CN110098328A - 柔性电子器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种制备柔性电子器件的方法，包括准备带孔的柔性滤膜；准备一个或多个经图形化的掩膜版；通过真空抽滤在所述经图形化的掩膜版和所述滤膜上分别形成一层或多层柔性材料；以及去除所述掩膜版。本申请还公开了一种柔性电子器件。

Description

柔性电子器件及其制造方法

技术领域

本申请属于电子器件和电子线路领域，尤其涉及柔性电子器件及其制造方法。

背景技术

近些年，柔性可穿戴电子产品受到了广泛的关注也得到了深入的研究。作为柔性可穿戴电子产品的一个分支，对全柔性薄膜晶体管(TFTs)的研发也在持续进行。从材料的角度讲，全柔性的薄膜晶体管要求其所有的组成部分采用的材料都是柔性的。低维材料(low dimensional materials,LDM)，例如氮化硼(h-BN),石墨烯及其衍生物，碳纳米管，黑磷，以及过渡金属硫族化合物(TMD)族等等，其独特的原子结构赋予了它们优秀的柔性以及导电特性。但是如何将这些材料制备成为全柔性器件仍然是悬而未决的问题。

由于低维材料对于等离子束的抵抗能力弱，并且本身的原子结构同质性也比较高，因此无法采用传统的等离子刻蚀工艺来对低维材料进行图形化而同时保证不破坏在相同平台上的其他组件。

现在制造低维材料晶体管的方法一般是采用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为媒介来转移低维材料，然后蒸镀金属作为电极。这种方法会使整个器件的透明度大大降低。并且，由于晶体管之间缺少隔离因此无法利用该方法制备的晶体管来构建集成电路。

利用打印法来制备柔性TFT可以同时对材料进行沉积和图案化，并且成本相对比较低廉。但是打印法也存在着各种问题，使得打印法目前只能停留在实验室阶段。以喷涂打印法为例，咖啡渍圈环效应、复杂的固体-液体界面、喷涂材料的流体状态、以及溶剂的挥发速率都会严重的影响图形的分辨率以及喷涂的薄膜的质量。目前来说，利用打印法实现的分割距离为20μm,并体现出明显的卵状边界。并且，适用于打印法的材料仅限于微粒和聚合物。尽管有些研究人员尝试将例如碳纳米管和石墨烯这样的低维材料应用在打印法中，但是所形成的薄膜质量差强人意。而薄膜质量对于栅介质材料的可靠性有着至关重要的影响。

因此，需要一种对低维材料进行沉积和图形化的柔性晶体管集成制造方法。

发明内容

本申请提供了一种制备柔性电子器件的方法，包括准备带孔的柔性滤膜；准备一个或多个经图形化的掩膜版；通过真空抽滤在所述经图形化的掩膜版和所述滤膜上分别形成一层或多层柔性材料；以及去除所述掩膜版。

特别的，所述方法还包括在所述电子器件的全部结构形成后，填充所述滤膜的孔。

特别的，所述掩膜版为光刻胶层；所述准备经图形化的掩膜版包括，在所述滤膜上形成光刻胶层，以及对所述光刻胶层进行图形化；所述去除所述掩膜版包括去除所述光刻胶层。

特别的，所述柔性材料包括一维或二维材料。

特别的，当所述电子器件为晶体管的时候，所述柔性材料至少包括半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管，和/或石墨烯氧化物。

特别的，中对所述经图形化的掩膜版包括与所述电子器件结构对应的图形以及与对准标记对应的图形。

特别的，形成所述柔性材料时，针对所述对准标记图形采用的柔性材料溶液浓度大于形成所述电子器件结构图形的柔性材料溶液浓度。

本申请还提供了一种柔性电子器件，包括带有孔的柔性滤膜，以及形成在所述柔性滤膜上的一层或多层柔性材料。

特别的，所述柔性材料包括一维或二维材料。

特别的，当所述电子件为晶体管时，所述柔性材料至少包括半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管和/或石墨烯氧化物。

特别的，所述孔的直径范围为0.4-0.5μm，和/或所述孔的密度为0.4-0.5/μm2。

特别的，所述滤膜的平均粗糙度为4-5nm。

特别的，所述滤膜为PET膜。

特别的，在石墨烯氧化物上形成的任一其他结构的全部都形成在所述石墨烯氧化物上。

本申请还提供了一种电路，包括前述任一的一个或多个柔性电子器件。

本申请中的低维材料柔性电子器件如晶体管比传统方法制造的柔性电子器件如晶体管具有更低的阈值电压，更好的亚阈特性，和更高的场效应迁移率。本申请中的低维材料柔性电子器件例如晶体管被弯折后并没有明显降低晶体管的性能。本申请中的低维材料柔性电子器件具有非常好的透光性能。并且本申请中的制造方法简单高效，对于未来大规模生产柔性集成电路具有很强的适应性和便捷性。

附图说明

参考附图示出并阐明实施例。这些附图用于阐明基本原理，从而仅仅示出了对于理解基本原理必要的方面。这些附图不是按比例的。在附图中，相同的附图标记表示相似的特征。

图1a-d所示为根据本申请一个实施例的制备柔性晶体管的过程状态示意图；

图2所示为根据本申请一个实施例的制备柔性晶体管的方法流程图；

图3a-d所示为根据本申请一个实施例在形成柔性晶体管的过程中的状态示意图；

图4所示为根据本申请一个实施例的柔性晶体管的分层结构爆炸示意图；

图5所示为本申请实施例中柔性滤膜的局部放大图；

图6a-b所示为根据本申请一个实施例柔性晶体管的堆叠结构剖面SEM图和局部放大图；

图7a-b所示为根据本申请两个不同实施例的低维材料柔性晶体管的部分示例性版图；

图8a-8d所示为根据本申请实施例的柔性晶体管测试结果图；

图9所示为将根据本申请一个实施例的柔性晶体管进行弯折的情况示意图；

图10a所示为根据本申请实施例的低维材料柔性晶体管弯折前后的性能对比图；以及

图10b所示为根据本申请实施例的低维材料柔性晶体管滤膜孔填充前后透明度对比图。

具体实施方式

在以下优选的实施例的具体描述中，将参考构成本申请一部分的所附的附图。所附的附图通过示例的方式示出了能够实现本申请的特定的实施例。示例的实施例并不旨在穷尽根据本申请的所有实施例。可以理解，在不偏离本申请的范围的前提下，可以利用其他实施例，也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此，以下的具体描述并非限制性的，且本申请的范围由所附的权利要求所限定。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。对于附图中的各单元之间的连线，仅仅是为了便于说明，其表示至少连线两端的单元是相互通信的，并非旨在限制未连线的单元之间无法通信。

在以下的详细描述中，可以参看作为本申请一部分用来说明本申请的特定实施例的各个说明书附图。在附图中，相似的附图标记在不同图式中描述大体上类似的组件。本申请的各个特定实施例在以下进行了足够详细的描述，使得具备本领域相关知识和技术的普通技术人员能够实施本申请的技术方案。应当理解，还可以利用其它实施例或者对本申请的实施例进行结构、逻辑或者电性的改变。

利用本申请的方法可以制备任何类型的电子器件，例如晶体管、电容、二极管等等。以下描述以晶体管特别是MOS晶体管为例进行描述。晶体管可指任何结构的晶体管，例如场效应晶体管(FET)或者双极型晶体管(BJT)。当晶体管为场效应晶体管时，其控制极是指场效应晶体管的栅极，第一极可以为场效应晶体管的漏极或源极，对应的第二极可以为场效应晶体管的源极或漏极；当晶体管为双极型晶体管时，其控制极是指双极型晶体管的基极，第一极可以为双极型晶体管的集电极或发射极，对应的第二极可以为双极型晶体管的发射极或集电极。

真空抽滤是一种分离过滤手段，一般被认为是一个宏观和粗糙的工艺操作，并且滤膜的材料对抽滤过程起到了非常关键的作用。当真空抽滤被用来获得低维材料(例如石墨烯和氧化石墨烯)时可以实现良好的覆盖率、一致性和紧致性的方法。这个方法被广泛的用于锂离子电池和分离膜领域。但是这个方法本身并不能实现对材料的图形化。

在本申请之前并没有人曾经想到过将真空抽滤与微电子制造工艺特别是与光刻工艺相结合。本申请通过将光刻技术与抽滤法结合，提出了一种集成的对低维柔性材料同时进行沉积和图形化的柔性晶体管制造方法。

图1所示为根据本申请一个实施例的制备柔性晶体管的过程状态示意图。图2所示为根据本申请一个实施例的制备低维材料全柔性晶体管的方法流程图。图3所示为柔性晶体管各层结构平面示意图。

在步骤201，准备柔性滤膜，用于淀积低维材料。

对于形成低维材料柔性晶体管的滤膜属性有一定的要求。

首先，滤膜材料要具有贯穿滤膜上下两个表面的孔洞。这是为了在抽滤过程中实现低维材料和分散剂的分离。

其次，滤膜还要具有良好的耐溶剂性。因为在光刻工艺中滤膜要接触光刻胶和去胶用的酒精、丙酮等化学品，要求滤膜材料不能被这些所溶解或破坏。

另外，滤膜材料需要是柔性材料，且表面要平滑(例如表面粗糙度可以达到5nm以下)，具有良好的亲水性和耐溶剂性。另外，滤膜的表面平整度对于器件的性能是非常重要的。如果滤膜的表面不够平滑会影响到在其上形成的其他材料的薄膜的质量，从而影响器件的性能。

在现有技术中的抽滤中使用的滤膜是比较粗糙的。一般的柔性滤膜都是编织纤维(例如尼龙或纤维素)一般都不透明，表面非常粗糙，无法用来制备纳米级别的具有均一厚度的薄膜。具有比较平滑的表面的AAO(多孔阳极氧化铝)滤膜是刚性易碎的材料，其虽然可以用来沉积纳米级均一的薄膜，但是无法用来制备柔性器件。

根据一个实施例，PET膜(polyethylene terephthalate,聚对苯二甲酸乙二醇酯)可以很好满足上述要求，因此本申请中其被用作沉积低维材料的滤膜。当然，满足上述属性要求的其他材料的滤膜，例如PEN,PDMS,PI等材料如果能够满足上述的性质要求例如柔性、平滑、具有满足条件的孔等等，也可以适用于本申请。下文以PET膜作为例子继续进行描述。并且以MOS晶体管为例进行介绍。

根据一个实施例，在准备柔性滤膜的过程中可以首先将PET膜浸泡在例如丙酮中以去除可能的有机残留物，使得PET膜可以充分的展开，这对于后续的光刻中所要求的对准精度是有很大帮助的。

由于PET膜是柔性材料，为了后续操作步骤的方面，可以利用例如玻璃基片来承载PET膜，以便特别是在后续的图形化操作中加以操控和转移。根据一个实施例，将PET膜转移到玻璃基片的方法可以包括，将PET膜展开放在盛有例如水的容器中，且PET膜漂浮在水和空气的界面之间；然后利用例如与PET膜大小基本相同的玻璃基片将该PET膜从水中完整的盛出，使PET膜104完全覆盖在该玻璃基片102上，图1a所示。

根据一个实施例，可以将该附有PET膜的玻璃基片放在旋涂设备上旋转，例如可以采用3000rpm的转速，从而在离心力的作用下该PET膜的表面会被平整化，并且PET滤膜与玻璃基片之间会因为范德华力而彼此紧密贴合，并且滤膜也会因旋转而更加平坦化。

准备掩膜版。根据不同的实施例，掩膜版可以是刚性或者柔性的。根据一个实施例，刚性的掩膜版没有开口的部分可以阻止柔性材料的溶液通过。根据另一个实施例，掩膜版可以是光刻胶层。由于制造小尺寸器件，需要用到光刻胶来作为掩膜版，所以以下以光刻胶为例进行详细介绍。

在步骤204，可以在PET膜上涂敷或旋涂一层光刻胶106，如图1b所示。

在步骤206，对光刻胶层106进行图形化，包括固化，曝光和显影。

首先，将附有光刻胶层的PET膜104从玻璃基片102上剥离，如图1c所示，并对带有光刻胶层106的PET膜进行烘烤直到光刻胶完全固化。由于PET滤膜所能承受的温度并不是很高，因此烘烤温度不宜过高。之所以要将PET膜104从玻璃基片102上剥离，是防止PET膜104与玻璃基片102发生粘连。

其次，将烘烤后的带有光刻胶层106的PET膜104转移到玻璃基片上。根据一个实施例，仍然可以采用旋涂机通过旋转而将PET膜104与玻璃基片紧密贴合。由于在旋转过程中，光刻胶可能会进入到PET膜104的孔洞中，这意味着在后续去除不需要的光刻胶的时候可能会需要更长的显影时间。

然后，对光刻胶层106进行曝光和显影从而实现对光刻胶层106的图形化。

在步骤208，将带有经图形化的光刻胶层106’的PET膜104转移到抽滤设备上进行抽滤，从而沉积形成低维材料。

在这个步骤中，需要有针对性的将含有低维材料的溶液投放到相应的图形化区域，避免造成器件各区域互联短路。

真空抽滤所采用的压强控制也是非常重要的。如果压强过大会导致低维材料的破损。特别是在形成栅介质层的时候，要避免过大压强使栅介质层例如石墨烯氧化物发生变形或损坏。根据一个实施例，在形成有源区的时候可以采用比较大的压强，例如50kPa，而在形成栅介质层的流程中，采用低于10kPa的真空抽滤压强则是比较适合的。类似的，在石墨烯氧化物层形成后的流程步骤中，比较适合的也是采用低于10kPa的真空抽滤压强，避免对已形成的石墨烯氧化物层造成损坏。

另外，真空压力的分布也要一致，才能保证低维材料的厚度的均一性。

可选择的，根据一个实施例，在低维材料已经沉积完毕以后，继续抽真空一段时间以提高低维材料与滤膜之间的附着紧密程度，例如可以在溶剂抽滤完以后延长抽滤时间。

在步骤210，去除光刻胶层。根据一个实施例，可以用丙酮去除光刻胶。

利用上述方法可以逐个形成柔性晶体管中的不同结构。图如3a所示，为利用上述方法形成的晶体管有源区结构。为了控制所形成的低维材料的厚度可以采用低浓度的溶液。例如在形成有源区的时候，可以采用半导体性碳纳米管溶液。

根据另一个实施例，图3b所示，为利用上述方法形成的晶体管有源区以及源漏两电极结构。图3c所示，为利用上述方法形成的晶体管有源区、源漏两电极及栅介质结构。图3d所示，为利用上述方法形成的晶体管有源区、源漏两电极、栅介质及其上的栅电极结构。在形成电极区域的时候，可以采用金属性碳纳米管溶液用于在抽滤过程中形成源漏电极。根据一个实施例，用于形成栅电极的金属性碳纳米管溶液的浓度可以比形成源漏电极的溶液浓度高例如5倍，以达到更好的覆盖效果。

根据一个实施例，在形成栅介质层的时候，可以采用石墨烯氧化物溶液在真空抽滤中形成栅介质层。

在进行集成的过程中，对准是一个特别重要的环节，只有对准才能尽量确保晶体管的各层结构形成在应有的位置，避免由于未对准而导致的晶体管无法工作等等问题。由于如上所介绍的，形成低维材料的分散溶液的浓度非常低，因此所形成的低维材料非常的薄，几乎是透明的，所以在显微镜下很难辨识。

为了实现对准，根据一个实施例，可选择的，在上述方法中的步骤206形成的图形化图案中可以不仅包括所要形成的晶体管本层结构的图案，还包括该层的对准标记图案，如图3a所示，对准标记的位置可以靠近PET滤膜的边缘。当然，根据不同的实施例，对准标记图案可以具有不同的形状和位置。

可选择的，在步骤208，可以将高浓度的金属性碳纳米管溶液施加到对准标记区域，并且利用真空抽滤设备进行抽滤。根据一个实施例，这里的高浓度至少是高于形成源漏或者栅对电极的溶液浓度。根据一个实施例，这个高浓度可以是0.001-0.1wt％，例如0.01wt％。这样形成的对准标记在显微镜下比较容易观测到。

通过重复上述流程，并且根据不同的层特有的结构对光刻胶层进行图形化，从而依次形成有源区、源漏电极、栅介质层以及栅电极。当然，根据器件的不同，也可以对形成不同材料层的顺序进行调整，例如底栅、顶栅结构的器件形成的顺序就有所不同。

可选择的，在步骤212，为了提高透光性，可以在晶体管或电路各结构都制备完成后，增加一个填充滤膜孔的步骤，以将滤膜孔中填满与滤膜折射率相近的材料(例如光刻胶)，从而提高透光度。根据一个实施例，这种填充操作往往会形成对器件的包覆，因此采用光刻胶作为孔填充物的优点在于方便实现器件之间的互连时形成接触开孔。根据一个实施例，这个填光刻胶的过程可以是从滤膜形成有晶体管结构的一侧填充孔，或者从滤膜未形成有晶体管结构的一侧填充孔。根据一个实施例，填充的过程也可以是通过旋涂实现的。如果是从滤膜形成有晶体管结构的一侧填充的话，可以随后对包覆在晶体管的上的填充物与晶体管各电极区域相应的位置开孔，以便向电极施加电位。

图4所示为根据本申请一个实施例的柔性晶体管的分层结构爆炸示意图。

如图所示，低维材料柔性晶体管的最底层是滤膜材料401，在滤膜401上通过真空抽滤的方法形成例如有源区402。根据一个实施例，构成有源区402的材料可以是例如半导体性碳纳米管。

在有源区402源漏区域的上方，分别形成有源极403和漏极404。根据一个实施例，构成源极403和漏极404的材料可以是例如金属性碳纳米管。

在有源区402的沟道区域上方形成有栅极介质层405。根据一个实施例，构成栅极介质层405的材料可以是石墨烯氧化物。

在栅极介质层405的上方可以形成有栅电极406。根据一个实施例，构成栅极406的材料可以是例如金属性碳纳米管。

根据一个实施例，可选择的，滤膜的孔中可以填充有光刻胶或其他填充物，从而提高透光性。

图5所示为本申请实施例中柔性滤膜在原子力显微镜(AFM)下的局部放大图。左侧的照片为PET滤膜的3D形态图，右侧的照片为PET滤膜的2D表面图。PET滤膜上的孔可以是通过粒子轰击和化学腐蚀而形成的。孔径和孔密度可以根据需要调整。根据一个实施例，孔径的范围可以是0.4-0.5μm,特别是例如0.45μm左右；孔密度的范围可以是0.4-0.5/μm2。根据一个实施例，滤膜的厚度可以是小于40μm。

如图5所示，采用上述方式制备的PET滤膜的表面粗糙度很低。利用AFM的测试结果，PET膜在没有孔的区域的表面粗糙度可以达到5nm或以下。如图5所示，孔并没有在其周围形成凹陷或者凸起，因此可以认为表面是平滑的。

图6a所示为根据本申请一个实施例形成的低维材料柔性晶体管的堆叠结构剖面SEM图；图6b为图6a中框出部分的放大图。由图可见，上述低维材料柔性晶体管的总厚度可以是例如50-100nm，其中石墨烯氧化物材料的厚度可以是例如20-40nm，特别可以是例如30nm。

另外，栅介质材料的质量，例如石墨烯氧化物材料的质量对于晶体管的性能来说是非常重要的。根据一个实施例，低维材料柔性晶体管的介质层的粗糙度的平均值可以小于10nm，例如3.4nm。

图7a和图7b所示为根据本申请两个不同实施例的低维材料柔性晶体管的部分结构的示例性版图。如图7a中所示，整个栅极406都形成在栅介质材料405上，然而如图7b所示，栅极406只有一部分形成在栅介质材料405的上方。

由于栅介质材料例如石墨烯氧化物在抽滤过程中的水透过性不好，而对于碳纳米管材料(无论是半导体性还是金属性)并不存在这个情况。举例来说，要在石墨烯氧化物层上利用真空抽滤形成其他材料的时候，因为石墨烯氧化物材料的水透过性不好，其他材料的溶剂中的水分难以通过石墨烯氧化物材料，因比较难以在石墨烯氧化物层上形成其他材料。

因此，在利用本申请所介绍的方法来形成各种类型的低维材料柔性晶体管或者器件的时候，如果可以选择，应尽量先形成其他材料，再形成石墨烯氧化物。并且，在设计版图的时候，也应尽量使同一结构的全部都形成在石墨烯氧化物上方。尽量避免同一结构的一部分形成在石墨烯氧化物上，另一部分形成在其他材料上方的情况。例如，图7b所示的情况中，栅极406跨越栅介质材料405和其他区域,由于石墨烯氧化物材料的水透过性不好，会导致容易倾向于流往栅介质材料405以外的区域，从而导致在栅介质材料405上方难以形成栅极材料406。

因此，如果要在石墨烯氧化物上形成其他材料或结构，应尽量如图7A所示，使栅极406的各部分都形成在同一层石墨烯氧化物材料上。

图8a-8d所示为根据本申请实施例的柔性晶体管测试结果图。

如图8a所示石墨烯氧化物材料的击穿电压在5V左右。如图8b和图8c所示，对于不同沟道长度的低维材料柔性晶体管的阈值电压都为例如-0.2V左右(碳纳米管材料形成的晶体管一般都是PMOS)。如图8d所示，对于W＝10μm，L＝30μm的低维材料柔性晶体管来说，随着VDS的升高，器件进入饱和区。这是因为低维材料柔性晶体管减低了金属-半导体接触的肖特基势垒。石墨烯氧化物材料具有与二氧化硅相仿的介质常数(4.3左右)，其非常小的厚度以及紧密堆叠的介质材料特性，对相应的晶体管的栅极可控性具有非常大的贡献。如图8d所示，在高漏极电压下展现了清楚的电流饱和状态，在低漏极电压下，I-V的线性特性体现了较小的源漏接触电阻。

图9所示为将根据本申请一个实施例的柔性晶体管进行弯折的情况示意图。由图可见该晶体管是柔性和基本透明的。

图10a所示为根据本申请实施例的低维材料柔性晶体管弯折前后的性能对比图。弯折可以是将柔性晶体管围绕例如半径为1mm的棍状物进行弯折，如图9所示。如图10a所示，弯折前后的晶体管开启电流保持相同，截止电流发生小幅变化。图10b所示为根据本申请实施例的低维材料柔性晶体管的透明度比较图。由于滤膜例如PET滤膜包括孔，因此会导致光线发生折射。在本申请中，滤膜的孔被光刻胶充后透明度大幅提高至74％左右。

本申请通过将抽滤和光刻技术结合，使低维材料可以在滤膜上同时受控的被沉积并且被不受破坏的被图形化。本申请中的低维材料柔性晶体管比传统方法制造的晶体管具有更低的阈值电压，更好的亚阈特性，更低的工作电压和更高的场效应迁移率。其次，本申请中的低维材料柔性晶体管被弯折后并没有明显降低晶体管的性能。另外，本申请中的低维材料柔性晶体管具有非常好的透光性能。与现有的例如打印法形成的晶体管相比，本申请所提供的制备低维材料柔性晶体管的方法可以实现5μm及以下的分辨率，并且具有清晰锐利边界的结构。并且本申请中的制造方法简单高效，对于未来柔性电路的大规模生产具有很强的适应性和便捷性。

因此，虽然参照特定的示例来描述了本申请，其中这些特定的示例仅仅旨在是示例性的，而不是对本申请进行限制，但对于本领域普通技术人员来说显而易见的是，在不脱离本申请的精神和保护范围的基础上，可以对所公开的实施例进行改变、增加或者删除。

Claims (15)

1.一种制备柔性电子器件的方法，包括

准备带孔的柔性滤膜；

准备一个或多个经图形化的掩膜版；

通过真空抽滤在所述经图形化的掩膜版和所述滤膜上分别形成一层或多层柔性材料；以及

去除所述掩膜版。

2.如权利要求1所述的方法，还包括在所述电子器件的全部结构形成后，填充所述滤膜的孔。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述掩膜版为光刻胶层；所述准备经图形化的掩膜版包括，在所述滤膜上形成光刻胶层，以及对所述光刻胶层进行图形化；

所述去除所述掩膜版包括去除所述光刻胶层。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述柔性材料包括一维或二维材料。

5.如权利要求4所述的方法，其中当所述电子器件为晶体管的时候，所述柔性材料至少包括半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管，和/或石墨烯氧化物。

6.如权利要求1所述的方法，其中对所述经图形化的掩膜版包括与所述电子器件结构对应的图形以及与对准标记对应的图形。

7.如权利要求6所述的方法，其中形成所述柔性材料时，针对所述对准标记图形采用的柔性材料溶液浓度大于形成所述电子器件结构图形的柔性材料溶液浓度。

8.一种柔性电子器件，包括

带有孔的柔性滤膜，以及形成在所述柔性滤膜上的一层或多层柔性材料。

9.如权利要求8所述的电子器件，其中所述柔性材料包括一维或二维材料。

10.如权利要求9所述的电子器件，其中当所述电子件为晶体管时，所述柔性材料至少包括半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管和/或石墨烯氧化物。

11.如权利要求8所述的电子器件，其中所述孔的直径范围为0.4-0.5μm，和/或所述孔的密度为0.4-0.5/μm²。

12.如权利要求8所述的电子器件，其中所述滤膜的平均粗糙度为4-5nm。

13.如权利要求11或12所述的电子器件，其中所述滤膜为PET膜。

14.如权利要求10所述的电子器件，其中在石墨烯氧化物上形成的任一其他结构的全部都形成在所述石墨烯氧化物上。

15.一种电路，包括

一个或多个如权利要求8-14任一所记载的电子器件。