CN110108905A - 一种神经细胞膜电位和神经细胞膜修复行为检测方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种神经细胞膜电位和神经细胞膜修复行为检测方法及装置，原子力导电探针除针尖、悬臂梁外的部分进行了绝缘处理，用作导电纳米电极压痕刺激神经细胞膜，原子力导电探针外接信号放大电路、A/D数据采集处理器，通过程序控制原子力导电探针与神经细胞膜表面力接触并反馈，判断神经细胞膜与原子力导电探针之间的接触情况，在原子力导电探针压痕刺破神经细胞膜瞬间测量并记录神经细胞膜电位变化，依据不同时间间隔原子力导电探针刺破神经细胞膜时产生的动作电位的变化，表征神经细胞膜的修复行为。本发明操作简单，准确获取神经细胞膜自我修复时间。

Description

一种神经细胞膜电位和神经细胞膜修复行为检测方法及装置
技术领域
本发明涉及一种神经细胞膜电位和神经细胞膜修复行为检测方法及装置，属于生物工程技术领域。
背景技术
原子力纳米显微成像系统具备在不同环境下对样品材料进行纳米操纵与测量的能力，其独特的工作方式决定了它相较于其他纳米显微成像系统具有更强的环境适应能力和卓越的适用性。原子力纳米显微成像的工作原理在于通过光学放大原理将探针与样品表面之间的微弱原子力检测出来，这些信息变化经过处理就能获取样品表面形貌结构信息和粗糙度信息，分辨率达到原子级，在利用原子力探针研究生物细胞的时候，在获取细胞高分辨率形貌成像以及结构三维图像的同时，还具有无损伤、高灵敏度和实时检测等优点。在对细胞进行操纵时，操作简单，可以无创伤地搬运或夹取细胞。
由于细胞膜的流动性，受损的细胞膜能够在生命活动中自我修复，神经细胞是一种电兴奋细胞，通过电信号和化学信号接收，处理和传递信息。神经元可以相互连接形成神经通路和神经回路，作为神经系统中的基本组成单元，是我们对大脑神经系统探索的基础。在神经细胞生命活动过程中，所受到的各种物理化学刺激都能引发其对刺激的响应，具体表现在力学特性或者电学特性的改变。同样，对于神经细胞的病变，研究和观察其力学或者电学等物理特性是了解神经细胞生理状况的直观方法。
导电原子力纳米成像与操纵系统，实现了对单个活体神经细胞的多参数信息检测，在完成对神经细胞液相下形貌扫描、力学特性检测的前提下，实现了原子力导电探针对神经细胞膜电位变化的探测研究。为神经细胞的全方位研究提供了另一便捷工具，该系统更是具有纳米级的分辨率，在纳米级尺度下对神经细胞电学特性的探索为神经细胞特性研究提供了理论基础，为神经细胞的病变机理研究提供了更方便、直观、准确的技术支持。
随着现代微电子材料科学的发展，试样规格越来越小型化，传统的压痕测量方法逐渐暴露出它的局限性。新兴纳米压痕技术的产生很好解决了传统测量的缺陷。纳米压痕技术也称深度敏感压痕技术，它通过计算机程序控制载荷发生连续变化，实时测量压痕深度，由于施加的是超低载荷，监测传感器具有优于1nm的位移分辨率，所以，可以达到小到纳米级(0.1～100nm)的压深，可以在纳米尺度上测量材料的力学性质，如载荷-位移曲线、弹性模量、硬度、断裂韧性、应变硬化效应、粘弹性或蠕变行为等。
现有的细胞膜电位检测技术，膜片钳操作复杂、场效应晶体管使用寿命短、微电极阵列与细胞耦合度低，在测量细胞膜电位进而检测细胞膜修复行为应用中显示出了局限性。
发明内容
本发明技术解决问题：克服现有技术的缺点和不足，提供一种基于导电原子力压痕技术的神经细胞膜电位和神经细胞膜修复行为检测方法及装置，能够精确定位细胞位置，在操作上具有高度灵活性。
本发明的目的可以通过以下技术措施实现：
本发明的一种基于导电原子力压痕技术的神经细胞膜电位和神经细胞膜修复行为检测方法，其特征在于：将原子力导电探针作为导电纳米电极，并对神经细胞膜进行压痕刺激，原子力导电探针外接信号放大电路、A/D数据采集处理器，通过程序控制原子力导电探针与神经细胞膜表面力接触并反馈，判断神经细胞膜与原子力导电探针之间的作用情况，在原子力导电探针压痕刺破神经细胞膜的瞬间，测量并记录该过程神经细胞膜电位变化情况，恢复至原子力导电探针与神经细胞膜接触前状态，设定时间间隔重复进行操作，直到神经细胞膜电位变化值与第一次刺破神经细胞膜获得的瞬间神经细胞膜电位相同为止，记录整个过程的神经细胞膜电位和时间，依据不同时间间隔原子力导电探针刺破神经细胞膜时产生的膜电位的变化，表征神经细胞膜的修复行为，包括以下步骤：
(1)原子力导电探针模块由探针架、原子力导电探针、悬臂梁、探针托组成，原子力导电探针是由硅制成，表面镀一层铂金属薄膜，原子力导电探针除了针尖外其他部分被氧化形成氧化绝缘层，探针架材料为树脂材料；
(2)探针托的底部由导线与信号放大电路、A/D数据采集处理器连接，测量并记录神经细胞膜电位变化；
(3)原子力导电探针针尖与神经细胞膜接触并形成密封阻抗，由原子力调节器反馈的信息，判断原子力导电探针针尖与神经细胞膜的接触情况，原子力导电探针作为导电纳米电极采集神经细胞膜被原子力导电探针压痕刺破瞬间产生的膜电位变化；
(4)原子力导电探针第一次刺破神经细胞膜的时间T1，测量得到的神经细胞膜电位变化为A1，多次重复测量，到原子力导电探针再次刺破神经细胞膜时间Tn测量得到的膜电位变化An＝A1为止，时间间隔Tn-T1就是神经细胞膜的自我修复时间。
所述步骤(1)中原子力导电探针针尖高度为150nm-250nm，半径15nm-35nm，铂薄膜厚度为1nm-5nm。
所述步骤(2)中神经细胞培养在有ITO导电玻璃基底的培养皿中，形成闭合导电回路。
所述步骤(3)中原子力导电探针采集信号，还作为神经细胞膜力刺激的施加者，神经细胞膜与原子力导电探针接触的越紧密，阻抗越强，测量效果越好，原子力导电探针压痕神经细胞膜过程中，由原子力调节器、数据处理器、计算机得到电压-原子力导电探针接触神经细胞膜的力作用距离曲线，通过四象限光电探测器采集到的电压值和压电陶瓷位移平台Z方向的位移量来判断原子力导电探针与神经细胞膜的接触情况，Z方向出现电压的跳跃变化时，表明原子力导电探针已刺破神经细胞膜。
所述步骤(4)中神经细胞膜经原子力导电探针与屏蔽线相连，接入A/D数据采集处理器获得神经细胞膜电位信号，实时观测并记录原子力导电探针刺破神经细胞膜瞬间神经细胞膜电位变化，提取每组检测神经细胞膜电位振幅变化的电压值，根据时间间隔Tn-T1及每一次压痕刺破神经细胞膜时的神经细胞膜电位值A1、A2……An，表征神经细胞膜的自我修复行为。
本发明的一种基于导电原子力压痕技术的神经细胞膜电位和神经细胞膜修复行为检测装置：
(1)本检测装置包括力检测单元、驱动单元、反馈控制单元和电学信号检测单元，力检测单元包括激光器1、原子力导电探针模块2、四象限光电探测器3，驱动单元包括压电陶瓷位移平台6、步进电机7、原子力调节器8、数据处理器9，反馈控制单元包括四象限光电探测器3、A/D数据采集处理器4、反馈电路5，电学信号检测单元包括信号放大器10、A/D数据采集处理器11和计算机12；
(2)原子力导电探针模块2由探针架、原子力导电探针、悬臂梁、探针托组成，原子力导电探针是由硅制成，表面镀一层铂金属薄膜，该原子力导电探针除了针尖外其他部分被氧化形成氧化绝缘层15，针尖高度为150nm-250nm，半径为15nm-35nm，铂薄膜厚度为1nm-5nm，探针架适用于液体环境下对神经细胞电信号的探测，除原子力导电探针悬臂梁与针尖外，探针托等金属部位都进行了绝缘处理，由氧化绝缘层15隔绝，原子力导电探针的底部与导线16衔接，在对神经细胞膜进行导电压痕实验的过程中，减少外界液相环境对电学信号采集的干扰，原子力导电探针采集的电信号由导线导入信号放大器10，最后A/D数据采集处理器11和计算机12处理和显示；导电原子力压痕过程中，四象限光电探测器3能够采集到由悬臂梁形变引发的光路偏折，将所采集的光学信息转化为电压信号，经由A/D数据采集处理器4转换成数字信号；压电陶瓷位移平台6、步进电机7调整神经细胞膜13的位置和控制神经细胞膜13精微移动，通过原子力调节器8和数据处理器9确定原子力导电探针与神经细胞膜13的接触情况，为了在测量神经细胞膜13的电信号时形成闭合回路，神经细胞需要培养在ITO导电玻璃基底14的培养皿中。
本发明与现有方法和系统相比有以下优点：
(1)结合纳米压痕技术，通过原子力导电探针光杠杆测力原理及反馈信息，实现精确测量，定位精度高，可实现单个神经细胞膜的测量。
(2)原子力导电探针除悬臂梁与针尖外进行绝缘处理，用作导电纳米电极，能够获得较高信噪比的电学信号。
(3)原子力导电探针针尖与神经细胞膜接触并形成密封阻抗，基于原子力导电探针与神经细胞膜电压-力作用距离曲线判断两者的接触情况，原子力导电探针作为导电纳米电极采集神经细胞膜被刺入瞬间产生的膜电位变化，原子力导电探针同时用作压痕工具和电信号测量工具。
(4)液相下神经细胞膜电信号的采集，通过神经细胞膜与原子力导电探针接触的力反馈曲线判断两者的接触情况，完成了原子力导电探针压痕刺激，采集得到原子力导电探针刺破单个活体神经细胞膜瞬间膜电位变化电信号，以原子力导电探针不同的时间间隔刺破神经细胞膜瞬间膜电位变化表征神经细胞膜修复情况，完成了对神经细胞膜的自我修复行为与修复时间初步研究。
附图说明
图1为本发明原理框图；
图2为本发明原子力导电探针结构图；
图3为本发明原子力导电探针部分绝缘处理后的扫描电子显微镜图像；
图4为本发明原子力导电探针压痕刺破神经细胞过程图,其中(a)原子力导电探针与神经细胞膜接触，(b)原子力导电探针压痕刺激神经细胞膜，(c)原子力导电探针刺破神经细胞膜；
图5为本发明原子力导电探针与神经细胞膜力接触反馈的电压-力作用距离曲线。
具体实施方式
如图1所示，为本发明原理框图，其中结构按功能大致分为力检测单元、驱动单元、反馈控制单元和电学信号检测单元，力检测单元包括激光器1、原子力导电探针模块2、四象限光电探测器3，驱动单元包括压电陶瓷位移平台6、步进电机7、原子力调节器8和数据处理器9，反馈控制单元包括四象限光电探测器3、A/D数据采集处理器4、反馈电路5，电学信号检测单元包括信号放大器10、A/D数据采集处理器11和计算机12；
如图2所示，为本发明原子力导电探针的结构图，原子力导电探针模块2由原子力导电探针、探针架、悬臂梁、探针托组成，其中，原子力导电探针由硅制成，表面镀一层铂金属薄膜，原子力导电探针除了针尖外其他部分被氧化形成氧化绝缘层15，针尖高度为150nm-250nm，半径为15nm-35nm，铂金属薄膜厚度1nm-5nm，这使得原子力导电探针成为导电纳米电极，探针架适用于液体环境下对神经细胞膜电位的测量，除悬臂梁与针尖外，探针托等金属部位都进行绝缘处理，由氧化绝缘层15隔绝，原子力导电探针的底部与导线16衔接，在对神经细胞膜进行导电压痕实验的过程中，减少外界液相环境对电学信号采集的干扰，原子力导电探针采集的电信号由导线导入信号放大器10，最后A/D数据采集处理器11和计算机12处理和显示。
图1所示，本发明实现为：
(1)原子力导电探针除了针尖外其他金属部位进行氧化，形成氧化绝缘层15，原子力导电探针用作导电纳米电极，底部用导线连接信号放大器10、A/D数据采集处理器11；
(2)光学显微镜下选取体外ITO导电玻璃基底14上培养的神经细胞膜13准备进针，通过步进电机7的位移调节把探针架与针尖移至培养液之下后，调节光路，激光器1投射到悬臂梁尖端，再反射入四象限光电探测器3，利用压电陶瓷位移平台6控制程序以及原子力导电探针进针程序完成其在Z轴方向靠近神经细胞膜的粗进针和精进针；
(3)原子力导电探针不只采集信号，还作为神经细胞膜压痕刺激的施加者，原子力导电探针压痕神经细胞膜，由原子力调节器8、数据处理器9、计算机12得到电压-原子力导电探针接触神经细胞膜的力作用距离曲线，通过由四象限光电探测器3采集到的电压值和压电陶瓷位移平台Z方向的位移量来判断原子力导电探针与神经细胞膜是否接触，Z方向出现电压的跳跃变化时，表明原子力导电探针已刺破神经细胞膜；
(4)原子力导电探针与导线16相连，接入A/D数据采集处理器11获得原子力导电探针压痕刺破神经细胞膜瞬间的神经细胞膜电位变化，通过计算机12实时显示并记录原子力导电探针刺破神经细胞膜后膜电位变化；
(5)原子力导电探针第一次刺破神经细胞膜的时间T1，测量得到的神经细胞膜电位变化为A1，原子力导电探针第二次刺破神经细胞膜时间T2，测量得到的神经细胞膜电位变化为A2，原子力导电探针第三次刺破神经细胞膜时间T3，测量得到的膜电位变化为A3，到原子力导电探针第N次刺破神经细胞膜时间Tn，测量得到的膜电位变化An＝A1为止，时间间隔Tn-T1就是神经细胞膜的自我修复时间，利用自我修复时间及每一次刺破神经细胞膜瞬间产生的神经细胞膜电位的变化值A1、A2……An变化趋势表征神经细胞膜的自我修复行为。
所述步骤(1)原子力导电探针除针尖外被氧化形成氧化绝缘层15，针尖高度为150nm-250nm，半径为15nm-35nm，铂金属薄膜厚度1nm-5nm，原子力导电探针的探针架选取树脂材料。
所述步骤(2)精进针完成后，原子力导电探针针尖与神经细胞膜13的距离为50±1μm。
所述步骤(3)(4)原子力导电探针模块2测量神经细胞膜电信号，原子力导电探针不只采集信号，还作为神经细胞膜力刺激的施加者，神经细胞膜与原子力导电探针接触的越紧密，封接阻抗越强，测量效果越好。
所述步骤(5)对一个神经细胞膜进行多次压痕刺穿后，神经细胞膜电位的幅值呈下降趋势，随着修复时间的增加，下降趋势明显减慢，神经细胞膜进行导电原子力压痕后检测到的神经细胞膜电位变化值下降的趋势及时间表征了神经细胞膜的修复性。
如图3所示，为本发明原子力导电探针绝缘处理后的扫描电子显微镜图像，原子力导电探针由硅制成，表面镀有一层铂金属薄膜，保证了对神经细胞膜电位变化采集的优良导电性，原子力导电探针成四锥形，针尖半径为12nm-35nm，高度为150nm-250nm，除针尖与悬臂梁外原子力导电探针被氧形成氧化绝缘层15。
如图4所示，为本发明原子力导电探针压痕刺激-刺破神经细胞膜过程，光学显微镜下选取体外ITO导电玻璃基底14上培养的神经细胞膜13准备进针，通过步进电机7的位移调节把原子力导电探针模块2中的探针架与针尖移至培养液之下后，调节光路，利用压电陶瓷位移平台6控制程序以及原子力导电探针进针程序完成在Z轴方向靠近神经细胞膜的粗进针和精进针，采集电信号；原子力导电探针不只采集信号，还作为神经细胞膜压痕刺激的施加者，通过由四象限光电探测器采集到的电压值和压电陶瓷位移平台Z方向的位移量来判断原子力导电探针与神经细胞膜13是否接触，接触后，继续进针，进行压痕刺激，由原子力调节器8、数据处理器9、计算机12得到电压-原子力导电探针接触神经细胞膜的力作用距离曲线，Z方向出现电压的跳跃变化时，表明原子力导电探针已刺破神经细胞膜，原子力导电探针刺破神经细胞膜瞬间产生的膜电位变化由原子力导电探针针尖采集，经由信号放大器10与A/D数据采集处理器11输出，最后由计算机12显示测得的电信号。
如图5所示，为本发明原子力导电探针压痕刺破神经细胞膜示意图，横坐标表示压电陶瓷位移平台的Z轴位移，纵坐标表示四象限光电探测器的UP-DOWN电压值，原子力导电探针针尖和神经细胞膜之间的接触情况，曲线(a)显示原子力导电探针接近神经细胞膜然后刺穿神经细胞膜的力，由于刺穿的是弹性材料，存在力学跳跃，曲线(b)显示原子力导电探针在不接触神经细胞膜的情况下直接刺到基底的力学情况。通过试验，实现了对活体神经细胞膜集压痕刺激施加和电信号采集为一体的功能，通过对原子力导电探针绝缘处理，有效屏蔽外界环境的干扰，提高了测量精度。

Claims (6)

1.一种神经细胞膜电位和神经细胞膜修复行为检测方法，其特征在于：将原子力导电探针用作导电纳米电极，并对神经细胞膜进行压痕刺激，原子力导电探针外接信号放大电路、A/D数据采集处理器，通过程序控制原子力导电探针与神经细胞膜表面力接触并反馈，判断神经细胞膜与原子力导电探针之间的作用情况，原子力导电探针压痕刺破神经细胞膜，测量并记录该过程神经细胞膜电位变化情况，然后恢复至原子力导电探针与神经细胞膜接触前状态，设定时间间隔重复进行操作，直到神经细胞膜电位变化值与第一次刺破神经细胞膜获得的瞬间神经细胞膜电位相同为止，记录整个过程的神经细胞膜电位和时间，依据不同时间间隔原子力导电探针刺破神经细胞膜时产生的膜电位变化，表征神经细胞膜的修复行为，具体包括以下步骤：
(1)原子力导电探针由硅制成，表面镀一层铂薄膜，对原子力导电探针除针尖、悬臂梁以外部分进行绝缘处理，将绝缘处理后的原子力导电探针作为导电纳米电极测量神经细胞膜电位，探针架采用树脂材料；
(2)神经细胞体外培养时，将ITO导电玻璃放在神经细胞培养皿的底部，用作导电基底；
(3)原子力导电探针对神经细胞膜压痕刺激的同时，测量压痕过程中神经细胞膜电位的变化，原子力导电探针针尖与神经细胞膜接触并形成密封阻抗，由原子力调节器反馈的信息，判断原子力导电探针与神经细胞膜的接触情况，原子力导电探针采集神经细胞膜压痕刺破瞬间的膜电位变化；
(4)原子力导电探针第一次刺破神经细胞膜的时间T1，测量得到的神经细胞膜电位变化为A1，到原子力导电探针再次刺破神经细胞膜时间Tn测量得到的膜电位变化An＝A1为止，时间间隔Tn-T1就是神经细胞膜的自我修复时间。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中原子力导电探针针尖高度为150nm-250nm，半径为15nm-35nm，铂薄膜厚度为1nm-5nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中ITO方阻为50-60Ω。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中原子力导电探针压痕刺激神经细胞膜，同时采集神经细胞膜电位变化产生的电信号。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(4)中原子力导电探针压痕刺激神经细胞膜过程中由原子力调节器、数据处理器、计算机得到电压-原子力导电探针接触神经细胞膜的力作用距离曲线，通过四象限光电探测器采集到的电压值和压电陶瓷位移平台Z方向的位移量来判断原子力导电探针与神经细胞膜的接触情况，Z方向出现电压的跳跃变化时，表明原子力导电探针已刺破神经细胞膜。
6.一种神经细胞膜电位和神经细胞膜修复行为检测装置，其特征在于：包括力检测单元、驱动单元、反馈控制单元和电学信号检测单元，力检测单元包括激光器、原子力导电探针模块和四象限光电探测器，驱动单元包括压电陶瓷位移平台、步进电机、原子力调节器和数据处理器，反馈控制单元包括四象限光电探测器、A/D数据采集处理器和反馈电路，电学信号检测单元包括信号放大器、A/D数据采集处理器和计算机。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112684212A (zh) * 2020-12-26 2021-04-20 温州大学 一种原子力显微镜液相成像方法
CN113554690A (zh) * 2021-07-20 2021-10-26 北京邮电大学 一种基于归一化卷积的细胞膜等效半径识别方法
CN114184809A (zh) * 2020-09-14 2022-03-15 长春理工大学 一种原子力探针测量单个搏动心肌细胞三维动态形貌的方法及装置
CN115128304A (zh) * 2021-03-25 2022-09-30 长春理工大学 一种液相导电原子力探针及制备方法
CN116374944A (zh) * 2023-03-23 2023-07-04 清华大学 微电极制备方法及微电极

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080199945A1 (en) * 2007-02-19 2008-08-21 Olympus Corporation Cantilever for measuring intra-cellular and inter-cellular microspaces
CN102445477A (zh) * 2010-10-13 2012-05-09 中国科学院电子学研究所 离体神经信息双模检测微电极阵列芯片及制备方法
CN102662087A (zh) * 2012-05-11 2012-09-12 中国科学院长春应用化学研究所 原子力显微镜的力示踪方法
CN103160438A (zh) * 2011-12-19 2013-06-19 中国科学院大连化学物理研究所 一种用针状纳米材料增加细胞透性的方法
CN103197102A (zh) * 2013-03-08 2013-07-10 西南大学 基于多功能探针的单细胞/单分子成像光/电综合测试仪
CN103792393A (zh) * 2014-01-22 2014-05-14 中国科学院长春应用化学研究所 基于原子力显微镜的单粒子或单分子示踪装置及示踪方法
CN105527462A (zh) * 2016-01-21 2016-04-27 长春理工大学 一种原子力显微镜测量单个活心肌细胞动作电位及搏动力的方法
CN106872731A (zh) * 2017-03-31 2017-06-20 电子科技大学 一种获取纳米探针与单细胞作用机制的方法
CN207832826U (zh) * 2017-12-18 2018-09-07 长理纳米生物技术（长春）有限公司 用于夹持原子力显微镜扫描探针的导电探针架

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080199945A1 (en) * 2007-02-19 2008-08-21 Olympus Corporation Cantilever for measuring intra-cellular and inter-cellular microspaces
CN102445477A (zh) * 2010-10-13 2012-05-09 中国科学院电子学研究所 离体神经信息双模检测微电极阵列芯片及制备方法
CN103160438A (zh) * 2011-12-19 2013-06-19 中国科学院大连化学物理研究所 一种用针状纳米材料增加细胞透性的方法
CN102662087A (zh) * 2012-05-11 2012-09-12 中国科学院长春应用化学研究所 原子力显微镜的力示踪方法
CN103197102A (zh) * 2013-03-08 2013-07-10 西南大学 基于多功能探针的单细胞/单分子成像光/电综合测试仪
CN103792393A (zh) * 2014-01-22 2014-05-14 中国科学院长春应用化学研究所 基于原子力显微镜的单粒子或单分子示踪装置及示踪方法
CN105527462A (zh) * 2016-01-21 2016-04-27 长春理工大学 一种原子力显微镜测量单个活心肌细胞动作电位及搏动力的方法
CN106872731A (zh) * 2017-03-31 2017-06-20 电子科技大学 一种获取纳米探针与单细胞作用机制的方法
CN207832826U (zh) * 2017-12-18 2018-09-07 长理纳米生物技术（长春）有限公司 用于夹持原子力显微镜扫描探针的导电探针架

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
侯峰: "单个细胞纳米操纵及电信号检测技术的研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库基础科学辑》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114184809A (zh) * 2020-09-14 2022-03-15 长春理工大学 一种原子力探针测量单个搏动心肌细胞三维动态形貌的方法及装置
CN114184809B (zh) * 2020-09-14 2024-01-23 长春理工大学 一种原子力探针测量单个搏动心肌细胞三维动态形貌的方法及装置
CN112684212A (zh) * 2020-12-26 2021-04-20 温州大学 一种原子力显微镜液相成像方法
CN112684212B (zh) * 2020-12-26 2022-08-30 温州大学 一种原子力显微镜液相成像方法
CN115128304A (zh) * 2021-03-25 2022-09-30 长春理工大学 一种液相导电原子力探针及制备方法
CN113554690A (zh) * 2021-07-20 2021-10-26 北京邮电大学 一种基于归一化卷积的细胞膜等效半径识别方法
CN113554690B (zh) * 2021-07-20 2024-04-05 北京邮电大学 一种基于归一化卷积的细胞膜等效半径识别方法
CN116374944A (zh) * 2023-03-23 2023-07-04 清华大学 微电极制备方法及微电极

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