CN110088824B - 光源装置、发光装置和显示装置 - Google Patents

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Abstract

根据本公开的光源装置包括：第一端子、第二端子、第三端子和第四端子；第一发光元件，发射第一基色光，沿着从第一端子到第二端子的第一路径设置，并且具有第一类型的第一电极以及连接到第二端子的第二类型的第二电极；第二发光元件，发射第二基色光，沿着从第二端子到第三端子的第二路径设置，并且具有第二类型的第二电极以及连接到第二端子的第一类型的第一电极；以及第三发光元件，发射第三基色光，沿着从第二端子到第四端子的第三路径设置，并且具有第二类型的第二电极以及连接到第二端子的第一类型的第一电极。

Description

光源装置、发光装置和显示装置
技术领域
本公开涉及一种发射多种颜色的光的光源装置以及一种具有这种光源装置的发光装置和显示装置。
背景技术
在发光装置中，发光二极管经常用作发光元件。例如，专利文献1公开了一种发光二极管照明电路，其中，多个发光二极管彼此串联耦合。此外，例如，专利文献2公开了一种使用多个发光二极管的显示器，这些发光二极管能够发射彼此不同颜色的光。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本未审查专利申请公开号S62-275293
专利文献2：日本未审查专利申请公开号H07-152337。
发明内容
顺便提及，通常期望电子装置是紧凑的，也期望发光装置是紧凑的。
希望提供一种能够实现紧凑配置的光源装置、发光装置和显示装置。
根据本公开的实施方式的光源装置包括：第一端子、第二端子、第三端子和第四端子；第一发光元件；第二发光元件和第三发光元件。第一发光元件设置在从第一端子到第二端子的第一路径中，包括第一类型的第一电极和耦接到第二端子的第二类型的第二电极，并且发射第一基色光。第二发光元件设置在从第二端子到第三端子的第二路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第二端子的第一类型的第一电极，并且发射第二基色光。第三发光元件设置在从第二端子到第四端子的第三路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第二端子的第一类型的第一电极，并且发射第三基色光。
根据本公开的实施方式的发光装置包括：第一发光元件；第二发光元件；第三发光元件；第一开关；第二开关；第三开关；第一电流源；第二电流源；以及发光控制器。第一发光元件设置在从第一端子到第二端子的第一路径中，包括第一类型的第一电极和耦接到第二端子的第二类型的第二电极，并且发射第一基色光。第二发光元件设置在从第二端子到第三端子的第二路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第二端子的第一类型的第一电极，并且发射第二基色光。第三发光元件设置在从第二端子到第四端子的第三路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第二端子的第一类型的第一电极，并且发射第三基色光。第一开关转换成导通状态，以将第一端子和第二端子彼此耦接。第二开关转换成导通状态，以将第二端子和第三端子彼此耦接。第三开关转换成导通状态，以将第二端子和第四端子彼此耦接。第一电流源耦接到第三端子。第二电流源耦接到第四端子。发光控制器控制第一开关、第二开关和第三开关的操作。
根据本公开的实施方式的显示装置包括多个发光装置。每个发光装置包括：第一发光元件；第二发光元件；第三发光元件；第一开关；第二开关；第三开关；第一电流源；第二电流源；以及发光控制器。第一发光元件设置在从第一端子到第二端子的第一路径中，包括第一类型的第一电极和耦接到第二端子的第二类型的第二电极，并且发射第一基色光。第二发光元件设置在从第二端子到第三端子的第二路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第二端子的第一类型的第一电极，并且发射第二基色光。第三发光元件设置在从第二端子到第四端子的第三路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第二端子的第一类型的第一电极，并且发射第三基色光。第一开关转换成导通状态，以将第一端子和第二端子彼此耦接。第二开关转换成导通状态，以将第二端子和第三端子彼此耦接。第三开关转换成导通状态，以将第二端子和第四端子彼此耦接。第一电流源耦接到第三端子。第二电流源耦接到第四端子。发光控制器控制第一开关、第二开关和第三开关的操作。
在根据本公开的实施方式的光源装置、发光装置和显示装置中，发射第一基色光的第一发光元件设置在从第一端子到第二端子的第一路径中，发射第二基色光的第二发光元件设置在从第二端子到第三端子的第二路径中，并且发射第三基色光的第三发光元件设置在从第二端子到第四端子的第三路径中。第一发光元件的第二电极用作第二类型的电极，第二发光元件的第一电极用作第一类型的电极，第三发光元件的第一电极用作第一类型的电极。第一发光元件的第二电极、第二发光元件的第一电极和第三发光元件的第一电极耦接到第二端子。
按照根据本公开的实施方式的光源装置、发光装置和显示装置，设置在第一路径中的第一发光元件的第二电极、设置在第二路径中的第二发光元件的第一电极和设置在第三路径中的第三发光元件的第一电极耦接到第二端子，这使得可以实现紧凑的配置。应当注意，本文描述的效果不一定受到限制，并且可以包括本公开中描述的任何效果。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施方式的显示装置的配置示例的框图；
图2是示出图1中示出的像素的配置示例的电路图；
图3是示出图2中示出的信号发生器的配置示例的框图；
图4是示出图3所示的信号发生器的操作示例的定时波形图；
图5是示出图2中示出的像素的操作示例的表格；
图6A是示出图2中示出的像素的操作示例的说明图；
图6B是示出图2中示出的像素的另一操作示例的说明图；
图6C是示出图2中示出的像素的另一操作示例的说明图；
图6D是示出图2中示出的像素的另一操作示例的说明图；
图6E是示出图2中示出的像素的另一操作示例的说明图；
图6F是示出图2中示出的像素的另一操作示例的说明图；
图7是示出图2中示出的像素的操作示例的定时波形图；
图8是示出根据比较示例的像素的配置示例的电路图；
图9是示出根据另一比较示例的像素的配置示例的电路图；
图10是示出根据另一比较示例的像素的配置示例的电路图；
图11是示出根据变型例的光源部分的配置示例的电路图；
图12是示出根据另一变型例的光源部分的配置示例的电路图；
图13是示出根据另一变型例的光源部分的配置示例的电路图；
图14是示出根据另一变型例的光源部分的配置示例的电路图；
图15是示出根据另一变型例的显示装置的配置示例的框图；
图16是示出图15中示出的像素的配置示例的电路图；
图17是示出根据另一变型例的像素的配置示例的电路图；
图18是示出图17中示出的信号发生器的配置示例的框图；
图19是示出图18中示出的信号发生器的操作示例的定时波形图；
图20是示出图17中示出的像素的操作示例的定时波形图。
具体实施方式
在下文中，参考附图详细描述了本公开的一些实施方式。
<实施方式>
[配置示例]
图1示出了根据实施方式的显示装置(显示装置1)的配置示例。显示装置1是使用发光元件作为显示元件的所谓自发光型显示装置。应当注意，根据本公开的实施方式的光源装置和发光装置由本实施方式实施，因此一起描述。显示装置1包括图像信号处理器11、定时控制器12、扫描线驱动器13、信号线驱动器14、控制信号发生器15和显示部分16。
图像信号处理器11对从外部提供的图像信号Spic执行预定的信号处理，以生成图像信号Spic2。预定信号处理的示例包括伽马校正等。
定时控制器12基于从外部提供的同步信号Ssync向扫描线驱动器13、信号线驱动器14和控制信号发生器15中的每一个提供控制信号，并且执行控制，以使扫描线驱动器13、信号线驱动器14和控制信号发生器15彼此同步地操作。
扫描线驱动器13根据从定时控制器12提供的控制信号依次将扫描信号Sscan施加到显示部分16的多条扫描线SCL(稍后描述)，以逐行依次选择像素20(稍后描述)。
信号线驱动器14根据从图像信号处理器11提供的图像信号Spic2和从定时控制器12提供的控制信号，生成包括像素电压VsigR的多个信号SsigR、包括像素电压VsigG的多个信号SsigG和包括像素电压VsigB的多个信号SsigB。此后，信号线驱动器14将多个信号SsigR中的每一个施加到显示部分16的多个信号线SGLR(稍后描述)中的相应一个，将多个信号SsigG中的每一个施加到多个信号线SGLG(稍后描述)中的相应一个，并且将多个信号SsigB中的每一个施加到信号线SGLB(稍后描述)中的相应一个，从而将像素电压VsigR、VsigG和VsigB提供给由扫描线驱动器13选择的像素20。
控制信号发生器15生成具有所谓锯齿波形的控制信号Ssaw，并将控制信号Ssaw提供给显示部分16的每个像素20(稍后描述)。
显示部分16基于信号SsigR、SsigG和SsigB、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw显示图像。显示部分16包括排列成矩阵的多个像素20。此外，显示部分16包括沿着行方向(图1中的水平方向)延伸的多条扫描线SCL、沿着列方向(图1中的垂直方向)延伸的多条信号线SGLR、沿着列方向延伸的多条信号线SGLG以及沿着列方向延伸的多条信号线SGLB。每条扫描线SCL的一端耦接到扫描线驱动器13，并且扫描信号Sscan从扫描线驱动器13施加到每条扫描线SCL的一端。信号线SGLR、SGLG和SGLB中的每一个的一端耦接到信号线驱动器14。此外，包括像素电压VsigR的信号SsigR从信号线驱动器14施加到信号线SGLR。包括像素电压VsigG的信号SsigG从信号线驱动器14施加到信号线SGLG，并且包括像素电压VsigB的信号SsigB从信号线驱动器14施加到信号线SGLB。每个像素20耦接到扫描线SCL和三条信号线SGLR、SGLG和SGLB。
图2示出了像素20的配置示例。像素20包括发光控制器30、晶体管21R、21G、21B、22和23、电流源24和25以及光源部分40。例如，发光控制器30、晶体管21R、21G、21B、22和23以及电流源24和25包括在一个芯片(像素芯片)中。应当注意，这不是限制性的，例如，多个(例如，四个)像素20的发光控制器30、晶体管21R、21G、21B、22和23以及电流源24和25可以包括在一个芯片中。此外，光源部分40包括在一个芯片(光源芯片)中。
发光控制器30基于信号SsigR、SsigG和SsigB、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw生成信号PWMR、PWMG和PWMB以及信号SWG和SWB。发光控制器30包括信号发生器31以及OR电路34和35。
信号发生器31基于信号SsigR(像素电压VsigR)、SsigG(像素电压VsigG)和SsigB(像素电压VsigB)、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw生成信号PWMR、PWMG和PWMB。信号PWMS指示具有对应于像素电压VsigR的脉冲宽度PW的信号，信号PWMG指示具有对应于像素电压VsigG的脉冲宽度PW的信号，信号PWMB指示具有对应于像素电压VsigB的脉冲宽度PW的信号。
图3示出了信号发生器31的配置示例。信号发生器31包括采样保持电路32R、32G和32B以及比较器33R、33G和33B。
采样保持电路32R基于扫描信号Sscan对信号SsigR中包括的像素电压VsigR进行采样，然后保持采样的像素电压VsigR并输出像素电压VsigR。采样保持电路32G基于扫描信号Sscan对信号SsigG中包括的像素电压VsigG进行采样，然后保持采样的像素电压VsigG并输出像素电压VsigG。采样保持电路32B基于扫描信号Sscan对信号SsigB中包括的像素电压VsigB进行采样，然后保持采样的像素电压VsigB并输出像素电压VsigB。
比较器33R执行像素电压VsigR和控制信号Ssaw的电压之间的比较，并且输出比较结果，作为信号PWMR。比较器33R具有提供有像素电压VsigR的正输入端和提供有控制信号Ssaw的负输入端。比较器33G执行像素电压VsigG和控制信号Ssaw之间的比较，并且输出比较结果，作为信号PWMG。比较器33G具有提供有像素电压VsigG的正输入端和提供有控制信号Ssaw的负输入端。比较器33B执行像素电压VsigB和控制信号Ssaw之间的比较，并输出比较结果，作为信号PWMB。比较器33B具有提供有像素电压VsigB的正输入端和提供有控制信号Ssaw的负输入端。
图4示出了信号发生器31的操作示例。图4示出了基于信号SsigR、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw生成信号PWMR的操作。应当注意，这同样适用于基于信号SsigG、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw生成信号PWMG的操作以及基于信号SsigB、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw生成信号PWMB的操作。
采样保持电路32R对信号SsigR中包括的像素电压VsigR进行采样，并保持采样的像素电压VsigR。此后，比较器33R执行像素电压VsigR和控制信号Ssaw的电压之间的比较。在像素电压VsigR高于控制信号Ssaw的电压的周期P1中，信号PWMR处于高电平，在像素电压VsigR低于控制信号Ssaw的电压的周期P2中，信号PWMR处于低电平。信号PWMR处于高电平的周期P1的长度(脉冲宽度PW)对应于像素电压VsigR。换言之，信号PWMR的脉冲宽度PW随着像素电压VsigR的降低而变窄，并且信号PWMR的脉冲宽度PW随着像素电压VsigR的增加而变宽。
如上所述，信号发生器31基于信号SsigR、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw生成具有对应于像素电压VsigR的脉冲宽度PW的信号PWMR。同样，信号发生器31基于信号SSig、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw生成具有对应于像素电压VsigG的脉冲宽度PW的信号PWMG，并且基于信号SsigB、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw生成具有对应于像素电压VsigB的脉冲宽度PW的信号PWMB。
OR电路34(图2)确定信号PWMR和信号PWMG之间的逻辑OR(OR)，并输出逻辑OR的结果，作为信号SWG。OR电路35确定信号PWMR和信号PWMB之间的逻辑OR，并且输出逻辑OR的结果，作为信号SWB。
晶体管21R、21G和21B均包括P型MOS(金属氧化物半导体)晶体管。晶体管21R具有提供有信号PWMR的栅极、提供有电源电压VDD的源极、以及耦接到晶体管21G和21B的源极和光源部分40的端子T2的漏极。晶体管21G具有提供有信号PWMG的栅极、耦接到晶体管21R的漏极、晶体管21B的源极和光源部分40的端子T2的源极、以及耦接到晶体管22的漏极和光源部分40的端子T3的漏极。晶体管21B具有提供有信号PWMB的栅极、耦接到晶体管21R的漏极、晶体管21G的源极和光源部分40的端子T2的源极、以及耦接到晶体管23的漏极和光源部分40的端子T4的漏极。
晶体管22和23均包括一个N型MOS晶体管。晶体管22具有提供有信号SWG的栅极，耦接到晶体管21G的漏极和光源部分40的端子T3的漏极、以及耦合到电流源24的一端的源极。晶体管23具有提供有信号SWB的栅极、耦接到晶体管21B的漏极和光源部分40的端子T4的漏极、以及耦接到电流源25一端的源极。
电流源24包括所谓的恒流源，该恒流源使得预定电流IG从一端流到另一端。电流源24的一端耦接到晶体管22的源极，另一端接地。电流源25包括所谓的恒流源，该恒流源使得预定电流IB从一端流到另一端。电流源25的一端耦接到晶体管23的源极，另一端接地。
光源部分40发射红色光、绿光和蓝光。光源部分40具有四个端子T1至T4。向端子T1提供电源电压VDD，端子T2耦接到晶体管21R的漏极和晶体管21G和21B的源极，端子T3耦接到晶体管21G和22的漏极，端子T4耦接到晶体管21B和23的漏极。
光源部分40包括三个发光元件41(发光元件41R、41G和41B)。发光元件41R发射红(R)光，发光元件41G发射绿(G)光，发光元件41B发射蓝(B)光。例如，可以使用发光二极管来配置发光元件41R、41G和41B。应当注意，发光元件41R、41G和41B不限于此，并且可以例如使用有机EL(电致发光)元件来配置。
发光元件41R具有耦接到端子T1的阳极以及耦接到发光元件41G和41B的阳极以及端子T2的阴极。发光元件41G具有耦接到发光元件41R的阴极、发光元件41B的阳极和端子T2的阳极以及耦接到端子T3的阴极。发光元件41B具有耦接到发光元件41R的阴极、发光元件41G的阳极和端子T2的阳极以及耦接到端子T4的阴极。
在该示例中，发光元件41R的发光效率低于每个发光元件41G和41B的发光效率。换言之，发光元件41R发射具有预定亮度的光所需的驱动电流大于发光元件41G和41B发射具有预定亮度的光所需的驱动电流。在光源部40中，具有三个发光元件41R、41G和41B的低发光效率的发光元件41(在该示例中，发光元件41R)设置在从端子T1到端子T2的路径中。
发光元件41R和晶体管21R彼此并联耦接。具体地，发光元件41R的阳极耦接到晶体管21R的源极，发光元件41R的阴极耦接到晶体管21R的漏极。因此，例如，在晶体管21R转换成断开状态的情况下，电流IG和IB的组合电流流过发光元件41R，这使得发光元件41R发光。此外，在晶体管21R转换成导通状态的情况下，电流IG和IB的组合电流流过晶体管21R，这使得发光元件41R不发光。
同样，发光元件41G和晶体管21G彼此并联耦接。具体地，发光元件41G的阳极耦接到晶体管21G的源极，发光元件41G的阴极耦接到晶体管21G的漏极。因此，例如，在晶体管21G转换成断开状态的情况下，电流IG流过发光元件41G，这使得发光元件41G发光。此外，在晶体管21G转换成导通状态的情况下，电流IG流过晶体管21G，这使得发光元件41G不发光。
此外，发光元件41B和晶体管21B彼此并联耦接。具体地，发光元件41B的阳极耦接到晶体管21B的源极，发光元件41B的阴极耦接到晶体管21B的漏极。因此，例如，在晶体管21B转换成断开状态的情况下，电流IB流过发光元件41B，这使得发光元件41B发光。此外，在晶体管21B转换成导通状态的情况下，电流IB流过晶体管21B，这使得发光元件41B不发光。
利用这种配置，像素20中的发光元件41R、41G和41B由脉宽调制独立驱动。具体地，发光控制器30生成脉冲宽度PW对应于像素电压VsigR的信号PWMR、脉冲宽度PW对应于像素电压VsigG的信号PWMG、以及脉冲宽度PW对应于像素电压VsigB的信号PWMB。此后，发光元件41R根据信号PWMS发光，发光元件41G根据信号PWMG发光，发光元件41B根据信号PWMB发光。
在此处，发光元件41R对应于本公开中的“第一发光元件”的特定示例。发光元件41G对应于本公开中的“第二发光元件”的特定示例。发光元件41B对应于本公开中的“第三发光元件”的特定示例。端子T1对应于本公开中的“第一端子”的特定示例。端子T2对应于本公开中的“第二端子”的特定示例。端子T3对应于本公开中的“第三端子”的特定示例。端子T4对应于本公开中的“第四端子”的特定示例。晶体管21R对应于本公开中的“第一开关”的特定示例。晶体管21G对应于本公开中的“第二开关”。晶体管21B对应于本公开中的“第三开关”的特定示例。晶体管22对应于本公开中的“第四开关”的特定示例。晶体管23对应于本公开中的“第五开关”的特定示例。电流源24对应于本公开中的“第一电流源”的特定示例。电流源25对应于本公开中的“第二电流源”的特定示例。信号线驱动器14对应于本公开中的“驱动器”的特定示例。
[操作和作用]
接下来，给出根据本实施方式的显示装置的操作和作用的描述。
(整个操作的概述)
首先，参考图1和2描述显示装置1的整个操作的概述。图像信号处理器11对从外部提供的图像信号Spic执行预定的信号处理，以生成图像信号Spic2。定时控制器12基于从外部提供的同步信号Ssync，向扫描线驱动器13、信号线驱动器14和控制信号发生器15中的每一个提供控制信号，并且执行控制，以使扫描线驱动器13、信号线驱动器14和控制信号发生器15彼此同步地操作。扫描线驱动器13根据从定时控制器12提供的控制信号，依次将扫描信号Sscan施加到显示部分16的多条扫描线SCL，以逐行依次选择像素20。信号线驱动器14根据从图像信号处理器11提供的图像信号Spic2和从定时控制器12提供的控制信号，生成包括像素电压Vsig(像素电压VsigR、VsigG和VsigB)的多个信号Ssig，每个信号表示像素20中相应一个的发光亮度。此后，信号线驱动器14将多个信号Ssig中的每一个施加到显示部分16的多个信号线SGL中相应的一个。因此，信号线驱动器14向扫描线驱动器13选择的像素20提供像素电压Vsig。控制信号发生器15生成具有所谓锯齿波形的控制信号Ssaw，并将控制信号Ssaw提供给显示部分16。显示部分16基于信号Ssig、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw显示图像。
(具体操作)
在每个像素20中，信号发生器31基于信号SsigR、SsigG和SsigB、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw生成信号PWMR、PWMG和PWMB。晶体管21R基于信号PWMS导通或断开，晶体管21G基于信号PWMG导通或断开，晶体管21B基于信号PWMB导通或断开。此外，OR电路34和35基于信号PWMR、PWMG和PWMB生成信号SWG和SWB。晶体管22基于信号SWG导通或断开，晶体管23基于信号SWB导通或断开。此后，基于晶体管21R、21G、21B、22和23的导通或断开，光源部分40的每个发光元件41R、41G和41B发光或不发光。
图5示出了基于信号PWMR、PWMG和PWMB的晶体管21R、21G和21B以及发光元件41R、41G和41B的操作。在图5中，“H”表示信号处于高电平，“L”表示信号处于低电平。此外，“断开”表示晶体管处于断开状态，“导通”表示晶体管处于导通状态。此外，“发光”表示发光元件发射光，“非发光”表示发光元件不发光。图6A至图6F均示意性地示出了像素20中的操作状态。
如图5所示，在信号PWMR、PWMG和PWMB为“HHH”的情况下，信号SWG和SWB为“HH”。因此，晶体管22和23转换到导通状态，晶体管21R、21G和21B转换到断开状态。在这种情况下，如图6A所示，电流IG依次流过发光元件41R、发光元件41G、晶体管22和电流源24，并且电流IB依次流过发光元件41R、发光元件41B、晶体管23和电流源25。因此，电流IG和电流IB的总电流流过发光元件41R，电流IG流过发光元件41G，并且电流IB流过发光元件41B。结果，每个发光元件41R、41G和41B发光。
在信号PWMR、PWMG和PWMB为“HHL”的情况下，信号SWG和SWB为“HH”。因此，晶体管21B、22和23转换到导通状态，晶体管21R和21G转换到断开状态。在这种情况下，如图6B所示，电流IG依次流过发光元件41R、发光元件41G、晶体管22和电流源24，并且电流IB依次流过发光元件41R、晶体管21B、晶体管23和电流源25。因此，电流IG和电流IB的总电流流过发光元件41R，电流IG流过发光元件41G，并且没有电流流过发光元件41B。结果，每个发光元件41R和41G发光，而发光元件41B不发光。
在信号PWMR、PWMG和PWMB为“HLH”的情况下，信号SWG和SWB为“HH”。因此，晶体管21G、22和23转换到导通状态，晶体管21R和21B转换到断开状态。在这种情况下，电流IG和电流IB的总电流流过发光元件41R，电流IB流过发光元件41B，而没有电流流过发光元件41G。结果，每个发光元件41R和41B发光，而发光元件41G不发光。
在信号PWMR、PWMG和PWMB为“HLL”的情况下，信号SWG和SWB为“HH”。因此，晶体管21G、21B、22和23转换到导通状态，晶体管21R转换到断开状态。在这种情况下，如图6C所示，电流IG依次流过发光元件41R、晶体管21G、晶体管22和电流源24，并且电流IB依次流过发光元件41R、晶体管21B、晶体管23和电流源25。因此，电流IG和电流IB的总电流流过发光元件41R，而没有电流流过发光元件41G和41B。结果，发光元件41R发光，而每个发光元件41G和41B不发光。
在信号PWMR、PWMG和PWMB为“LHH”的情况下，信号SWG和SWB为“HH”。因此，晶体管21R、22和23转换到导通状态，晶体管21G和21B转换到断开状态。在这种情况下，如图6D所示，电流IG依次流过晶体管21R、发光元件41G、晶体管22和电流源24，并且电流IB依次流过晶体管21R、发光元件41B、晶体管23和电流源25。因此，电流IG流过发光元件41G，电流IB流过发光元件41B，而没有电流流过发光元件41R。结果，每个发光元件41G和41B发光，而发光元件41R不发光。
在信号PWMR、PWMG和PWMB为“LHL”的情况下，信号SWG和SWB为“HL”。因此，晶体管21R、21B和22转换到导通状态，晶体管21G和23转换到断开状态。在这种情况下，如图6E所示，电流IG依次流过晶体管21R、发光元件41G、晶体管22和电流源24。因此，电流IG流过发光元件41G，而没有电流流过发光元件41R和41B。结果，发光元件41G发光，并且每个发光元件41R和41B不发光。
在信号PWMR、PWMG和PWMB为“LLH”的情况下，信号SWG和SWB为“LH”。因此，晶体管21R、21G和23转换到导通状态，晶体管21B和22转换到断开状态。在这种情况下，电流IB流过发光元件41B，而没有电流流过发光元件41R和41G。结果，发光元件41B发光，并且每个发光元件41R和41G不发光。
在信号PWMR、PWMG和PWMB为“LLL”的情况下，信号SWG和SWB为“LL”。因此，晶体管21R、21G和21B转换到导通状态，晶体管22和23转换到断开状态。在这种情况下，如图6F所示，没有电流流动；因此，每个发光元件41R、41G和41B都不发光。
如上所述，在像素20中，在信号PWMR为“H”的情况下，晶体管21R转换到断开状态；因此，电流IG和1B的组合电流流过发光元件41R，并且发光元件41R发光。此外，在信号PWMG为“H”的情况下，晶体管21G转换成断开状态；因此，电流IG流过发光元件41G，并且发光元件41G发光。在信号PWMB为“H”的情况下，晶体管21B转换成断开状态；因此，电流IB流过发光元件41B，并且发光元件41B发光。
此外，在像素20中，在信号PWMR和PWMG都是“L”的情况下，晶体管22转换到断开状态。换言之，在这种情况下，晶体管21R和21G都转换到导通状态，并且发光元件41R和41G都不发光。因此，在发光元件41R和41G以这种方式都不发光的情况下，将晶体管22转换到断开状态，使得可以防止电流IG流动，结果，可以降低功耗。
同样，在像素20中，在信号PWMR和PWMB都是“L”的情况下，晶体管23转换到断开状态。换言之，晶体管21R和21B都转换到导通状态，并且发光元件41R和41B都不发光。因此，在发光元件41R和41B以这种方式都不发光的情况下，将晶体管23转换到断开状态，使得可以防止电流IB流动，结果，可以降低功耗。
因此，基于信号PWMR、PWMG和PWMB独立驱动发光元件41R、41G和41B。
在像素20中，发光元件41R、41G和41B由脉宽调制独立驱动。具体地，发光控制器30生成脉冲宽度PW对应于像素电压VsigR的信号PWMR、脉冲宽度PW对应于像素电压VsigG的信号PWMG、以及脉冲宽度PW对应于像素电压VsigB的信号PWMB。此后，发光元件41R、41G和41B基于这些信号PWMR、PWMG和PWMB由脉宽调制独立驱动。
图7示出了像素20的操作示例，其中，(A)指示信号PWMS的波形，(B)指示信号PWMG的波形，(C)指示信号PWMB的波形，(D)指示信号SWG的波形，(E)指示信号SWB的波形，(F)指示发光元件41R的操作，(G)指示发光元件41G的操作，以及(H)指示发光元件41B的操作。在图7的(F)至(H)中，白色表示发光元件发光，黑色表示发光元件不发光。
在该示例中，在时刻t1，发光控制器30的信号发生器31使PWMR从低电平转变为高电平，使信号PWMG从低电平转变为高电平，并且使信号PWMB从低电平转变为高电平(图7的(A)到(C))。此外，发光控制器30的OR电路34根据信号PWMR和PWMG的转变使信号SWG从低电平转变为高电平，OR电路35根据信号PWMR和PWMB的转变使信号SWB从低电平转变为高电平(图7的(D)和(E))。因此，在从时刻t1到时刻t2的周期中，每个发光元件41R、41G和41B都发光(图7的(F)到(H))。
接下来，在时刻t2，信号发生器31使信号PWMB从高电平转变为低电平(图7的(C))。因此，在从时刻t2到时刻t3的周期中，每个发光元件41R和41G发光，而发光元件41B不发光(图7的(F)到(H))。
接下来，在时刻t3，信号发生器31使信号PWMR从高电平转变为低电平(图7的(A))。此外，OR电路35根据信号PWMR的转变(图7的(E))使信号SWB从高电平转变为低电平。因此，在从时刻t3到时刻t4的周期中，发光元件41G发光，而每个发光元件41R和41B不发光(图7的(F)到(H))。
接下来，在时刻t4，信号发生器31使信号PWMG从高电平转变为低电平(图7的(B))。此外，OR电路34根据信号PWMG的转变(图7的(D))使信号SWG从高电平转变为低电平。因此，在从时刻t4到时刻t5的周期中，每个发光元件41R、41G和41B都不发光(图7的(F)到(H))。
如上所述，发光元件41R、41G和41B基于信号PWMS、PWMG和PWMB由脉宽调制独立驱动。
在显示装置1中，如图2所示，光源部分40具有四个端子T1至T4，发光元件41R设置在从端子T1至端子T2的路径中，发光元件41G设置在从端子T2至端子T3的路径中，并且发光元件41B设置在从端子T2至端子T4的路径中。如上所述，在显示装置1中，光源部分40的端子数量是四个，与比较示例相比，这使得如下所述可以使光源芯片(光源部分40)和像素芯片之间的布线简单，结果，可以使像素20紧凑。这使得可以例如增大显示装置1的分辨率并且提高图像质量。此外，可以减小光源芯片(光源部分40)和像素芯片之间的布线的寄生电容，这使得可以以高操作速度驱动发光元件41R、41G和41B。因此，可以提高显示装置1的图像质量。
此外，在显示装置1中，设置晶体管22，并且在发光元件41R和41G都不发光的情况下，晶体管22断开，这使得可以降低功耗。同样，在显示装置1中，设置晶体管23，并且在发光元件41R和41B都不发光的情况下，晶体管23断开，这使得可以降低功耗。
此外，在显示装置1中，发光元件41R、41G和41B中具有低发光效率的发光元件41(在该示例中为发光元件41R)设置在光源部分40中从端子T1到端子T2的路径中，这使得可以提高显示装置1的图像质量。换言之，由两个电流源24和25生成的总电流流过从端子T1到端子T2的路径；因此，在发光元件41设置在从端子T1到端子T2的路径中的情况下，与发光元件41设置在另一路径中的情况相比，发光元件41发射具有更高亮度的光。因此，在发光元件41设置在从端子T1到端子T2的路径中的情况下，发光元件41的发光周期的长度短于在发光元件41设置在另一路径中的情况下的发光周期的长度。特别地，在具有高发光效率的发光元件41设置在从端子T1到端子T2的路径中的情况下，发光元件41的发光周期的长度变得甚至更短。例如，在发光周期的长度非常短的情况下，发光元件41有可能不能适当地发光，并且在这种情况下，显示装置1的图像质量有可能降低。相反，在显示装置1中，发光元件41R、41G和41B中具有低发光效率的发光元件41(在该示例中为发光元件41R)设置在从端子T1到端子T2的路径中，这使得可以确保设置在从端子T1到端子T2的路径中的发光元件41的发光周期的长度。因此，可以提高显示装置1的图像质量。
(比较例)
接下来，将通过与一些比较示例进行比较来描述本实施方式的作用。
图8示出了根据第一比较例的显示装置5的像素50的配置示例。像素50包括发光控制器51、晶体管52R、52G、52B和53至55、电流源56至58以及光源部分59。
发光控制器51基于信号SsigR、SsigG和SsigB、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw生成信号PWMR、PWMG和PWMB以及信号SWR、SWG和SWB。
晶体管52R、52G和52B均包括P型MOS晶体管。晶体管52R具有提供有信号PWMR的栅极、提供有电源电压VDD的源极、以及耦接到晶体管53的漏极和光源部分59的端子T14的漏极。晶体管52G具有提供有信号PWMG的栅极、提供有电源电压VDD的源极、以及耦接到晶体管54的漏极和光源部分59的端子T15的漏极。晶体管52B具有提供有信号PWMB的栅极、提供有电源电压VDD的源极、以及耦接到晶体管55的漏极和光源部分59的端子T16的漏极。
晶体管53至55均包括N型MOS晶体管。晶体管53具有提供有信号SWR的栅极、耦接到晶体管52R的漏极和光源部分59的端子T14的漏极、以及耦接到电流源56的一端的源极。晶体管54具有提供有信号SWG的栅极、耦接到晶体管52G的漏极和光源部分59的端子T15的漏极、以及耦接到电流源57的一端的源极。晶体管55具有提供有信号SWB的栅极、耦接到晶体管52B的漏极和光源部分59的端子T16的漏极、以及耦接到电流源58的一端的源极。
电流源56包括所谓的恒流源，该恒流源使得预定电流IR从一端流到另一端。电流源56的一端耦接到晶体管53的源极，另一端接地。电流源57包括所谓的恒流源，该恒流源使得预定电流IG从一端流到另一端。电流源57的一端耦接到晶体管54的源极，另一端接地。电流源58包括所谓的恒流源，该恒流源使得预定电流IB从一端流到另一端。电流源58的一端耦接到晶体管55的源极，另一端接地。
光源部分59具有六个端子T11至T16。向端子T11至T13提供有电源电压VDD，端子T14耦接到晶体管52R和53的漏极，端子T15耦接到晶体管52G和54的漏极，端子T16耦接到晶体管52B和55的漏极。光源部分59包括三个发光元件59R、59G和59B。发光元件59R具有耦接到端子T11的阳极和耦接到端子T14的阴极。发光元件59G具有耦接到端子T12的阳极和耦接到端子T15的阴极。发光元件59B具有耦接到端子T13的阳极和耦接到端子T16的阴极。光源部分59包括在一个芯片(光源芯片)中。
在根据该比较例的显示装置5中，对应于三个发光元件59R、59G和59B设置三个电流源56、57和58，这导致功耗增大的可能性。此外，光源部分59具有六个端子T11至T16，这导致光源芯片和像素芯片之间的布线复杂的可能性。
相反，在根据本实施方式的显示装置1中，仅需要两个电流源24和25，这使得可以抑制功耗。此外，在显示装置1中，光源部分40的端子数量是四个，这可以使光源芯片和像素芯片之间的布线简单并且使像素20紧凑。结果，在显示装置1中，例如，如上所述，可以提高图像质量。
图9示出了根据第二比较例的显示装置6的像素60的配置示例。像素60具有两个像素的功能。像素60包括发光生成器61、晶体管62R、62G和62B以及光源部分69。
发光控制器61基于信号SSigR、SSigG和SsigB、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw生成信号PWMR1、PWMG1和PWMB1、信号PWMR2、PWMG2和PWMB2以及信号SWR、SWG和SWB。具体地，发光控制器61基于扫描信号Sscan，对信号SsigR中包括的像素电压VsigR1、信号SsigG中包括的像素电压VsigG1和信号SsigB中包括的像素电压VsigB1进行采样，并且基于像素电压VsigR1、VsigG1和VsigB1以及控制信号Ssaw，生成具有对应于像素电压VsigR1的脉冲宽度PW的信号PWMR1、具有对应于像素电压VsigG1的脉冲宽度PW的信号PWMG1、以及具有对应于像素电压VsigB1的脉冲宽度PW的信号PWMB1。此外，发光控制器61基于扫描信号Sscan，对信号SsigR中包括的像素电压VsigR2、信号SsigG中包括的像素电压VsigG2和信号SsigB中包括的像素电压VsigB2进行采样，并且基于像素电压VsigR2、VsigG2和VsigB2以及控制信号Ssaw，生成具有对应于像素电压VsigR2的脉冲宽度PW的信号PWMR2、具有对应于像素电压VsigG2的脉冲宽度PW的信号PWMG2、以及具有对应于像素电压VsigB2的脉冲宽度PW的信号PWMB2。
晶体管52R具有提供有信号PWMR1的栅极以及耦接到晶体管62R的源极、光源部分59的端子T14和光源部分69的端子T21的漏极。晶体管52G具有提供有信号PWMG1的栅极以及耦接到晶体管62G的源极、光源部分59的端子T15和光源部分69的端子T22的漏极。晶体管52B具有提供有信号PWMB1的栅极以及耦接到晶体管62B的源极、光源部分59的端子T16和光源部分69的端子T23的漏极。
晶体管62R、62G和62B均包括P型MOS晶体管。晶体管62R具有提供有信号PWMR2的栅极，耦接到晶体管52R漏极、光源部分59的端子T14、光源部分69的端子T21的源极，耦接到晶体管53的漏极和光源部分69的端子T24的漏极。晶体管62G具有提供有信号PWMG2的栅极，耦接到晶体管52G的漏极、光源部分59的端子T15和光源部分69的端子T22的源极，以及耦接到晶体管54的漏极和光源部分69的端子T25的漏极。晶体管62B具有提供有信号PWMB2的栅极，耦接到晶体管52B的漏极、光源部分59的端子T16和光源部分69的端子T23的源极，以及耦接到晶体管55的漏极和光源部分69的端子T26的漏极。
晶体管53的漏极耦接到晶体管62R的漏极和光源部分69的端子T24。晶体管54的漏极耦接到晶体管62G的漏极和光源部分69的端子T25。晶体管55的漏极耦接到晶体管62B的漏极和光源部分69的端子T26。
光源部分59具有耦接到晶体管52R的漏极、晶体管62R的源极和光源部分69的端子T21的端子T14、耦接到晶体管52G的漏极、晶体管62G的源极和光源部分69的端子T22的端子T15、以及耦接到晶体管52B的漏极、晶体管62B的源极和光源部分69的端子T23的端子T16。
光源部分69具有六个端子T21至T26。端子T21耦接到晶体管52R的漏极、晶体管62R的源极和光源部分59的端子T14，端子T22耦接到晶体管52G的漏极、晶体管62G的源极和光源部分59的端子T15。端子T23耦接到晶体管52B的漏极、晶体管62B的源极和光源部分59的端子T16。此外，端子T24耦接到晶体管62R和53的漏极，端子T25耦接到晶体管62G和54的漏极，端子T26耦接到晶体管62B和55的漏极。光源部分69包括三个发光元件69R、69G和69B。发光元件69R具有耦接到端子T21的阳极和耦接到端子T24的阴极。发光元件69G具有耦接到端子T22的阳极和耦接到端子T25的阴极。发光元件69B具有耦接到端子T23的阳极和耦接到端子T26的阴极。光源部分69包括在一个芯片(光源芯片)中。
在根据该比较例的显示装置6中，光源部分59和69均包括六个端子，这导致两个光源芯片之间的布线以及每个光源芯片和像素芯片之间的布线可能复杂。此外，例如，在从对应于第一像素的光源部分59的端子T11到端子T14的路径中出现所谓的开路故障的情况下，存在对应于第二像素的光源部分69的发光元件69R不能发光的可能性。
相反，在根据本实施方式的显示装置1中，光源部分40的端子数量是四个，这使得光源芯片和像素芯片之间的布线简单并且使得像素20紧凑。结果，例如，在显示装置1中，可以如上所述提高图像质量。此外，在显示装置1中，每个像素具有独立的配置，这使得可以降低在某个像素中出现开路故障影响其他像素的可能性。
图10示出了根据第三比较例的显示装置7的像素70的配置示例。像素70包括发光控制器71、晶体管72R、72G、72B和73至75、电流源76至78以及光源部分79。
发光控制器71基于信号SsigR、SsigG和SsigB、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw生成信号PWMR、PWMG和PWMB以及信号SWR1、SWG1和SWB1。
晶体管72R、72G和72B均包括P型MOS晶体管。晶体管72R具有提供有信号PWMR的栅极、提供有电源电压VDD的源极、以及耦接到晶体管72G的源极、晶体管73的漏极和光源部分79的端子T32的漏极。晶体管72G具有提供有信号PWMG的栅极、耦接到晶体管72R和73的漏极和光源部分79的端子T32的源极、以及耦接到晶体管72B的源极、晶体管74的漏极和光源部分79的端子T33的漏极。晶体管72B具有提供有信号PWMB的栅极、耦接到晶体管72G和74的漏极和光源部分79的端子T33的源极、以及耦接到晶体管75的漏极和光源部分79的端子T34的漏极。
晶体管73至75均包括N型MOS晶体管。晶体管73具有提供有信号SWR1的栅极、耦接到晶体管72R的漏极、晶体管72G的源极和光源部分79的端子T32的漏极、以及耦接到电流源76的一端的源极。晶体管74具有提供有信号SWG1的栅极、耦接到晶体管72G的漏极、晶体管72B的源极和光源部分79的端子T33的漏极、以及耦接到电流源77的一端的源极。晶体管75具有提供有信号SWB1的栅极、耦接到晶体管72B的漏极和光源部分79的端子T34的漏极、以及耦接到电流源78一端的源极。
电流源78包括所谓的恒流源，该恒流源使得预定电流IB从一端流到另一端。电流源78的一端耦接到晶体管75的源极，另一端接地。电流源77包括所谓的恒流源，该恒流源使得预定电流IBG(＝IG-IB)从一端流到另一端。电流源77的一端耦接到晶体管74的源极，另一端接地。电流源76包括所谓的恒流源，该恒流源使得预定电流IRG(＝IR-IG)从一端流到另一端。电流源76的一端耦接到晶体管73的源极，另一端接地。
光源部分79具有四个端子T31至T34。端子T31提供有电源电压VDD。端子T32耦接到晶体管72R和73的漏极以及晶体管72G的源极。端子T33耦接到晶体管72G和74的漏极以及晶体管72B的源极。端子T34耦接到晶体管72B和75的漏极。光源部分79包括三个发光元件79R、79G和79B。发光元件79R具有耦接到端子T31的阳极以及耦接到发光元件79G的阳极和端子T32的阴极。发光元件79G具有耦接到发光元件79R的阴极和端子T32的阳极以及耦接到发光元件79B的阳极和端子T33的阴极。发光元件79B具有耦接到发光元件79G的阴极和端子T33的阳极以及耦接到端子T34的阴极。光源部分79包括在一个芯片(光源芯片)中。
在根据该比较例的显示装置7中，三个发光元件79R、79G和79B彼此串联耦接；因此，在某些情况下，会迫使电源电压VDD增大。结果，功耗有可能增大。此外，在显示装置7中，例如，由电流源77生成的电流IGB(＝IG-IB)对发光元件79B的发光没有贡献，并且以类似的方式对由电流源76生成的电流IRG(＝IR-IG)没有有贡献，这导致了电流的浪费。
相反，在根据本实施方式的显示装置1中，如图2所示，发光元件41R设置在从端子T1到端子T2的路径中，发光元件41G设置在从端子T2到端子T3的路径中，并且发光元件41B设置在从端子T2到端子T4的路径中。因此，在显示装置1中，两个发光元件41彼此串联耦接，这使得可以抑制电源电压VDD。结果，在显示装置1中，可以抑制功耗。此外，在显示装置1中，例如，由电流源24生成的电流IG有助于发光元件41R和41G的发光，并且由电流源25生成的电流IB以类似的方式有助于发光元件41R和41B的发光，这使得可以有效地使用电流。
[效应]
如上所述，在本实施方式中，光源部分的端子数量是四个，这使得光源芯片和像素芯片之间的布线简单，结果，使得像素紧凑。这使得例如可以提高显示装置的图像质量。
[变型例1]
在前述实施方式中，一个发光元件41R设置在从端子T1到端子T2的路径中，一个发光元件41G设置在从端子T2到端子T3的路径中，一个发光元件41B设置在从端子T2到端子T4的路径中；然而，这不是限制性的。或者，例如，与图11所示的光源部分40A一样，可以在从端子T1到端子T2的路径中设置多个(在该示例中为三个)发光元件，可以在从端子T2到端子T3的路径中设置多个(在该示例中为三个)发光元件，并且可以在从端子T2到端子T4的路径中设置多个(在该示例中为三个)发光元件。在该示例中，彼此串联耦接的三个发光元件41R、42R和43R设置在从端子T1到端子T2的路径中，彼此串联耦接的三个发光元件41G、42G和43G设置在从端子T2到端子T3的路径中，并且彼此串联耦接的三个发光元件41B、42B和43B设置在从端子T2到端子T4的路径中。
在光源部分40A中，设置在三条路径中的发光元件的数量彼此相同；然而，这不是限制性的。或者，例如，与图12所示的光源部分40B一样，路径中的发光元件的数量可以彼此不相等。在该示例中，彼此串联耦接的两个发光元件41R和42R设置在从端子T1到端子T2的路径中，彼此串联耦接的三个发光元件41G、42G和43G设置在从端子T2到端子T3的路径中，并且彼此串联耦接的三个发光元件41B、42B和43B设置在从端子T2到端子T4的路径中。
此外，在光源部分40A和40B中，多个发光元件在每个路径中彼此串联耦接；然而，这不是限制性的。或者，例如，与图13所示的光源部分40C一样，可以在从端子T1到端子T2的路径中设置多个(在该示例中为两个)彼此并联耦接的发光元件，可以在从端子T2到端子T3的路径中设置多个(在该示例中为两个)彼此并联耦接的发光元件，并且可以在从端子T2到端子T4的路径中设置多个(在该示例中为两个)彼此并联耦接的发光元件。在该示例中，彼此并联耦接的两个发光元件41R和42R设置在从端子T1到端子T2的路径中，彼此并联耦接的两个发光元件41G和42G设置在从端子T2到端子T3的路径中，并且彼此并联耦接的两个发光元件41B和42B设置在从端子T2到端子T4的路径中。
即使在这种情况下，例如，与图14所示的光源部分40D一样，路径中的发光元件的数量可以彼此不相等。在该示例中，彼此并联耦接的两个发光元件41R和42R设置在从端子T1到端子T2的路径中，一个发光元件41G设置在从端子T2到端子T3的路径中，一个发光元件41B设置在从端子T2到端子T4的路径中。
[变型例2]
在前述实施方式中，光源部分40包括发红色(R)光的发光元件41R、发绿色(G)光的发光元件41G和发蓝色(B)光的发光元件41B；然而，这不是限制性的。例如，除了发光元件41R、41G和41B之外，还可以设置发黄色或白色的发光元件。下面详细描述包括黄色(Y)发光元件41Y的显示装置1E。
图15示出了显示装置1E的配置示例。显示装置1E包括图像信号处理器11E、信号线驱动器14E和显示部分16E。
图像信号处理器11E对从外部提供的图像信号Spic执行预定的信号处理，以生成图像信号Spic3。图像信号处理器11E具有将三种颜色(红色、绿色和蓝色)的亮度信息转换成四种颜色(红色、绿色、蓝色和黄色)的亮度信息的功能。
信号线驱动器14E根据从图像信号处理器11E提供的图像信号Spic3和从定时控制器12提供的控制信号，生成包括像素电压VsigR的多个信号SsigR、包括像素电压VsigG的多个信号SsigG、包括像素电压VsigB的多个信号SsigB和包括像素电压VsigY的多个信号SsigY。此后，信号线驱动器14E将多个信号SsigR中的每一个施加到显示部分16E的多个信号线SGLR中的相应一个，将多个信号SsigG中的每一个施加到多个信号线SGLG中的相应一个，将多个信号SsigB中的每一个施加到多个信号线SGLB中的相应一个，并且将多个信号SsigY中的每一个施加到多个信号线SGLY(稍后描述)中的相应一个，这使得将像素电压VsigR、VsigG、VsigB和VsigY提供给由扫描线驱动器13选择的像素80。
显示部分16E基于信号SsigR、SsigG、SsigB和SsigY、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw显示图像。显示部分16E包括排列成矩阵的多个像素80。此外，显示部分16E包括沿着行方向(图1中的水平方向)延伸的多条扫描线SCL、沿着列方向(图1中的垂直方向)延伸的多条信号线SGLR、沿着列方向延伸的多条信号线SGLG、沿着列方向延伸的多条信号线SGLB以及沿着列方向延伸的多条信号线SGLY。信号线SGLR、SGLG、SGLB和SGLY中的每一个的一端耦接到信号线驱动器14E。此外，包括像素电压VsigR的信号SsigR从信号线驱动器14E施加到信号线SGLR。包括像素电压VsigG的信号SsigG从信号线驱动器14E施加到信号线SGLG。包括像素电压VsigB的信号SsigB从信号线驱动器14E施加到信号线SGLB。包括像素电压VsigY的信号SsigY从信号线驱动器14E施加到信号线SGLY。每个像素80耦接到扫描线SCL和四条信号线SGLR、SGLG、SGLB和SGLY。
图16示出了像素80的配置示例。像素80包括发光控制器30E、晶体管21Y和84、电流源86和光源部分40E。光源部分40E包括在一个芯片(光源芯片)中。
发光控制器30E基于信号SsigR、SsigG、SsigB和SsigY、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw，生成信号PWMR、PWMG、PWMB和PWMY以及信号SWG、SWB和SWY。发光控制器30E包括信号发生器31E和OR电路36。
信号发生器31E基于信号SsigR(像素电压VsigR)、SsigG(像素电压VsigG)、SsigB(像素电压VsigB)和SsigY(像素电压VsigY)、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw，生成信号PWMR、PWMG、PWMB和PWMY。信号PWMY表示具有对应于像素电压VsigY的脉冲宽度PW的信号。
OR电路36确定信号PWMR和信号PWMY之间的逻辑OR(OR)，并输出逻辑OR的结果，作为信号SWY。
晶体管21Y包括P型MOS晶体管。晶体管21Y具有提供有信号PWMY的栅极、耦接到晶体管21R的漏极、晶体管21G和21B的源极以及光源部分40E的端子T2的源极、以及耦接到晶体管84的漏极和光源部分40E的端子T5的漏极。
晶体管84包括N型MOS晶体管。晶体管84具有提供有信号SWY的栅极、耦接到晶体管21Y的漏极和光源部分40E的端子T5的漏极、以及耦接到电流源86的一端的源极。
电流源86是所谓的恒流源，该恒流源使得预定电流IY从一端流到另一端。电流源86的一端耦接到晶体管84的源极，另一端接地。
光源部分40E发射红色(R)光、绿色(G)光、蓝色(B)和黄色(Y)光。光源部分40E具有五个端子T1至T5。端子T5耦接到晶体管21Y和84的漏极。光源部分40E包括四个发光元件41(发光元件41R、41G、41B和41Y)。发光元件41Y发射黄色(Y)光。例如，可以使用发射蓝色(B)光的发光元件和将蓝色光转换成黄色(Y)光的磷光体来配置发光元件41Y。发光元件41Y具有耦接到发光元件41R的阴极、发光元件41G和41B的阳极以及端子T2的阳极、以及耦接到端子T5的阴极。
[变型例3]
在前述实施方式中，如图2所示，发光元件41R的阳极耦接到端子T1，阴极耦接到端子T2，发光元件41G的阳极耦接到端子T2，阴极耦接到端子T3，发光元件41B的阳极耦合到端子T2，阴极耦合到端子T4；然而，这不是限制性的。下面详细描述根据本变型例的显示装置1F。
图17示出了显示装置1F的像素120的配置示例。像素120包括发光控制器130、电流源124和125、晶体管121R、121G、121B、122和123以及光源部分140。光源部分140包括在一个芯片(光源芯片)中。
发光控制器130基于信号SsigR、SsigG和SsigB、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw，生成信号PWMR、PWMG和PWMB以及信号SWG和SWB。发光控制器130包括信号发生器131和AND电路134和135。
信号发生器131基于信号SsigR(像素电压VsigR)、SsigG(像素电压VsigG)和SsigB(像素电压VsigB)、扫描信号Sscan和控制信号Ssaw，生成信号PWMR、PWMG和PWMB。
图18示出了信号发生器131的配置示例。信号发生器131包括比较器33R、33G和33B。比较器33R具有提供有控制信号Ssaw的正输入端和提供有像素电压VsigR的负输入端。比较器33G具有提供有控制信号Ssaw的正输入端和提供有像素电压VsigG的负输入端。比较器33B具有提供有控制信号Ssaw的正输入端和提供有像素电压VsigB的负输入端。
图19示出了信号发生器131的操作示例。比较器33R在像素电压VsigR和控制信号Ssaw的电压之间执行比较。在像素电压VsigR高于控制信号Ssaw的电压的周期P11中，信号PWMR处于低电平，并且在像素电压VsigR低于控制信号Ssaw的电压的周期中，信号PWMR处于高电平。信号PWMR处于低电平的周期P11的长度(脉冲宽度PW)对应于像素电压VsigR。换言之，信号PWMR的脉冲宽度PW随着像素电压VsigR的降低而变窄，并且信号PWMR的脉冲宽度PW随着像素电压VsigR的升高而变宽。
AND电路134(图17)确定信号PWMR和信号PWMG之间的逻辑AND，并输出逻辑AND的结果，作为信号SWG。AND电路135确定信号PWMR和信号PWMB之间的逻辑AND(AND)，并且输出逻辑AND的结果，作为信号SWB。
电流源124是所谓的恒流源，该恒流源使得预定电流IG从一端流到另一端。电流源124的一端提供有电源电压VDD，另一端耦接到晶体管122的源极。电流源125是所谓的恒流源，该恒流源使得预定电流IB从一端流到另一端。电流源125的一端提供有电源电压VDD，另一端耦接到晶体管123的源极。
晶体管122和123均包括P型MOS晶体管。晶体管122A具有提供有信号SWG的栅极、耦接到电流源124的另一端的源极、以及耦接到晶体管121G的漏极和光源部分140的端子T3的漏极。晶体管123具有提供有信号SWB的栅极、耦接到电流源125的另一端的源极、以及耦接到晶体管121B的漏极和光源部分140的端子T4的漏极。
晶体管121R、121G和121B均包括N型MOS晶体管。晶体管121G具有提供有信号PWMG的的栅极、耦接到晶体管122的漏极和光源部分140的端子T3的漏极、以及耦接到晶体管121B的源极、晶体管121R的漏极和光源部分140的端子T2的源极。晶体管121B具有提供有信号PWMB的栅极、耦接到晶体管123的漏极和光源部分140的端子T4的漏极、以及耦接到晶体管121G的源极、晶体管121R的漏极和光源部分140的端子T2的源极。晶体管121R具有提供有信号PWMR的栅极、耦接到晶体管121G和121B的源极以及光源部分140的端子T2的漏极、以及接地的源极。
光源部分140具有耦接到晶体管122和121G的漏极的端子T3、耦接到晶体管123和121B的漏极的端子T4、耦接到晶体管121G和121B的源极和晶体管121R的漏极的端子T2以及接地的端子T1。发光元件41G的阳极耦接到端子T3，阴极耦接到发光元件41B的阴极、发光元件41R的阳极和端子T2。发光元件41B的阳极耦接到端子T4，阴极耦接到发光元件41G的阴极、发光元件41R的阳极和端子T2。发光元件41R的阳极耦接到发光元件41G和41B的阴极以及端子T2，阴极耦接到端子T1。在该示例中，发光元件41R的发光效率低于每个发光元件41G和41B的发光效率。
图20示出了像素120的操作示例。在该示例中，在时刻t11，发光控制器130的信号发生器131将信号PWMR从高电平转变为低电平，将信号PWMG从高电平转变为低电平，并且将信号PWMB从高电平转变为低电平(图20的(A)到(C))。此外，发光控制器130的AND电路134根据信号PWMR和PWMG的转变将信号SWG从高电平转变为低电平，并且AND电路135根据信号PWMR和PWMB的转变将信号SWB从高电平转变为低电平(图20的(D)和(E))。因此，在从时刻t11到时刻t12的周期中，每个发光元件41R、41G和41B发光(图20的(G)到(H))。
接下来，在时刻t12，信号发生器131将信号PWMB从低电平转变为高电平(图20的(C))。因此，在从时刻t12到时刻t13的周期中，发光元件41R和41G中的每一个发光，而发光元件41B不发光(图20的(G)到(H))。
接下来，在时刻t13，信号发生器131将信号PWMR从低电平转变为高电平(图20的(A))。此外，AND电路135根据信号PWMR的转变(图20的(E))将信号SWB从低电平转变为高电平。因此，在从时刻t13到时刻t14的周期中，发光元件41G发光，而发光元件41R和41B中的每一个不发光(图20的(G)到(H))。
接下来，在时刻t14，信号发生器131将信号PWMG从低电平转变为高电平(图20的(B))。此外，AND电路134根据信号PWMG的转变将信号SWG从低电平转变为高电平(图20的(D))。因此，在从时刻t14到时刻t15的周期中，每个发光元件41R、41G和41B都不发光(图20的(G)到(H))。
[其他变型例]
此外，可以组合这些变型例中的两个或更多个。
虽然已经参考实施方式和一些变型例给出了描述，但是本技术不限于前述实施方式等，并且可以以多种方式修改。
例如，在前述实施方式等中，发红色光的发光元件41R设置在从端子T1到端子T2的路径中，发绿色光的发光元件41G设置在从端子T2到端子T3的路径中，发蓝色光的发光元件41B设置在从端子T2到端子T4的路径中；然而，这不是限制性的，并且可以可选地在三条路径中设置三个发光元件41R、41G和41B。具体地，例如，可以在从端子T1到端子T2的路径中设置发绿色光的发光元件41G，可以在从端子T2到端子T3的路径中设置发蓝色光的发光元件41B，并且可以在从端子T2到端子T4的路径中设置发红色光的发光元件41R。此外，例如，可以在从端子T1到端子T2的路径中设置发蓝色光的发光元件41B，可以在从端子T2到端子T3的路径中设置发红色光的发光元件41R，并且可以在从端子T2到端子T4的路径中设置发绿色光的发光元件41G。
此外，例如，在前述实施方式等中，发光元件41R、41G和41B中发光效率低的发光元件41设置在从端子T1到端子T2的路径中；然而，这不是限制性的。或者，除了发光元件41R、41G和41B中具有最低发光效率的发光元件41之外的发光元件41可以设置在从端子T1到端子T2的路径中。
应当注意，本文描述的效果仅仅是说明性的而非限制性的，并且可以包括其他效果。
应当注意，本技术可以具有以下配置。
(1)一种光源装置，包括：
第一端子、第二端子、第三端子和第四端子；
第一发光元件，设置在从第一端子到第二端子的第一路径中，包括第一类型的第一电极和耦接到第二端子的第二类型的第二电极，并且发射第一基色光；
第二发光元件，设置在从第二端子到第三端子的第二路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第二端子的第一类型的第一电极，并且发射第二基色光；以及
第三发光元件，设置在从第二端子到第四端子的第三路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第二端子的第一类型的第一电极，并且发射第三基色光。
(2)根据(1)所述的光源装置，其中，所述第一发光元件的发光效率低于所述第二发光元件的发光效率和所述第三发光元件的发光效率。
(3)根据(1)或(2)所述的光源装置，还包括：
第五端子；以及
第四发光元件，设置在从第二端子到第五端子的第四路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第二端子的第一类型的第一电极，并且发射非基色光。
(4)根据(1)至(3)中任一项所述的光源装置，其中，所述第一发光元件的第一电极耦接到所述第一端子。
(5)根据(1)至(3)中任一项所述的光源装置，还包括第五发光元件，所述第五发光元件设置在所述第一路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到所述第一发光元件的第一电极的第一类型的第一电极，并且发射所述第一基色光。
(6)根据(1)至(4)中任一项所述的光源装置，还包括第五发光元件，所述第五发光元件发射第一基色光，其中，
所述第一路径包括从第一端子到第二端子的第一子路径和从第一端子到第二端子的第二子路径，
所述第一发光元件设置在第一子路径中，并且
所述第五发光元件设置在第二子路径中，并且包括第一类型的第一电极和耦接到第二端子的第二类型的第二电极。
(7)根据(1)至(6)中任一项所述的光源装置，其中，
所述第二发光元件的第二电极耦接到第三端子，并且
所述第三发光元件的第二电极耦接到第四端子。
(8)根据(1)至(6)中任一项所述的光源装置，还包括：
第六发光元件，设置在第二路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第二发光元件的第二电极的第一类型的第一电极，并且发射第二基色光；以及
第七发光元件，设置在第三路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第三发光元件的第二电极的第一类型的第一电极，并且发射第三基色光。
(9)根据(1)至(8)中任一项所述的光源装置，其中，
所述第一发光元件的第一电极、所述第二发光元件的第一电极、所述第三发光元件的第一电极中的每一个都用作阳极电极，并且
所述第一发光元件的第二电极、所述第二发光元件的第二电极和所述第三发光元件的第二电极中的每一个都用作阴极电极。
(10)根据(1)至(8)中任一项所述的光源装置，其中，
所述第一发光元件的第一电极、所述第二发光元件的第一电极、所述第三发光元件的第一电极中的每一个都用作阴极电极，并且
所述第一发光元件的第二电极、所述第二发光元件的第二电极和所述第三发光元件的第二电极中的每一个都用作阳极电极。
(11)一种发光装置，包括：
第一发光元件，设置在从第一端子到第二端子的第一路径中，包括耦合到第二端子的第一类型的第一电极和第二类型的第二电极，并且发射第一基色光；
第二发光元件，设置在从第二端子到第三端子的第二路径中，包括第一类型的第一电极和耦接到第二端子的第二类型的第二电极，并且发射第二基色光；
第三发光元件，设置在从第二端子到第四端子的第三路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第二端子的第一类型的第一电极，并且发射第三基色光；
第一开关，转换成导通状态，以将第一端子和第二端子彼此耦接；
第二开关，转换成导通状态，以将第二端子和第三端子彼此耦接；
第三开关，转换成导通状态，以将第二端子和第四端子彼此耦接；
第一电流源，耦接到第三端子；
第二电流源，耦接到第四端子；以及
发光控制器，控制第一开关、第二开关和第三开关的操作。
(12)根据(11)所述的发光装置，其中，所述发光控制器控制第一开关处于导通状态的周期、第二开关处于导通状态的周期和第三开关处于导通状态的周期的长度中的每一个。
(13)根据(11)或(12)所述的发光装置，还包括：
第四开关，转换成导通状态，以将第三端子和第一电流源彼此耦接；以及
第五开关，转换成导通状态，以将第四端子和第二电流源彼此耦接，其中，
所述发光控制器还控制第四开关和第五开关的操作。
(14)根据(13)所述的发光装置，其中，
在第一开关和第二开关都处于导通状态的情况下，所述发光控制器将第四开关转换到断开状态，并且
在第一开关和第三开关都处于导通状态的情况下，所述发光控制器将第五开关转换到断开状态。
(15)一种显示装置，包括：
多个发光装置，每个发光装置包括：
第一发光元件，设置在从第一端子到第二端子的第一路径中，包括第一类型的第一电极和耦接到第二端子的第二类型的第二电极，并且发射第一基色光；
第二发光元件，设置在从第二端子到第三端子的第二路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第二端子的第一类型的第一电极，并且发射第二基色光；
第三发光元件，设置在从第二端子到第四端子的第三路径中，包括第二类型的第二电极和耦接到第二端子的第一类型的第一电极，并且发射第三基色光；
第一开关，转换成导通状态，以将第一端子和第二端子彼此耦接；
第二开关，转换成导通状态，以将第二端子和第三端子彼此耦接；
第三开关，转换成导通状态，以将第二端子和第四端子彼此耦接；
第一电流源，耦接到第三端子；
第二电流源，耦接到第四端子；以及
发光控制器，控制第一开关、第二开关和第三开关的操作。
(16)根据(15)所述的显示装置，还包括驱动器，该驱动器向每个发光装置提供第一像素信号、第二像素信号和第三像素信号，其中，
所述发光控制器基于第一像素信号控制第一开关处于导通状态的周期的长度，
所述发光控制器基于第二像素信号控制第二开关处于导通状态的周期的长度，并且
所述发光控制器基于第三像素信号控制第三开关处于导通状态的周期的长度。
本申请要求于2016年12月27日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2016-253603的权益，其全部内容通过引用结合于此。
本领域技术人员应该理解，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和变更，只要在所附权利要求或其等同物的范围内。

Claims (14)

1.一种发光装置，包括：
第一发光元件，设置在从第一端子到第二端子的第一路径中，包括第一类型的第一电极和耦接到所述第二端子的第二类型的第二电极，并且发射第一基色光；
第二发光元件，设置在从所述第二端子到第三端子的第二路径中，包括所述第二类型的第二电极和耦接到所述第二端子的所述第一类型的第一电极，并且发射第二基色光；以及
第三发光元件，设置在从所述第二端子到第四端子的第三路径中，包括所述第二类型的第二电极和耦接到所述第二端子的所述第一类型的第一电极，并且发射第三基色光，
第一开关，转换成导通状态，以将所述第一端子和所述第二端子彼此耦接；
第二开关，转换成导通状态，以将所述第二端子和所述第三端子彼此耦接；
第三开关，转换成导通状态，以将所述第二端子和所述第四端子彼此耦接；
第四开关，转换成导通状态，以将所述第三端子和第一电流源彼此耦接；
第五开关，转换成导通状态，以将所述第四端子和第二电流源彼此耦接；
第一电流源，耦接到所述第三端子；
第二电流源，耦接到所述第四端子；以及
发光控制器，控制所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关和所述第五开关的操作。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一发光元件的发光效率低于所述第二发光元件的发光效率和所述第三发光元件的发光效率。
3.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：
第五端子；以及
第四发光元件，设置在从所述第二端子到所述第五端子的第四路径中，包括所述第二类型的第二电极和耦接到所述第二端子的所述第一类型的第一电极，并且发射非基色光。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一发光元件的第一电极耦接到所述第一端子。
5.根据权利要求1所述的发光装置，还包括第五发光元件，所述第五发光元件设置在所述第一路径中，包括所述第一类型的第一电极和耦接到所述第一发光元件的第一电极的所述第二类型的第二电极，并且发射所述第一基色光。
6.根据权利要求1所述的发光装置，还包括第五发光元件，所述第五发光元件发射所述第一基色光，其中，
所述第一路径包括从所述第一端子到所述第二端子的第一子路径和从所述第一端子到所述第二端子的第二子路径，
所述第一发光元件设置在所述第一子路径中，并且
所述第五发光元件设置在所述第二子路径中，并且包括所述第一类型的第一电极和耦接到所述第二端子的所述第二类型的第二电极。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第二发光元件的第二电极耦接到所述第三端子，并且
所述第三发光元件的第二电极耦接到所述第四端子。
8.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：
第六发光元件，设置在所述第二路径中，包括所述第二类型的第二电极和耦接到所述第二发光元件的第二电极的所述第一类型的第一电极，并且发射所述第二基色光；以及
第七发光元件，设置在所述第三路径中，包括所述第二类型的第二电极和耦接到所述第三发光元件的第二电极的所述第一类型的第一电极，并且发射所述第三基色光。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第一发光元件的第一电极、所述第二发光元件的第一电极、所述第三发光元件的第一电极中的每一个都用作阳极电极，并且
所述第一发光元件的第二电极、所述第二发光元件的第二电极和所述第三发光元件的第二电极中的每一个都用作阴极电极。
10.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第一发光元件的第一电极、所述第二发光元件的第一电极、所述第三发光元件的第一电极中的每一个都用作阴极电极，并且
所述第一发光元件的第二电极、所述第二发光元件的第二电极和所述第三发光元件的第二电极中的每一个都用作阳极电极。
11.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光控制器控制所述第一开关处于导通状态的周期、所述第二开关处于导通状态的周期和所述第三开关处于导通状态的周期的长度中的每一个。
12.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
在所述第一开关和所述第二开关都处于导通状态的情况下，所述发光控制器将所述第四开关转换到断开状态，并且
在所述第一开关和所述第三开关都处于导通状态的情况下，所述发光控制器将所述第五开关转换到断开状态。
13.一种显示装置，包括：
多个发光装置，每个所述发光装置包括：
第一发光元件，设置在从第一端子到第二端子的第一路径中，包括第一类型的第一电极和耦接到所述第二端子的第二类型的第二电极，并且发射第一基色光；
第二发光元件，设置在从所述第二端子到第三端子的第二路径中，包括所述第二类型的第二电极和耦接到所述第二端子的所述第一类型的第一电极，并且发射第二基色光；
第三发光元件，设置在从所述第二端子到第四端子的第三路径中，包括所述第二类型的第二电极和耦接到所述第二端子的所述第一类型的第一电极，并且发射第三基色光，
第一开关，转换成导通状态，以将所述第一端子和所述第二端子彼此耦接；
第二开关，转换成导通状态，以将所述第二端子和所述第三端子彼此耦接；
第三开关，转换成导通状态，以将所述第二端子和所述第四端子彼此耦接；
第四开关，转换成导通状态，以将所述第三端子和第一电流源彼此耦接；
第五开关，转换成导通状态，以将所述第四端子和第二电流源彼此耦接；
第一电流源，耦接到所述第三端子；
第二电流源，耦接到所述第四端子；以及
发光控制器，控制所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关和所述第五开关的操作。
14.根据权利要求13所述的显示装置，还包括驱动器，所述驱动器向每个所述发光装置提供第一像素信号、第二像素信号和第三像素信号，其中，
所述发光控制器基于所述第一像素信号控制所述第一开关处于导通状态的周期的长度，
所述发光控制器基于所述第二像素信号控制所述第二开关处于导通状态的周期的长度，并且
所述发光控制器基于所述第三像素信号控制所述第三开关处于导通状态的周期的长度。
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