CN110098335A - 一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110098335A
CN110098335A CN201910438601.3A CN201910438601A CN110098335A CN 110098335 A CN110098335 A CN 110098335A CN 201910438601 A CN201910438601 A CN 201910438601A CN 110098335 A CN110098335 A CN 110098335A
Authority
CN
China
Prior art keywords
perovskite
hole transmission
transmission layer
layer
ionic liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201910438601.3A
Other languages
English (en)
Inventor
牛巧利
邓云恺
闵永刚
吕豪
唐亚楠
崔岱麒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Post and Telecommunication University
Original Assignee
Nanjing Post and Telecommunication University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Post and Telecommunication University filed Critical Nanjing Post and Telecommunication University
Priority to CN201910438601.3A priority Critical patent/CN110098335A/zh
Publication of CN110098335A publication Critical patent/CN110098335A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，叠层结构依次为：透明衬底、阳极、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、缓冲层和阴极，在空穴传输层上旋涂丙三醇溶液、氯化胆碱溶液或丙三醇&氯化胆碱混合溶液进行界面修饰，在修饰后的空穴传输层上旋涂钙钛矿前驱液形成钙钛矿吸收层，该方法能够有效地促进钙钛矿薄膜结晶，形成更大更均匀的钙钛矿晶粒，并且钙钛矿薄膜表面更为平整致密，减少了光生载流子在扩散及传输过程中发生非辐射复合的几率，使得太阳能电池的短路电流明显提升，从而得到更高的器件效率。

Description

一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制 备方法
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
背景技术
21世纪以来，随着人类社会的快速发展，石油、煤和天然气等传统能源的储备日趋减少，与此同时，传统能源的大量使用导致地球气候变暖的同时还带来了严重的污染问题。因此，开发清洁可再生的新能源迫在眉睫。在世界范围内，目前集中致力于开发的可再生新能源包括氢能、太阳能、海洋能、风能、核能和生物能等。其中，太阳能以分布广泛、环保清洁、可再生和无地域时间限制等优势受到各界的重视，世界各国也致力于推动太阳能技术产业化，将其应用到实际生产的各个领域中。目前，市场化的光伏技术包括第一代的晶硅太阳能电池、第二代的CIGS、CdTe、CuZnSnS、多晶硅和非晶硅等薄膜太阳能电池。但是限于制备成本高昂、处理程序繁杂、材料来源稀缺等诸多问题，太阳能电池未能得到大规模的生产和应用，其每年的发电量不足全球总能耗的1%。新型的太阳能电池包括聚合物太阳能电池、有机太阳能电池、染料敏化太阳能电池、量子点太阳能电池和钙钛矿太阳能电池等，此类太阳能电池因具有制备成本低、效率提升快、原料来源广泛等优势，解决了第一代和第二代太阳能电池存在的问题，从而成为当前的研究热点。
太阳能电池自问世以来，对其的创新研究从未间断，新材料的陆续开发使得太阳能电池的生产成本大幅度下降，与此同时，太阳能电池的光电转换效率却不断突破新高。相比于第一代和第二代太阳能电池，新型太阳能电池的光电转换效率提升尤为明显，高效率、低成本的钙钛矿太阳能电池有望突破商业化门槛，具有非常大的发展潜力，因此钙钛矿太阳能电池也成为当前最热门的研究课题之一。
对于以钙钛矿薄膜为活性层的器件来说，钙钛矿薄膜的晶胞生长情况和表面形貌对以钙钛矿薄膜为活性层的器件的一系列参数，包括发光器件的电压-电流密度，启亮电压，流明效率，以及太阳能电池器件的开路电压、短路电流密度、填充因子以及光电转换效率起着至关重要的作用。而钙钛矿ABX3薄膜的制备方法对其结构、形貌、电荷迁移率、电子寿命及光电转换性能影响较大。目前的普遍观点是钙钛矿薄膜表面平整、致密是获得高质量钙钛矿薄膜的关键，钙钛矿薄膜的主要制备方法包括一步旋涂法、两布溶液法、气相沉积法和气相辅助溶液法等，这些方法都是以获得表面平整致密的钙钛矿薄膜为目标。
本发明期望通过离子液修饰空穴传输层表面，调控钙钛矿薄膜的生长，形成更大更均匀的钙钛矿晶粒以大幅提高钙钛矿太阳能电池器件性能。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明旨在提供一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池，制备出的钙钛矿太阳能电池的短路电流能得到显著提升，器件效率提高，从而改善太阳能电池等光电转换器件的性能。
为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池，叠层结构依次为：透明衬底、阳极、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、缓冲层和阴极，在空穴传输层上旋涂丙三醇溶液、氯化胆碱溶液或丙三醇&氯化胆碱混合溶液进行界面修饰，在修饰后的空穴传输层上旋涂钙钛矿前驱液形成钙钛矿吸收层。
进一步地，阳极位于所述透明衬底的内侧表面上，组成材料是铟锡氧化物（ITO,Indiµm Tin Oxides）、氟锡氧化物（FTO, Flµorine doped Tin Oxides）或铝锌氧化物（AZO, Alµminiµm doped Zinc Oxides）等常用的透明电极材料。
进一步地，所述空穴传输层由有机材料和/或无机材料组成，有机材料包括Spiro-OMeTAD、PTAA、PEDOT:PSS和TPD；无机材料包括NiOx和CuO。
进一步地，所述电子传输层由有机材料和/或无机材料组成，有机材料包括C60、PCBM和ICBA；无机材料包括TiO2、SnO2和ZnO。
进一步地，所述缓冲层为BCP、Bphen或LiF，缓冲层的作用主要是改善电极与空穴传输层或电子传输层间的欧姆接触，同时防止电极与钙钛矿活性层直接接触，厚度通常为1~10 nm。
进一步地，所述阴极为具有较高功函数的金属Au或Ag。
一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，具体包含以下步骤：
1）钙钛矿前驱液的配制：将MAI和PbI2按照1:1的摩尔比溶解在GBL和DMSO的混合溶液中作为钙钛矿前驱液，所述钙钛矿前驱液的终浓度为1.4mol/L，磁力加热搅拌2 h待用；
2）空穴传输层的制备：将空穴传输层材料旋涂到透明衬底表面，之后进行退火处理，厚度为30~70 nm，所述透明衬底在旋涂前分别用去离子水、丙酮和乙醇超声处理，烘干，再用plasma处理3-10 min；
3）离子液的配制和旋涂：将丙三醇、氯化胆碱或丙三醇&氯化胆碱混合物溶于异丙醇配制成离子液，将离子液按照2000-4000rpm的转速在制备好的空穴传输层上旋涂10-30s，自然烘干；
4）钙钛矿吸收层的制备：在离子液修饰后的空穴传输层上滴加30~60 μL所述钙钛矿前驱液后以900 rpm/15s和4000 rpm/25s的转速分步旋涂，并在第二步旋涂过程中的第10-20s内垂直于所述透明衬底表面匀速滴加反溶剂，对钙钛矿表面进行时长1 s的冲洗，旋涂过程结束后以100℃/10 min进行热退火处理，形成钙钛矿吸收层；
5）电子传输层的制备：采取真空气相沉积的方式蒸镀C60或直接旋涂PCBM氯苯溶液制备电子传输层，厚度为20~40 nm；
6）电极的制备：在电极之前，采用真空气相沉积的方法蒸镀厚度为5-10nm 的BCP或Bphen作为缓冲层，之后蒸镀厚度为100nm的Au或Ag。
进一步地，步骤3）中配制的离子液的浓度为0.5-2 mg/mL。
进一步地，步骤1）中GBL和DMSO的体积比为7：3。
进一步地，步骤2）中的退火温度为120-150℃，退火时间为10-20 min。
进一步地，步骤4）中的反溶剂包括甲苯、氯苯和乙酸乙酯。
本发明的有益效果是：本发明公开的钙钛矿太阳能电池的空穴传输层在经过丙三醇、氯化胆碱或丙三醇&氯化胆碱混合离子液修饰后，能够有效地促进钙钛矿薄膜结晶，形成更大更均匀的钙钛矿晶粒，并且钙钛矿薄膜表面更为平整致密，减少了光生载流子在扩散及传输过程中发生非辐射复合的几率，使得太阳能电池的短路电流明显提升，从而得到更高的器件效率。
附图说明
图1是本发明公开的一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的结构图，其中，1-透明衬底/阳极，2-空穴传输层，3-钙钛矿吸收层，4-电子传输层，5-缓冲层，6-阴极；
图2是本发明实施例一获得的丙三醇修饰空穴传输层后制备的钙钛矿薄膜的SEM图及不经离子液修饰制备的钙钛矿薄膜的SEM图；
图3是本发明实施例一获得的丙三醇修饰空穴传输层后制备的太阳能电池器件与标准器件的J-V曲线图；
图4是本发明实施例二获得的丙三醇&氯化胆碱溶液修饰空穴传输层后制备的钙钛矿薄膜的SEM图及不经离子液修饰制备的钙钛矿薄膜的SEM图；
图5是本发明实施例二获得的丙三醇&氯化胆碱溶液修饰空穴传输层后制备的太阳能电池器件与标准器件的J-V曲线图。
具体实施方式
为了使本领域的普通技术人员能更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的描述。
实施例一：
（1）钙钛矿前驱液的配制
分别称取222.6 mg的MAI和645.4 mg的PbI2混合倒入密封瓶中，在上述混合物中倒入700 μL的GBL和300 μL的DMSO作为溶剂，溶液的摩尔浓度为1.4 mol/L，手套箱中常温静置约20 min，待溶质完全溶解即可得到钙钛矿前驱液。
（2）离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能器件的制备
将ITO玻璃片用去离子水、丙酮、乙醇超声，再用plasma处理，将NiOx分散液以4000rpm/30s的转速旋涂到ITO玻璃上，130℃退火10min。将丙三醇溶于异丙醇配制成1 mg/mL的离子液，将离子液以4000rpm/30s的转速旋涂在制备好的空穴传输层上，自然烘干；取步骤（1）中的前驱液35μL滴加到NiOx薄膜上，以900rpm/15s和4000rpm/25s的转速分步旋涂，并在第二步旋涂过程中的第15s垂直于所述透明衬底表面匀速滴加甲苯反溶剂，对钙钛矿表面进行时长1 s的冲洗，旋涂过程结束后置于100℃热台上退火10 min，形成钙钛矿吸收层；接着采用溶液法制备电子传输层，即将浓度为30mg/mL的PCBM以2500rpm/30s的转速旋涂在钙钛矿薄膜上，最后在负压条件下分别蒸镀10nm的BCP以及100nm的Ag。
（3）标准器件的制备
标准器件的制备过程中空穴传输层不经离子液修饰，其他过程与步骤（2）公开的离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能器件的制备过程相同。
图2是空穴传输层经过丙三醇离子液修饰和不经修饰两种情况下制备的两种钙钛矿薄膜的SEM图，统计结果显示，经过丙三醇离子液对空穴传输层进行界面修饰之后，钙钛矿晶粒的平均粒径尺寸由202 nm增大至262 nm，钙钛矿晶粒的尺寸明显变大。
图3是空穴传输层经过丙三醇离子液修饰和不经修饰两种情况下制备的两种太阳能电池器件的J-V曲线图，从图3可以看出，采用丙三醇离子液对空穴传输层进行界面修饰之后，钙钛矿太阳能电池的开路电压（VOC）和填充因子（FF）略微下降，但是它的短路电流（JSC）从17.77提升至19.09 mA/cm2，使得器件的能量转换效率（PCE）从13.37%提升至14.02%，基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池性能有明显的提高。
实施例二：
（1）钙钛矿前驱液的配制
分别称取222.6 mg的MAI和645.4 mg的PbI2混合倒入密封瓶中，在上述混合物中倒入700μL的GBL和300 μL的DMSO作为溶剂，溶液的摩尔浓度为1.4 mol/L，手套箱中常温静置约20 min，待溶质完全溶解即可得到钙钛矿前驱液。
（2）离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能器件的制备
将ITO玻璃片用去离子水、丙酮、乙醇超声，再用plasma处理，将NiOx分散液以4000rpm/30 s的转速旋涂到ITO玻璃上，130℃退火10min。制备1 mg/mL丙三醇&氯化胆碱混合离子液，其中丙三醇&氯化胆碱混合物质量比为1:1，将其按照4000rpm/30s的速度旋涂在制备好的空穴传输层上，自然烘干；取步骤（1）中制备的前驱液35 μL滴加到NiOx薄膜上，以900rpm/15s和4000rpm/25s的转速分步旋涂，并在第二步旋涂过程中的第15s垂直于所述透明衬底表面匀速滴加反溶液，对钙钛矿表面进行时长1 s的冲洗，旋涂过程结束后置于100℃热台上退火10 min，形成钙钛矿吸收层；接着采用溶液法制备电子传输层，即将浓度为30mg/mL的PCBM以2500rmp/30s的转速旋涂在钙钛矿层上，最后在负压条件下分别蒸镀10nm的BCP以及100 nm的Ag。
（3）标准器件的制备
标准器件的制备过程中空穴传输层不经离子液修饰，其他过程与步骤（2）公开的离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能器件的制备过程相同。
图4是空穴传输层经过丙三醇&氯化胆碱混合离子液修饰和不经修饰两种情况下制备的两种钙钛矿薄膜的SEM图，统计结果显示，经过丙三醇&氯化胆碱混合离子液对空穴传输层进行界面修饰之后，钙钛矿晶粒的平均粒径尺寸由202 nm下降至188nm，但是晶粒尺寸的方差由4158 nm2下降至2704 nm2，钙钛矿薄膜上的晶粒更为均匀。
图5为空穴传输层经过丙三醇&氯化胆碱混合离子液修饰和不经修饰两种情况下制备的两种太阳能电池器件的J-V曲线图，从图5可以看出，采用丙三醇&氯化胆碱混合离子液对空穴传输层进行界面修饰之后，钙钛矿太阳能电池的开路电压（VOC）和填充因子（FF）几乎没有变化，但是它的短路电流（JSC）从17.77提升至20.35 mA/cm2，这个提升幅度比实施例1中还要明显，器件的能量转换效率从13.37%提升至15.25%。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。但是以上所述仅为本发明的具体实施例，本发明的技术特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在不脱离本发明的技术方案下得出的其他实施方式均应涵盖在本发明的专利范围之中。

Claims (9)

1.一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，叠层结构依次为：透明衬底、阳极、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、缓冲层和阴极，在空穴传输层上旋涂丙三醇溶液、氯化胆碱溶液或丙三醇&氯化胆碱混合溶液进行界面修饰，在修饰后的空穴传输层上旋涂钙钛矿前驱液形成钙钛矿吸收层。
2.如权利要求1所述的一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述阳极位于所述透明衬底的内侧表面上，组成材料包括ITO、FTO和AZO。
3.如权利要求1所述的一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层由有机材料和/或无机材料组成，有机材料包括Spiro-OMeTAD、PTAA、PEDOT:PSS和TPD；无机材料包括NiOx和CuO。
4.如权利要求1所述的一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电子传输层由有机材料和/或无机材料组成，有机材料包括C60、PCBM和ICBA；无机材料包括TiO2、SnO2和ZnO。
5.如权利要求1所述的一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层为BCP、Bphen或LiF。
6.如权利要求1所述的一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述阴极为具有较高功函数的金属Au或Ag。
7.如权利要求1-6中任一项所述的一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，具体包含以下步骤：
1）钙钛矿前驱液的配制：将MAI和PbI2按照1:1摩尔比溶解在体积比为7：3的GBL和DMSO的混合溶液中作为钙钛矿前驱液，所述钙钛矿前驱液的终浓度为1.4mol/L，磁力加热搅拌2h待用；
2）空穴传输层的制备：将空穴传输层材料旋涂到透明衬底表面，之后进行退火处理，退火温度为120-150℃，退火时间为10-20 min，厚度为30~70 nm，所述透明衬底在旋涂前分别用去离子水、丙酮和乙醇超声处理，烘干，再用plasma处理3-10 min；
3）离子液的配制和旋涂：将丙三醇、氯化胆碱或丙三醇&氯化胆碱混合物溶于异丙醇配制成离子液，将离子液按照2000-4000rpm的转速在制备好的空穴传输层上旋涂10-30s，自然烘干；
4）钙钛矿吸收层的制备：在离子液修饰后的空穴传输层上滴加30~60 μL所述钙钛矿前驱液后以900 rpm/15s和4000 rpm/25s的转速分步旋涂，并在第二步旋涂过程中的第10-20s内垂直于所述透明衬底表面匀速滴加反溶剂，对钙钛矿表面进行时长1 s的冲洗，旋涂过程结束后以100℃/10 min进行热退火处理，形成钙钛矿吸收层；
5）电子传输层的制备：采取真空气相沉积的方式蒸镀C60或直接旋涂PCBM氯苯溶液制备电子传输层，厚度为20~40 nm；
6）电极的制备：在电极之前，采用真空气相沉积的方法蒸镀厚度为5-10nm 的BCP或Bphen作为缓冲层，之后蒸镀厚度为100nm的Au或Ag。
8. 如权利要求7所述的一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤3）中配制的离子液的浓度为0.5-2 mg/mL。
9.如权利要求7所述的一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤4）中的反溶剂包括甲苯、氯苯和乙酸乙酯。
CN201910438601.3A 2019-05-24 2019-05-24 一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 Withdrawn CN110098335A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910438601.3A CN110098335A (zh) 2019-05-24 2019-05-24 一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910438601.3A CN110098335A (zh) 2019-05-24 2019-05-24 一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110098335A true CN110098335A (zh) 2019-08-06

Family

ID=67449085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910438601.3A Withdrawn CN110098335A (zh) 2019-05-24 2019-05-24 一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110098335A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111952468A (zh) * 2020-08-18 2020-11-17 福州大学 基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法
CN113421973A (zh) * 2021-07-09 2021-09-21 河南大学 一种spiro-OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN113506852A (zh) * 2021-05-18 2021-10-15 宣城先进光伏技术有限公司 一种VOx-APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN113725364A (zh) * 2021-08-19 2021-11-30 华南师范大学 氢碘酸修饰的锡铅混合钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN114242902A (zh) * 2021-11-29 2022-03-25 西北工业大学深圳研究院 基于离子液提升反式全无机钙钛矿太阳能电池空气稳定性的方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111952468A (zh) * 2020-08-18 2020-11-17 福州大学 基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法
CN111952468B (zh) * 2020-08-18 2024-04-19 福州大学 基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法
CN113506852A (zh) * 2021-05-18 2021-10-15 宣城先进光伏技术有限公司 一种VOx-APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN113421973A (zh) * 2021-07-09 2021-09-21 河南大学 一种spiro-OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN113421973B (zh) * 2021-07-09 2022-06-10 河南大学 一种spiro-OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN113725364A (zh) * 2021-08-19 2021-11-30 华南师范大学 氢碘酸修饰的锡铅混合钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN114242902A (zh) * 2021-11-29 2022-03-25 西北工业大学深圳研究院 基于离子液提升反式全无机钙钛矿太阳能电池空气稳定性的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110098335A (zh) 一种基于离子液修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106558650B (zh) 一种柔性铜铟镓硒/钙钛矿叠层太阳能电池的制备方法
CN106384785B (zh) 一种锡掺杂甲基铵基碘化铅钙钛矿太阳能电池
CN109244249A (zh) 对空穴传输层进行修饰的钙钛矿太阳能电池器件及其制备方法
CN111180587A (zh) 一种特殊掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106098944B (zh) 一种基于纳米洋葱碳复合阳极缓冲层的太阳能电池
CN101997085A (zh) 一种反型结构的有机小分子太阳能电池
CN110246970A (zh) 基于双层复合空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法
TW201108485A (en) Organic solar cell and method forming the same
CN106601916B (zh) 基于异质结阴极缓冲层的有机太阳能电池及其制备方法
CN109560200A (zh) 一种基于纳米压印的柔性有机太阳能电池制备方法
CN112490363B (zh) 一种基于磁控溅射氧化锌/二氧化锡双电子传输层的钙钛矿太阳能电池制备方法
CN201247782Y (zh) 一种高效聚合物太阳能电池
CN111554763A (zh) 一种高开压高效钙钛矿/晶硅叠层电池
CN111081883A (zh) 一种高效稳定的平面异质结钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN111261783B (zh) 一种新型电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106328813B (zh) 一种高稳定性掺铯钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
CN105280818B (zh) 一种稳定的平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105206746A (zh) 基于三元溶剂系统的有机薄膜太阳能电池及其制备方法
CN112420928A (zh) 基于光管理工程的高稳定性半透明全聚合物太阳能电池器件及其制备方法
CN108023018A (zh) 基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法
CN109888100B (zh) 一种铷掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用
CN103400941B (zh) 基于杂多酸阳极修饰层的有机太阳能电池及其制备方法
CN103928615B (zh) 一种自组装型聚合物太阳电池阴极修饰材料及其修饰方法
CN112885967B (zh) 一种基于延迟荧光材料的双层有机太阳能电池及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20190806

WW01 Invention patent application withdrawn after publication