CN110108949B - 用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器 - Google Patents

用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN110108949B
CN110108949B CN201910389143.9A CN201910389143A CN110108949B CN 110108949 B CN110108949 B CN 110108949B CN 201910389143 A CN201910389143 A CN 201910389143A CN 110108949 B CN110108949 B CN 110108949B
Authority
CN
China
Prior art keywords
microstrip line
measuring
magnetic
dielectric constant
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910389143.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110108949A (zh
Inventor
甘宏祎
赵文生
王晶
胡月
王高峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Dianzi University
Original Assignee
Hangzhou Dianzi University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Dianzi University filed Critical Hangzhou Dianzi University
Priority to CN201910389143.9A priority Critical patent/CN110108949B/zh
Publication of CN110108949A publication Critical patent/CN110108949A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110108949B publication Critical patent/CN110108949B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
    • G01R27/2617—Measuring dielectric properties, e.g. constants
    • G01R27/2623—Measuring-systems or electronic circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/12—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
    • G01R33/1223—Measuring permeability, i.e. permeameters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

本发明公开用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器。包括底层被刻蚀了一对CSRR槽环的金属薄片，中间层的PCB板，顶层微带线；整个微带线结构两端伸出馈电长脚用于连接SMA连接头，中间一段微带线带有两个金属补丁，两个金属补丁分别耦合底层的两个CSRR槽环；槽环具有两个敏感区域，其中外槽环开口槽沟之间的区域为磁场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环内折直角相接的槽沟之间的区域为电场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数。该传感器具备同时测量磁介质材料介电常数和磁导率的功能，不仅具有高灵敏度和高精度的优良性能，而且结构简单、实用性很强。

Description

用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器
技术领域
本发明涉及一种微带线激励传感器，特别涉及一种基于互补开环谐振器(complementary split-ring resonator—CSRR)的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的新型微波传感器，属于微波技术领域。
背景技术
随着微波技术在众多行业(如军事、医学、食品、化工及气象学等领域)中的快速发展，各种类型的射频微波器件被逐渐开发和应用，同时由于这些高频器件所使用到的磁介质材料的电磁特性极大影响着设备器件的性能参数，因此对磁介质材料的电磁特性的研究很受重视。
磁介质材料的电磁特性是通过介电常数ε、磁导率μ、电导率σ三个参数来表征。其中，介电常数和磁导率是表征磁介质材料磁电性能最重要的基本参数，也是物质与电磁场之间相互作用的重要纽带。用来测量介电常数和磁导率的方法有很多，主要分为谐振法和非谐振法。谐振法中最典型的方法是谐振腔法，这种测量方法几乎不存在外界因素对测量的干扰，因此它是目前为止测量磁介质材料介电常数和磁导率最为准确的一种方法。谐振腔法的设计思路是将固定尺寸的待测样本放入谐振腔内设定好的位置，然后根据谐振腔的S参数的变化和质量因子Q值的差异来反推出待测样本的介电常数和磁导率。在现有基于谐振原理的小型化微波传感器中，对磁介质材料的介电常数和磁导率传感表征具有相同的特性，即它们都会降低谐振频率。因此，磁介质材料的介电常数和磁导率的测量彼此独立，传感器功能单一，只能针对于某一参数的测量，不能同时测量介电常数和磁导率。
发明内容
本发明的目的主要针对现有技术的不足，提出了一种结构简单、高灵敏度、高Q值以及具备同时测量介电常数和磁导率功能的新型微波传感器。该传感器是在传统的互补开环谐振器和传输线结构基础上进行设计的。
本发明按以下技术方案实现：
一种新型微波传感器，该微波传感器为两端口器件，由顶层至底层包括微带线结构、介质层、金属薄片、两个刻槽金属CSRR结构；
所述微带线结构，置于介质层的上表面，包括分别位于介质层两侧的一个输入端口和一个输出端口，所述两端口用于连接SMA连接头，所述SMA连接头与矢量网络分析仪相连通；
所述输入端口与输出端口之间通过五段微带线连接，所述五段微带线包括第一至第三微带线Ⅰ和第一至第二微带线Ⅱ，第一微带线Ⅰ的一端通过50欧姆电阻与第一微带线Ⅱ的一端焊接，第一微带线Ⅰ的另一端通过金属补丁与第二微带线Ⅰ的一端连接，第二微带线Ⅰ的另一端通过金属补丁与第三微带线Ⅰ的一端连接，第三微带线Ⅰ的另一端通过50欧姆电阻与第二微带线Ⅱ的一端焊接，第一微带线Ⅱ、第二微带线Ⅱ的另一端分别作为输入输出端口；其中第一微带线Ⅰ与第一微带线Ⅱ位于同一直线，第三微带线Ⅰ与第二微带线Ⅱ位于同一直线，第一微带线Ⅰ与第二微带线Ⅰ呈90度角，第二微带线Ⅰ与第三微带线Ⅰ呈90度角；
进一步地，所述微带线Ⅱ的宽度为1.67mm，用以匹配50Ω电阻；
进一步地，所述微带线Ⅰ的宽度小于微带线Ⅱ的宽度；
进一步地，所述介质层为方形PCB板；
所述的金属薄片与介质层形状相同，设置在介质层的下表面，且刻蚀有两个结构大小相同的刻槽金属CSRR结构。两个刻槽CSRR结构的开口朝向相同。
每个刻槽金属CSRR结构由内外槽环构成，内外槽环均设有一个开口，且开口朝向均相同；所述内外槽环开口相对的两直角均对齐内折，所述外槽环的开口向环内外延伸构成槽沟，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大，电场强度最小的区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大，磁场强度最小的区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数；
所述两个金属补丁分别位于两个刻槽金属CSRR结构内部的相对位置，且金属补丁分别耦合刻槽金属CSRR结构；
所述刻槽金属CSRR结构内槽环的开口宽度与外槽环开口槽沟宽度相同。
进一步地，两个刻槽金属CSRR结构之间空隙距离设置为9.24mm，以消除彼此间的耦合；
进一步地，所述刻槽金属CSRR结构外槽环尺寸设置为11mm×7mm，槽宽为0.41mm，内槽环尺寸设置为6.31mm×5.74mm，槽宽为0.38mm，内外槽环槽边对齐处距离设置为0.22mm，其合理的尺寸使得电场很好的束缚在槽环周边；
进一步地，外槽环开口槽沟与内槽环开口之间留有一定距离的空隙，距离设置为0.675mm，使得磁场很好的束缚在空隙中；
进一步地，所述金属补丁中心与刻槽金属CSRR结构内槽环的开口槽沟中心的水平距离为1.55mm；
进一步地，所述两个金属补丁中心之间的距离为20mm；
所述传感器的灵敏度决定了对介电常数和磁导率测量的分辨率；质量因子决定了测量的精度；测量范围和小型化决定了传感器的实用性。
本发明与现有技术相比，具有如下的突出实质性特点和显著技术进步：
本发明与现有的微波传感器相比，克服了现有传感器只能单一测量介电常数或磁导率的缺点，能够在同一传感器不同区域同时测量介电常数和磁导率。而且，该传感器的刻槽金属CSRR结构的对强场的束缚很强，因此灵敏度很高，同时金属补丁与刻槽金属CSRR结构之间耦合提高了传感器谐振时的阻抗匹配，从而提高了质量因子，因此本发明很适用于测量介电常数和磁导率较高的磁介质材料。
附图说明
图1是本发明的结构示意图以及参数标注图：其中(a)传感器顶层示意图，(b)传感器底层示意图，(c)传感器平面示意图；
图2是本发明的S参数示意图；
图3是本发明的场强度分布示意图：其中(a)电场强度分布示意图，(b)磁场强度分布示意图；
图4是本发明的透射系数与待测样品的磁导率和介电常数的关系示意图：其中(a)透射系数与待测样品的磁导率的关系示意图，(b)透射系数与待测样品的介电常数的关系示意图。
其中，1.PCB板；2.金属补丁；3.微带线Ⅰ；4.50Ω电阻；5.微带线Ⅱ；6.SMA连接头；7.金属薄片；8.CSRR槽环；9.电场强度最大区域；10.磁场强度最大区域。
具体实施方式
下面结合附图用具体实施例对本发明作进一步详细说明。
如图1所示是本发明的结构示意图，本发明的传感器包括顶层微带线、中间层PCB板1、底层金属薄片7被刻蚀的CSRR槽环8；顶层微带线包括三段微带线Ⅰ3与两段微带线Ⅱ5，第一微带线Ⅰ与第一微带线Ⅱ5之间、第三微带线Ⅰ与第二微带线Ⅱ5之间分别通过两个50Ω电阻4焊连，第一微带线Ⅰ与第二微带线Ⅰ、第二微带线Ⅰ与第三微带线Ⅰ分别通过金属补丁2相连，微带线Ⅰ3延伸出馈电长脚用于连接SMA连接头6；金属补丁2耦合底层的CSRR槽环7；
每个刻槽金属CSRR结构由内外槽环构成，两个刻槽CSRR结构的开口朝向相同；所述内外槽环均设有一个开口，开口朝向均相同，且开口相对的两直角均内折，内折两边相同，且槽环具有两个敏感区域，所述外槽环的开口向环内外延伸，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大区域10，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大区域9，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数；
外槽环开口槽沟与内槽环开口之间的空隙宽度为0.675mm。
本发明的传感器设计在三维电磁仿真软件AnsysHFSS环境进行的，相关尺寸通过软件得到，如下表所示：
参数 w<sub>t1</sub> w<sub>t2</sub> a s<sub>1</sub> p pa
数值(mm) 1.67 0.4 9.52 6.2 0.76 1.6
参数 s<sub>2</sub> b c l g w<sub>0</sub>
数值(mm) 1.55 8 6.94 3.4 0.41 0.3
参数 w<sub>1</sub> w<sub>2</sub> w<sub>3</sub> S
数值(mm) 0.38 0.22 0.41 20
其中中间层PCB板的大小选取35×26×0.813mm3的高频板Rogers RO4350(介电常数3.66，磁导率1，电介质损耗0.004，磁导率损耗0)
如图2所示是本发明的S参数示意图，传感器有两个谐振频率点，分别为2.22GHz和2.46GHz，而且Q值都大于300，较高的Q值保证了传感器的测量精度高。
如图3所示是本发明的场强度分布示意图，其中(a)为电场强度分布示意图，底层CSRR槽环中内外槽环内折直角相接的槽沟之间的区域为电场强度最大，磁场强度最小，因此该区域对磁电样品的电介常数变化很敏感，对磁导率不敏感，在该区域放置待测样品可以测量样品的介电常数；(b)为磁场强度分布示意图，底层CSRR槽环中外槽环开口槽沟之间的区域为磁场强度最大，电场强度最小，因此该区域对磁电样品的磁导率变化很敏感，对介电常数不敏感，在该区域放置待测样品可以测量样品的磁导率。
如图4所示是本发明的透射系数与待测样品的介电常数和磁导率的关系示意图，其中(a)为透射系数与待测样品的介电常数的关系示意图，(b)为透射系数与待测样品的磁导率的关系示意图。一种是待测样品分出两块尺寸分别为3.4×1.12×1mm3和7.8×3.5×1mm3的大小块，第一个块放置在第一个传感器(sensor1)中磁场强度最大的区域，第二块放置在第二个传感器(sensor2)中电场强度最大的区域，分别测量对应样品的磁导率和介电常数。另一种是将一块待测样品同时覆盖在第一个传感器(sensor1)中电场强度最大的区域，以及第二个传感器(sensor2)中磁场强度最大的区域，在不用移动样品的前提下测量该样品的磁导率和介电常数。当待测样品的磁导率数从1变化到2时，传感器的第二个谐振频率点从2.46GHz降到2.26GHz，第一个谐振频率点保持在2.22GHz不变，通过第二个谐振频率点的变化量可推算出样品的磁导率；当待测样品的介电常数从1变化到8时，传感器的第一个谐振频率点从2.22GHz降到1.9GHz，第二个谐振频率点保持在2.46GHz不变，通过第一个谐振频率点的变化量可推算出样品的介电常数，由于两个频率谐振点互不影响，对一种待测样品的磁电特性能同时做出响应，因此能够同时获取待测样品的磁导率和介电常数。而且，随着测量范围的扩大，透射系数的质量因子不断提高，表现出了很高的测量精度，因此传感器很适合介电常数和磁导率偏高的磁介质样品的测量，具有极强的实用性。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合，均在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于为三层结构；
底层包括金属薄片、两个刻槽CSRR结构；
中间层包括PCB板；
顶层包括微带线、两个金属补丁、两个50Ω电阻和两个SMA连接头；
所述微带线结构，包括分别位于介质层两侧的一个输入端口和一个输出端口，所述两端口用于连接SMA连接头，所述SMA连接头与矢量网络分析仪相连通；
所述输入端口与输出端口之间通过五段微带线连接，所述五段微带线包括第一至第三微带线Ⅰ和第一至第二微带线Ⅱ，第一微带线Ⅰ的一端通过50欧姆电阻与第一微带线Ⅱ的一端焊接，第一微带线Ⅰ的另一端通过金属补丁与第二微带线Ⅰ的一端连接，第二微带线Ⅰ的另一端通过金属补丁与第三微带线Ⅰ的一端连接，第三微带线Ⅰ的另一端通过50欧姆电阻与第二微带线Ⅱ的一端焊接，第一微带线Ⅱ、第二微带线Ⅱ的另一端分别作为输入输出端口；其中第一微带线Ⅰ与第一微带线Ⅱ位于同一直线，第三微带线Ⅰ与第二微带线Ⅱ位于同一直线，第一微带线Ⅰ与第二微带线Ⅰ呈90度角，第二微带线Ⅰ与第三微带线Ⅰ呈90度角；
每个刻槽金属CSRR结构由内外槽环构成，两个刻槽CSRR结构的开口朝向相同；所述内外槽环开口相对的两直角均对齐内折，内外槽环均设有一个开口，且开口朝向均相同；所述外槽环的开口向环内外延伸，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大，电场强度最小的区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大，磁场强度最小的区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数；
所述两个金属补丁分别位于两个刻槽金属CSRR结构内部的相对位置，且金属补丁分别耦合刻槽金属CSRR结构；
内槽环的开口宽度与外槽环开口槽沟宽度相同。
2.如权利要求1所述的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于所述微带线Ⅰ的宽度小于微带线Ⅱ的宽度。
3.如权利要求1所述的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于两个刻槽金属CSRR结构之间存在一定的空隙，以消除彼此间的耦合。
4.如权利要求1所述的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于所述金属补丁中心与刻槽金属CSRR结构内槽环的开口槽沟中心的水平距离为1.55mm。
5.如权利要求1所述的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于所述两个金属补丁之间的距离为20mm。
6.如权利要求1所述的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于外槽环开口槽沟与内槽环开口之间留有一定的空隙。
7.如权利要求1所述的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于所述底层的两个刻槽金属CSRR结构分别用来放置大小不同材料相同的两块待测样品，其中一个待测样品放置在其中一个刻槽金属CSRR结构外槽环开口槽沟之间的部分，用来测量磁导率，另一个待测样品放置在另一个刻槽金属CSRR结构内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分，用来测量介电常数。
8.如权利要求1所述的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于待测样品同时覆盖在其中一个刻槽金属CSRR结构外槽环开口槽沟之间的部分以及另一个刻槽金属CSRR结构内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分，分别用来测量磁导率和介电常数。
CN201910389143.9A 2019-05-10 2019-05-10 用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器 Active CN110108949B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910389143.9A CN110108949B (zh) 2019-05-10 2019-05-10 用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910389143.9A CN110108949B (zh) 2019-05-10 2019-05-10 用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110108949A CN110108949A (zh) 2019-08-09
CN110108949B true CN110108949B (zh) 2021-05-07

Family

ID=67489366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910389143.9A Active CN110108949B (zh) 2019-05-10 2019-05-10 用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110108949B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110470909B (zh) * 2019-08-16 2020-11-10 广东浪潮大数据研究有限公司 介电常数的测试方法及装置
CN111007322A (zh) * 2019-11-27 2020-04-14 杭州电子科技大学 基于互补开环谐振器结构的差分微波微流体传感器
CN111157803B (zh) * 2020-01-15 2022-07-26 杭州电子科技大学 可重构四分之一模基片集成波导微波微流控传感器
CN111426886B (zh) * 2020-01-15 2023-05-02 杭州电子科技大学 基于衬底集成波导超高灵敏度的微波微流控传感器
CN111257370B (zh) * 2020-03-05 2021-03-23 西北工业大学 一种覆铜板介电常数和金属电导率的测量装置及方法
CN112684259B (zh) * 2020-12-04 2022-04-22 西南大学 一种用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的重入式腔体传感器
CN113281572B (zh) * 2021-05-20 2022-02-18 华中科技大学 一种材料微波复介电常数和复磁导率测试方法及系统
CN113640587B (zh) * 2021-08-26 2023-01-13 安徽师范大学 一种基于螺旋谐振器的双频段无损介电常数测量传感器
CN114325118B (zh) * 2021-12-07 2023-11-03 重庆邮电大学 一种基于csrr衍生结构的固体材料电磁参数传感器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104681903A (zh) * 2013-11-27 2015-06-03 哈尔滨飞羽科技有限公司 基于srr和ds-csrr的新型可控双通带滤波器
KR101616114B1 (ko) * 2015-01-09 2016-04-27 서울대학교산학협력단 원 포트 탐침을 이용한 투자율 및 유전율 측정 장치 및 방법
CN107490727A (zh) * 2017-08-17 2017-12-19 河南师范大学 一种复合微波传感器以及被测物的介电常数测量方法
CN108011161A (zh) * 2017-11-23 2018-05-08 安徽大学 基于电磁带隙和互补开口环谐振器结构的微波滤波器及其设计方法
CN108828321A (zh) * 2018-05-04 2018-11-16 杭州电子科技大学 一种用于测量介电常数的差分微波传感器
CN108872266A (zh) * 2018-05-04 2018-11-23 杭州电子科技大学 一种用于测量介电常数的微型三层磁耦合微波传感器
CN110133375A (zh) * 2019-05-10 2019-08-16 杭州电子科技大学 用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器
CN110531164A (zh) * 2019-08-20 2019-12-03 杭州电子科技大学 基于siw-csrr的用于测量介电常数的微波传感器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104681903A (zh) * 2013-11-27 2015-06-03 哈尔滨飞羽科技有限公司 基于srr和ds-csrr的新型可控双通带滤波器
KR101616114B1 (ko) * 2015-01-09 2016-04-27 서울대학교산학협력단 원 포트 탐침을 이용한 투자율 및 유전율 측정 장치 및 방법
CN107490727A (zh) * 2017-08-17 2017-12-19 河南师范大学 一种复合微波传感器以及被测物的介电常数测量方法
CN108011161A (zh) * 2017-11-23 2018-05-08 安徽大学 基于电磁带隙和互补开口环谐振器结构的微波滤波器及其设计方法
CN108828321A (zh) * 2018-05-04 2018-11-16 杭州电子科技大学 一种用于测量介电常数的差分微波传感器
CN108872266A (zh) * 2018-05-04 2018-11-23 杭州电子科技大学 一种用于测量介电常数的微型三层磁耦合微波传感器
CN110133375A (zh) * 2019-05-10 2019-08-16 杭州电子科技大学 用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器
CN110531164A (zh) * 2019-08-20 2019-12-03 杭州电子科技大学 基于siw-csrr的用于测量介电常数的微波传感器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Reduced size patch antenna using complementary split ring resonator as defected ground plane;FalguniRaval;《AEU - International Journal of Electronics and Communications》;20150831;Pages 1126-1133 *
互补开口谐振环微带传感器介电常数的测量;孙景芳等;《传感技术学报》;20190415;第532-536页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN110108949A (zh) 2019-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110108949B (zh) 用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器
CN110133377B (zh) 用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的差分微波传感器
CN110133376B (zh) 用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器
CN110133375B (zh) 用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器
CN110531164B (zh) 基于siw-csrr的用于测量介电常数的微波传感器
CN110165353B (zh) 同时测量磁介质材料介电常数和磁导率的高q有源谐振器
Tamer et al. Metamaterial based sensor integrating transmission line for detection of branded and unbranded diesel fuel
Bakır et al. Metamaterial sensor for transformer oil, and microfluidics
CN110806416B (zh) 同时测量湿度、温度和材料复介电常数的多功能传感器
CN111007322A (zh) 基于互补开环谐振器结构的差分微波微流体传感器
Sorocki et al. Broadband microwave microfluidic coupled-line sensor with 3-D-printed channel for industrial applications
CN108828321B (zh) 一种用于测量介电常数的差分微波传感器
CN108872266A (zh) 一种用于测量介电常数的微型三层磁耦合微波传感器
CN111157803B (zh) 可重构四分之一模基片集成波导微波微流控传感器
Mohammadi et al. T-junction loaded with interdigital capacitor for differential measurement of permittivity
Ye et al. An ultrahigh-sensitivity dual-mode microwave sensor for microfluidic applications
Mohd Bahar et al. Microfluidic biochemical sensor based on circular SIW‐DMS approach for dielectric characterization application
CN108872710A (zh) 一种用于测量介电常数的微型双层磁耦合微波传感器
Regalla et al. A microwave dielectric resonator based sensor for detecting both linear and angular displacements
CN110988487B (zh) 基于t型馈线激励互补开环谐振器的微波微流体传感器
Piekarz et al. Effective permittivity measurement with the use of coupled-line section sensor
Mohammadi et al. A Differential and High-Sensitivity Thickness Measurement Sensor for Dielectric Solid Materials Using a Branch Line Coupler
Lin et al. A new cavity perturbation technique for accurate measurement of dielectric parameters
CN114594312B (zh) 互耦环缝谐振结构的液体复介电常数传感器及测量方法
CN111077170B (zh) 基于电磁带隙结构的高灵敏度微波微流体传感器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant