CN110133375A - 用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器 - Google Patents

用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器 Download PDF

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Abstract

本发明公开用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器。由顶层至底层包括两个微带线结构、介质层、金属薄片、两个刻槽金属CSRR结构；刻槽金属CSRR结构由内外槽环构成，内外槽环均设有一个开口，且开口朝向均相同；内外槽环开口相对的两直角均对齐内折，外槽环的开口向环内外延伸构成槽沟，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数；本发明采用了差分结构的形式，对介电常数和磁导率可做差分测量，采用相对测量的方式排除了环境因素的影响。

Description

用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器
技术领域
本发明属于微波技术领域,涉及一种微带线激励传感器，特别涉及一种基于单端微带线磁耦合的用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的差分微波传感器。
背景技术
随着微波技术在众多行业(如军事、医学、食品、化工及气象学等领域)中的快速发展，各种类型的射频微波器件被逐渐开发和应用，同时由于这些高频器件所使用到的磁介质材料的电磁特性极大影响着设备器件的性能参数，因此对磁介质材料的电磁特性的研究很受重视。
磁介质材料的电磁特性是通过介电常数ε、磁导率μ、电导率σ三个参数来表征。其中，介电常数和磁导率是表征磁介质材料磁电性能最重要的基本参数，也是物质与电磁场之间相互作用的重要纽带。用来测量介电常数和磁导率的方法有很多，主要分为谐振法和非谐振法。谐振法中最典型的方法是谐振腔法，这种测量方法几乎不存在外界因素对测量的干扰，因此它是目前为止测量磁电材料的介电常数和磁导率最为准确的一种方法。谐振腔法的设计思路是将固定尺寸的待测样本放入谐振腔内设定好的位置，然后根据谐振腔的S参数的变化和质量因素Q值的差异来反推出待测样本的介电常数和磁导率。在现有基于谐振原理的小型化微波传感器中，对磁介质材料的介电常数和磁导率传感表征具有相同的特性，即它们都会降低谐振频率。因此，磁介质材料的介电常数和磁导率的测量彼此独立，传感器功能单一，只能针对于某一参数的测量，不能同时测量介电常数和磁导率。此外，现有的微波传感器测量基本未考虑外界因素的影响，而环境因素是影响传感器测量的主要因素，某些场合环境因素所带来的测量误差是不可忽略的。本申请结构的设计主要解决上述问题同时小型化传感器提高实用性。
发明内容
本发明的目的主要针对现有技术的不足，提出了一种结构简单、具备同步测量介电常数和磁导率功能的差分微波传感器。该传感器是在传统的互补开环谐振器和微带线结构基础上进行设计的。
本发明按以下技术方案实现：
一种差分微波传感器，该微波传感器为两端口器件，由顶层至底层包括两个微带线结构、介质层、金属薄片、两个刻槽金属CSRR结构；
所述两个微带线结构尺寸相同且轴对称设置，设置在介质层的上表面；每个微带线结构只有一个终端接口，所述终端接口用于连接SMA连接头，所述SMA连接头与矢量网络分析仪相连通；
所述微带线结构包括微带线Ⅰ和微带线Ⅱ，微带线Ⅰ的一端通过50欧姆电阻与微带线Ⅱ的一端焊接，微带线Ⅰ的另一端与金属补丁连接，微带线Ⅱ的另一端作为终端接口；金属补丁、微带线Ⅰ和微带线Ⅱ位于同一直线；
进一步地，所述微带线Ⅱ的宽度为1.67mm，用以匹配50Ω电阻；
进一步地，所述微带线Ⅰ的宽度小于微带线Ⅱ的宽度；
进一步地，所述介质层为方形PCB板；
所述的金属薄片与介质层形状相同，设置在介质层的下表面，且刻蚀有两个结构大小相同的刻槽金属CSRR结构。两个刻槽CSRR结构的开口朝向相同。
每个刻槽金属CSRR结构由内外槽环构成，内外槽环均设有一个开口，且开口朝向均相同；所述内外槽环开口相对的两直角均对齐内折，所述外槽环的开口向环内外延伸构成槽沟，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大，电场强度最小的区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大，磁场强度最小的区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数；
所述两个微带线中的金属补丁分别位于两个刻槽金属CSRR结构内部的相对位置，且金属补丁耦合各自的刻槽金属CSRR结构；
所述刻槽金属CSRR结构内槽环的开口宽度与外槽环开口槽沟宽度相同。
进一步地，两个刻槽金属CSRR结构之间空隙距离设置为8.94mm，以消除彼此间的耦合；
进一步地，所述刻槽金属CSRR结构外环尺寸设置为11mm×7mm，槽宽为0.41mm，内环尺寸设置为6.31mm×5.74mm，槽宽为0.38mm，内外槽环槽边对齐处距离设置为0.22mm，其合理的尺寸使得电场很好的束缚在槽环周边；
进一步地，外槽环开口槽沟与内槽环开口之间留有一定距离的空隙，距离设置为0.675mm，使得磁场很好的束缚在空隙中；
进一步地，所述金属补丁中心与耦合的刻槽金属CSRR结构内槽环的开口中心的水平距离为1.75mm；
进一步地，所述两个金属补丁中心之间的距离为20mm；
所述传感器的灵敏度决定了对介电常数和磁导率测量的分辨率；质量因子决定了测量的精度；测量范围和小型化决定了传感器的实用性。
本发明与现有技术相比，具有如下的突出实质性特点和显著技术进步：
本发明与现有的微波传感器相比，克服了现有传感器只能单一测量介电常数或磁导率的缺点，能够在同一传感器上不同区域同步测量介电常数和磁导率。而且，本发明采用了差分结构的形式，对介电常数和磁导率可做差分测量，采用相对测量的方式排除了环境因素的影响。
附图说明
图1是本发明的结构示意图以及参数标注图：其中(a)传感器顶层示意图，(b)传感器底层示意图；(c)整个传感器结构示意图；
图2是本发明的S参数示意图：其中(a)第一个传感器(sensor1)的S参数示意图，(b)第二传感器(sensor2)的S参数示意图；
图3是本发明的场强度分布示意图：其中(a)电场强度分布示意图，(b)磁场强度分布示意图；
图4是本发明同时测量磁导率和介电常数时反射系数与待测样品介电常数和磁导率的关系示意图：其中(a)第一个传感器和第二个传感器的反射系数与待测样品磁导率的关系示意图，(b)第一个传感器和第二个传感器的反射系数与待测样品介电常数的关系示意图；
图5是本发明对磁导率和介电常数分别做差分测量时反射系数与待测样品磁导率和介电常数的关系示意图：其中(a)第一个传感器和第二个传感器的反射系数与待测样品磁导率的关系示意图，(b)第一个传感器和第二个传感器的反射系数与待测样品介电常数的关系示意图。
其中，1.PCB板；2.金属补丁；3.微带线Ⅰ；4.50Ω电阻；5.微带线Ⅱ；6.SMA连接头；7.金属薄片；8.CSRR槽环；9.电场强度最大区域；10.磁场强度最大区域。
具体实施方式
下面结合附图用具体实施例对本发明作进一步详细说明。
如图1所示是本发明的结构示意图，本发明的差分传感器由两个传感器组成，每个传感器包括顶层微带线、中间层PCB板1、底层金属薄片7被刻蚀的CSRR槽环8；顶层微带线包括微带线Ⅰ3和微带线Ⅱ5，微带线Ⅰ3与微带线Ⅱ5之间通过50Ω电阻3焊连，金属补丁2连接于微带线Ⅰ3的另一端，微带线Ⅰ3的另一端延伸出馈电长脚用于连接SMA连接头6；金属补丁2耦合底层的金属薄片7；
每个刻槽金属CSRR结构由内外槽环构成，两个刻槽CSRR结构的开口朝向相同；所述内外槽环均设有一个开口，开口朝向均相同，且开口相对的两直角均内折，内折两边相同，且槽环具有两个敏感区域，所述外槽环的开口向环内外延伸，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大区域10，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大区域9，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数；
外槽环开口槽沟与内槽环开口之间的空隙宽度为0.675mm。
本发明的传感器设计在三维电磁仿真软件AnsysHFSS环境进行的，相关尺寸通过软件得到，如下表所示：
参数 d<sub>1</sub> d<sub>2</sub> w<sub>t1</sub> w<sub>t2</sub> a b c S p
数值(mm) 13.93 1.75 1.67 0.4 9.52 8 6.94 18 1.6
参数 l g w<sub>0</sub> w<sub>1</sub> w<sub>2</sub> w<sub>3</sub> s<sub>1</sub> s<sub>2</sub>
数值(mm) 3.4 0.41 0.3 0.38 0.22 0.41 0.76 0.76
其中中间层PCB板的大小选取42×26×0.813mm3的高频板Rogers RO4350(介电常数3.66，磁导率1，电介质损耗0.004，磁导率损耗0)
如图2所示是本发明的S参数示意图，其中(a)为第一个传感器(sensor1)的S参数示意图，(b)为第二传感器(sensor2)的S参数示意图，两个传感器的反射参数变化曲线几乎相同，谐振频率都为2.24GHz。
如图3所示是本发明的场强度分布示意图，其中(a)为电场强度分布示意图，底层CSRR槽环中内外槽环内折直角相接的槽沟之间的区域为电场强度最大，磁场强度最小，因此该区域对磁电样品的介电常数变化很敏感，对磁导率不敏感，在该区域放置待测样品可以测量样品的介电常数；(b)为磁场强度分布示意图，底层CSRR槽环中外槽环开口槽沟之间的区域磁场强度最大，电场强度最小，因此该区域对磁电样品的磁导率变化很敏感，对介电常数不敏感，在该区域放置待测样品可以测量样品的磁导率。
图4是本发明同时测量磁导率和介电常数时反射系数与待测样品介电常数和磁导率的关系示意图，其中(a)为第一个传感器和第二个传感器的反射系数与待测样品磁导率的关系示意图，(b)为第一个传感器和第二个传感器的反射系数与待测样品介电常数的关系示意图，在第一个传感器的磁场强度最大区域与第二个传感器的电场强度最大区域之间放置一块尺寸12×6.6×1mm3的待测样品，当待测样品的介电常数从1变化到10时，第一个传感器的谐振频率从2.24GHz降低到1.96GHz，第二个传感器谐振频率从2.24GHz降低到2.16GHz。在这种情况下，第一个传感器只对样品磁导率敏感，第二个传感器只对样品介电常数敏感，通过获取两个传感器反射参数的变化量可推算出样品的磁导率和介电常数；
图5是本发明对磁导率和介电常数分别做差分测量时反射系数与待测样品磁导率和介电常数的关系示意图，其中(a)为第一个传感器和第二个传感器的反射系数与待测样品磁导率的关系示意图，在第二个传感器的磁场强度最大的区域放置一块尺寸3.4mm×1.12mm×1mm3的待测样品，第一个传感器空载，通过获取两个传感器反射系数的相对变化量可排除环境因素的干扰，得到差分传感器的输出量，即可推算出样品的磁导率。(b)为第一个传感器和第二个传感器的反射系数与待测样品介电常数的关系示意图，在第一个传感器的电场强度最大的区域放置一块尺寸7.8mm×3.5mm×1mm3的待测样品，第二个传感器空载，通过获取两个传感器反射系数的相对变化量可排除环境因素的干扰，得到差分传感器的输出量，即可推算出样品的介电常数。
本发明由两个传感器组成，在第一个传感器的磁场强度最大区域与第二个传感器的电场强度最大区域之间放置待测样品可用于同时测量样品的磁导率和介电常数。当传感器用作介电常数的差分测量时，在第一个传感器的电场强度最大区域放置待测样品，第二个传感器空载；当传感器用作磁导率的差分测量时，第一个传感器空载，在第二个传感器的磁场强度最大区域放置待测样品，两个传感器S参数中谐振频率的相对变化量即为差分传感器的输出量。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合，均在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于为两端口器件，由顶层至底层包括两个微带线结构、介质层、金属薄片、两个刻槽金属CSRR结构；
所述两个微带线结构轴对称设置，设置在介质层的上表面；每个微带线结构只有一个终端接口，所述终端接口用于连接SMA连接头，所述SMA连接头与矢量网络分析仪相连通；
所述微带线结构包括微带线Ⅰ和微带线Ⅱ，微带线Ⅰ的一端通过50欧姆电阻与微带线Ⅱ的一端焊接，微带线Ⅰ的另一端与金属补丁连接，微带线Ⅱ的另一端作为终端接口；金属补丁、微带线Ⅰ和微带线Ⅱ位于同一直线；
所述的金属薄片设置在介质层的下表面，且刻蚀有两个结构大小相同的刻槽金属CSRR结构；两个刻槽CSRR结构的开口朝向相同；
每个刻槽金属CSRR结构由内外槽环构成，内外槽环均设有一个开口，且开口朝向均相同；所述内外槽环开口相对的两直角均对齐内折，所述外槽环的开口向环内外延伸构成槽沟，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大，电场强度最小的区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大，磁场强度最小的区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数；
所述两个微带线中的金属补丁分别位于两个刻槽金属CSRR结构内部的相对位置，且金属补丁耦合各自的刻槽金属CSRR结构。
2.如权利要求1所述的用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于所述微带线Ⅰ的宽度小于微带线Ⅱ的宽度。
3.如权利要求1所述的用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于所述介质层为方形PCB板。
4.如权利要求1所述的用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于所述刻槽金属CSRR结构内槽环的开口宽度与外槽环开口槽沟宽度相同。
5.如权利要求1所述的用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于两个刻槽金属CSRR结构之间存在一定距离的空隙，以消除彼此间的耦合。
6.如权利要求1所述的用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于外槽环开口槽沟与内槽环开口之间留有一定距离的空隙，使得磁场很好的束缚在空隙中。
7.如权利要求1所述的用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于所述金属补丁中心与耦合的刻槽金属CSRR结构内槽环的开口中心的水平距离为1.75mm。
8.如权利要求1所述的用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于所述两个金属补丁中心之间的距离为20mm。
9.如权利要求1所述的用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器，其特征在于当用作介电常数的差分测量时，在第一个刻槽金属CSRR结构的电场强度最大区域放置待测样品，第二个刻槽金属CSRR结构空载；当传感器用作磁导率的差分测量时，第一个刻槽金属CSRR结构空载，在第二个刻槽金属CSRR结构的磁场强度最大区域放置待测样品，两个刻槽金属CSRR结构S参数中谐振频率的相对变化量即为差分传感器的输出量。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110108949A (zh) * 2019-05-10 2019-08-09 杭州电子科技大学 用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的新型微波传感器
CN111077170A (zh) * 2019-12-25 2020-04-28 杭州电子科技大学 基于电磁带隙结构的高灵敏度微波微流体传感器
CN111122981A (zh) * 2019-12-25 2020-05-08 杭州电子科技大学 用于测量液体介电常数的高灵敏度微流体传感器
CN112684259A (zh) * 2020-12-04 2021-04-20 西南大学 一种用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的重入式腔体传感器
CN112798870A (zh) * 2020-12-09 2021-05-14 西南大学 基于衬底集成波导重入式谐振腔和微流控技术的微波差分传感器
CN114137316A (zh) * 2021-11-26 2022-03-04 电子科技大学 一种材料微小介电波动无损检测的微波传感器测量方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2694406A1 (fr) * 1992-08-03 1994-02-04 Commissariat Energie Atomique Dispositif de mesure des caractéristiques diélectriques et magnétiques de matériaux.
CN200972896Y (zh) * 2006-10-26 2007-11-07 浙江大学 一种新型微带天线
CN102570023A (zh) * 2012-03-01 2012-07-11 西安电子科技大学 具有四陷波特性的超宽带天线
CN103700910A (zh) * 2014-01-08 2014-04-02 西南大学 一种互补开口谐振环和缺陷地结构半模基片集成波导的双带滤波器
WO2017010182A1 (ja) * 2015-07-13 2017-01-19 シャープ株式会社 センサ回路
CN207265234U (zh) * 2017-07-13 2018-04-20 中国人民解放军空军工程大学 基于平衡左右手传输线的双频微带天线阵
CN108872266A (zh) * 2018-05-04 2018-11-23 杭州电子科技大学 一种用于测量介电常数的微型三层磁耦合微波传感器
CN109061319A (zh) * 2018-07-24 2018-12-21 北京工业大学 一种基于矩形谐振腔的电磁参数测量方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2694406A1 (fr) * 1992-08-03 1994-02-04 Commissariat Energie Atomique Dispositif de mesure des caractéristiques diélectriques et magnétiques de matériaux.
CN200972896Y (zh) * 2006-10-26 2007-11-07 浙江大学 一种新型微带天线
CN102570023A (zh) * 2012-03-01 2012-07-11 西安电子科技大学 具有四陷波特性的超宽带天线
CN103700910A (zh) * 2014-01-08 2014-04-02 西南大学 一种互补开口谐振环和缺陷地结构半模基片集成波导的双带滤波器
WO2017010182A1 (ja) * 2015-07-13 2017-01-19 シャープ株式会社 センサ回路
CN207265234U (zh) * 2017-07-13 2018-04-20 中国人民解放军空军工程大学 基于平衡左右手传输线的双频微带天线阵
CN108872266A (zh) * 2018-05-04 2018-11-23 杭州电子科技大学 一种用于测量介电常数的微型三层磁耦合微波传感器
CN109061319A (zh) * 2018-07-24 2018-12-21 北京工业大学 一种基于矩形谐振腔的电磁参数测量方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘洋: "基于超材料的小型化微波传感器研究", 《中国优秀硕士学位论文权威数据库信息科技辑》 *
刘琦 等: "Microfluidic temperature sensor based on temperature-dependent dielectric property of liquid", 《CHINESE PHYSICS B》 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110108949A (zh) * 2019-05-10 2019-08-09 杭州电子科技大学 用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的新型微波传感器
CN110108949B (zh) * 2019-05-10 2021-05-07 杭州电子科技大学 用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器
CN111077170A (zh) * 2019-12-25 2020-04-28 杭州电子科技大学 基于电磁带隙结构的高灵敏度微波微流体传感器
CN111122981A (zh) * 2019-12-25 2020-05-08 杭州电子科技大学 用于测量液体介电常数的高灵敏度微流体传感器
CN111122981B (zh) * 2019-12-25 2022-02-18 杭州电子科技大学 用于测量液体介电常数的高灵敏度微流体传感器
CN111077170B (zh) * 2019-12-25 2022-02-22 杭州电子科技大学 基于电磁带隙结构的高灵敏度微波微流体传感器
CN112684259A (zh) * 2020-12-04 2021-04-20 西南大学 一种用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的重入式腔体传感器
CN112798870A (zh) * 2020-12-09 2021-05-14 西南大学 基于衬底集成波导重入式谐振腔和微流控技术的微波差分传感器
CN114137316A (zh) * 2021-11-26 2022-03-04 电子科技大学 一种材料微小介电波动无损检测的微波传感器测量方法

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