CN110088356A - 有机金属化学气相沉积装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有机金属化学气相沉积装置。本发明的有机金属化学气相沉积装置包括：腔室，提供对基板进行处理的处理空间；气体供给部，向所述腔室的内部供给处理气体；以及基板支撑部，配置于所述腔室的内部，基板支撑部具备安装所述基板的收容槽，且基板支撑部对所述基板进行加热。在所述收容槽的内侧形成有安装所述基板的安装部。在所述安装部的边缘与所述收容槽之间形成有中间槽。

Description

有机金属化学气相沉积装置
技术领域
本发明涉及一种有机金属化学气相沉积装置。
背景技术
在各种产业领域中逐渐使用高效率的发光二极管(LED)，因此需要一种可不使品质及性能下降而进行大量生产的设备。在制造这种发光二极管时，广泛地使用有机金属沉积反应器。
有机金属化学气相沉积(MOVCD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition)装置是向反应室内供给三族烷基(有机金属原料气体)、五族反应气体与高纯度载气的混合气体而在经加热的基板上进行热分解来使化合物半导体的结晶生长的装置。这种有机金属化学气相沉积装置是在基座装设基板，从上表面或侧面注入气体而在基板的上部生长半导体结晶。
另一方面，如图10所示，在基座(2)的收容槽(4)安装基板(W)而进行制程时，会在基板(W)与收容槽(4)的底部之间流入处理气体而形成如颗粒(6)等的异物。在此情况下，在为了对晶片(W)进行后续制程而像图10一样将晶片(W)安装到收容槽(4)时，因颗粒(6)而无法平行地放置晶片(W)，而是像图中所示一样倾斜地放置。这种情况在晶片(W)的表面上产生温度偏差而使薄膜生长的情况下成为产率下降的因素。
另外，为了制造射出紫外线的发光二极管及激光二极管，通常使用以氮化铝(AlN)为基质的物质。为了抑制用作铝(Al)的前驱物的三甲基铝TMA(Trimethylaluminium)与用作氮(N)的前驱物的NH3的寄生反应，需将以气体状态混合存在的时间最小化。为此，通常提高气体喷射速度较为普遍。
然而，如果提高气体喷射速度，则产生因气体流动引起的乱流(turbulence)，这会无意地使在高温下具有凹陷的形状的翘曲的基板旋转。这种情况会导致在生长结束后不易对基板内的薄膜的特性进行分析的问题。另外，使用具有平面的基板来代替通常的圆形基板，在此情况下，在基板旋转时会产生卡入现象。
例如，如果基板(W)在像图11一样安装在基座的收容槽(510)的状态下旋转，则在基板(W)旋转的状态下，基板(W)的平面(Wf)与圆周面(Ws)接触的角隅区域(Wc)抵接到收容槽(510)的平面部(512)，从而基板(W)的角隅区域(Wc)会卡入到收容槽(510)的内部。尤其，在因腔室内部的高温而基板(W)膨胀的情况下，上述卡入现象会加重，在严重的情况下会导致基板(W)破损或基座破损。
发明内容
发明要解决的问题
为了解决如上所述的问题，本发明的目的在于提供一种在基板支撑部的收容槽安装基板的情况下，可防止因会形成到所述收容槽的颗粒等而倾斜地配置所述基板的有机金属化学气相沉积装置。
为了解决如上所述的问题，本发明的目的在于提供一种在基板支撑部的收容槽安装基板的情况下，可通过防止所述基板旋转而防止所述基板卡入到所述收容槽或破损的有机金属化学气相沉积装置。
解决问题的手段
通过一种有机金属化学气相沉积装置达成本发明的上述目的，其特征在于包括：腔室，提供对基板进行处理的处理空间；气体供给部，向所述腔室的内部供给处理气体；以及基板支撑部，配置于所述腔室的内部，具备安装所述基板的收容槽，对所述基板进行加热；且在所述收容槽的内侧形成有安装所述基板的安装部，在所述安装部的边缘与所述收容槽之间形成有中间槽。
此处，可平坦地形成所述安装部的上表面。
在此情况下，在所述基板安装到所述安装部的情况下，所述中间槽的宽度可被所述基板遮挡60％至95％。
另外，所述中间槽可形成为内部的边角具有棱角的形态。在此情况下，所述中间槽的宽度可为1mm至3mm。
另一方面，从所述安装部的上表面测定的所述中间槽的深度可相对于从所述基板支撑部的上表面测定的所述中间槽的深度而为40％至80％。
进而，所述基板可沿圆形的圆周面而在至少一部分具备平面，所述收容槽具备从边缘向内侧突出形成而防止所述基板旋转的突出部。
此时，所述基板的平面可与所述突出部接触。在此情况下，所述基板的圆周面与所述平面接触的角隅区域不与所述突出部接触。
另一方面，所述突出部相对于所述安装部的中心的圆周角度可相对小于所述基板的平面相对于所述安装部的中心的圆周角度。
进而，能够以可装卸的方式配置所述突出部。
另一方面，所述基板支撑部可包括安装所述基板并加热的加热器区块，从所述加热器区块的底部向上部形成插入槽，在所述插入槽的内侧具备测定加热器区块的温度的热电偶。
另外，从所述加热器区块的底部测定的所述插入槽的高度可相对于所述加热器区块的高度而为60％至90％。
发明效果
根据具有上述构成的本发明，在基板支撑部的收容槽安装基板的安装部与收容槽的内表面之间形成中间槽，由此引导如颗粒等的异物形成到所述中间槽，从而可防止在基板配置到所述收容槽时倾斜地配置的情况。
另外，根据本发明，沿安装所述基板的收容槽的内侧边缘具备突出部而防止基板旋转，由此可防止基板卡入到收容槽的内部或破损。
附图说明
图1是表示本发明的一实施例的有机金属化学气相沉积装置的构造的剖面图。
图2是基板支撑部的俯视图。
图3是基板支撑部的局部剖面图。
图4至图8是表示形成在基板支撑部的收容槽的突出部的各种实施例的俯视图。
图9是表示基板支撑部的内部构造的剖面图。
图10是以往装置的基板支撑部的剖面图。
图11是以往装置的基板支撑部的俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地对本发明的实施例的有机金属化学气相沉积装置进行说明。
图1是表示本发明的一实施例的有机金属化学气相沉积装置(1000)的构造的剖面图。
参照图1，所述有机金属化学气相沉积装置(1000)具备腔室(10)、基板支撑部(20)、气体供给部(30)及反应空间形成单元(40)。
所述腔室(10)具备：腔室顶盖(11)，覆盖腔室的上部；外部壁部(12)，紧固到所述腔室顶盖(11)，覆盖腔室的侧部；以及底部凸缘部(13)，形成腔室的下部底面。
所述腔室顶盖(11)可通过螺杆等紧固元件以可分离的方式紧固到所述外部壁部(12)，可在所述腔室顶盖(11)形成冷却流路(11a)。所述冷却流路(11a)以如下方式构成：供冷却水或冷却气体等冷却介质流动，从而使因在所述腔室(10)内的沉积制程中产生的高温的热而加热的所述腔室(10)冷却。
另外，在所述腔室顶盖(11)设置有作为光学传感器(51)的光测定通路而发挥功能的传感器管(52)，所述光学传感器用以光学测定在下文叙述的反应空间形成单元(40)内沉积到基板上的薄膜。此处，以如下方式构成：对所述传感器管(52)导入吹扫气体而防止反应气体从所述反应空间形成单元(40)排出到所述传感器管(52)。
所述外部壁部(12)以紧固到所述腔室顶盖(11)且覆盖所述腔室(10)的侧部的方式构成。所述外部壁部(12)以如下方式构成：形成排气孔(14)，所述排气孔(14)连接到排气线(未图示)，从而在沉积制程结束后，通过所述排气孔(14)与所述排气线(未图示)将残留在所述反应空间形成单元(40)的反应气体排出到所述腔室(10)的外部。
另外，在所述外部壁部(12)的内部还可配置内部壁部(12a)。所述内部壁部(12a)以如下方式构成：以插入贯通的方式设置所述反应空间形成单元(40)，从而可稳定地设置所述反应空间形成单元(40)。
在所述腔室(10)的下部设置底部凸缘部(13)。可在所述底部凸缘部(13)形成冷却流路(13a)。所述冷却流路(13a)以如下方式构成：供冷却水或冷却气体等冷却介质流动，从而使因在所述腔室(10)内的沉积制程中产生的高温的热而加热的所述腔室(10)冷却。
在所述腔室的内部配置安装基板(W)的基板支撑部(20)。所述基板支撑部(20)包括：加热器区块(21)，安装基板(W)并加热；轴(22)，支撑所述加热器区块(21)并使其旋转；密封部(23)；以及感应加热部(24)，对所述加热器区块(21)进行加热。
所述加热器区块(21)设置有多个收容槽(210、220、230)(参照图2)，以便可在上部面安装多个基板(W)。
所述轴(22)以如下方式构成：一末端连接到所述加热器区块(21)，另一末端贯通所述腔室(10)的所述底部凸缘部(13)而连接到配置在所述腔室(10)的外部的旋转驱动部(未图示)来支撑所述加热器区块(21)并使其旋转。所述轴(22)以如下方式构成：在内部设置热电偶(22a)而测定由所述感应加热部(24)加热的所述加热器区块(21)的温度来进行控制。之后详细地对所述热电偶(22a)配置到所述加热器区块(21)的内部的构成进行说明。
以在所述轴(22)与所述腔室(10)的所述底部凸缘部(13)之间设置密封部(23)来密封旋转的所述轴(22)与所述底部凸缘部(13)之间的空间的方式构成。在所述密封部(23)填充流体密封件，在本实施例中，所述流体密封件可构成为通过磁性力而气密地密封与外部的空隙的磁性流体密封件。
另外，可在所述密封部(23)的上部设置隔热部(26)，所述隔热部包围所述轴(22)，防止在沉积制程过程中产生的高温的热传递到所述腔室(10)及所述密封部(23)。
另一方面，所述感应加热部(24)以如下方式构成：例如，由包围所述加热器区块(21)的感应线圈形成，从而对配置在所述感应加热部(24)的内侧的所述加热器区块(21)进行加热。可在所述感应加热部(24)与所述加热器区块(21)之间配置热障壁(25)。所述热障壁(25)不仅防止由所述感应加热部(24)加热的所述加热器区块(21)的高温的热传递到所述腔室(10)的内部，而且也可保护所述感应加热部(24)免受所述加热器区块(21)的高温的热的影响。在本实施例中，所述热障壁(25)例如可由对高温稳定且热反射率较高的陶瓷原材料形成。
另一方面，在所述腔室的一侧设置气体供给部(30)。所述气体供给部(30)具备分别连接到多个供气线(未图示)的多个气体供给埠(未图示)，从多个气体供给源(未图示)向所述多个供气线供给处理气体。
另一方面，本发明的有机金属化学气相沉积装置(1000)具备设置到所述腔室(10)的内部的反应空间形成单元(40)。
所述反应空间形成单元(40)包括设置到与所述腔室顶盖对应的一侧的上部板(41)、侧部板(未图示)、及设置到与所述基板支撑部对应的一侧的下部板(43)，向所述反应空间形成单元供给反应气体的一侧与连通到所述排气孔的一侧开口。
所述反应空间形成单元(40)以如下方式构成：一侧贯通所述腔室(10)的内部壁部而紧固到所述气体供给部(30)，另一侧连通到形成在所述外部壁部(12)的排气孔(14)。
可在所述反应空间形成单元的所述上部板(41)设置阻热顶盖(44)。所述阻热顶盖(44)设置到与所述加热器区块(21)对向的位置，厚于所述上部板，朝向所述加热器区块(21)的上部面突出，因此可更小地形成安装在所述加热器区块(21)的基板(W)上的反应空间。
另外，所述阻热顶盖(44)与所述上部板(41)紧固成一体，为了使更换容易，以可与所述上部板(41)分离的方式构成。另外，所述阻热顶盖(44)例如可由对高温稳定且热反射率较高的陶瓷材质形成。
所述腔室(10)的内部温度达到1000℃以上的高温，故而通过利用陶瓷原材料形成包覆所述加热器区块(21)的热障壁(25)及所述阻热顶盖(44)而构成为对高温稳定。由此，通过热反射率较高的所述阻热顶盖(44)可有效率地对基板进行加热，同时可有效率地减少加热基板所需的功耗。另外，在基板上生长薄膜的过程中，在因沉积制程的化学反应而集中地产生副产物的位置设置所述阻热顶盖来延长零件的更换周期，由此可提高生产效率。
另一方面，如上所述，本发明的有机金属化学气相沉积装置以如下方式构成：在基板支撑部的收容槽安装基板的情况下，可防止因会形成到所述收容槽的颗粒等而倾斜地配置所述基板的情况。
图2是加热器区块(21)的俯视图，图3是加热器区块(21)的局部剖面图。图3的(A)表示收容槽(210)，图3的(B)表示在所述收容槽(210)安装有基板(W)的状态。
参照图2及图3，本发明的有机金属化学气相沉积装置(1000)在所述加热器区块(21)具备收容所述基板(W)的收容槽(210、220、230)。所述收容槽(210、220、230)在图中表示为3个，但并不限定于此，可适当地调节。
另一方面，可在所述收容槽(210、220、230)的内侧形成安装所述基板(W)的安装部(212、222、232)，在所述安装部(212、222、232)的边缘与所述收容槽(210、220、230)之间形成中间槽(213)。
即，在所述收容槽(210、220、230)的内侧，在以特定长度朝向上部突出形成的所述安装部(212、222、232)的上表面安装所述基板(W)，在此情况下，在所述基板(W)的边缘区域的下部定位所述中间槽(213)。
此时，平坦地形成所述安装部(212、222、232)的上表面，因此在所述安装部(212、222、232)的上表面安装所述基板(W)的情况下，不会在所述基板(W)的下表面与所述安装部(212、222、232)的上表面之间产生空间。由于不会在所述基板(W)与所述安装部(212、222、232)之间产生空间，因此可防止流入处理气体而产生颗粒、粉末等异物的情况。
另外，所述中间槽(213)可像图中所示一样形成为内部的边角具有棱角的形态。在此情况下，所述中间槽(213)的侧剖面形成为具有棱角的四边形等多边形形态，因此非常易于形成具有相对小于无棱角的单纯为圆形的形态的宽度的槽。另外，与圆形形态相比，具有棱角的四边形形态在中间槽(213)的内侧具有相对较广的表面积，因此易于附着颗粒而可不使颗粒露出到中间槽(213)的外部。进而，也可期待所述中间槽(213)的具有棱角的边角部分阻碍颗粒移动的效果。
其结果，如图3的(b)所示，即便处理气体流入到所述基板(W)的下部，大部分颗粒等异物也形成到所述中间槽(213)的内侧。尤其，所述中间槽(213)的边角形成为具有棱角的形态，因此所述颗粒等无法沿具有棱角的所述边角上升而移动，而是聚集到所述中间槽(213)的底面。因此，不会像以往一样在安装所述基板(W)的面形成颗粒等，因此在所述基板(W)安装到所述收容槽(210、220、230)的内部的情况下，可防止所述基板(W)倾斜。
另一方面，在所述基板(W)安装到所述安装部(212、222、232)的上表面的情况下，以所述基板(W)的边缘最大限度地与所述收容槽(210、220、230)邻接的方式配置。即，以略微大于所述基板(W)的外径的方式设定所述收容槽(210、220、230)的内部直径。在此情况下，所述基板(W)的边缘像图中所示一样遮挡所述中间槽(213)的宽度(D)的大部分。例如，所述基板(W)可遮挡所述中间槽(213)的宽度(D)的50％以上，优选为所述基板(W)可遮挡所述中间槽(213)的宽度(D)的60％至95％左右。在所述中间槽(213)的宽度(D)的大部分被所述基板(W)遮挡的情况下，可减少流入到所述中间槽(213)的处理气体的量，从而可抑制颗粒的产生。
根据本发明人的实验，所述中间槽(213)的宽度(D)、或所述安装部(212、222、232)的边缘与所述收容槽(210、220、230)的内侧面之间的距离(D)可为大致1mm至3mm，且可为大致2mm。
另外，可由构成所述基板支撑部(20)的加热器区块(21)的上表面(21a)至所述中间槽(213)的底部的深度(B1)、及所述安装部(212、222、232)的上表面至所述中间槽(213)的底部的深度(B2)定义所述中间槽(213)的深度。在此情况下，所述安装部(212、222、232)的上表面至所述中间槽(213)的底部的深度(B2)可相对于所述加热器区块(21)的上表面21a至所述中间槽(213)的底部的深度(B1)而为大致40％至80％。
根据本发明人的实验，可知在像上述内容一样设定所述中间槽(213)的深度的情况下，由所述中间槽(213)实现的颗粒引导效果最优异。
另一方面，本发明的有机金属化学气相沉积装置以如下方式构成：在基板支撑部的收容槽安装基板的情况下，可通过防止所述基板旋转而防止所述基板卡入到所述收容槽或破损。以下，具体地进行说明。
图4至图8是表示形成在基板支撑部(20)的收容槽(310)的突出部的各种实施例的俯视图。即，在本实施例中，为了防止所述基板(W)在所述收容槽(310)的内侧旋转，具备从所述收容槽(310)的边缘向内侧突出形成而防止所述基板(W)旋转的突出部。在此情况下，所述基板(W)可沿圆形的圆周面(Ws)而在至少一部分具备平面(Wf)，在所述基板的圆周面(Ws)与所述平面(Wf)接触的区域形成角隅区域(Wc)。在图4至图8中，(a)图是收容槽(310)的俯视图，(b)图是(a)图中的虚线区域的放大图。
参照图4，所述突出部(314)从所述收容槽(310)的边缘向内侧突出形成。此时，所述基板(W)可像上述内容一样沿圆周而在至少一部分形成平面(Wf)，所述突出部(314)以与所述平面(Wf)接触的方式配置。
即，在以往技术中，所述基板的角隅区域与所述收容槽的边缘接触而所述基板的角隅区域卡入到所述收容槽，在本发明中，为了解决上述问题，以与所述基板(W)的平面(Wf)接触的方式配置所述突出部(314)。因此，在本发明中，所述基板(W)的角隅区域(Wc)不与所述突出部(314)接触，从而可防止所述角隅区域(Wc)卡入到所述突出部(314)的情况。
为此，在所述基板(W)安装到所述安装部(312)的情况下，以相对小于所述基板(W)的平面(Wf)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ1)的方式形成所述突出部(314)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ2)。
如果所述突出部(314)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ2)相对大于所述基板(W)的平面(Wf)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ1)，则无法防止所述基板(W)的角隅区域(Wc)与所述突出部(314)接触。在此情况下，会像上述内容一样产生所述基板(W)的角隅区域(Wc)卡入到所述突出部(314)的现象。
因此，在本发明中，为了防止所述基板(W)的角隅区域(Wc)卡入到所述突出部(314)，以相对小于所述基板(W)的平面(Wf)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ1)的方式形成所述突出部(314)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ2)。
另一方面，本发明的有机金属化学气相沉积装置(1000)从所述基板(W)的侧面供给处理气体。如果从所述基板(W)的上侧或下侧供给所述处理气体，则所述基板(W)不旋转，但如果像本发明一样从所述基板(W)的侧面供给所述处理气体，则所述基板(W)会旋转。尤其，如果为了抑制处理气体之间的寄生反应而提高所述处理气体的气体喷射速度，则所述基板(W)更容易旋转。
因此，在本发明的有机金属化学气相沉积装置(1000)中，即便从所述基板(W)的侧面供给处理气体，除所述基板(W)的角隅区域(Wc)以外的平面(Wf)的至少一部分与所述突出部(314)接触而也最大限度地防止所述基板(W)旋转，进而，可防止所述基板(W)的角隅区域(Wc)卡入到所述突出部(314)。另外，所述基板(W)的圆周面(Ws)与所述平面(Wf)接触的角隅区域(Wc)容易破损或损伤，但在本发明中，以不使所述角隅区域(Wc)与所述突出部(314)接触的方式配置所述突出部(314)，因此可最大限度地防止所述基板(W)损伤或破损。
另一方面，所述中间槽(213)的宽度、或所述安装部(312)的边缘与所述收容槽(310)的内侧面之间的距离因所述突出部(314)而发生变化。
在无所述突出部(314)的区域，所述中间槽(213)的宽度(d2)可像上述内容一样形成为大致1mm至3mm，与此相反，在形成有所述突出部(314)的区域，所述中间槽(213)的宽度(d1)形成为相对小于所述宽度(d2)。在形成有所述突出部(314)的区域，所述中间槽(213)的宽度(d1)会相当于无突出部(314)的中间槽(213)的宽度(d2)的大致一半左右。在此情况下，在形成有所述突出部(314)的区域，固定地保持所述中间槽(213)的宽度(d1)。
图4的实施例的构成可防止基板(W)旋转，但在所述基板(W)与所述突出部(314)接触的情况下，所述突出部(314)的面与所述基板(W)的边角接触，从而防止卡入现象的效果降低。另外，具有所述突出部(314)的耐久性相对较弱的特性。
图5表示另一实施例的突出部(324)。
参照图5，所述突出部(324)从所述收容槽(310)的边缘向内侧突出形成。图5的突出部(324)的形状与所述图4的突出部的形状相似，但其宽度及突出长度存在差异。
即，在本实施例中，在无所述突出部(324)的区域，所述中间槽(213)的宽度(d2)像上述内容一样形成为大致1mm至3mm，与此相反，在形成有所述突出部(324)的区域，所述中间槽(213)的宽度(d3)可相对小于所述宽度(d2)而为大致20％至40％左右。即，可谓本实施例的突出部(324)呈较所述图4的突出部更突出的形态。另一方面，能够以相对小于所述图4的突出部(314)的方式构成所述收容槽(310)的圆周方向上的所述突出部(324)的长度。
与图4的构成相比，图5的构成在所述基板(W)与所述突出部(324)接触的情况下，所述突出部(324)的面与所述基板(W)的面接触而基板的卡入程度减小，尤其，突出部(324)的耐久性明显地得到改善。然而，在形成有所述突出部(324)的区域，所述中间槽(213)的宽度(d3)相对变小，从而基板的装载/卸载的便利性及固定地保持基板的温度的温度梯度特性具有与图4相似的特性。
另一方面，与上述实施例相似，图5的突出部(324)也在所述基板(W)安装到所述安装部(312)的情况下，以相对小于所述基板(W)的平面(Wf)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ1)的方式形成所述突出部(324)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ3)。之前已对此进行了详述，因此省略重复的说明。
图6表示又一实施例的突出部(334)。
参照图6，本实施例的突出部(334)在从所述收容槽(310)的边缘的内侧突出的情况下呈平行地突出的形态。即，所述突出部(334)与所述安装部(312)之间的距离不像图中所示一样固定，而是持续地发生变化。
与所述图4及图5相比，在图6的实施例中，在形成有所述突出部(334)的区域，所述中间槽(213)的宽度相对变小，因此基板的装载/卸载的便利性略微较低，但温度梯度特性明显地得到改善。另外，在所述基板(W)与所述突出部(334)接触的情况下，所述突出部(334)的面与所述基板(W)的面接触，从而表现出基板的卡入现象相对减少，突出部的耐久性也得到改善的特性。
另一方面，与上述实施例相似，图6的突出部(334)也在所述基板(W)安装到所述安装部(312)的情况下，以相对小于所述基板(W)的平面(Wf)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ1)的方式形成所述突出部(334)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ4)。之前已对此进行了详述，因此省略重复的说明。
另一方面，图7表示又一实施例的突出部(354、356)的构成。
参照图7，沿所述收容槽(310)的边缘的内侧具备一对本实施例的突出部(354、356)。
沿所述收容槽(310)的边缘的内侧而隔以特定距离具备一对所述突出部(354、356)，所述突出部(354、356)大致突出形成为具有特定的半径的半圆形状、或曲线形状、弯曲(curved)形状等。
在此情况下，形成有所述突出部(354、356)的区域相对小于上述实施例，故而基板的装载/卸载特性相对变良好。另外，在所述基板(W)与所述突出部(354、356)接触的情况下，所述突出部(354、356)的面与所述基板(W)的面接触而防止基板的卡入现象，但突出部的耐久性相对变差，基板的外周面与所述加热器区块(21)之间的距离变远，因此基板的温度梯度特性变差。
另一方面，在像图7一样具备一对突出部(354、356)的情况下，在所述基板(W)安装到所述安装部(312)时，也以相对小于所述基板(W)的平面(Wf)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ1)的方式形成所述一对突出部(354、356)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ5)。之前已对此进行了详述，因此省略重复的说明。
图8表示又一实施例的突出部(344、346)的构成。
参照图8，与所述图7的实施例相似地具备一对本实施例的突出部(344、346)。然而，本实施例的各突出部(344、346)以如下方式构成：在从所述收容槽(310)的边缘突出的情况下，形成所述突出部(344、346)的两面的长度不同。
即，如图所示，第一突出部(344)以第一面(344A)长于第二面(344B)的方式构成，相同地，第二突出部(346)以第三面(346A)长于第四面(346B)的方式构成。另外，所述第一突出部(344)的第一面(344A)与第二突出部(346)的第三面(346A)可沿假想线配置。
在此情况下，形成有所述突出部(344、346)的区域相对小于上述实施例，故而基板的装载/卸载特性相对变良好。另外，在所述基板(W)与所述突出部(344、346)接触的情况下，所述突出部(344、346)的面与所述基板(W)的面接触，从而防止基板的卡入现象，耐久性也变良好。
另一方面，在像图8一样具备一对突出部(344、346)的情况下，在所述基板(W)安装到所述安装部(312)时，也以相对小于所述基板(W)的平面(Wf)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ1)的方式形成所述一对突出部(344、346)相对于所述安装部(312)的中心(C)的圆周角度(θ6)。之前已对此进行了详述，因此省略重复的说明。
另一方面，所述图4至图8的突出部的构成也可一体地形成到所述收容槽，但能够以可装卸的方式具备所述突出部。在此情况下，所述突出部可包括与所述区块加热器不同的材质。例如，所述突出部可由耐久性相对优于所述加热器区块且耐热的材质制作。如上所述，在以可装卸的方式构成所述突出部的情况下，在今后对基板支撑部进行维护等时，可更快且容易地进行维护。
另一方面，如上所述，在基板支撑部(20)的所述加热器区块(21)的内侧具备测定加热器区块(21)的温度的热电偶(22a)。图9是表示加热器区块(21)的内部构成的剖面图。
参照图9，为了装设所述热电偶(22a)，从所述加热器区块(21)的底部向上部形成插入槽(29)，在所述插入槽(29)的内部具备所述热电偶(22a)。在图9中，轴’22’表示轴。
此时，所述热电偶(22a)可对所述加热器区块(21)的温度进行测定而推测由所述加热器区块(21)加热的所述基板(W)的温度。因此，在所述加热器区块(21)的内部与所述基板(W)邻接地配置所述热电偶(22a)会较为有利。然而，如果为了实现这种配置而使从所述加热器区块(21)的底部测定的所述插入槽(29)的高度(h2)与所述加热器区块(21)的高度(h1)大致相似、或设为90％左右以上，则用以加热所述基板(W)的热能会通过所述插入槽(29)排出到腔室(10)的外部。这种情况会降低基板(W)的加热效率而降低沉积到基板(W)的薄膜的品质。另外，在将从加热器区块(21)的底部测定的所述插入槽(29)的高度(h2)设为所述加热器区块(21)的高度(h1)的60％以下的情况下，存在如下缺点：与安装晶片的加热器区块上表面的温度的差异较大，因此不适于用作制程反馈温度。
因此，在本实施例中，将从所述加热器区块(21)的底部测定的所述插入槽(29)的高度(h2)设为所述加热器区块(21)的高度(h1)的大致60％至90％左右，优选为设为75％左右。
在这种构成中，所述插入槽(29)的高度(h2)相对于所述加热器区块(21)的高度(h1)而为大致90％以下，因此可抑制用以加热所述基板(W)的热能通过所述插入槽(29)排出的情况。另外，如图所示，以在所述插入槽(29)的内侧不与所述插入槽(29)的上表面接触的方式具备所述热电偶(22a)。因此，在所述加热器区块(21)旋转的情况下，也可防止所述热电偶(22a)受损。进而，所述热电偶(22a)配置到所述插入槽(29)的内侧而测定所述加热器区块(21)的温度，因此能够以不根据所述基板(W)上部的环境改变的情况、例如处理气体变化、压力变化、温度变化等环境变化而敏感地发生变化的状态准确地测定所述加热器区块(21)的温度。
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但本技术领域内的普通技术人员可在不脱离随附的权利要求中所记载的本发明的思想及领域的范围内对本发明实施各种修正及变更。因此，如果变形的实施基本上包括本发明的权利要求的构成要素，则均应视为包括在本发明的技术范畴内。
产业上的可利用性
根据本发明，在基板支撑部的收容槽安装基板的安装部与收容槽的内表面之间形成中间槽，由此引导如颗粒等的异物形成到所述中间槽，从而可防止在基板配置到所述收容槽时倾斜地配置的情况。
另外，根据本发明，沿安装所述基板的收容槽的内侧边缘具备突出部而防止基板旋转，由此可防止基板卡入到收容槽的内部或破损。

Claims (13)

1.一种有机金属化学气相沉积装置，其特征在于，包括：
腔室，提供对基板进行处理的处理空间；
气体供给部，向所述腔室的内部供给处理气体；以及
基板支撑部，配置于所述腔室的内部，具备安装所述基板的收容槽，对所述基板进行加热，且
在所述收容槽的内侧形成有安装所述基板的安装部，在所述安装部的边缘与所述收容槽之间形成有中间槽。
2.根据权利要求1所述的有机金属化学气相沉积装置，其特征在于，
平坦地形成所述安装部的上表面。
3.根据权利要求1所述的有机金属化学气相沉积装置，其特征在于，
在所述基板安装到所述安装部的情况下，所述中间槽的宽度被所述基板遮挡60％至95％。
4.根据权利要求1所述的有机金属化学气相沉积装置，其特征在于，
所述中间槽形成为内部的边角具有棱角的形态。
5.根据权利要求1所述的有机金属化学气相沉积装置，其特征在于，
所述中间槽的宽度为1mm至3mm。
6.根据权利要求5所述的有机金属化学气相沉积装置，其特征在于，
从所述安装部的上表面测定的所述中间槽的深度相对于从所述基板支撑部的上表面测定的所述中间槽的深度为40％至80％。
7.根据权利要求1所述的有机金属化学气相沉积装置，其特征在于，
所述基板沿圆形的圆周面而在至少一部分具备平面，所述收容槽具备从边缘向内侧突出形成而防止所述基板旋转的突出部。
8.根据权利要求8所述的有机金属化学气相沉积装置，其特征在于，
所述基板的平面与所述突出部接触。
9.根据权利要求8所述的有机金属化学气相沉积装置，其特征在于，
所述基板的圆周面与平面接触的角隅区域不与所述突出部接触。
10.根据权利要求9所述的有机金属化学气相沉积装置，其特征在于，
所述突出部相对于所述安装部的中心的圆周角度相对小于所述基板的平面相对于所述安装部的中心的圆周角度。
11.根据权利要求7所述的有机金属化学气相沉积装置，其特征在于，
以可装卸的方式配置所述突出部。
12.根据权利要求1所述的有机金属化学气相沉积装置，其特征在于，
所述基板支撑部包括安装所述基板并加热的加热器区块，
从所述加热器区块的底部向上部形成插入槽，在所述插入槽的内侧配置测定所述加热器区块的温度的热电偶。
13.根据权利要求12所述的有机金属化学气相沉积装置，其特征在于，
从所述加热器区块的底部测定的所述插入槽的高度相对于所述加热器区块的高度而为60％至90％。
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