支撑框架120与所述第一电极151或第二电极152之间。
可以理解，本实施例中，所述碳纳米管结构121同时作为加热元件使用。在另一个实施例中，所述加热装置15A可以包括专门的加热元件。例如，请参阅图8，所述加热装置15A包括一远红外光可以穿透的加热膜154，该加热膜154设置于该真空容器14A的内壁上且与该所述第一电极151和第二电极152电连接。所述加热膜154与所述碳纳米管结构121间隔设置。所述加热膜154的材料可以为ITO。
本发明进一步提供一种产生远红外偏振光的方法，该方法包括以下步骤：
步骤S11，提供一碳纳米管结构121，该碳纳米管结构121包括一第一碳纳米管结构和一第二碳纳米管结构，所述第一碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的第一碳纳米管，所述第二碳纳米管结构包括多个随机分散在该第一碳纳米管结构的表面的第二碳纳米管，且该多个第二碳纳米管与该多个第一碳纳米管搭接设置；
步骤S12，对所述碳纳米管结构121进行预处理，去除至少部分第二碳纳米管，得到预处理后的碳纳米管结构；
步骤S13，提供一真空容器14A，所述预处理后的碳纳米管结构设置于该真空容器内；
步骤S14，提供一远红外光源11A，并使该远红外光源11A激发产生远红外光；
步骤S15，在所述远红外光源11A的出射面111一侧设置该预处理后的碳纳米管结构，使该远红外光源11A产生的远红外光透过该预处理后的碳纳米管结构后发射出去；以及
步骤S16，加热所述预处理后的碳纳米管结构。
请参阅图9-10，本发明实施例中所述碳纳米管结构121包括至少一层碳纳米管膜，所述碳纳米管膜为碳纳米管拉膜，该所述碳纳米管拉膜中的大多数的第一碳纳米管124沿着同一方向延伸排列从而形成多个基本平行设置的碳纳米管线125，该第一碳纳米管124组成第一碳纳米管结构，且该碳纳米管拉膜中的少数的第二碳纳米管126则随机分散在该碳纳米管拉膜表面，并与该多个碳纳米管线125搭接设置，该第二碳纳米管126组成第二碳纳米管结构。定义第一碳纳米管124的延伸方向为D1，在该碳纳米管拉膜平面内与D1方向垂直的方向为D2。每个碳纳米管线125中的在D1方向相邻的第一碳纳米管124首尾相连且通过范德华力连接，而在D2方向则平行排列形成一碳纳米管片段。所述相邻的碳纳米管线125之间或者相邻的第一碳纳米管124之间定义该多个缝隙127。因此，该多个缝隙127为对远红外光进行偏振的主要通道，而该碳纳米管拉膜中该第二碳纳米管126不利于该碳纳米管拉膜对远红外光的偏振。
本申请的发明人发现用超级取向的碳纳米管拉膜制作偏振装置12A时，通过加热的方式可以调节所述偏振装置12A对远红外光的偏振度和透射率。因此在步骤S12中，通过对所述碳纳米管拉膜预处理，将碳纳米管拉膜中至少部分第二碳纳米管126除去，从而使所述碳纳米管拉膜中沿同一个方向延伸的第一碳纳米管124的比例增加，即，碳纳米管拉膜中碳纳米管的各向异性提高。预处理后的碳纳米管结构为超级取向的碳纳米管拉膜。预处理所述碳纳米管拉膜的方式不限，只要能够提高碳纳米管拉膜中碳纳米管的各向异性即可，如激光处理和等离子体处理等。所述激光处理是指，以功率密度大于0.1×104瓦特/平方米的激光照射该碳纳米管拉膜，除去碳纳米管拉膜中至少部分第二碳纳米管126。可以在含氧环境中进行，优选地，在空气环境进行。
具体地，可以通过以下两种方法实现：
方法一：固定碳纳米管拉膜，然后移动激光装置照射该碳纳米管拉膜的方法，其具体包括以下步骤：固定碳纳米管拉膜；提供一可移动的激光装置；以及沿着D1方向移动该激光装置扫描该碳纳米管拉膜。
方法二：固定激光装置，移动碳纳米管拉膜使激光照射该碳纳米管拉膜的方法，其具体包括以下步骤：提供一固定的激光装置，该激光装置在一固定区域形成一激光扫描区；提供一碳纳米管拉膜，使该碳纳米管拉膜以一定的速度沿着D1方向经过该激光扫描区。
所述采用等离子体处理该碳纳米管拉膜的表面的具体方法为通过一等离子体表面处理仪向该碳纳米管拉膜的整个表面提供一个等离子体能量，对该碳纳米管拉膜的表面进行处理。所述等离子体气体可以为惰性气体和/或刻蚀性气体，如氩气(Ar)、氦气(He)、氢气(H2)、氧气(O2)、四氟化碳(CF4)、氨气(NH3)、或空气。所述等离子体表面处理仪的功率可以为50瓦～1000瓦，如：100瓦、200瓦、500瓦、700瓦或800瓦。所述等离子体的流量可以为5sccm～100sccm，如：10瓦、20sccm、50sccm、70sccm或80sccm。所述等离子体的工作气压可以为40mTorr～150mTorr，如：50mTorr、60mTorr、70mTorr、80mTorr或120mTorr。所述等离子体的处理时间可以为30秒～150秒，如：50秒、60秒、90秒、100秒或120秒。可以理解，所述等离子体的处理的时间不宜过长，以避免碳纳米管线125中的碳纳米管大量断裂而造成该碳纳米管拉膜的缝隙127太大。优选地，通过控制等离子体的处理的时间，使该第二碳纳米管126基本全部被刻蚀断为最佳。
当采用等离子体处理该碳纳米管拉膜的表面时，所述等离子体会对该碳纳米管拉膜表面进行刻蚀，使该碳纳米管拉膜表面的第一碳纳米管124和第二碳纳米管126形成缺陷或被刻蚀断裂。然而，由于该碳纳米管拉膜对远红外光的偏振主要为多个碳纳米管线125形成的缝隙127，而少部分第一碳纳米管124的断裂并不会导致碳纳米管线125的断裂，因此，也不会影响该碳纳米管拉膜对远红外光的偏振。而在D2方向上，由于第二碳纳米管126形成断裂，增加了该碳纳米管拉膜的各向异性，形成超级取向的碳纳米管拉膜，因而该碳纳米管拉膜能够提高远红外光的偏振度。
图11为预处理后的碳纳米管结构，该预处理后的碳纳米管结构包括2层碳纳米管拉膜，所述预处理后的碳纳米管结构中的碳纳米管在延伸方向上基本上完全平行。
本发明实施例中用该预处理后的碳纳米管结构作偏振装置12A，并对偏振度和透射率进行了测量。参见图12(a)-图(b)，加热所述预处理后的碳纳米管结构，使所述预处理后的碳纳米管结构的温度分别为300K、316K、345K、386K、435K、489K、548K、569K和641K，用波数为100cm-1-600cm-1的范围内的远红外光进行试验发现，随着温度的升高，透射率(transmission)下降，透射调制深度(transmission modulation depth)加深。我们可以知道所述预处理后的碳纳米管结构对远红外光的透射率与声子有关。随着温度的升高，声子的振动增强，预处理后的碳纳米管结构的吸收增强，导致预处理后的碳纳米管结构对远红外光的透射率降低。
进一步，为了说明加热该预处理后的碳纳米管结构对偏振度的影响，本申请的发明人还进行了以下实验。参见图13，远红外光源11A发射的远红外光依次经过偏振装置12A和检偏器16A。所述远红外光源11A、偏振装置12A和检偏器16A在同一直线上排列，并且所述偏振装置12A和检偏器16A平行且间隔设置。其中，所述偏振装置12A包括2层碳纳米管拉膜，所述2层碳纳米管拉膜中的碳纳米管的延伸方向高度一致，所述碳纳米管沿水平方向延伸并通过加热装置15A对其进行加热处理。所述加热方式为在延伸方向上给所述碳纳米管的两端施加电压。所述施加的电压范围为0V～60V，只要保证碳纳米管不断裂即可,优选地，0V-40V。施加的电压可以为恒压也可以为变化的电压。所述检偏器16A包括10层碳纳米管拉膜，所述10层碳纳米管拉膜中碳纳米管的延伸方向高度一致，并且所述检偏器16A可以沿着连接偏振装置12A和检偏器16A中心的中心轴旋转，旋转过程中所述偏振装置12A中的碳纳米管拉膜所在的平面和检偏器16A中的碳纳米管拉膜所在的平面始终平行。本发明中所述检偏器16A的旋转角度为0°-360°，每间隔10°旋转一次。定义未旋转时，偏振装置12A和检偏器16A中碳纳米管的延伸方向垂直时的角度为0°。参见图14和图15，分别在室温和641K下旋转所述检偏器16A进行测量的结果。因为图14(a)中图线的数量较多，因此将其分成两个图进行分析。图14(b)为图14(a)中0°-180°，每间隔30°旋转一次进行绘图的结果。图14(c)为图14(a)中180°-360°，每间隔30°旋转一次进行绘图的结果，图15亦然。不同温度下，所述检偏器16A对透过偏振装置12A的远红外偏振光的透射率不同。在相同温度下，不同的旋转角度下透射率也有很大的不同，并且最大透射率发生在90°和270°附近，即检偏器16A中的碳纳米管与偏振装置12A中的碳纳米管的平行。而最小透射率发生在0°和180°附近，即检偏器16A中的碳纳米管与偏振装置12A中的碳纳米管的垂直。为了清楚的看出每个波数下旋转角度与透射率的关系，分别用波数为100cm-1、200cm-1、300cm-1、400cm-1和500cm-1的远红外光在不同旋转角度下对透射率进行绘图，请一并参见图16(a)-(e)，可知所述检偏器16A对不同频率的远红外光的透射率的最大值和最小值发生在相同的旋转角度下，即偏振的方向与远红外光的频率无关。参见图17可知，不同波数的远红外光透过所述偏振装置12A形成的远红外偏振光的偏振度不相同，室温下的偏振度为40％，而在641K时的偏振度为70％。所述偏振度(Degree of Polarrization,DOP)的计算公式为：
Figure GDA0002432128570000101
其中Tmax和Tmin分别为远红外偏振光透过检偏器16A的光强的最大值和最小值。图17中远红外光的偏振度用偏振深度(polarization depth)表示。
此外，偏振度与碳纳米管拉膜的层数有关。参见图18，室温下分别采用不同层数的碳纳米管拉膜进行实验，所述碳纳米管拉膜的层数范围为1层-10层，每间隔1层进行测量，随着碳纳米管拉膜层数的增加，偏振度升高，并且当碳纳米管结构中只有5层碳纳米管拉膜时，在室温下的偏振度也能达到70％。图19为室温下，4层和5层碳纳米管拉膜对不同波数的远红外光透射率，由此可知，5层碳纳米管拉膜的透射率为4.6。一并参见图12(a)可知，2层碳纳米管拉膜在641K下的透射率为5.3。
综上所述可知，不同波数的远红外光在641K下透过2层碳纳米管拉膜的偏振度与对不同波数的远红外光在室温下透过5层碳纳米管拉膜的偏振度相同，但是2层碳纳米管拉膜的透射率比5层碳纳米管拉膜的透射率高。由此可知，高温加热碳纳米管结构有助于使碳纳米管结构在提高同样的偏振度的条件下获得更高的透射率。
实施例2
本发明实施例2提供的远红外偏振光产生装置10与本发明实施例1提供的远红外偏振光产生装置10结构基本相同，其区别在于，所述碳纳米管结构121中沿同一方向定向延伸的碳纳米管的表面包覆有一层预制层。优选地，所述预制层包覆于每个碳纳米管的整个表面。
所述预制层的材料可为金、镍、钛、铁、铝、钛、铬等金属、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化铪、二氧化钛等金属氧化物、氮化镓等金属氮化物、或金属硫化物等中的至少一种。可以理解，所述预制层的材料不限于上述列举材料，还可以为二氧化硅等非金属氧化物、碳化硅等非金属碳化物或氮化硅等非金属氮化物等，只要可以物理性的沉积于所述碳纳米管结构121的表面，且将碳纳米管包覆即可。所述物理性的沉积是指所述预制层不与所述碳纳米管结构121发生化学反应，而是通过范德华力与所述碳纳米管结构121紧密结合，并附于所述碳纳米管结构121中碳纳米管的表面。所述预制层的厚度不限，可为3纳米～50纳米。
本实施例中，通过电子束蒸镀法在单层碳纳米管拉膜的表面设置金作为预制层，其中，预制层厚度分别为10纳米，碳纳米管的延伸方向为水平方向。
作为典型的金属材料，金对于电磁波能量的吸收主要来源于其载流子电子。这同碳纳米管膜材料是类似的。只不过，由于金的电子数量要远远多于碳纳米管，因此少量金的引入即可对碳纳米管膜的透射率有相当大的影响。从这一点出发，通过金属蒸镀，我们可以有效地调节碳纳米管膜的透射率。
实施例3
请参阅图20-21，本发明实施例3提供一种远红外偏振光产生装置10A，其包括一远红外光源11A、一置于该远红外光源11A的出射面111一侧的偏振装置12A、一旋转装置13A、一真空容器14A以及一加热装置15A。所述远红外光源11A用于激发远红外光。所述远红外光源11A激发的远红外光经该偏振装置12A后形成远红外偏振光并发射出去。所述加热装置15A用于加热所述偏振装置12A。所述旋转装置13A用于旋转所述偏振装置12A。
本发明实施例3提供的远红外偏振光产生装置10A与本发明实施例1提供的远红外偏振光产生装置10的结构基本相同，其区别在于，进一步包括一旋转装置13A。所述旋转装置13A用于旋转所述偏振装置12A，所述偏振装置12A可以在碳纳米管结构所在的平面沿着顺时针方向旋转或逆时针方向旋转，从而可以得到不同偏振方向的远红外偏振光。所述旋转装置13A可以安装在所述偏振装置12A上。
本实施例中，所述偏振装置12A为一圆形结构，所述旋转装置13A与该支撑框架120连接，用于旋转该支撑框架120，从使所述碳纳米管结构121在其所在平面内旋转。所述旋转装置13A至少包括电机以及控制模块。所述碳纳米管结构121旋转角度的精度小于等于5度，优选地，旋转角度的精度为1度。
可以理解，由于远红外光实际偏振方向无法事先确定，本实施例定义垂直于地面的方向基准，以碳纳米管延伸方向垂直于地面为0°。当所述碳纳米管结构121旋转时，所述碳纳米管结构121旋转的角度就是远红外光偏振方向与地面的夹角。
本发明实施例3进一步提供一种产生远红外偏振光的方法，该方法包括以下步骤：
步骤S31，提供一碳纳米管结构121，该碳纳米管结构121包括一第一碳纳米管结构和一第二碳纳米管结构，所述第一碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的第一碳纳米管，所述第二碳纳米管结构包括多个随机分散在该第一碳纳米管结构的表面的第二碳纳米管，且该多个第二碳纳米管与该多个第一碳纳米管搭接设置；
步骤S32，对所述碳纳米管结构121进行预处理，除去至少部分第二碳纳米管，得到预处理后的碳纳米管结构；
步骤S33，提供一真空容器14A，所述预处理后的碳纳米管结构设置于该真空容器内；
步骤S34，提供一远红外光源11A，并使该远红外光源11A激发产生远红外光；
步骤S35，在所述远红外光源11A的出射面111一侧设置该预处理后的碳纳米管结构，使该远红外光源11A产生的远红外光透过该预处理后的碳纳米管结构121后发射出去；以及
步骤S36，加热该预处理后的碳纳米管结构；
步骤S37，旋转所述偏振装置12A，从而调节所述远红外偏振光的偏振方向。
实施例4
请参阅图22，本发明实施例4提供一种远红外偏振光产生装置10B，其包括一远红外光源11A、一置于该远红外光源11A的出射面111一侧的偏振装置12A、一真空容器14A、一加热装置15A以及一检偏器16A和一计算机19。所述远红外光源11A用于激发远红外光。所述远红外光源11A激发的远红外光经该偏振装置12A后形成远红外偏振光并发射出去。所述加热装置15A用于加热所述偏振装置12A。所述偏振装置12A设置于所述真空容器14A内。所述检偏器16A设置于所述偏振装置12A远离所述远红外光源11A的一侧。
本发明实施例4提供的远红外偏振光产生装置10B与本发明实施例1提供的远红外偏振光产生装置10结构基本相同，其区别在于，进一步包括一检偏器16A和一计算机19。所述检偏器16A用于检测透过该偏振装置12A的远红外偏振光在检偏器16A不同旋转角度下的的光强度，所述计算机19根据检偏器16A检测到的光强度的最大值和最小值计算所述远红外偏振光的偏振度。
实施例5
请参阅图23，提供一种远红外偏振光产生装置10C，其包括一远红外光源11A、一置于该远红外光源11A的出射面111一侧的偏振装置12A、一真空容器14A和一加热装置15A。所述远红外光源11A用于激发远红外光。所述远红外光源11A激发的远红外光经该偏振装置12A后形成远红外偏振光并发射出去。所述加热装置15A用于加热所述偏振装置12A。所述远红外光源11A和偏振装置12A以及加热装置均设置与所述真空容器14A内。
本发明实施例5提供的远红外偏振光产生装置10C与本发明实施例1提供的远红外偏振光产生装置10结构基本相同，其区别在于，所述远红外光源11A和偏振装置12A以及加热装置均设置与所述真空容器14A内。因此所述真空容器14A只需在远红外偏振光的出光侧对远红外偏振光透明即可。
实施例6
请参阅图24，本发明实施例6提供一种远红外成像系统100，其包括一远红外偏振光产生装置10D，一远红外偏振光产生装置10E，一信号接收装置18A以及一信号接收装置18B，以及一计算机19。
所述远红外偏振光产生装置10D包括一远红外光源11A；一偏振装置12A，所述偏振装置12A设置于该远红外光源11A的出射面111的一侧；一真空容器14A，所述偏振装置12A设置于所述真空容器14A内；一加热装置15A，所述加热装置15A用于加热所述偏振装置12A。
所述远红外偏振光产生装置10E包括一远红外光源11B，所述远红外光源11A和所述远红外光源11B间隔设置；一偏振装置12B，所述偏振装置12B设置于该远红外光源11B的出射面111的一侧，该偏振装置12B的偏振方向和所述偏振装置12A的偏振方向垂直；一真空容器14B，所述偏振装置12B设置于所述真空容器14B内；一加热装置15B，该加热装置15B用于加热所述偏振装置12B。
所述信号接收装置18A包括一检偏器16A以及一信号接收器180A，所述检偏器16A的偏振方向与所述偏振装置12A的偏振方向相同。所述检偏器16A设置于所述信号接收器180A的光入射面上。
所述信号接收装置18B包括一检偏器16B以及一信号接收器180B，该检偏器16B的偏振方向与所述偏振装置12B的偏振方向相同。所述检偏器16B设置于所述信号接收器180B的光入射面上。
所述计算机19分别与所述信号接收器180A和信号接收器180B电连接，用于将所述信号接收器180A接收的信号和所述信号接收器180B接收的信号整合到一起。所述电连接可以为通过导线连接也可以为无线连接。
所述远红外光源11A和远红外光源11B分别发射第一远红外光和第二远红外光。所述第一远红外光经过偏振装置12A后形成第一远红外偏振光，所述第二远红外光经过偏振装置12B后形成第二远红外偏振光。参见图25，本发明实施例中所述偏振装置12A的偏振方向为x方向，偏振装置12B的偏振方向为y方向。所述第一远红外偏振光由一待测目标17反射后形成第一远红外反射偏振光，所述第二远红外偏振光由待测目标17反射后形成第二远红外反射偏振光。所述第一信号接收器180A用于接收所述第一远红外反射偏振光，从而获得该待测目标17的深度信息。所述信号接收器180B用于接收所述第二远红外反射偏振光，从而获得该待测目标17的轮廓信息。所述检偏器16A设置于第一信号接收器18A接收第一远红外反射偏振光的一侧，用于将与第一远红外反射偏振光的偏振方向不同的光过滤掉，因此所述第一信号接收器180A只接收第一远红外反射偏振光。所述检偏器16B设置于第二信号接收器180B接收第二远红外反射偏振光的一侧，用于将与第二远红外反射偏振光的偏振方向不同的光过滤掉，因此所述第二信号接收器180B只接收第二远红外反射偏振光。
优选地，所述检偏器16A和检偏器16B分别包括上述碳纳米管膜，为了提高透过所述检偏器16A的第一远红外反射偏振光的偏振度，以及提高透过所述检偏器16B的第二远红外反射偏振光的偏振度，也可以对所述碳纳米管膜进行加热。
所述计算机19用于处理所述第一信号接收器180A接收的第一远红外反射偏振光，从而获得所述待测目标17的轮廓信息以及处理所述第二信号接收器180B接收的第二远红外反射偏振光，从而获得所述待测目标的深度信息，并将所述轮廓信息和深度信息整合到一起。因此本实施体提供的远红外成像系统能够实现立体成像。
实施例7
参见图26，本发明第7实施例提供一种红外成像系统200，包括：一远红外偏振光产生装置10F，一信号接收装置18A和一信号接收装置18B,以及一计算机19，。
所述远红外偏振光产生装置10F包括一远红外光源11A；一偏振装置12A，所述偏振装置12A设置于该远红外光源11A的出射面111的一侧；一旋转装置13A，该旋转装置13A用于控制偏振装置12A的偏振方向，使该偏振装置12A具有相互垂直的第一偏振方向和第二偏振方向，所述远红外光经位于第一偏振方向的偏振装置12A后形成第一远红外偏振光，所述远红外光经位于第二偏振方向的偏振装置12A后形成第二远红外偏振光；一真空容器14A，所述偏振装置12A设置于所述真空容器14A内；以及一加热装置15A，所述加热装置15A用于加热所述偏振装置12A。
所述信号接收装置18A包括一检偏器16A以及一信号接收器180A，所述检偏器16A的偏振方向与位于第一偏振方向的偏振装置12A的偏振方向相同。所述检偏器16A设置于所述信号接收器180A的光入射面上。
所述信号接收装置18B包括一检偏器16B以及一信号接收器180B，该检偏器16B的偏振方向与位于第二偏振方向的偏振装置12A的偏振方向相同。所述检偏器16B设置于所述信号接收器180B的光入射面上。
所述计算机19分别与所述信号接收器180A和信号接收器180B电连接，用于将所述信号接收器180A接收的信号和所述信号接收器180B接收的信号整合到一起。所述电连接可以为通过导线连接也可以为无线连接。
首先，所述远红外光源11A发射的远红外光经过位于第一偏振方向的偏振装置12A后形成第一远红外偏振光。所述第一远红外偏振光照射到待测目标17后被反射形成第一远红外反射偏振光。在这一时间段内，检偏器16A的偏振方向与位于第一偏振方向的偏振装置12A的偏振方向相同，而偏振器16B的偏振方向与位于第一偏振方向的偏振装置12A的偏振方向垂直，因此该第一远红外反射偏振光只能透过所述检偏器16A被所述信号接收器180A接收。
然后，所述旋转装置13A旋转90度，这时旋转后的偏振装置12A的偏振方向为第二偏振方向。位于第二偏振方向的偏振装置12A和检偏器16B中的偏振方向相同。所述远红外光源11A发射的远红外光经过位于第二偏振方向的偏振装置12A后形成第二远红外偏振光。所述第二远红外偏振光照射到待测目标17后形成第二远红外反射偏振光。位于第二偏振方向的偏振装置12A的偏振方向与位于第一偏振方向的偏振装置12A的偏振方向垂直。在这一过程中，由于检偏器16B的偏振方向与位于第二偏振方向的偏振装置12A的偏振方向相同，而偏振器16A的偏振方向与位于第二偏振方向的偏振装置12A的偏振方向垂直，因此该第二远红外反射偏振光只能透过所述检偏器16B被所述信号接收器180B接收。
所述计算机19用于处理所述信号接收器180A接收的第一远红外反射偏振光，从而获得所述待测目标17的轮廓信息以及处理所述信号接收器180B接收的第二远红外反射偏振光，从而获得所述待测目标的深度信息，并将所述轮廓信息和深度信息整合到一起。因此本实施体提供的远红外成像系统能够实现立体成像。
本发明实施例7提供的红外成像系统200与本发明实施例6提供的红外成像系统100基本相同，其区别在于，本发明实施例7提供的红外成像系统200中进一步包括一旋转装置13A，并通过所述旋转装置13A改变远红外偏振光的偏振方向。
本发明不仅可以用于提高远红外光的偏振度，也可以应用于其它电磁波。
相较于现有技术，本发明提供的产生远红外偏振光的方法，通过加热碳纳米管结构的方式来提高偏振度的方法，结构简单，方法可靠。
另外，本领域技术人员还可以在本发明精神内做其它变化，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围内。

Claims (10)

1.一种产生远红外偏振光的方法，其包括以下步骤：
提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括一第一碳纳米管结构和一第二碳纳米管结构，所述第一碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的第一碳纳米管，相邻的两个第一碳纳米管之间的间隙的尺寸为1纳米～0.5微米，所述第二碳纳米管结构包括多个随机分散在该第一碳纳米管结构的表面的第二碳纳米管，且该多个第二碳纳米管与该多个第一碳纳米管搭接设置；
对所述碳纳米管结构进行预处理，除去至少部分第二碳纳米管，得到预处理后的碳纳米管结构；
将该预处理后的碳纳米管结构设置于一远红外光源的出射面一侧；
使该远红外光源激发产生远红外光，并使该远红外光透过该预处理后的碳纳米管结构后发射出去；以及
加热所述预处理后的碳纳米管结构。
2.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多层碳纳米管膜，所述碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管束，每一碳纳米管束包括多个相互平行的第一碳纳米管。
3.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述多个第一碳纳米管的表面包覆有金属导电层。
4.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述碳纳米管结构的边缘固定于一支撑框架上，中间部分通过该支撑框架悬空设置。
5.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述预处理所述碳纳米管结构的步骤为激光扫描所述碳纳米管结构。
6.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述预处理所述碳纳米管结构的步骤为等离子体刻蚀所述碳纳米管结构。
7.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述加热所述预处理后的碳纳米管结构的步骤为在第一碳纳米管延伸方向的两侧施加电压。
8.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，加热所述预处理后的碳纳米管结构的同时进一步包括旋转所述预处理后的碳纳米管结构。
9.如权利要求1所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述预处理后的碳纳米管结构悬空设置于一真空容器内。
10.如权利要求9中所述的产生远红外偏振光的方法，其特征在于，所述真空容器内的压强小于等于10-2Pa。
CN201810109211.7A 2018-02-05 2018-02-05 一种产生远红外偏振光的方法 Active CN110119032B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810109211.7A CN110119032B (zh) 2018-02-05 2018-02-05 一种产生远红外偏振光的方法
TW107106420A TWI709525B (zh) 2018-02-05 2018-02-26 一種產生遠紅外偏振光的方法
US16/212,916 US11360253B2 (en) 2018-02-05 2018-12-07 Generator and method for generating far infrared polarized light

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810109211.7A CN110119032B (zh) 2018-02-05 2018-02-05 一种产生远红外偏振光的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110119032A CN110119032A (zh) 2019-08-13
CN110119032B true CN110119032B (zh) 2020-09-08

Family

ID=67475098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810109211.7A Active CN110119032B (zh) 2018-02-05 2018-02-05 一种产生远红外偏振光的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11360253B2 (zh)
CN (1) CN110119032B (zh)
TW (1) TWI709525B (zh)

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1281982C (zh) * 2002-09-10 2006-10-25 清华大学 一种偏光元件及其制造方法
US20090052029A1 (en) 2006-10-12 2009-02-26 Cambrios Technologies Corporation Functional films formed by highly oriented deposition of nanowires
CN1975550A (zh) 2006-12-11 2007-06-06 厦门大学 主动式红外偏振激光夜视成像仪
CN102207574B (zh) * 2007-03-30 2013-04-10 清华大学 偏光元件及其制备方法
CN101388319B (zh) 2007-09-14 2010-05-26 清华大学 场发射偏振光源
TWI360828B (en) * 2007-09-21 2012-03-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Field emission polarized light source
CN101597049B (zh) * 2008-06-04 2011-11-09 清华大学 碳纳米管薄膜的制备方法
CN101870591B (zh) * 2009-04-27 2012-07-18 清华大学 一种碳纳米管膜前驱、碳纳米管膜及其制造方法以及具有该碳纳米管膜的发光器件
CN101893659B (zh) * 2009-05-19 2012-06-20 清华大学 电磁波偏振方向检测方法及检测装置
CN101963681B (zh) * 2009-07-24 2012-06-20 清华大学 偏光元件
CN103896242A (zh) * 2012-12-28 2014-07-02 天津富纳源创科技有限公司 提高碳纳米管膜异向性的方法
KR102028209B1 (ko) * 2013-06-04 2019-11-04 전북대학교산학협력단 탄소나노튜브 편광필름의 제조방법 및 이에 의한 탄소나노튜브 편광필름
US20170096339A1 (en) * 2015-09-28 2017-04-06 William Marsh Rice University Preparation of wafer-scale films of aligned carbon nanotubes by vacuum filtration
WO2017068450A1 (en) * 2015-10-20 2017-04-27 King Abdullah University Of Science And Technology Nanowires-based light emitters on thermally and electrically conductive substrates and of making same
CN105572780B (zh) * 2016-02-03 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 线栅偏振器件及其制作方法、显示装置
KR101808422B1 (ko) * 2016-05-03 2017-12-12 한국산업기술대학교산학협력단 탄소나노튜브 시트, 그의 제조방법 및 그 탄소나노튜브 시트를 포함하는 편광필름
CN107233078A (zh) 2017-06-09 2017-10-10 南京理工大学 一种交叉偏振照相成像装置及成像方法
CN110119033B (zh) * 2018-02-05 2020-08-11 清华大学 红外成像系统

Also Published As

Publication number Publication date
US11360253B2 (en) 2022-06-14
US20190243048A1 (en) 2019-08-08
TWI709525B (zh) 2020-11-11
TW201936484A (zh) 2019-09-16
CN110119032A (zh) 2019-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110119033B (zh) 红外成像系统
CN105699358B (zh) 基于石墨烯与纳米金复合的表面拉曼及红外光谱双增强探测方法
US7915598B2 (en) Method and device for measuring electromagnetic signal
US20090268563A1 (en) Acoustic System
US20190252150A1 (en) Transmission type target, radiation generating tube including the same, radiation generating apparatus, and radiography system
CN110119032B (zh) 一种产生远红外偏振光的方法
US20140264026A1 (en) Cross antennas for surface-enhanced infrared absorption (seira) spectroscopy of chemical moieties
TWI639865B (zh) 一種太赫茲波通訊方法
TWI397701B (zh) 電磁波檢測裝置及檢測方法
TWI630173B (zh) 一種太赫茲波發射裝置
CN108731824A (zh) 一种太赫兹波波长检测装置
CN108731825B (zh) 一种太赫兹波波长检测方法
CN108736980B (zh) 一种太赫兹波通讯方法
CN108732139B (zh) 一种太赫兹波通讯方法
Lackner et al. Plasma modification and deposition on inner tube faces by pulsed DC discharges
CN108736964B (zh) 一种太赫兹波通讯装置
KR101145459B1 (ko) 음향발생장치와, 이 음향발생장치를 이용한 음향전송시스템, 전자기파신호 검출방법 및, 검출장치
TWI400436B (zh) 電磁波偏振方向檢測方法及檢測裝置
TW201838915A (zh) 一種產生太赫茲調製波的方法
WO2008105900A2 (en) Method and system for sensing and identifying foreign particles in a gaseous environment
Zhu et al. Plasmas generated by electron beam passing through diamond window
Goncharov et al. Optical behavior of some nanosized structures formed due to laser irradiation
Puzyrou Optical properties of the nanosized structures formed by the laser erosion method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant