CN110057466A - 一种基于led荧光发射光谱的表面温度测量方法 - Google Patents
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Abstract
一种基于LED荧光发射光谱的表面温度测量方法，涉及发光二极管表面温度的测量方法领域，包括以下步骤：(1)将荧光材料归一化后的发射光谱先进行区域划分再对各区域积分，所得到的荧光材料发射功率记为Pe；(2)测试各积分区域发射功率Pe受电流影响的程度，选取受电流影响程度最小的积分区域为检测区域；(3)以额定电流值的1％～3％为小电流为LED样品供电，并用光谱仪采集荧光材料的发射光谱，建立检测区域的发射功率Pe与荧光材料温度T的线性关系；(4)在LED样品的实际工作状态下，将检测区域的发射功率Pe值带入到Pe与T的关系式中，即可得到荧光材料的表面温度。本发明采用非接触式方法测量荧光材料的表面温度，不受LED器件封装的影响，可靠性高。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管表面温度的测量方法领域，尤其涉及一种基于LED荧光发射光谱的表面温度测量方法。
背景技术
荧光材料转换的白色发光二极管(phosphor-coated white light-emittingdiode,pc-WLED)与传统人工照明光源比如白炽灯、荧光灯等相比，具有光效高、功耗低、寿命长和环境友好等诸多优点，已经在包括家居照明、商业照明、可见光通信、农业照明、汽车前照灯和生物医学等领域被广泛地推广应用。当前，应用于白光照明的荧光转换材料主要包括以YAG：Ce3+等为代表的稀土材料荧光粉或钙钛矿等为代表的量子点转换材料。作为荧光转换环节不可或缺的一部分，荧光材料发光性能的好坏大大地影响了pc-WLED输出的光色品质，而温度又是影响荧光材料发光性能的关键因素之一。因此，测量并掌握荧光材料和LED芯片等在工作中的表面温度对于提高器件的效率和可靠性意义重大。
目前较常用于测量LED等半导体发光器件温度的相关技术和方法主要分为三种类型，即接触式、半接触式和非接触式。其中，第一种方法的接触式测量技术容易破坏LED器件；第二种的半接触式测量由于引入了温度敏感材料，容易干扰温度测量结果；第三种的非接触式测量是一种间接测量方法，具有不破坏器件结构、测量快速等优点。
目前最普遍的测量LED表面温度的方法是采用热电偶，属于第一种类型的物理接触的方法。为了尽可能地避免空气热阻的影响，Chen等人将热电偶探针插入到荧光粉硅胶中进行温度测量，但测量结果与实际值仍存在一定偏差，原因主要在于热电偶探针会吸收部分光能，从而对温度测量结果造成一定程度上的影响。[Q.Chen,R.Hu,J.Hu,B.Xie,X.Yu,and X.Luo,Experimental study of measuring LED's temperatures viathermocouple,in 17th International Conference on Electronic PackagingTechnology(ICEPT),pp.880-883,2016]。Yang等人也提出了一种测试荧光粉温度的非接触式方法。在他们的方法中，主要采用光谱的峰值波长和半高宽两个参数来校正温度，但是这两个参数容易受测试仪器精度和样品材料的影响，容易造成测试结果可靠性不高，因而实用性不强。[T.H.Yang,H.Y.Huang,C.C.Sun,B.Glorieux,X.H.Lee,Y.W.Yu,and T.Y.Chung,Noncontact and instant detection of phosphor temperature in phosphor-converted white LEDs,Scientific Reports,vol.8,Jan.2018]。红外热成像法也是比较常用的测量LED表面温度的方法，但对测试样品的表面平整性要求较高，比较适用于表面相对比较平整的LED芯片的表面温度测试。但是，由于芯片表面涂覆荧光材料和透明硅胶混合物的白光LED表面平整性较差，利用红外热成像法难以实现精确的温度测量，且如何准确地确定发射率值也是一个关键问题和难点。
发明内容
本发明的目的在于解决现有技术中的上述问题，提供一种基于LED荧光发射光谱的表面温度测量方法，采用非接触式方法测量荧光材料的表面温度，仅通过测试荧光材料发射光谱就可以实现测温，不受LED器件封装的影响，可靠性高。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种基于LED荧光发射光谱的表面温度测量方法，包括以下步骤：
(1)对LED样品进行供电，并用光谱仪采集荧光材料的发射光谱，将荧光材料归一化后的发射光谱先进行区域划分再对各区域积分，所得到的荧光材料发射功率记为Pe，如下式所示：
其中，[λi，λj]表示所选取积分区域的波长范围，P(λ)表示归一化的荧光材料发射光谱；
(2)荧光材料归一化后发射光谱中可能存在某些几乎不受电流影响或轻微受电流影响的区域，通过对电源设置不同大小的电流值，然后对LED样品进行供电，测试各积分区域发射功率Pe受电流影响的程度，选取受电流影响程度最小的积分区域为检测区域；
(3)以额定电流值的1％～3％为小电流为LED样品供电，并用光谱仪采集荧光材料的发射光谱，建立检测区域的发射功率Pe与荧光材料温度T的线性关系，公式如下：
Pe＝kT+b(2)
其中，k、b均为常数；
样品的温度可以用温度恒定的控温箱体控制，小电流下，在控温箱体内，荧光材料的表面温度可以近似于所控制的温度；
(4)在LED样品的实际工作状态下，将检测区域的发射功率Pe值带入到(2)式中，即可得到待测荧光材料的表面温度。
区域划分方法如下：定义λ1和λn分别为光谱的始末位置，以峰值波长λm为划分点将归一化光谱分为R1区和R2区，其中，R1＝[λ1,λm]，R2＝[λm,λn]，然后根据二分法再将R1区和R2区分别进行区域划分。
所述荧光材料包括稀土荧光粉或量子点材料。
所述稀土荧光粉包括铝酸盐、硼酸盐、氮化物、氧化物、氮氧化物、硅酸盐、磷酸盐、硫酸盐或钨酸盐。
所述量子点材料包括钙钛矿、锡化镉或铜铟硫。
相对于现有技术，本发明技术方案取得的有益效果是：
1、本发明利用归一化后荧光材料发射光谱不同波长区间内光功率与温度的线性关系，通过选择最优波长区间，得到相应的校准曲线，然后在实际工作下测试相应最优波长区间内的归一化后的荧光材料发射光谱，最后通过数学计算即可推导获得荧光材料表面温度；相比于其它测试方法，本发明仅通过测试荧光材料发射光谱就可以实现测温，不受LED器件封装的影响，只要发光能透过透明封装材料出射，即可相对准确地得到LED荧光材料的表面温度，也能间接反映出器件的整体工作温度，对相关行业应用提供参考。
2、本发明的方法不需要改变LED的工作状态，因而可用于在线快速地检测LED荧光材料和透明硅胶混合物在实际工作中的表面温度；本发明的方法与微型热电偶的温度结果进行比较，显示出了良好的一致性。
3、本发明采用非接触式测量，避免直接接触待测样品可能造成的人为损坏。
4、本发明方法用途广泛，可适用于测量透明封装内的荧光材料的表面温度，不受封装形状、材料工艺等条件的约束。
附图说明
图1为本发明所用的荧光材料归一化光谱分区方式示意图；
图2为不同电流下得到的不同区域的Pe与电流的关系；
图3为实施例1中用P2拟合的校准曲线；
图4为实施例2中用P2拟合的校准曲线；
图5为实施例3中用P2拟合的校准曲线。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本发明做进一步详细说明。
本发明包括以下步骤：
(1)对LED样品进行供电，并用光谱仪采集荧光材料的发射光谱，将荧光材料归一化后的发射光谱先进行区域划分再对各区域积分，所得到的荧光材料发射功率记为Pe，如下式所示：
其中，[λi，λj]表示所选取积分区域的波长范围，P(λ)表示归一化的荧光材料发射光谱；
以荧光材料(Si,Ca)AlSiN3:Eu2+为例，如图1表示了荧光材料归一化后发射光谱的分区情况，图中λ1和λ5分别代表光谱的始末位置，具体分区是根据二分法来进行。首先，以峰值波长λ3为中点，将归一化光谱一分为二。紧接着，取中点位置，即λ2＝(λ1+λ3)/2，λ4＝(λ3+λ5)/2(按波长二等分)再将归一化光谱分为四个区间，分别表示为R1区、R2区、R3区、R4区；
(2)通过对电源设置不同大小的电流值，然后对LED样品进行供电，测试各积分区域发射功率Pe受电流影响的程度，选取受电流影响程度最小的积分区域为检测区域；
图2表示了Pe与电流的关系，为方便说明，定义一个参数β，用以表示各个电流下(5～100mA)得到的Pe值(Pe(Ii))与5mA下的Pe值(Pe(Io))的比值，公式如下：
β＝Pe(Ii)/Pe(Io)
通过对比可以看出，在通过上述分区得到的Pe中，R2区受电流影响最小且β在不同电流下均为正值，因此，后续实施例将采用R2区作为检测区域进行测试；为方便说明，将P2等视为对应区域R2区的归一化后的发光功率值；
(3)以额定电流值的1％～3％为小电流为LED样品供电(比如本发明中，对于额定电流为350mA的LED样品，可选择5～10mA，小电流具体值可根据器件的功率不同进行适当调整)，并用光谱仪采集荧光材料的发射光谱，建立检测区域的发射功率Pe与荧光材料温度T的线性关系，公式如下：
Pe＝kT+b(2)
其中，k、b均为常数；
(4)在LED样品的实际工作状态下，将检测区域的发射功率Pe值带入到(2)式中，即可得到荧光材料的表面温度。
以下实施例中LED样品1、LED样品2和LED样品3的LED芯片为同一型号芯片，荧光材料的浓度不同，以下实施例将以R2区作为检测区来计算得到荧光材料的温度。LED样品1、LED样品2和LED样品3的额定电流为350mA，小电流设置为10mA，测试环境温度为20～23℃，测试环境湿度为60～70RH％。
实施例1
(1)将待测的LED样品1固定在控温台上，然后接入恒定电流源为待测的LED样品1供电；其中，该LED样品1中，荧光材料为(Si,Ca)AlSiN3:Eu2+红色荧光粉和硅胶按质量比1:4制作的混合物。
(2)选择合适的小电流10mA点亮待测的LED样品1，再选择一组合适的温度T0＝30℃、T1＝45℃、T2＝60℃(一般低于待测LED样品的失效温度，本实施例LED样品1失效温度大约为140℃)，通过光谱仪采集荧光材料在T0、T1、T2温度下的各自光谱，并计算荧光材料发射光谱的P2值，最后拟合得到T0、T1、T2与P2的函数关系式，如图3所示为P2拟合的校准曲线。
(3)调节控温台，将控温台温度固定为30℃，分别用大电流100mA、200mA、300mA、400mA、500mA点亮待测的LED样品1(所定义的大电流为最大工作电流的20％～200％，比如本发明中所用的LED样品1额定电流为350mA，因此选取大电流为100mA至500mA点亮待测LED样品1)，通过光谱仪采集待测LED样品1的光谱，并计算不同大电流下荧光材料发射光谱的P2值，最后将P2值带入(2)式中即可求得待测LED样品1在100mA、200mA、300mA、400mA、500mA下的荧光材料表面温度。
表1为计算的拟合温度Tc与热电偶测温Tt的对比结果。
表1
实施例2
实施例2的测试方法和条件与实施例1相同，区别在于：待测的LED样品2中，荧光材料为(Si,Ca)AlSiN3:Eu2+红色荧光粉和硅胶按质量比1:5制作的混合物。
图4为P2拟合的校准曲线；表2为计算的拟合温度Tc与热电偶测温Tt的对比结果。
表2
实施例3
实施例3的测试方法和条件与实施例1相同，区别在于：待测的LED样品3中，荧光材料为(Si,Ca)AlSiN3:Eu2+红色荧光粉和硅胶按质量比1:10制作的混合物。
图5为P2拟合的校准曲线；表3为计算的拟合温度Tc与热电偶测温Tt的对比结果。
表3
通过以上实施例的数据结果，可以看出LED样品1、LED样品2和LED样品3在五个不同电流下得到的温度与微型热电偶的温度差值在均5℃之内，显示出了良好的一致性，进一步说明了本发明方法的可行性，该温度差值可能部分来源于热电偶吸光。
本发明方法适用于任何荧光转换材料包括稀土荧光粉体系，比如铝酸盐、硼酸盐、氮化物、氧化物、氮氧化物、硅酸盐、磷酸盐、硫酸盐或钨酸盐等体系；量子点材料体系，比如钙钛矿、锡化镉(CdSe)、铜铟硫(CuInS2)体系等的温度检测，该方法也同样适用于半导体氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、铝镓铟磷(AlGaInP)、铝镓氮(AlGaN)、砷化镓(GaAs)等材料的LED芯片的温度检测。
本发明采用图1中归一化光谱的R2区进行测试，在实际应用中根据不同的材料，可将R2区域采用二分法再次进行细分，可到得到适合该材料的最优检测区域。根据实验结果，一般越靠近峰值波长位置的区域受电流影响较小，因此相对比较优，反之亦然。区域划分过程需要考虑数据点的数目，避免因数据点太少引起测试精度。考虑测试数据点，一般来说，在R2区域的基础上进一步划分区域一到两次即可。
Claims (5)
1.一种基于LED荧光发射光谱的表面温度测量方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)对LED样品进行供电，并用光谱仪采集荧光材料的发射光谱，将荧光材料归一化后的发射光谱先进行区域划分再对各区域积分，所得到的荧光材料发射功率记为Pe，如下式所示：
其中，[λi，λj]表示所选取积分区域的波长范围，P(λ)表示归一化的荧光材料发射光谱；
(2)通过对电源设置不同大小的电流值，然后对LED样品进行供电，测试各积分区域发射功率Pe受电流影响的程度，选取受电流影响程度最小的积分区域为检测区域；
(3)以额定电流值的1％～3％为小电流为LED样品供电，并用光谱仪采集荧光材料的发射光谱，建立检测区域的发射功率Pe与荧光材料温度T的线性关系，公式如下：
Pe＝kT+b (2)
其中，k、b均为常数；
(4)在LED样品的实际工作状态下，将检测区域的发射功率Pe值带入到(2)式中，即可得到荧光材料的表面温度。
2.如权利要求1所述的一种基于LED荧光发射光谱的表面温度测量方法，其特征在于区域划分方法如下：定义λ1和λn分别为光谱的始末位置，以峰值波长λm为划分点将归一化光谱分为R1区和R2区，其中，R1＝[λ1,λm]，R2＝[λm,λn]，然后根据二分法再将R1区和R2区分别进行区域划分。
3.如权利要求1所述的一种基于LED荧光发射光谱的表面温度测量方法，其特征在于：所述荧光材料包括稀土荧光粉或量子点材料。
4.如权利要求3所述的一种基于LED荧光发射光谱的表面温度测量方法，其特征在于：所述稀土荧光粉包括铝酸盐、硼酸盐、氮化物、氧化物、氮氧化物、硅酸盐、磷酸盐、硫酸盐或钨酸盐。
5.如权利要求3所述的一种基于LED荧光发射光谱的表面温度测量方法，其特征在于：所述量子点材料包括钙钛矿、锡化镉或铜铟硫。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111458315A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-07-28 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 铁电晶体结构的光谱检测装置及方法 |
| CN113125033A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | Tcl集团股份有限公司 | 一种荧光热敏复合量子点材料及其制备方法与环境温度监测led |
| CN113432753A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-09-24 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种利用荧光单峰宽度温度响应特性的测温方法 |
| CN113551797A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-10-26 | 厦门大学 | 一种led荧光粉表面二维温度分布的测试方法 |
| CN115558993A (zh) * | 2022-08-12 | 2023-01-03 | 北京理工大学 | 一种掺杂型零维钙钛矿单晶及其制备方法和应用 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002071473A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Anritsu Keiki Kk | 蛍光式光ファイバー温度計 |
| CN101191770A (zh) * | 2006-11-21 | 2008-06-04 | 杭州远方光电信息有限公司 | 发光二极管荧光粉发射光谱测量方法 |
| US20130207549A1 (en) * | 2010-10-12 | 2013-08-15 | Tridonic Gmbh & Co Kg | Device for outputting temperature information |
| CN104502319A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-08 | 重庆大学 | 一种半积分球荧光量子效率测量装置及其测量方法 |
| CN106972092A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-07-21 | 华中科技大学 | 一种高发光效率的量子点白光led及其制备方法 |
| CN108426651A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-08-21 | 哈尔滨工业大学 | 利用铥离子上转换紫光进行抗白光led光源干扰的测温方法 |
-
2019
- 2019-05-05 CN CN201910367131.6A patent/CN110057466B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002071473A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Anritsu Keiki Kk | 蛍光式光ファイバー温度計 |
| CN101191770A (zh) * | 2006-11-21 | 2008-06-04 | 杭州远方光电信息有限公司 | 发光二极管荧光粉发射光谱测量方法 |
| US20130207549A1 (en) * | 2010-10-12 | 2013-08-15 | Tridonic Gmbh & Co Kg | Device for outputting temperature information |
| CN104502319A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-08 | 重庆大学 | 一种半积分球荧光量子效率测量装置及其测量方法 |
| CN106972092A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-07-21 | 华中科技大学 | 一种高发光效率的量子点白光led及其制备方法 |
| CN108426651A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-08-21 | 哈尔滨工业大学 | 利用铥离子上转换紫光进行抗白光led光源干扰的测温方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113125033A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | Tcl集团股份有限公司 | 一种荧光热敏复合量子点材料及其制备方法与环境温度监测led |
| CN111458315A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-07-28 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 铁电晶体结构的光谱检测装置及方法 |
| CN113551797A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-10-26 | 厦门大学 | 一种led荧光粉表面二维温度分布的测试方法 |
| CN113432753A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-09-24 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种利用荧光单峰宽度温度响应特性的测温方法 |
| CN115558993A (zh) * | 2022-08-12 | 2023-01-03 | 北京理工大学 | 一种掺杂型零维钙钛矿单晶及其制备方法和应用 |
| CN115558993B (zh) * | 2022-08-12 | 2024-04-26 | 北京理工大学 | 一种掺杂型零维钙钛矿单晶及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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