CN110098297A - Led倒装芯片的图形化衬底及制备方法 - Google Patents

Led倒装芯片的图形化衬底及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110098297A
CN110098297A CN201810088072.4A CN201810088072A CN110098297A CN 110098297 A CN110098297 A CN 110098297A CN 201810088072 A CN201810088072 A CN 201810088072A CN 110098297 A CN110098297 A CN 110098297A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
mask
substrate
mask layer
patterned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810088072.4A
Other languages
English (en)
Inventor
闫建昌
郭亚楠
王军喜
李晋闽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Semiconductors of CAS
Original Assignee
Institute of Semiconductors of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Semiconductors of CAS filed Critical Institute of Semiconductors of CAS
Priority to CN201810088072.4A priority Critical patent/CN110098297A/zh
Publication of CN110098297A publication Critical patent/CN110098297A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

一种LED倒装芯片的图形化衬底及其制备方法，所述图形化衬底包括基本衬底和分布在所述基本衬底背面或者所述基本衬底背面和正面的图形化结构层。所述制备方法，包括：在基本衬底的正面形成保护层，并在所述基本衬底的背面形成掩膜层；将所述掩膜层图形化，形成掩膜图形；刻蚀所述基本衬底的背面，将所述掩膜层的图形转移到所述基本衬底的背面，形成图形化结构层；去除残留的所述掩膜层和所述保护层，形成图形化衬底。本发明可在有效提高LED光提取效率的同时，避免图形化过程对外延层及LED芯片带来沾污和损伤，降低流片工艺复杂程度。

Description

LED倒装芯片的图形化衬底及制备方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，特别涉及LED倒装芯片的图形化衬底及制备方法。
背景技术
自上世纪90年代以来，GaN基LED引起广泛关注并取得了迅猛的发展。GaN基LED具有波长可调、轻便灵活、能耗低、工作电压低、定向发光、无污染、寿命长、响应时间快等显著优势，波长覆盖绿光、蓝光、紫光、紫外领域，在白光照明、显示、可见光通信、聚合物固化、杀菌消毒等方面有着巨大的市场价值。
LED倒装芯片技术具有低热阻、高光提取效率、高效封装和可集成防静电装置等优点，特别适用于中高功率的LED芯片，将是未来发展的主流。传统正装结构以厚的蓝宝石衬底作为散热通道，倒装技术通过植球焊或共晶焊将LED芯片倒装在具有更高导热率的基板上，使得LED的热量能够快速从基板中导出，提高LED的可靠性和寿命。垂直结构芯片也具有低热阻的优点，但芯片制造难度大、良率低，限制了其发展和应用。在发光性能方面，传统正装结构的LED芯片，一般需要在pGaN层上沉积一层半透明的导电层使电流分布更均匀，但这一导电层会部分吸收LED发出的光，而且p型金属电极会遮挡住部分光，这就限制了LED芯片的出光效率。采用倒装结构，则可避开p型导电层吸光、p型电极挡光的问题，通过电极设计能使电流分布更均匀，降低器件电压。在大功率条件下，倒装芯片可做成免金线封装，避免了金线损伤带来的死灯问题，大大提高了器件的可靠性。
对LED倒装芯片而言，由于蓝宝石衬底的厚度远大于外延层的厚度，芯片有源区辐射的光主要从蓝宝石衬底一侧出射。但蓝宝石衬底的折射率(ns～1.8-2.0)与外延层的折射率(n～2.3-2.6)、空气的折射率(nair～1)的差异较大，有源区辐射的光会在蓝宝石衬底与外延层的界面处、蓝宝石衬底与空气的界面处发生全反射。根据Snell定律，有
nssin(θs)＝nairsin(θair)
nssin(θs)＝nsin(θ)
当θair≥90°、θ≥90°时将发生全内反射(Total internal reflection，TIR)，相应的全反射角(临界角)为：
对置于半导体中均匀辐射的点光源，能辐射到半导体外的光功率与光源产生的光功率之比为：
量子阱发出的光大部分都被限制在外延层和蓝宝石衬底内部形成光波导，反复震荡最终被吸收转化为热，这是限制LED光提取效率和可靠性的瓶颈问题。
采用表面微/纳米级结构是缓解全反射、增加光提取效率的一种常用方法。在衬底的正面制备微米图形或纳米图形，不仅可以增强衬底/外延层界面处的散射，使得原本发生全反射的光有机会逃出LED芯片，提高LED的光提取效率；还可以使外延层在图形衬底上侧向外延，从而有效降低材料的位错密度，提高LED的内量子效率。图形化蓝宝石衬底(PSS)在可见光LED、紫外LED的外延与应用中已得到广泛的应用。
粗化衬底的背面，也能有效提升LED的光提取效率。堪萨斯州立大学的Khizar等人使用光刻胶热回流和等离子刻蚀的方法，在LED的蓝宝石衬底背面制备了微透镜阵列来减少内反射，将LED的光输出功率提升了55％。名城大学的Pernot等人在蓝宝石衬底背面制备了蛾眼结构，LED的平均光输出功率提升了1.5倍。日本先进信息与通信技术研究所的Inoue等人在AlN同质衬底的背面制备了二维光子晶体与亚波长纳米结构组成的复合纳米结构，使LED的光输出功率获得了196％的提升。但目前报道的衬底背面粗化通常是在完成LED芯片工艺流程后才开展的，因此需要在芯片正面旋涂或淀积厚的保护层；而在完成背面粗化后，又需要去除保护层，易对芯片和芯片电极形成沾污和不可控的损伤，增加了流片工艺复杂程度，不利于规模化生产。
发明内容
针对以上问题，本发明提出一种LED倒装芯片的图形化衬底及制备方法，在外延LED结构之前即图形化衬底的背面或者是背面和正面。
一方面，本发明提出了一种LED倒装芯片的图形化衬底，包括基本衬底和分布在所述基本衬底背面或者所述基本衬底背面和正面的图形化结构层。
所述基本衬底选自氧化铝、氧化镓、氮化铝、氮化镓、氧化锌、氧化镁、金刚石、砷化镓、磷化铟或玻璃。
所述图形化结构层的图形高度为0.01微米至200微米。
所述基本衬底背面和正面的图形化结构层的图形相同或者不同。
另一方面，本发明还提出了一种LED倒装芯片的图形化衬底的制备方法，其特征在于，在外延LED结构之前图形化衬底，包括：
在基本衬底的正面形成第一保护层，并在所述基本衬底的背面形成第一掩膜层；
将所述第一掩膜层图形化，形成第一掩膜图形；
刻蚀所述基本衬底的背面，将所述第一掩膜层的图形转移到所述基本衬底的背面，形成第一图形化结构层；
去除残留的所述第一掩膜层和所述第一保护层，形成图形化衬底。
可选地，所述制备方法还包括：
在所述基本衬底的背面形成第二保护层，并在所述基本衬底的正面形成第二掩膜层；
将所述第二掩膜层图形化，形成第二掩膜图形；
刻蚀所述基本衬底的正面，将所述第二掩膜层的图形转移到所述基本衬底的正面，形成第二图形化结构层；
去除残留的所述第二掩膜层和所述第二保护层，形成图形化衬底。
又一方面，本发明还提出了另一种LED倒装芯片的图形化衬底的制备方法，其特征在于，在外延LED结构之前图形化衬底，包括：
在基本衬底的正面形成第一保护层，并在所述基本衬底的背面形成第一掩膜层；
将所述第一掩膜层图形化，形成第一掩膜图形；
去除所述第一保护层；
在所述第一掩膜图形上形成第二保护层，并在所述基本衬底的正面形成第二掩膜层；
将所述第二掩膜层图形化，形成第二掩膜图形；
去除所述第二保护层；
刻蚀所述基本衬底的正面和背面，将所述第一掩膜层的图形转移到所述基本衬底的背面，将所述第二掩膜层的图形转移到所述基本衬底的正面，分别形成图形化结构层；
去除残留的所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，形成双面图形化衬底。
可选地，所述第一保护层和所述第二保护层选自氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化钛、氮化铝、金属、或光刻胶。
可选地，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为带有图形的掩膜，此时可省略将所述第一掩膜层图形化的步骤；或者所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为光刻胶，此时使用普通紫外曝光、胶体光刻、纳米压印或电子束曝光显影后形成掩膜图形；或者所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为作为表层的光刻胶与作为底层的氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮化钛或金属组成的复合掩膜，此时首先图形化光刻胶后，再采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方式将光刻胶的图形转移到复合掩膜底层上；或者所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为作为表层的带有图形的掩膜与作为底层的氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮化钛或金属组成的复合掩膜，此时采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方式将复合掩膜表层的图形转移到复合掩膜底层上。
可选地，所述带有图形的掩膜为阳极氧化铝模板、荫罩或胶体颗粒。
可选地，所述第一保护层和所述第二保护层相同或者不同，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层相同或者不同；所述第一掩膜图形和所述第二掩膜图形相同或者不同。
采用上述技术方案，本发明可在有效提高LED光提取效率的同时，避免图形化过程对外延层及LED芯片带来沾污和损伤，降低LED流片的工艺复杂程度。
附图说明
图1为背面图形化的衬底；
图2为正背面均图形化的衬底；
图3为本发明一实施例中图形化衬底的制备方法流程图；
图4为本发明另一实施例中图形化衬底的制备方法流程图；
图5为本发明另一实施例中图形化衬底的制备方法流程图。
附图标记说明：
1-基本衬底；2-背面的图形化结构层；3-正面的图形化结构层；4-第一保护层；5-第一掩膜层；6-第二保护层；7-第二掩膜层；8-第一复合掩膜层底层；9-第一复合掩膜层表层；10-第二复合掩膜层底层；11-第二复合掩膜层表层。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征更易于本本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
如图1和图2所示，本发明提供了一种LED倒装芯片的图形化衬底，包括基本衬底1和分布在基本衬底1背面的图形化结构层2。
可选地，基本衬底1的正面也可分布有图形化结构层3。
基本衬底1可以是氧化铝、氧化镓、氮化铝、氮化镓、氧化锌、氧化镁、金刚石、砷化镓、磷化铟和玻璃等对LED波长透明的衬底。
基本衬底1背面的图形化结构层2的图形高度为0.01微米至200微米。基本衬底1正面的图形化结构层3的图形高度为0.01微米至200微米。图形化结构层2和图形化结构层3的图形可相同，亦可不同。
优选地，对波长在200-365纳米之间的紫外LED倒装芯片，为便于后续外延层的横向合并，所述基本衬底1正面的图形化结构层3为下凹(concave)型图形，例如倒锥孔阵列、倒台型孔阵、条形阵列等，图形尺寸通常在百纳米～数微米之间。而对波长在365纳米以上的LED倒装芯片，所述基本衬底1正面的图形化结构层3可以是下凹型图形，也可以是凸起(convex)型图形，例如柱状阵列、台状阵列、锥状阵列、火山口型阵列等。
实施例1
如图3所示，LED倒装芯片的背面图形化蓝宝石衬底的制备方法包括以下步骤：
步骤一：提供双面抛光的蓝宝石基本衬底1。为了保证后续图形化、外延和流片过程中蓝宝石衬底的完整可靠，基本衬底1的厚度应不小于50微米，优选150-600微米。
步骤二：在所述基本衬底1的正面形成第一保护层4，并在基本衬底1的背面形成第一掩膜层5。
第一保护层4可使用氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化钛等无机化合物，或金属、光刻胶；
第一掩膜层5可使用光刻胶，也可为阳极氧化铝模板、荫罩、胶体颗粒等带有图形的掩膜；或上层材料与氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮化钛等无机化合物以及金属等下层材料组成的复合掩膜，其中上层材料可以是光刻胶或阳极氧化铝模板、荫罩、胶体颗粒等带有图形的上层掩膜。
步骤三：将第一掩膜层5图形化，形成掩膜图形。
若第一掩膜层5是光刻胶，可根据光刻胶的类型使用普通紫外曝光、胶体光刻、纳米压印、电子束曝光等方式，显影后形成掩膜图形；
若第一掩膜层5是阳极氧化铝模板、荫罩、胶体颗粒等带有图形的掩膜，可略去此步骤。
若第一掩膜层5是光刻胶与氧化物、氮化物等无机化合物以及金属等下层材料组成的复合掩膜，可在先图形化光刻胶后，再采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方式将光刻胶的图形转移到下层材料上。
若第一掩膜层5是阳极氧化铝模板、荫罩、胶体颗粒等带有图形的上层掩膜与氧化物、氮化物等无机化合物以及金属等下层材料组成的复合掩膜，可采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方式将上层掩膜的图形转移到下层材料上。
步骤四：干法或湿法刻蚀所述基本衬底1的背面，将掩膜层5的图形转移到所述基本衬底1的背面，形成图形化结构层2。
图形化结构层2的图形高度为0.01微米至200微米。
步骤五：去除残留的第一掩膜层5和第一保护层4，形成如图1所示的背面图形化蓝宝石衬底。
实施例2
如图4所示，LED倒装芯片的双面图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括以下步骤：
步骤一：提供双面抛光的基本衬底1。为了保证后续图形化、外延和流片过程中蓝宝石衬底的完整可靠，基本衬底1的厚度应不小于70微米，优选150-600微米。
步骤二：在基本衬底1的正面形成第一保护层4，并在基本衬底1的背面形成第一掩膜层5。
第一保护层4可使用氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮化钛等无机化合物，或光刻胶；
第一掩膜层5可使用光刻胶，也可为阳极氧化铝模板、荫罩、胶体颗粒等带有图形的掩膜；或表层材料与氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮化钛等无机化合物以及金属等底层材料组成的复合掩膜，其中表层材料可以是光刻胶或阳极氧化铝模板、荫罩、胶体颗粒等带有图形的上层掩膜。
步骤三：将第一掩膜层5图形化，形成掩膜图形。
若所述第一掩膜层5是光刻胶，可根据光刻胶的类型使用普通紫外曝光、胶体光刻、纳米压印、电子束曝光等方式，显影后形成掩膜图形；
若第一掩膜层5是阳极氧化铝模板、荫罩、胶体颗粒等带有图形的掩膜，可略去此步骤。
若掩膜层5是光刻胶与氧化物、氮化物等无机化合物以及金属等底层材料组成的复合掩膜，可在先图形化光刻胶后，再采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方式将光刻胶的图形转移到底层材料上。
若掩膜层5是阳极氧化铝模板、荫罩、胶体颗粒等带有图形的表层掩膜与氧化物、氮化物等无机化合物以及金属等底层材料组成的复合掩膜，可采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方式将上层掩膜的图形转移到底层材料上。
步骤四：干法或湿法刻蚀基本衬底1的背面，将掩膜层5的图形转移到基本衬底1的背面，形成图形化结构层2。
图形化结构层2的图形高度为0.01微米至200微米。
步骤五：去除残留的第一掩膜层5和第一保护层4，形成如图1所示的背面图形化蓝宝石衬底。
步骤六：与步骤二～步骤五相似，通过第二保护层6和第二掩膜层7，在所述基本衬底1的正面也形成图形化结构层3。至此，得到如图2所示的正面和背面都图形化的双面图形化衬底。
第二掩膜层7可以与第一掩膜层5相同或不同，第二保护层6可以与第一保护层4相同或不同。
图形化结构层3的图形高度为0.01微米至200微米。
图形化结构层3和2形成的顺序不限。
图形化结构层3和2的图形可相同，亦可不同。
实施例3
如图5所示，LED倒装芯片的双面图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括以下步骤：
步骤一：提供双面抛光的基本衬底。为了保证后续图形化、外延和流片过程中蓝宝石衬底的完整可靠，基本衬底1的厚度应不小于70微米，优选150-600微米。
步骤二：在所述基本衬底1的正面形成第一保护层4，并在所述基本衬底的背面形成第一复合掩膜层，第一复合掩膜层包括第一复合掩膜层底层8和第一复合掩膜层表层9；
第一保护层4可使用氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化钛等无机化合物，或光刻胶；
第一复合掩膜层底层8可使用氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化钛等无机化合物；
第一复合掩膜层表层9可使用光刻胶，或阳极氧化铝模板、荫罩、胶体颗粒等带有图形的掩膜；
步骤三：将第一复合掩膜层(包括底层8和表层9)图形化，形成掩膜图形。
若第一复合掩膜层表层9是光刻胶，可根据光刻胶的类型使用普通紫外曝光、胶体光刻、纳米压印、电子束曝光等方式，显影后形成掩膜图形；再采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方式将第一复合掩膜层表层9的图形转移到第一复合掩膜层底层8上；
若第一复合掩膜层表层9是阳极氧化铝模板、荫罩、胶体颗粒等带有图形的掩膜，可采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方式将第一掩膜层9的图形转移到第一复合掩膜层底层8上；
步骤四：去除第一复合掩膜层表层9和第一保护层4；
步骤五：与步骤二～步骤四相似，通过第二保护层6和第二复合掩膜层表层11在所述基本衬底1的正面也形成图形化的第二复合掩膜层底层10，并去除第二复合掩膜层表层11和第二保护层6。
第二保护层6可使用氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化钛等无机化合物，或光刻胶；
第二复合掩膜层底层10可使用氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化钛等无机化合物；
第二复合掩膜层表层11可使用光刻胶，或阳极氧化铝模板、荫罩、胶体颗粒等带有图形的掩膜；
第二复合掩膜层底层10的图形可与步骤三中第一复合掩膜层底层8的图形相同，亦可不同，并且形成的顺序不限。
步骤六：以背面的第一复合掩膜层底层8和正面的第二复合掩膜层底层10为掩膜，湿法腐蚀基本衬底1的背面、正面，同时形成图形化结构层2和3。
所使用的湿法腐蚀液可以为热浓硫磷酸溶液，所形成的图形通常为倒锥形孔或倒台型孔，特别适合于200-365纳米的紫外LED倒装芯片。
背面的图形化结构层2的图形高度为0.01微米至200微米。
正面的图形化结构层3的图形高度为0.01微米至200微米。
图形化结构层2和3的图形可相同，亦可不同。
第一复合掩膜层和第二复合掩膜层可以相同，也可以不同。
步骤七，去除背面的第一复合掩膜层底层8和正面残留的第二复合掩膜层底层10。至此，得到正面和背面同时图形化的双面图形化衬底。
至此，已经结合附图对本实施例进行了详细描述。依据以上描述，本领域技术人员应当对本发明LED倒装芯片的图形化衬底及制备方法有了清楚的认识。
此外，上述对各元件和方法的定义并不仅限于实施例中提到的各种具体结构、形状或方式，本领域普通技术人员可对其进行简单地更改或替换，总之，以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种LED倒装芯片的图形化衬底，包括基本衬底和分布在所述基本衬底背面或者所述基本衬底背面和正面的图形化结构层。
2.如权利要求1所述的LED倒装芯片的图形化衬底，其特征在于，所述基本衬底选自氧化铝、氧化镓、氮化铝、氮化镓、氧化锌、氧化镁、金刚石、砷化镓、磷化铟或玻璃。
3.如权利要求1所述的LED倒装芯片的图形化衬底，其特征在于，所述图形化结构层的图形高度为0.01微米至200微米，所述基本衬底背面和正面的图形化结构层的图形相同或者不同。
4.一种如权利要求1-3任一项所述LED倒装芯片的图形化衬底的制备方法，其特征在于，在外延LED结构之前图形化衬底，包括：
在基本衬底的正面形成第一保护层，并在所述基本衬底的背面形成第一掩膜层；
将所述第一掩膜层图形化，形成第一掩膜图形；
刻蚀所述基本衬底的背面，将所述第一掩膜层的图形转移到所述基本衬底的背面，形成图形化结构层；
去除残留的所述第一掩膜层和所述第一保护层，形成图形化衬底。
5.如权利要求4所述的LED倒装芯片的图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述基本衬底的背面形成第二保护层，并在所述基本衬底的正面形成第二掩膜层；
将所述第二掩膜层图形化，形成第二掩膜图形；
刻蚀所述基本衬底的正面，将所述第二掩膜层的图形转移到所述基本衬底的正面，形成图形化结构层；
去除残留的所述第二掩膜层和所述第二保护层，形成图形化衬底。
6.一种如权利要求1-3任一项所述LED倒装芯片的图形化衬底的制备方法，其特征在于，在外延LED结构之前图形化衬底，包括：
在基本衬底的正面形成第一保护层，并在所述基本衬底的背面形成第一掩膜层；
将所述第一掩膜层图形化，形成第一掩膜图形；
去除所述第一保护层；
在所述第一掩膜图形上形成第二保护层，并在所述基本衬底的正面形成第二掩膜层；
将所述第二掩膜层图形化，形成第二掩膜图形；
去除所述第二保护层；
刻蚀所述基本衬底的正面和背面，将所述第一掩膜层的图形转移到所述基本衬底的背面，将所述第二掩膜层的图形转移到所述基本衬底的正面，分别形成图形化结构层；
去除残留的所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，形成双面图形化衬底。
7.如权利要求4-6中任一项所述的LED倒装芯片的图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层选自氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮化钛、金属或光刻胶。
8.如权利要求4-6中任一项所述的LED倒装芯片的图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为带有图形的掩膜，此时可省略将所述第一掩膜层图形化的步骤；或者所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为光刻胶，此时使用普通紫外曝光、胶体光刻、纳米压印或电子束曝光显影后形成掩膜图形；或者所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为作为表层的光刻胶与作为底层的氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮化钛或金属组成的复合掩膜，此时首先图形化光刻胶后，再采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方式将光刻胶的图形转移到复合掩膜底层上；或者所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为作为表层的带有图形的掩膜与作为底层的氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氮化钛或金属组成的复合掩膜，此时采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方式将复合掩膜表层的图形转移到复合掩膜底层上。
9.如权利要求8所述的LED倒装芯片的图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述带有图形的掩膜为阳极氧化铝模板、荫罩或胶体颗粒。
10.如权利要求4-6中任一项所述的LED倒装芯片的图形化衬底的制备方法，所述第一保护层和所述第二保护层相同或者不同，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层相同或者不同；所述第一掩膜图形和所述第二掩膜图形相同或者不同。
CN201810088072.4A 2018-01-29 2018-01-29 Led倒装芯片的图形化衬底及制备方法 Pending CN110098297A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810088072.4A CN110098297A (zh) 2018-01-29 2018-01-29 Led倒装芯片的图形化衬底及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810088072.4A CN110098297A (zh) 2018-01-29 2018-01-29 Led倒装芯片的图形化衬底及制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110098297A true CN110098297A (zh) 2019-08-06

Family

ID=67441868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810088072.4A Pending CN110098297A (zh) 2018-01-29 2018-01-29 Led倒装芯片的图形化衬底及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110098297A (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101009344A (zh) * 2006-01-27 2007-08-01 杭州士兰明芯科技有限公司 蓝宝石衬底粗糙化的发光二极管及其制造方法
CN103178179A (zh) * 2011-12-23 2013-06-26 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种双面图形的硅化物复合衬底GaN基LED芯片及其制作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101009344A (zh) * 2006-01-27 2007-08-01 杭州士兰明芯科技有限公司 蓝宝石衬底粗糙化的发光二极管及其制造方法
CN103178179A (zh) * 2011-12-23 2013-06-26 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种双面图形的硅化物复合衬底GaN基LED芯片及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110993762B (zh) 基于III族氮化物半导体的Micro-LED阵列器件及其制备方法
US20200035886A1 (en) High performance light emitting diode with vias
CN105378950A (zh) 顶发射式半导体发光器件
CN106025028B (zh) 倒装发光二极管芯片及其制作方法
CN102376839A (zh) 具有光学高密度材料涂层衬底的发光器件
US20130328102A1 (en) Optoelectronic device and method for manufacturing the same
CN112018223B (zh) 粘合层转印的薄膜倒装结构Micro-LED芯片及其制备方法
CN104576857B (zh) 一种高反射层倒装led芯片结构及其制作方法
JP2011060966A (ja) 発光装置
WO2017219817A1 (zh) 倒装发光二极管及其制作方法
CN104218134B (zh) 一种具有特殊粗化形貌的led垂直芯片结构及其制备方法
CN106463574A (zh) 具有图案化衬底的发光器件
CN106981497A (zh) 一种高压倒装led芯片结构及其制造方法
WO2016000583A1 (zh) 垂直型led结构及其制作方法
TWI398967B (zh) 發光二極體晶片及其製法
WO2021035676A1 (zh) 一种超薄结构深紫外led及其制备方法
CN214313231U (zh) 反射结构及GaN基薄膜型结构LED芯片
CN108133992B (zh) 光泵谐振增强倒装红光led器件及其制备方法
CN102130252B (zh) 发光二极管及其制造方法
WO2018137337A1 (zh) 薄膜型发光二极管及其制作方法
CN208489225U (zh) 一种宽带高效的二维光子晶体led倒装阵列芯片
CN107068825A (zh) 一种高压倒装led芯片结构及其制造方法
CN105762244A (zh) 一种垂直结构白光led芯片及其制备方法
CN110098297A (zh) Led倒装芯片的图形化衬底及制备方法
CN102064253A (zh) 发光二极管及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190806

RJ01 Rejection of invention patent application after publication