CN110055510A - 方法、非易失性存储器和控制设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种方法、非易失性存储器和控制设备。根据不同的实施形式，用于涂布的方法(100)可以具有：借助多个涂布过程在第一衬底(112)上形成(101)第一层堆叠，其中每个涂布过程形成第一层堆叠的至少一个层；检测(103)第一层堆叠的光谱；通过使用模型确定(105)所述多个涂布过程中的至少一个涂布过程的校正信息，其中所述模型提供了在所述谱与期望谱的偏差和所述校正信息之间的双射的映射函数；以及通过使用所述校正信息改变(107)用于调节所述多个涂布过程中的至少一个涂布过程的至少一个调节参数；以及借助所述多个涂布过程通过使用改变的调节参数在第一或第二衬底(112)上形成(109)第二层堆叠，其中每个涂布过程形成所述第二层堆叠的至少一个层。

Description

方法、非易失性存储器和控制设备
技术领域
本发明涉及一种方法、一种非易失性存储器和一种控制设备。
背景技术
大体上，透明载体譬如玻璃盘、薄膜等的光学特性可以借助涂布来改变。传统上，例如窗玻璃配备有涂布，所述涂布要尽可能反射红外光并且在此同时要具有一定的美观性或视觉透明性。在例如涂布的玻璃片的透明性与反射特性之间的平衡得到复杂的参数相关关系，尤其是在使用具有多个相叠地设置的层的层系统的情况下。除了光学材料特性之外，也可以考虑光学特性的以及散射关系角度相关性。因此，已经开发了多种层系统，所述层系统与特定的使用目的匹配。
对层系统的成本降低的升高的要求(例如通过简化制造方法、更快速的可支配性和更有利的材料)以及对层系统质量保证的要求、化学以及机械鲁棒性和光学性能常常只能由传统的层系统部分满足。尤其是，在高光学性能的情况下，由于更高的质量保证的开销必须容忍更高的成本。
在传统的制造链中，基于所追求的光学特性执行一系列仿真，以便找出如下层系统，其尽可能接近所追求的光学特性(也称作层规划)。仿真基于如下模型，该模型参数化各个层的特性并且基于此计算整个层系统的光学特性。在下文中，模型的参数如层的化学组分、其数量、其折射率、其顺序、其厚度等改变，直至所计算的光学特性和所追求的光学特性尽可能直观地满足。结果，得到了各个要制造的层的参数，如其化学组分、其折射率和其厚度，其作为期望层系统被存储。当然原理上，存在仅难以一目了然地高的和难以完全确定的多种层系统，其与所追求的光学特性匹配。因此，层规划可以引起高数量的合适的层系统，从这些层系统中选择最合适的层。
在制造所计算的层系统时，涂布设备根据要制造的期望层系统来配置。为了质量保证，对所制造的层系统进行光学测量，并且将实际的光学特性与所追求的光学特性比较。如果光学特性彼此偏差过大，则必须调整涂布设备。
为此，类似于层规划，借助补偿计算改变模型的参数，直至所计算的光学特性与测得的光学特性尽可能直观地满足。结果，获得各个层的实际参数，譬如其厚度，所述层存储作为实际层系统。由实际层系统与期望层系统的比较中可以推断出，如何调整涂布设备。
为此例如参见DE 10 2014 118 878 A1、WO 2014 105 557 A1、WO2016 110 407A1、Deus等人的(“Strategies for In-Situ Evaluation of Optical Layer Stacks inLarge-Area In-Line Production Systems”，49th Annual Technical ConferenceProceedings，2006，ISSN 0737-5921)或Theiss等人的(“Serial,Parallel and Serious-Optical Production Control for Thin Film Deposition Systems”，57th AnnualTechnical Conference Proceedings，Chicago，IL May 3–8，2014，ISSN 0737-5921)。
当然，所述方法的复杂性随着层系统的层的数量急剧升高，使得多于五个的层已经导致几乎不可克服的计算开销和高风险，所计算的实际层系统不与实际制造的层系统匹配即仿真失败。这原因尤其在于上述的情况，原理上存在难以一目了然地高的和难以完全确定的多种层系统，所述层系统与所测得的光学特性匹配。因此，对于比较计算也可以存在高度多样的收敛方案，并且根据所选择的边缘条件(Rangbedingungen)，存在与之相联系的参数组，补偿计算可以收敛于所述参数组。
因此，传统上进行多次测量，这些测量在制造过程的不同的阶段中检测要制造的层系统，例如所有四个层，使得可用的信息的数量和由此可推断的边界条件的数量升高，使得层系统的不同阶段的参数组会彼此融入。直观上，之前的制造阶段的参数组用作为用于对之后的制造阶段的补偿计算的边界条件。由此，逐步地推断出所制造的层系统的参数。
该方法尽管减小了仿真失败的风险，但开销从计算方移动到测量方，使得与之联系的开销仍然导致高成本。由于费事的计算，同样不能容易地实施涂布设备的自动化的调节，因为不能确信补偿计算的结果。因此，质量保证只能利用广博的知识和长期的经验来实施并且必须持续地手动再校准和/或检验。
发明内容
根据不同的实施形式，直观上已认识到，为了调整涂布设备，相比于补偿计算所提供的信息更小数量的信息就足够了。因此，可以降低确定实际层系统的复杂性，其方式是：省去了获得全面限定的实际层系统。由此，降低了要确定的参数的数量，这为每个参数又提供更多信息。
直观上已认识到，从已知了涂布设备制造具有所追求的特性的层堆叠的工作点开始，涂布设备可以简化其控制和/或调节。该工作点作为起始点即作为边界条件使用，以便降低复杂性。调节直观上并不尝试确定层堆叠的各个层的所有参数而是仅仅确定工作点的要进行的调整，以便考虑已知的工作点。
在此情况下已认识到，从已知的工作点开始，制造的层系统的光学的特性的改变明确地可以映射到工作点的要进行的变化上，例如借助模型的选择。由此通过实施调节简化了制造过程，其质量保证。例如，可以存在多个模型，其提供了双射(rechtseindeutig)映射到工作点的要进行改变的目标集合中，从所述工作点例如可以选择模型。
根据不同的实施形式，用于涂布的方法可以具有如下：借助多个涂布过程在第一衬底上形成第一层堆叠，其中每个涂布过程形成第一层堆叠中的至少一层；检测第一层堆叠的光学光谱；通过使用模型针对多个涂布过程中的至少一个涂布过程确定校正信息，其中该模型提供了在光谱与期望光谱的偏差与校正信息之间的双射(rechtseindeutig)的映射函数(例如函数关系)；以及通过使用校正信息改变至少一个调节参数来调节多个涂布过程的至少一个涂布过程；并且借助多个涂布过程在使用改变的调节参数的情况下在第一衬底或第二衬底上形成第二层堆叠，其中每个涂布过程形成第二层堆叠的至少一个层。
附图说明
在附图中：
图1以示意性流程图示出了根据不同的实施形式的方法；
图2以多个示意性图表示出了该方法；
图3以示意性流程图示出了根据不同的实施形式的方法；
图4示出了根据不同的实施形式的层堆叠的示意性侧视图或横截面视图；
图5和图6分别示出了根据不同的实施形式的方法的示意性流程图；
图7A和图7B分别示出了根据不同的实施形式的方法中的涂布设备的示意性侧视图或横截面视图；
图8分别示出了根据不同的实施形式的方法的示意性流程图；
图9示出了根据不同的实施形式的方法的示意性俯视图；以及
图10示出了根据不同的实施形式的用于涂布衬底物的方法的示意性流程图。
具体实施方式
在后续详细的描述中参考所附的附图，所述附图构成说明书的部分并且在所述附图中为了阐述而示出了特定的实施形式，在所述实施形式中可以实现本发明。在这方面，参照所描述的一个(多个)附图的定向而使用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“向前”、“向后”等等。因为实施方式的部件能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语用于说明而不无任何限定。要理解的是，可以使用其他的实施方式并且可以进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就可以将在此描述的不同的示例性的实施方式的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为受限制的意义，并且本发明的保护范围通过附上的权利要求来限定。
在本说明书的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦合”用于描述直接的和间接的(例如欧姆性和/或能导电的例如能导电的连接)连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦合。在附图中，只要是适当的，相同的或相似的元件设有相同的附图标记。
根据不同的实施形式，物理变量(例如辐射功率)可以理解为变量，所述变量表示物理实例(例如对象、过程或状态)的可定量检测的特性(例如描述其和/或与之相关)。其值(大小值)可选地可以与时间t和/或位置P有关，例如被反射的和/或被透射的电磁辐射的组成。可选地，物理变量例如可以具有电场、关于物理空间和/或在时间中的各向异性，即变量值与测量方向和/或测量序列有关。例如，信号强度通常可以表示信号(例如测量信号)的电学变量，例如其电流、电压、幅度、功率、等效值、峰值等等。
一般而言，可以使用不同的(物理)变量，以便表示物理实体(例如物体、过程或状态)的相同特性。不同的物理变量可以彼此(例如借助仅仅不可变的变量和/或实体内在的固有的变量)联系(例如双射(rechtseindeutig)和/或单射(linkseindeutig))，使得在考虑到所述联系的情况下(例如函数和彼此间的相关性)可以彼此转化。这样，例如脉冲和动能是质量和速度的函数，即借助质量和速度彼此联系，并且例如可以在知晓质量的情况下表示速度两者和/或相互表示。换言之，不同联系的(物理)变量可以相互转换，即其也彼此表示。彼此表示的变量例如可以具有相同的类型，例如运动学的、机械的、几何的、热运动的、电学的、磁的、放射学的(例如广光度测定的、例如，光学的)等等。
控制可以根据不同的实施形式理解为对系统的有意的影响。在此，系统的状态可以根据预设来改变。调节可以理解为控制，其中附加地克服系统因干扰引起的状态改变。直观上，控制装置可以具有向上定向的控制路径并且因此直观上实施流程控制，其将输入变量转化为输出变量。但控制段也可以是调节回路的一部分，使得实施调节。调节与纯粹前向控制不同具有输出变量对输入变量的持续的影响，所述影响通过调节回路实现(反馈)。换言之，对控制装置替选地或附加地，可以使用调节装置或对控制替选地或附加地进行调节。在调节装置中，调节变量的实际值(例如，基于测量值确定)与参考值(期望值或预设或预设值)比较。基于此，调节变量可以借助设定变量(在使用调节环节的情况下)受影响，使得尽可能得到调节变量的相应实际值与参考值的小的偏差。
根据不同的实施形式，能够实现，涂布设备(例如玻璃涂布设备，英语：“glasscoater”)配备有控制装置和/或调节装置(例如经由软件实现)，其能够实现部分自动或全自动地创建层系统，投入运行并且在运行期间保持稳定。
根据不同的实施形式，提供或被提供和/或易化如下中的至少一个：
·配置(例如校准)涂布设备和/或起动(启动)涂布设备；
·自动地调整(校准)涂布设备；
·跟踪涂布设备的工作点(例如过程参数)，例如以便将层系统的光学特性保持尽可能恒定，例如在生产期间获得在层系统中的恒定的生产特性；
·跟踪涂布设备的工作点，例如以便尽可能接近所追求的光学特性，例如在生产期间获得在层系统中的最小化的颜色值偏差；
·快速地配置(例如校准)涂布设备，以制造已知的层系统(例如，从层厚度平均值开始)；
·快速地配置涂布设备，以制造新的层系统(例如关于层厚度平均值)。
例如，可以极大地简化借助自动化的调节跟踪工作点，如之后还予以更详细地描述的那样。
根据不同的实施形式，所提供的控制和/或调节可以用于稳定光学生产特性(颜色、透射性、反射性)，例如通过稳定中点中的层厚度。例如，所追求的生产特性可以调节或被调节一次或借助控制和/或调节来稳定和/或获得。
根据不同的实施形式，一个或每个衬底(例如衬底物)可以具有薄膜和/或玻璃板或由此形成。例如，(例如柔韧的)低发射层压件可以具有如下：两个透明的薄膜；和根据不同的实施形式的在两个薄膜之间的层系统。例如，刚性的或柔韧的载体(例如具有玻璃或金属和/或呈板、薄膜、带的形状，例如呈金属带的形式，和/或晶片)可以用作衬底，并且借助真空辅助的涂布涂布或被涂布以层堆叠(例如低发射多层系统)。
根据不同的实施形式，该层堆叠可以具有光学的低发射多层系统或者由其构成。低发射多层系统可以具有：介电底层装置(例如具有一个或多个层)和介电的盖层装置(例如具有一个或多个层)；功能层装置(例如具有一个或多个层)，其具有金属的功能层和在底层装置与盖层装置之间设置，其中盖层装置可选地具有至少一个保护层。保护层例如可以具有半金属(例如，硅)和/或非金属(例如氮)、其氮化物和/或其氧化物。
根据不同的实施形式，提供层堆叠，其具有大约70％的对光的透射系数(Tvis)(也称作透射率)，例如针对汽车的窗玻璃(前档玻璃)的折射系数。用于低发射多层系统的所提供的大于70％的透射率例如可以与电磁辐射的确定的波长范围(也称作带通)有关，例如与可见光(即从大约380nm到大约780nm的波长范围)或边界波长或550nm有关。
可选地，层堆叠和/或衬底可以是透明的。在该说明书的范围中，术语“透明”(例如透射光的)可以用于，(例如衬底或层)或材料具有如下的透射率，使得射到其上的电磁辐射(例如光)的大部分与被其吸收和/或反射相比更多地穿过其。透射光的结构或材料例如可以半透明地(部分透射光地)构成。换言之，在带通范围内的透射率可以大于反射率和/或吸收率(例如至少两倍、三倍、五倍或十倍大)，即其总和。
透射系数(也称作透射率)可以表示电磁辐射(例如可见光)的穿过结构(例如层系统)或材料的部分。反射率(也称作反射系数)可以表示入射的电磁辐射的被结构或材料反射的部分(例如被再反射)。反射率可以考虑定向反射的辐射(直观上向回反射)、漫反射的辐射和/或再发射的辐射。系数率(也称作吸收系数)可以表示入射的电磁辐射的被结构或材料吸收的部分(即吸收的和/或耗费)，例如其方式是：所述部分转换成热。
透明结构或透明材料可以具有透射率(透射系数)，其大于大约50％、例如大于大约60％、例如大于大约70％、例如大于大约80％，例如大于大约90％。例如，透射率可以在大约70％到大约99％的范围中。
根据涂布的使用领域(例如具有一个或多于一个的层堆叠)可以调整其透射率(T)、吸收率(A)、反射率(R)和/或发射率，使得例如可见光被透过和/或红外辐射(IR辐射)被反射和/或几乎不发射。换言之，涂布可以构成为光学滤波器或光学反射器。在热平衡(即空间和/或时间的温度差ΔT基本上消失)中，电磁辐射的吸收和放射可以至少部分(例如基本上)消除，使得可以简化涂布的技术设计，其方式是：所观察的参数可以针对透射率(滤波器)和反射率(反射器)来优化。换言之，本体在热平衡中吸收和放射辐射。在此，针对玻璃化(玻璃在IR中例如不透明)在T＝0(或透射率至少基本上等于零)可以与吸收成比例(A＝1-R)有关地辐出(即放射)更长波长的(例如在红外光谱范围中)热辐射(一般而言所放射的辐射)。相应地，这里所提供的低放射多层系统(例如IRR涂布)可以实现在IR光谱范围(红外光谱范围)中的高反射率(R)，这又表示低的吸收率和由此表示低的辐射(low-E)。
一般而言，透射率根据结构的或材料的光学特性可以与电磁辐射的波长有关。例如，结构或材料可以对于一个或多个波长范围是透明的，而结构或材料对于一个或多个附加的波长范围是不透明的(也称作不透明)，即将其滤除。一个或多个被滤除的波长范围可以被吸收和/或被反射。结构或材料的光学特性的另一方面是发射率，其描述了，多少电磁辐射与理想的热辐射器即黑体相比在相同的温度下被输出(放射)。
根据不同的实施形式，介电的材料或介电的结构(例如层)可以理解为电绝缘，例如具有小于10-6西门子/米的导电率。介电材料或介电结构例如可以具有氧化的和/或氮化的陶瓷(例如作为金属的化合物)或由其形成。氧化可以理解为，材料或结构可以具有氧化物化合物(例如金属氧化物)或由其形成。氮化可以理解为，材料或结构可以具有氮化物化合物(例如金属氮化物)或由其形成。介电材料或介电结构可以是透明的。
在该说明书的范围内，金属(也称作金属的材料)具有至少一种金属元素(例如一种或多种金属元素)(或由其形成)，例如如下元素组中的至少一种元素：铜(Cu)，铁(Fe)，钛(Ti)，镍(Ni)，银(Ag)，铬(Cr)，铂(Pt)，金(Au)，锰(Mg)，铝(Al)，锆(Zr)，钽(Ta)，钼(Mo)，钨(W)，钒(V)，钡(Ba)，铟(In)，钙(Ca)，铪(Hf)和/或钐(Sm)。
根据不同的实施形式，真空辅助的涂布(例如形成层堆叠的各个层)可以借助放电(也称作等离子体)提供。为此，借助阴极可以将形成等离子体的(例如惰性的)气体离子化，其中借助这里形成的等离子体可以将阴极的要沉积的材料(也称作标靶)雾化(也称作溅射)。雾化的材料接着可以施加给衬底，该材料可以沉积在衬底上并且可以形成层(也称作涂布)。阴极雾化的改性是借助磁控管的溅射，所谓的磁控管溅射，例如反应性磁控管溅射器或非反应性的磁控管溅射。在此，形成等离子体可以借助磁场辅助，该磁场可以影响形成等离子体的气体的离子化率。磁场可以借助磁体系统产生，其中借助磁场可以构成等离子体通道，在等离子体通道中可以形成等离子体。为了溅射，涂布材料可以作为固体(也称作靶标)设置在等离子体通道与磁体系统之间，使得靶标可以被磁场穿透并且可以在靶标上构成等离子体通道。形成等离子体的气体(例如氩)可以与可选的反应气体形成工艺气体，溅射在该工艺气体中进行。借助反应气体可以进行反应的磁控管溅射。
从限定集合映射到目标集合的双射(rechtseindeutig：双射)的映射函数可以理解为，限定集合的每个元素(也称作原型，例如x值)关联有或者被关联有目标集合的恰好一个元素(也称作映射，例如y值)。换言之，双射的映射函数可以将限定集合A的各元素单射地映射到目标集合B的元素上。直观上，限定集合(即要映射的数量或“单射”)的元素都不能够具有目标集合的多于一个的所分配的对应件(即“右侧”)。换言之，每个功能值被假设恰好一次。这要与单射函数(linkseindeutig)(所谓单射---)区分开，其中在右侧上没有元素会在左侧上具有多于一个的对应件。
图1阐明了根据不同的实施形式的方法100的示意性流程图。
该方法100可以具有：借助多个涂布过程在第一衬底上形成第一层堆叠，在103，检测第一层堆叠的光学光谱(也称作光谱检测103)，在105，确定校正信息，在107，改变至少一个(即恰好一个或多于一个的例如每个)调节参数，以调节至少一个涂布过程(例如针对多个涂布过程的每个涂布过程)，和在109，借助多个涂布过程通过使用改变的调节参数在第一或第二衬底上形成第二层堆叠。
涂布过程中的每个涂布过程可以形成第一涂布堆叠和/或第二层堆叠的至少一个层。
确定105校正信息可以针对多个涂布过程中的至少一个(即恰好一个或多于一个的，例如每个)涂布过程进行。换言之，至少一个涂布过程可以具有多个涂布过程中的恰好一个或多于一个的涂布过程，例如多个涂布过程中的每个涂布过程。
确定105校正信息可以通过使用模型来进行。该模型可以提供在所测得的光谱与预设的期望光谱的偏差与校正信息之间的映射函数(例如函数关系)。两个光谱彼此间(例如所测得的光谱与期望的光谱)的偏差也可以称作光谱偏差。例如，期望光谱可以以数据形式保存在存储器中。
改变107可以通过使用校准信息进行。形成109第二层堆叠可以通过改变的调节参数进行。
直观上，多个涂布过程可以基于第一层堆叠来表征，和涂布被修正，以便对应于期望特征和借助第二层堆叠的被修正的多个涂布过程形成期望特征。
第一层堆叠和第二层堆叠例如可以在相同的衬底上形成，例如时间上相继地形成。例如，第一层堆叠和第二层堆叠可以是衬底的连贯的涂布的一部分。例如，可以改变至少一个调节参数，而对第一衬底涂布(例如长的板或带形的衬底)，例如没有中断涂布。
替选地，第一层堆叠和第二层堆叠可以形成在不同的衬底上或被形成，例如时间上相继地形成。在第一衬底与第二衬底之间可选地可以涂布至少一个附加的衬底或被形成，例如借助多个涂布过程形成。例如，第一层堆叠和第二层堆叠(例如时间上和/或空间上)可以彼此分离或被分离。替选地或附加地，改变至少一个调节参数，而连续的电流在衬底上(例如称作衬底物)借助多个涂布过程涂布，例如不中断涂布。
一般而言，至少一个(即一个或多于一个的)调节参数可以是如下参数，所述参数限定了至少一个涂布过程的工作点。例如，所述或每个涂布过程的工作点可以由多个调节参数限定。例如，至少一个调节参数可以具有如下参数中的至少一个：(衬底的)运输速度、涂布速率、气体流量、电压、电流、电功率、温度、化学气体分量、输送给涂布过程的气体的空间分布、工艺压力、气体部分压力。
图2阐明了方法100、300的多个示意性曲线图211、213和215，在所述曲线图中作为辐射度测量的(例如测光的)变量203关于运动学的变量201阐明了光学光谱。
根据不同的实施形式，一个或该辐射度测量的(例如测光的)变量可以表示辐射能量(单位为焦耳)和/或其分布，例如其空间分布和/或时间分布(例如功率)。例如，辐射度测量的变量可以具有如下变量或由如下变量形成：辐射功率(单位：瓦特)，辐射能量(单位：焦耳)，辐射强度(对应于每个空间角度的辐射功率，单位：瓦特/立体弧度)、照明强度(对应于每个有效接收器面的辐射功率，单位：瓦特/平方米)、比辐射(对应于每个有效的发射器面的辐射功率，单位：瓦特/平方米)；照度(Bestrahlung)(对应于每个有效的接收器面的辐射能量，单位：焦耳/平方米)；和/或射束密度(对应于每个空间角度和每个有效的发射器面的辐射功率，单位：瓦特/平方米和立体弧度)。直观上，辐射度测量的变量可以表示电磁辐射的性质，例如其功率(单位时间的能量)或其空间分布(例如归一化到空间角度上和/或作用面)。辐射度测量的(例如测光的)变量例如可以表示由图像源射出的辐射能量，与其是自发射(例如发射光)还是仅仅反射照度(例如反射光)无关。
参考光，辐射功率也可以称作光通量，辐射能量称作光量，辐射强度称作光强度，照射强度称作照明强度，比辐射称作比光辐射，照度称作曝光和/或射束密度称作发光密度。光可以理解为在大约380nm到大约780nm的波长范围中的电磁辐射。
运动学变量201可以表示所检测的辐射的能量组成。例如，运动学变量201可以是波长或频率。
根据不同的实施形式，在辐射度测量的变量203与运动学变量201之间的关系可以理解为光谱。例如，针对运动学变量201的每个值的光谱可以关联有辐射度测量的变量203的值。直观上，光谱可以说明信号的组成(例如电磁辐射)，例如由不同的频率和/或波长构成。例如，光谱可以说明特定的波长或频率在总的电磁辐射的比例，例如其强度和/或功率。
光谱例如可以根据运动学变量201说明，辐射以何种强度被层堆叠反射和/或穿透。例如，光谱可以说明与波长相关的反射率和/或与波长相关的透射率。
光学光谱可以涉及光学辐射。光学辐射一般而言可以理解为紫外辐射(10nm-380nm)，红外辐射(1mm-780mm)和/或在其之间的可见辐射(380nm-780nm)，即具有范围从大约10nm(纳米)到大约1mm(毫米)的波长的电磁辐射，例如具有范围为大约300nm到大约850nm的波长的电磁辐射。换言之，光学光谱可以指的是具有范围从大约10nm到大约1mm的波长的电磁辐射，例如具有范围从大约300nm到大约850nm的波长的电磁辐射。
方法100、300在215可以具有：将两个光谱(例如第一光谱I1和第二光谱I2)相比比较。
对于方法100，第一光谱I1在211例如可以具有预定的光谱ISoll或者由其形成(也称作期望光谱ISoll)。期望光谱ISoll直观上可以表示所追求的光学特性，例如满足确定的预设。对方法100替选地或附加地，对于方法300，第一光谱I1可以具有层堆叠的光谱IIst或由其形成，其被检测301(也称作光谱检测301)。第二光谱I2可以具有层堆叠的光谱IIst或由其形成，其被检测。该方法100、300可以在例如211、213中具有：检测103、303层堆叠的光谱IIst(也称作实际光谱IIst)。
检测103、301、303实际光谱IIst(例如该子光谱或每个子光谱)可以具有：针对运动学变量201的多个值(例如针对多个波长)检测辐射度测量的(例如测光的)变量203，例如针对运动学变量201的多于10个(例如多于25个、多于50个、多于100个、多于120个、多于250个或多于500个)的值来检测。
可选地，第一光谱I1(例如第一实际光谱IIst和/或期望光谱ISoll)和/或第二光谱I2可以具有离散的光谱或由其形成。
第一光谱I1和/或第二光谱I2可选地可以具有多个子光谱和/或与位置有关。例如，可以检测103一个或多于一个的子光谱或被检测，例如在层堆叠的不同的部位处和/或不同类型的光谱进行检测。例如，可以检测如下类型的子光谱中的至少一个或被检测；反射光谱和/或透射光谱。可替选或附加地，子光谱可以是幅谱，频谱。
与位置有关的光谱(也称作位置光谱)例如可以具有多个(例如两个、三个、四个、五个、六个、七个、八个、九个、十个或多于十个)子光谱，其中每个子光谱关联有层堆叠的恰好一个区域(也称作层区域)，例如与之相关。例如，每个子光谱(例如反射光谱和/或透射光谱)可以在层堆叠的第一层区域上和/或在第二层区域上检测或被检测，例如在多于两个的(例如三个、四个、五个、六个、七个、八个、九个、十个或多于十个)层区域上检测。该或每个层区域例如可以设置为或被设置为，使得其可以与直线相交。例如，该或每个检测区域可以具有至少一个点，其中这些点是共线的(例如在该线上)。该线例如可以横向于该或者每个衬底的运输方向，如以后还要详细描述的那样。
一个或多于一个的子光谱在下文中简化地总称为光谱(例如实际光谱IIst或期望光谱ISoll)。
该方法100在215具有：确定第一光谱I1和/或第二光谱I2彼此间的光谱偏差。例如，光谱偏差可以至少(在第一维度上)具有多个分量，如两个光谱中的一个(例如第一光谱I1和/或第二光谱I2)具有子光谱。替选地或附加地，光谱偏差可以至少(在第二维度上)具有多个分量，如两个光谱中的一个(例如实际光谱IIst)具有运动学变量201的值(例如，如存在多个测量点)。换言之，光谱偏差可以具有张量(例如，第三或更低阶的张量)，例如矩阵(即第二阶的张量)例如向量(即一阶的张量)。接收张量的向量的数量也称作张量的秩或阶。
张量的多线性能够实现光谱偏差的值作为函数表示为任意基础向量。例如，张量可以具有第一基本向量，该第一基本向量是位置向量，和/或具有第二基本向量，该第二基本向量是运动学向量。张量将基本向量所映射的值称作张量的分量。
然而一般而言，光谱偏差(或通常张量)可以以其他方式表达。例如，张量的分量也可以成列地彼此或并排地描述。尽管在下文中使用更为常用的张量、矩阵和向量。但可以理解为，其也通常通过元组来表达，所述元组表示相应的分量的与描述和表述无关的集合，其数量限定了元素的范围。n元组是n个分量的汇总。n元组同样通常可以借助n位的关联关系(Verknüpfung)描述或可以借助n位的关联关系映射到n元组上。
在215阐明的光谱偏差A例如可以具有三个分量，其中每个分量关联有运动学变量201的一个值(例如波长)ε1到ε3。
值ε1至ε3的差Δ(ε)＝I1(ε)-I2(ε)可以表达为元组ΔI＝(Δ(ε1),Δ(ε2),Δ(ε3))。一般而言，对于n个值ε1至εn，其可以为光谱偏差ΔI＝(Δ(ε1),…,Δ(εn))(其中n为自然数并且参考所述值)。
可选地，该方法100可以具有：确定期望光谱ISoll，如下文中详细描述的那样。例如，可以形成在第一层堆叠之前形成的层堆叠(也称作参考层堆叠)，例如在第一衬底上或在第一衬底之前被涂布的衬底上(也称作参考衬底)，其光谱用作期望光谱ISoll。
可选地，(例如为了使层堆叠的光学特性稳定)，可以检测在所涂布的衬底的相对置的侧上的透射和反射，即在衬底侧(例如玻璃侧)和在层堆叠侧上(即涂布侧)。透射和反射可以与波长有关地并且横向于运输方向横向地分辨地检测或被检测。所检测的测量结果与期望光谱ISoll的之前确定的或预设的期望值比较。从光谱偏差中直观上生成用于功率匹配和用于针对各个磁控管的气体分布的数据。
图3阐明了根据不同的实施形式的方法300的示意性流程图。
该方法300可以具有：在309，改变多个涂布过程中的一个涂布过程，而在307，确定模型。改变309可选地可以针对多个涂布过程中的每个涂布过程进行。
该方法309可以具有：在301(也称作光谱检测301)，检测借助多个涂布过程涂布的至少一个衬底的第一光学光谱(所述衬底例如以第一涂布堆叠涂布)，在303(也称作光谱检测303)，检测借助多个涂布过程涂布的至少一个衬底的第二光学光谱(所述衬底例如利用第二层堆叠涂布)，在305，改变涂布过程的至少一个(即恰好一个或多于一个的，例如每个)调节参数。
该改变305在时间上可以在检测第一光学光谱与检测第二光学光谱之间进行。
模型可以针对多个涂布过程中的每个涂布过程可以建立在光谱偏差(即对应的第二光谱与第一光谱的光谱偏差)与至少一个调节参数的改变之间的映射函数。
可选地，改变309多个涂布过程中的涂布过程可以重复。可选地，第一光学的光谱和/或第二光学的光谱可以用作实际光谱或被用作实际光谱，例如在方法100中。
图4阐明了根据不同的实施形式的层堆叠400的示意性侧视图或横截面视图。
层堆叠400可以具有多个层例如M个层S1,…,Sj,…,SM，其中j连续地编号所述层(即参考)和M是自然数和表示层堆叠400的层的数量。M例如可以大于5、7、10、12、14、16、20或25。一般而言，层堆叠400的实际光谱IIst可以与层堆叠400的每个层的厚度d有关(也称作层厚度d)。为了更容易理解，在下文中参考与波长λi有关的透射光谱T，并且层堆叠400的所有层的厚度描述了向量其第j分量说明了第j个层Sj的厚度dj。应理解的是，后续针对透射光谱T的解释大体上可以转用于其他光谱例如第一光谱I1(例如第一实际光谱IIst)和/或第二光谱I2(例如第二实际光谱IIst)，和不同于波长的运动学变量201(例如频率)。
针对由M个层构成的层堆叠400，在小的层厚度改变的情况下将波长λi的透射T(λi)描述为泰勒级数展开。
向量表示层堆叠400的各个层S1,…,Sj,…,SM的层厚度改变。向量表示层堆叠400的各个层S1,…,Sj,…,SM的层厚度改变的平方。
为了简化，在下文中要观察一阶近似。
在一阶近似中，对于小的可以在第一级数项之后就中断泰勒级数展开。同样，需要层彼此间的相互作用，即该式子的导数
不必要予以考虑。
在一阶近似中因此得到：
为了更简单的描述方式，T(λi)可以针对所有所测量的波长λi描述为透射向量其第i分量说明了在第i波长λi的情况下的透射或者透射率。相应地适用于T0(λi)。
由此，一阶近似可以以矩阵形式描述，其中矩阵的这些分量是对所有波长的导数，即：
根据该关系，可以进行校准300，如在下文中详细描述的那样。
从该关系中于是一般表示为：可理解为，矩阵考虑，层厚度d与恰好一个调节参数有关。在有多个调节参数的情况下，矩阵可以添加另一维度，该另一维度考虑每个层的多个调节参数，即矩阵转变为三阶的张量可选地，可以考虑其他影响变量，使得一般可以使用第n阶的张量
一般而言，表述也可以以方程组来表述，该方程组具有多个方程，其中每个方程关联有的一个分量。该方程式可以视复杂性例如具有30x480个变量。可选地，该方程组可以参数化，执行优化方法。
图5阐明了根据不同的实施形式的方法300的示意性流程图500。
检测301第一光学光谱I1可以具有：在第一工作点中施加多个涂布过程。在第一工作点中，检测501a和/或存储501a第一光学光谱I1如第一透射光谱换言之，在第一工作点中形成第一层堆叠400a，并且检测其光学光谱I1。
改变305至少一个调节参数可以具有：将第一工作点转化为第二工作点。例如，可以改变涂布过程的至少一个(即恰好一个或多于一个)调节参数，其中改变的至少一个调节参数限定了第二工作点。例如，借助第二层S2的工作点的改变来改变第二厚度d2，如示例性地在图5中阐明的那样，所述第二层借助涂布过程形成。
例如，调节参数的改变与调节参数R的比值(例如逐分量和/或其绝对值)可以小于界限，该界限例如可以是预设的或被预设(例如作为上限)。该界限例如可以是大约0.01例如大约10-3。换言之，调节参数的相对改变可以小于该界限。例如，电功率的相对改变(例如逐分量(和/或其绝对值)可以小于该界限。例如，调节装置可以配置为，映射函数的结果(即函数值)被限制到该界限上。
在第二工作点中，可以检测501b和/或存储501b第二光学光谱I2。换言之，在第二工作点中形成第二层堆叠400a，并且检测501b其光学光谱I2。在第j工作点中，可以检测501j和/或存储501j第j光学光谱Ij。换言之，在第j工作点中形成第j层堆叠400j，并且检测其光学光谱501j。多个涂布过程的工作点的改变可以继续(例如M次)，直至多个涂布过程中的每个涂布过程在其调节参数中已被改变至少一次。
作为结果，于是例如存在多个(例如M个)光谱I1,…,Ij,…,IM，其中每个光谱与层堆叠的一个层或其厚度变化Δd关联。在第i波长λi的情况下第j光谱的改变(即，相关的厚度dj)，即ΔT(λi)/Δdj针对第j层Sj例如得到矩阵的第ij分量。
替选地，矩阵的至少几个(例如所有)分量可以借助仿真来获得。
如果针对多个涂布过程中的每个涂布过程改变多个调节参数，矩阵可以添加另一维度，该另一维度考虑多个调节参数，即矩阵转变为三阶的张量可选地，可以考虑其他影响变量，使得一般可以使用第n阶的张量
在下文中为了更好的理解，首先也要参考矩阵
上述的关系(3)也可以向转换，也描述为：
表述描述逆矩阵根据矩阵的形状和形态以不同方式确定。如果矩阵不是方形矩阵，则代替逆矩阵例如可以使用所谓的伪逆矩阵。
一般而言，表述是的左逆矩阵，即其可以满足如下关系。
其中是单位矩阵。
更为一般地表述为其中可以用作校正信息，基于所述校正信息可以对至少一个调节参数进行改变107。一般而言，表述可以是与同阶的张量。在下文中为了更好地理解，首先也要参考所述矩阵。
例如，可以是的左逆矩阵(linksinverse Matrix)(也称作左逆)，即其可以满足关系其中是单位矩阵。替选地或附加地，矩阵可以是的伪逆。
矩阵的伪逆表示将逆矩阵泛化到奇异的和非方形的矩阵上，因此其常常称作泛化的逆。例如，伪逆可以具有Drazin逆、Bott-Duffin逆或Moore-Penrose逆或由此形成。
左逆变可选地(即并不一定)可以满足关系如果左逆满足关系则左逆例如可以是伪逆。矩阵在如下情况下可以恰好是矩阵的伪逆：所述矩阵满足如下关系中的至少一个(例如所有)：和同样内容适用于更高阶的张量。
伪逆和/或左逆例如可以借助奇异值分解或者其他分解进行，例如借助QR分解进行。
对分解替选地，可以使用优化方法，例如补偿计算，以便确定张量例如，可以使用参数矩阵，其随着边界条件变化，以便使如下关系和中的至少一个(例如所有)关系的偏差(例如误差平方差)最小化。替选地或附加地，可以利用边界条件优化，使得调节参数的改变(例如功率改变)最小化。替选地或附加地，可以利用边界条件优化，使得张量的分量最大和/或分量满足预设的标准(例如，超过阈值)的波长具有在优化方法中的较高的权重。
替选地或附加地，可以由非方形的矩阵形成方形的矩阵例如其方式是：去除其超定性。替选地或附加地，矩阵的第j波长的所有分量(即例如一列)可以被去除，其和最小，例如递归地直至矩阵是方形的或可以形成至少一个伪逆和/或左逆。类似地，仅如下分量可以用于形成矩阵所述分量的值最大和/或其值满足预设的标准(例如超过阈值)。阈值例如可以是所有分量的平均值。
分量最大和/或其值满足该标准的波长的数量也可以称作特征性的波长。该方法300例如可以具有：在特征性的波长处确定该谱或每个谱。
矩阵例如在如下情况下可以方形地配置或被配置：波长λi的波长的数量等于层堆叠400的层的数量M。然而，使用波长λi越多，则该模块可以变得更精确。因此，波长λi的数量可以大于层堆叠400的层的数量M，例如大双倍层数量，例如大五倍层数量，例如大于十倍层数量。
张量例如可以将谱偏差ΔI＝I1-I2例如映射到层厚度的改变上，例如是满射的(surjektiv)和/或双射(rechtseindeutig)的。换言之，映射函数可以提供在谱偏差ΔI＝I1-I2与层厚度之间的函数关系，例如映射规则，根据该映射规则，表述将谱偏差ΔI＝I1-I2，例如映射到层厚度的改变(或一般而言校正信息)。
例如，张量可以配置为，从第一集合(也称作限定集合)映射到第二集合(也称作目标集合)，例如双射。可选地，目标集合可以具有比限定集合更小的维度(即线性不相关的基本向量的数量)。
例如，张量可以配置为，将谱偏差单射地映射到(即恰好一个)校正信息上。一般而言，映射函数可以具有数学(例如明确的和/或线性的)映射规则(例如函数或等式)或由其形成，所述映射函数是双射函数(rechtseindeutig)。
为此，I1(例如)可以用作期望谱，而I2(例如)可以是要测量的实际谱IIst。换言之，
直观上，从与期望预设的谱偏差ΔI，即ΔI＝IIst-ISoll，通过与导数的逆矩阵相乘确定层厚度的改变的向量(也称作层厚度改变)。层厚度改变的向量和谱向量I1、I2(例如透射向量)可以在其维度和/或基方面不同。层厚度改变的向量的维度例如对应于彼此可无关地调节的层的数量。替选地或附加地，谱向量I1、I2的维度例如可以对应于所有所检测到的波长的数量。
一般而言，可以提供或被提供307模型511，其借助映射函数提供了在谱偏差ΔI与层厚度改变之间的数学关系。该数学关系也可以借助其他函数关系来提供或被提供和/或是多位的。
基于所确定的层厚度改变可以修正各个层的当前的层厚度d，例如以便将实际谱(例如透射)反馈到期望谱(例如期望值)。
对于相同的层堆叠400可以确定307模型511，例如仅仅一次。模型511可以确定一次，实施成控制设备或被实施成控制设备，其对多个涂布过程进行控制和/或调节。
模型511能够实现例如仅仅基于基本计算运算(例如加法和乘法)执行层厚度改变的的向量的计算。这简化了在控制设备中的模型511的实现。
图6阐明了根据不同的实施形式的方法300的示意性流程图600。
第j层Sj的层厚度的改变Δdj可以与多个涂布过程中的相应的用于其制造的涂布过程的调节参数的改变107、305相关。例如，调节参数的改变107、305可以实现输送给涂布过程的电功率P的改变和/或是输送给涂布过程的电功率P的改变例如改变溅射功率。例如，在层厚度dj与调节参数例如电功率P之间可以存在单调关系。
该情况可以用于使模型511与多个涂布过程中的调节参数R1,…,RM有关。
在泰勒展开的一阶近似中，类似关系(3)和(4)是
向量示例性地表示电功率P的改变，类似于层厚度改变的向量的符号。
一般而言，其中张量在此可以涉及电功率并且可以称作校正信息。
一般而言，代替透射谱可以使用其他谱I1、I2和代替电功率P也可以使用其他调节参数R，其以向量描述方式的改变是校正信息于是，即
通常，校正信息可以表示调节参数R的要进行的改变，例如要将调节参数改变的差。校正信息例如可以具有功率改变ΔP或者由其形成。
图7A和图7B阐明了在根据不同的实施形式的方法100和/或方法300中的涂布设备700a、700b的示意性侧视图或横截面视图。
根据不同的实施形式，涂布设备700a、700b可以具有至少一个真空腔室102，例如借助多个涂布过程在其中涂布至少一个衬底112。例如，涂布设备700a、700b可以具有多个涂布区域706a至706M，其中在每个涂布区域中进行多个涂布过程中的一个涂布过程。可选地，涂布区域706a至706M可以不同地彼此气体分离例如借助腔室壁、隔板、流阻部、缩窄部等。
此外，涂布设备700a、700b可以具有运输设备108，用于将至少一个衬底112沿着运输路径111p或在运输方向11p上运输穿过至少一个真空腔室102，例如穿过多个涂布区域706a至706M。此外，涂布设备700a、700b可以具有多个涂布设备704a至704M，其中每个涂布设备提供多个涂布过程中的一个涂布过程，即层堆叠400中的至少一层。该涂布设备或每个涂布设备704a至704M可以配置为在运输路径111p的方向上和/或在运输面111f的方向上放射至少一种涂布材料，涂布材料沉积在至少一个衬底112上，所述衬底形成相应的层S1,…,SM。
至少一个真空腔室102可以借助腔室壳体来提供或被提供。至少一个真空腔室102可以构成为在其中产生真空和/或保持真空。例如，涂布设备700a、700b可以具有多个真空腔室，其中例如每两个彼此直接相邻的真空腔室彼此邻接。多个真空腔室102可以借助衬底转移开口彼此连接，使得其例如形成共同的真空系统。真空系统可以对外基本上气密地封闭，例如借助至少一个阀、至少一个腔室盖和/或至少一个运输开口活门封闭。
根据不同的实施形式，涂布设备700a、700b可以具有真空泵装置814(具有至少一个主真空泵和/或粗真空泵)。真空泵装置814可以配置为，从至少一个真空腔室102抽取气体(例如工艺气体)，使得在所述至少一个真空腔室102内可以提供或被提供真空(即，小于0.3bar的压力)和/或在大约103mbar(毫巴)到大约10-7mbar的范围中的压力(换言之高真空)或小于高真空的压力，例如小于大约10-7mbar的压力(换言之超高真空)。工艺气体可以是工作气体和可选地具有反应气体或由多种工作气体和多种可选的反应性气体构成的气体混合物。
根据不同的实施形式，涂布设备700a、700b可以具有控制设备1802，所述控制设备可以与涂布设备700a、700b的一个或多个组成部分耦联(虚线示出)，以控制和/或调节多个涂布过程的工作点(直观上限定工艺条件)。控制设备1802可选地可以配置为调节设备，即其控制段可以是调节回路的一部分。
例如，控制设备1802可以配置为，在真空腔室102内的工艺氛围可以被调整或调节，例如在涂布期间。例如，工艺气氛的参数可以用作调节参数，例如工艺压力、工艺温度、工艺气体的化学组成和/或其空间和/或时间分布。
根据不同的实施形式，该涂布设备700a、700b可以具有气体供给装置708。借助气体供给装置708，真空腔室102可以被输送工艺气体，以在真空腔室102中形成工艺气氛。工艺压力可以由平衡的工艺气体形成，工艺气体借助气体供给装置708输送并且借助真空泵装置814来抽取。
根据不同的实施形式，反应性气体可以包括如下项中的至少一种：氢气、水(气体的例如水蒸气)、氧气、氮气、硫化氢、甲烷、气态碳氢化合物、氟、氯或者气态材料。替选地或附加地，工作气体可以具有惰性气体或者由其形成，譬如稀有气体例如氩气。反应性气体可以比工作气体具有更高的化学反应性，例如对涂布材料的化学反应性。
例如，借助控制设备1802可以控制和/或调节气体供给装置708和/或真空泵装置814。例如，气体供给装置708的和/或真空泵装置814的参数可以用作调节参数，例如气体流入部、气体流出部和/或气体流入部或气体流出部的空间分布。
根据不同的实施形式，涂布设备700a的运输设备108可以具有拆卷辊1002a，用于将带形的衬底112朝向涂布区域706拆卷。此外，涂布设备700a的运输设备108可以具有用于卷收带形的衬底112的卷收辊1002b，该衬底被从处理区域706运输。
带状的衬底112(带式衬底)可以具有膜、无纺布、带和/或织物或由其形成。例如，带状的衬底112可以具有金属带、金属膜、塑料带(聚合物带)和/或塑料膜(聚合物膜)或由其形成。根据不同的实施形式，带式衬底112可以具有任意材料或由其形成，例如金属、半金属、聚合物、玻璃或任意其他材料，其可以利用对应小的材料厚度(厚度)和/或作为纤维借助辊700或筒700处理。直观上，带式衬底可以是任意衬底112，其卷收到辊1002a、1002b上和/或可以被卷放，和/或例如一卷一卷地被处理。根据材料，带式衬底112可以具有范围从大约几微米(例如从大约1μm)到大约几毫米(例如到大约10mm)的厚度。
根据不同的实施形式，涂布设备700a的衬底运输设备108可以具有多个运输辊700，其限定了(例如单次或多次弯曲的)运输路径111p(或对应地单次或多次弯曲的运输面111f)，沿着其使带状的衬底112在拆卷辊1002a与卷取辊1002b之间运输经过等离子体形成区域106。
对此可替选地，涂布设备700b的运输设备108可以具有多个运输辊700，所述运输辊配置来运输板状的衬底112。板状的衬底112例如可以平放到运输辊700上地或/或嵌置于衬底载体1110中地被运输。
此外，运输设备108可以具有运输驱动装置1602，该运输驱动装置至少与多个运输辊700中的一部分耦联并且可选地与拆卷辊1002a和卷取辊1002b耦联。例如，运输驱动装置1602可以借助链条、皮带或齿轮与辊700、1002a、1002b耦联。运输辊700和运输驱动装置1602可以是衬底运输设备108的一部分。
可选地，控制设备1802可以构成为，控制和/或调节运输设备108(例如其运输驱动装置1602)。例如，运输设备108的参数可以用作调节参数，例如运输速度、衬底位置、衬底流量等。
此外，控制设备1802可以构成为，控制和/或调节层堆叠400的图像。例如，多个涂布设备704a至704M中的每个涂布设备和/或其能量供给装置的参数可以用作调节参数，例如所吸收的电功率、施加的电压、吸收的电流和/或发射率。
涂布设备根据不同的实施例可以构成为涂布至少一个(即，恰好一个或多于一个)衬底112，所述衬底例如被运输穿过相应的涂布区域。例如，涂布设备可以构成为提供气态的涂布材料(例如材料蒸汽)和/或液态涂布材料，气态涂布材料和/或液态涂布材料例如沉积在至少一个衬底112上，以形成一层。涂布设备可以具有如下中的至少一个：溅射设备，热蒸镀设备(例如激光辐射蒸镀器、光弧蒸镀器、电子束蒸镀器和/或热蒸镀器)、前驱气体源和/或液相雾化器。溅射设备可以构建为借助等离子体将涂布材料喷涂。热蒸镀设备可以构建为借助热能蒸镀涂布材料。根据涂布材料的特点，对热蒸镀(即将液态状态(液相)热转化为气态状态(气相))替选地或附加地，也可以出现升华，即将固态状态(固相)热转化为气态状态。换言之，热蒸镀设备也可以将涂布材料升华。液相雾化器可以构成为施加来自液相的涂布材料，例如颜料。
例如，涂布材料可以具有如下材料中的至少一种材料或由其形成：金属，过渡金属，氧化物(例如金属氧化物或过渡金属氧化物)，介电质，聚合物(例如基于碳的聚合物或基于硅的聚合物)，氮氧化物，氮化物，碳化物，陶瓷；准金属(例如碳)；钙钛矿、玻璃或类玻璃的材料(例如硫化玻璃)；半导体；半导体氧化物；半有机材料和/或有机材料。
此外，涂布设备700a、700b可以具有传感器装置714，该传感器装置构成为检测被涂布的至少一个衬底112的光谱。传感器装置714可以具有一个或多于一个的光学传感器(例如谱仪或分光光度计)，例如一个或多于一个的光电子传感器。
传感器装置714(例如谱仪装置)可以构成为，提供要分析的辐射的波长的差。例如，其可以借助要分析的辐射的方向偏转(例如借助折射和/或衍射)来实现。为此，传感器装置714例如可以具有至少一个棱镜和/或光栅。替选地或附加地，借助傅里叶分析可以检测干涉仪中的频率成分(例如FTIR谱仪)。
可选地，传感器装置714可以具有一个或多于一个的光学辐射源，其配置为，将光学辐射(也称作干涉辐射)，例如可见光沿着运输路径111p发射。该辐射源或每个辐射源例如可以具有光电子辐射发射器(例如固体发射器，譬如发光二极管、自发的或者受激发的辐射发射器)、气体放电发射器(例如荧光灯)和/或普朗克辐射发射器(例如具有螺旋灯丝)或由其形成。
传感器装置714的至少一个或每个辐射源和传感器装置714的至少一个或每个光学传感器可以设置在运输路径111p的相对置的侧上(例如用于发射透射谱)。替选地或附加地，传感器装置714的至少一个或每个辐射源和传感器装置714的至少一个或每个光学传感器可以设置在运输路径111p的相同的侧上(例如用于发射反射谱)。
传感器装置714可以设置或被设置在真空腔室102之内和/或之外。例如，传感器装置714在真空腔室102内不仅可以具有光学传感器而且在真空腔室102之外可以具有至少一个光学传感器。
图8阐明了根据不同的实施形式的方法100和/或方法300的示意性流程图800。
控制设备1802可以配置为执行方法100和/或方法300。例如，控制装置1802可以配置为，借助传感器装置714检测103、301、303所涂布的至少一个衬底的至少一个谱(例如一个或多于一个)501(也称作谱检测103、301、303)。
此外，控制设备1802可以配置为，确定307(也称作模型确定307)模型511和/或通过使用模型511控制和/或调节107(也称作过程控制107)多个涂布过程中的至少一个涂布过程(例如每个)。
模型确定307和/或过程控制107例如可以通过使用第一谱I1和/或第二谱I2中的所检测到的至少一个谱501进行。
控制设备1802例如可以实现模型511，例如借助软件818和/或硬接线818。替选地或附加地，控制设备1802可以实施方法100和/或方法300，例如借助软件818和/或硬接线818。
控制设备1802(例如其调节器)例如可以具有PI调节器(也称作比例积分调节器)。PI调节器可以具有P环节(比例环节)和I环节(积分环节)，其彼此耦联。对PI调节器替选地或附加地，可以使用其他调节器类型，例如P调节器(仅具有P环节)、I调节器(仅具有I环节)、D环节(仅具有微分环节)，PD调节器、带有共轭复变零位的PD2环节和/或PID调节器。
在下文中要示例性地描述PI调节器。在该调节器中，校正信息(直观地为改变向量)可以形成比例和积分分量构成的和。得到：
或替选地表达为
如果校正信息涉及功率P，则可以为由此在透射谱T的情况下是
或替选地表达。
从所述关系的结构中例如得到，针对每个波长λi存在PI调节器。
如果检测多个子谱，则其可选地可以彼此加权，例如彼此不同地加权。例如，至少四个子谱(例如四个测量数据向量)可以被检测，例如恰好一个透射谱和三个反射谱。
例如，可以借助权重因数V1,…,VS加权多个(例如恰好S个)子谱中的每个子谱。例如，校正信息可以具有多个分量其中每个分量关联有实际谱中的恰好一个子谱。于是，例如根据下式确定校正信息
一般而言，校正信息可以表示为
权重因数V1,…,VS可选地可以满足边界条件，例如其和满足预设的标准，例如等于1。例如，在等值的情况下每个权重因数可以具有值1/S。因此，在四个子谱的情况下每个权重因数可以具有0.25的值。
替选地或附加地，权重因数V1,…,VS可以彼此不同和/或都与1/S不同。
例如，实际谱的子谱可以是透射谱(通过脚标T说明)。替选地或附加地，实际谱的子谱可以是衬底侧的反射谱(通过脚标RG说明)。替选地或附加地，实际谱的子谱可以是所描述的侧的反射谱(通过脚标RF说明)。替选地或附加地，实际谱的子谱可以是关于多个检测区域平均的子谱(通过脚标R55说明)。
借助加权的加和相应确定的功率改变向量可以将这些功率改变向量例如合并成共同的向量，使得
其可选地
1＝VT+VRG+VRF+VR55 ⑽
为了与传感器装置714和多个涂布设备704a至704M通信，控制设备1802可以具有对应的接口816。电路818例如可以具有一个或多于一个的处理器，编程和/或执行指令(例如机器代码、代码段、解释器可执行的代码和/或源代码)，其保存在存储器(例如控制设备1802)上。代码段例如可以具有在编译源代码之后的纯粹的机器代码。
可选地，模型511可以具有多个映射函数，其中每个映射函数关联有层堆叠的一个配置。层堆叠或者与其关联的映射函数例如可以彼此不同，即具有不同的配置。可选地，控制设备1802可以提供，在多个映射函数之间切换。因此，涂布设备可以快速地和不复杂地改型。
图9阐明了根据不同的实施形式的方法100和/或方法300的示意性俯视图900(例如以朝向运输面111f的视线方向)。
传感器装置714可以配置为，提供多个(例如三个、四个、五个、六个、七个、八个、九个、十个或多于十个)检测区域714a至714L，其中传感器装置714可以在每个检测区域中检测子谱。在每个检测区域中例如可以检测层堆叠400的一个层区域的子谱。
至少一个涂布过程可以具有多个调节区域724a至724L，在所述调节区域中单独地借助调节参数Ra,…,RL可以控制和/或调节涂布过程。例如，其中一个涂布装置704a、704M(例如其涂布设备中的每个)可以具有多个独立可控制的区段724a,…,724L，例如气体输送的区段，其配置为所述区段可以单独地借助调节参数Ra,…,RL控制和/或调节。
根据不同的实施形式，该方法100和/或该方法300可以提供多个(例如两个、三个、四个、五个、六个、七个、八个、九个、十个或多于十个)痕迹901a,…,901L，用于过程控制107和/或谱检测103、301、303。多个痕迹可以关于运输方向111p并排地设置或被并排地设置。多个痕迹901a,…,901L中的每个痕迹可以将传感器装置714的检测区域与至少一个涂布过程的至少一个调节区域关联。
该方法100和/或方法300可以具有或控制设备1802可以配置为，针对至少一个涂布过程的第i调节区域724i(每个)提供第i调节参数Ri。第i调节参数Ri例如可以基于第i子谱来确定，即根据在第i检测区域714i中检测的子谱的第i个子谱，第i检测区域关联有第i调节区域724i。一般而言，该方法100和/或方法300具有或控制设备1802可以配置为，针对至少一个涂布过程的每个调节区域提供用于调节调节区域的至少一个调节参数，其中至少一个调节参数可以基于子谱确定，所述子谱在与调节区域关联的检测区域中被检测。
例如，该方法100和/或方法300可以提供多个痕迹。痕迹的数量和彼此间的相对位置可以根据层堆叠400的所追求的质量来配置或被配置。
例如，每个调节区域可以相关到气体供给装置708的气体入口。借助多个气体入口例如可以进行气体修剪(Gastrimm)。
例如，每个或多于一个的痕迹(例如三个痕迹可以)针对层堆叠400的对置的边缘区域提供和/或恰好一个或多于一个的痕迹可以分别针对层堆叠400的中间区域提供或被提供。
借助K个痕迹，针对层堆叠400的每个层Sj形成M维的向量 作为校正信息，其分量例如说明功率的改变值。对所有涂布设备(例如磁控管)的实际功率改变由M个改变值的平均值得到：
ΔPj＝<ΔPjk>k (11)
功率改变可选地可以相同分布或加权地分布到所有多个参与涂布过程的涂布设备上。
从ΔPjk与其平均值的差例如可以修正气体修剪分布。
Δ(ΔPjk)＝ΔPjk-<ΔPjk>k (12)
在此，Δfjk是第j层的第k气体入口的流量改变值。流量改变同样可以相同地分布到所有参与的涂布设备上。φjk可以是单独要确定的作用因数，其将功率改变翻译成流量值。
例如，借助第一调节回路实现对至少一个涂布过程的功率的调节，并且借助第二连接在第一调节回路下游的调节回路实现对气体流量的空间分布的调节。
一般而言，可以借助第一调节回路实现对至少一个涂布过程的第一调节参数的确定，并且可以借助第二连接在第一调节回路下游的调节回路对第二调节参数进行确定。第一调节参数例如可以是至少一个涂布过程的全局的调节参数(例如位置不可变)，表示涂布过程的电学变量和/或是电学的调节参数。第二调节参数例如可以是至少一个涂布过程的与位置有关的调节参数，表示涂布过程的机械变量(例如质量流量和/或体积流)和/或是机械的调节参数。
如果针对一个或每个层确定多个调节参数(例如其中每个调节参数关联有多个痕迹中的恰好一个痕迹)，第一调节回路可以使用其平均值用于调节和第二调节回路可以使用与用于调节的平均值的偏差。
根据不同的实施形式，控制设备1802(例如具有调节器)可以提供或被提供，其实施方法100和/或方法300，例如借助软件和/或借助接线。控制设备1802(例如其调节器)可以被输送(例如输入)数据，所述数据表示一个或多个谱。控制设备1802可以配置为，提供(例如输出)数据，其表示校正信息，例如用于涂布设备的功率校正数据和/或用于功率流和/或气体流的校正数据。
例如，控制设备1802可以具有存储器可编程的控制装置(SPS)或由其形成。替选地或附加地可以使用任何其他电路，其能够配置为执行方法100和/或方法300。例如，处理器可以配置为或被配置为，其执行该方法100和/或方法300。
图10阐明了根据不同的实施形式的用于对衬底物涂布的方法100、300的示意性流程图1000。衬底物可以具有一个或多于一个的衬底。方法100、300例如可以具有方法100和/或方法300。
该方法100、300可以具有：在1001，借助多个涂布过程(其中例如每个涂布过程形成第一层堆叠的至少一个层)在衬底物上形成第一层堆叠；在301，检测第一层堆叠的第一光谱；在305，改变多个涂布过程中的至少一个涂布过程的至少一个调节参数；在1007，通过使用改变的至少一个调节参数(其中例如每个涂布过程形成第二层堆叠的至少一个层)在多个涂布过程的衬底物上形成第二层堆叠；在303，检测第二层堆叠的第二光谱；在307，确定模型，其中模型提供至少一个调节参数的改变与两个谱彼此间的偏差之间的双射的(例如线性)映射函数；在101，借助多个涂布过程(其中例如每个涂布过程形成第三层堆叠的至少一个层)在衬底物上形成第三层堆叠；在103，检测第三层堆叠的第三光谱；在105，通过使用模型确定多个涂布过程中的至少一个涂布过程的该调节参数或其他至少一个调节参数的要执行的改变；在107，通过使用校正附加地改变多个涂布过程中的至少一个涂布过程的至少一个调节参数；和在109，借助多个涂布过程通过使用附加的改变的至少一个调节参数在衬底物上形成第四层堆叠(其中例如每个涂布过程形成第二层堆叠的至少一个层)。
在307，两个谱可以具有第一谱和第二谱或由其形成。换言之，通过使用第一谱和第二谱可以确定307模型。
在105，两个谱可以具有第三谱和期望谱，其中期望谱例如可以具有第一谱和/或第二谱，或由其形成。换言之，要执行的校正通过使用期望谱和第三谱来确定105。
在下文中描述了不同的实例，所述实例与上文的描述和所示附图有关。
实例1是一种用于涂布衬底物的方法100、300，其中衬底物具有一个或多于一个的衬底，并且其中该方法100、300具有：借助多个涂布过程在衬底物上形成1001第一层堆叠；检测301第一层堆叠的第一光谱；改变305至少一个调节参数以调节多个涂布过程中的至少一个涂布过程；通过使用改变的至少一个调节参数在多个涂布过程的衬底物上形成1007第二层堆叠；检测303第二层堆叠的第二光谱；确定307模型，其中模型提供了在至少一个调节参数的改变与两个谱彼此间的偏差之间的双射的(例如线性)映射函数；借助多个涂布过程在衬底物上形成101第三层堆叠；检测103第三层堆叠的第三光谱；通过使用模型确定105用于多个涂布过程中的至少一个涂布过程的至少一个调节参数的要执行的改变(也称作校正)；通过使用所确定的改变附加地改变107至少一个调节参数来调节多个涂布过程中至少一个涂布过程；和通过使用附加改变的调节参数借助多个涂布过程在衬底物上形成109第四层堆叠。
实例2是一种根据实例1所述的方法100、300，其中在确定307模型时，两个谱具有第一谱和第二谱。
实例3是一种根据实例1或2所述的方法100、300，其中在确定105要执行的改变时，这两个谱具有第三谱和期望谱，其中可选地期望谱具有第一谱和/或第二谱。
实例4是一种用于涂布的方法100，具有：借助多个涂布过程在第一衬底112上形成101第一层堆叠，其中每个涂布过程形成第一层堆叠中的至少一层；检测103第一层堆叠的光谱(也称作第三光谱)；通过使用模型针对多个涂布过程中的至少一个涂布过程确定105校正信息，其中该模型提供了在谱与期望谱的偏差与校正信息之间的双射(线性)的映射函数(例如函数关系)；以及通过使用校正信息改变107至少一个调节参数来调节多个涂布过程的至少一个涂布过程；并且借助多个涂布过程在使用改变的调节参数的情况下在第一衬底或第二衬底112上形成109第二层堆叠，其中每个涂布过程形成第二层堆叠的至少一个层。
实例5是一种根据实例1至4中任一项所述的方法100、300，其中校正信息用作调节差。
实例6是一种根据实例1至5中任一项所述的方法100、300，其中改变的调节参数是调节参数和调节差的和。
实例7是一种根据实例1至6中任一项所述的方法100、300，其中所述校正信息表示或具有至少一个层的厚度的改变，所述至少一个层借助至少一个涂布过程形成。
实例8是一种根据实例1至7中任一项所述的方法100、300，其中所述校正信息表示或具有电功率的改变，借助所述电功率供给至少一个涂布过程。
实例9是一种根据实例1至8中任一项所述的方法100、300，其中所述校正信息具有多个分量，其中每个分量关联有至少一个涂布过程的可调节的区域。
实例10是一种根据实例1至9中任一项所述的方法100、300，其中至少一个涂布过程具有多个调节区域和所述谱具有多个子谱，其中每个子谱关联有至少一个涂布过程的调节区域，和其中针对至少一个涂布过程的每个调节区域基于与调节区域关联的子谱确定至少一个调节参数以对调节区域进行调节。
实例11是一种方法300(直观上用于校准)，具有：借助多个涂布过程涂布至少一个衬底112，其中每个涂布过程中的至少一个涂布形成在至少一个衬底112上，其中针对多个涂布过程中的每个涂布过程进行如下：检测301借助多个涂布过程涂布至少一个衬底112的第一光谱；检测303借助多个涂布过程涂布的至少一个衬底112的第二光谱；改变305在检测301第一光谱与检测303第二光谱之间多个涂布过程中的一个涂布过程的至少一个调节参数；和确定模型，其中模型提供了在第二谱与第一谱的偏差与至少一个调节参数的改变之间的双射的(例如线性)映射函数。
实例12是一种方法300(直观上用于校准)，具有：借助多个涂布过程在第一衬底112上形成1001第一层堆叠，其中每个涂布过程形成第一层堆叠的至少一个层，其中针对多个涂布过程中的每个涂布过程进行如下：检测301第一层堆叠的第一光谱；改变305至少一个调节参数以调节多个涂布过程中的该涂布过程；在第一衬底112上或在第二衬底112上借助多个涂布过程通过使用改变的至少一个调节参数形成1007第二层堆叠，其中每个涂布过程形成第二层堆叠的至少一个层；检测303第二层堆叠的第二光谱；和确定307模型，其中该模型对于多个涂布过程中的所有涂布过程提供了在第二谱与第一谱的偏差与多个涂布过程中的每个涂布过程的至少一个调节参数的改变之间的共同的映射函数(例如双射函数)。
实例13是一种根据实例11或12所述的方法300，其中，确定所述模型具有：确定线性方程组，其系数矩阵表示偏差与改变的关系；并且确定系数矩阵的伪逆和/或左逆，其中伪逆或左逆提供映射函数。
实例14是一种根据实例11至13中任一项所述的方法300，其中，确定所述模型具有：确定第一映射，其将改变映射到偏差上；并且确定第二映射，所述第二映射是第一映射的相反映射(例如左逆或伪逆)，其中第二映射提供了映射函数。
实例15是一种根据实例13或14所述的方法300，其中确定相反映射(例如左逆或伪逆)借助奇异值分解进行。
实例16是一种根据实例1至15中任一项所述的方法100、300，其中映射函数是多位的映射函数(例如多位的关联)。
实例17是一种根据实例1至16中任一项所述的方法100、300，其中两个谱彼此间的偏差(即谱偏差，例如第三谱与期望谱的偏差和/或第一谱与第二谱的偏差)具有多个分量，其中每个分量关联有恰好一个波长和/或其中每个分量在恰好一个波长处具有或表示两个谱的辐射度测量的变量。
实例18是一种根据实例1至17中任一项所述的方法100、300，其中两个谱彼此间的偏差具有多个分量，其中每个分量关联有层堆叠中的恰好一个层区域(例如，其中每个分量涉及所述层区域的子谱)。
实例19是一种根据实例1至18中任一项所述的方法100、300，其中该光谱或每个光谱(例如第三谱，期望谱、第一谱和/或第二谱)具有多个子谱，其中至少一个子谱是透射谱和/或至少一个子谱是反射谱。
实例20是一种根据实例1至19中任一项所述的方法100、300，其中该光谱或每个光谱(例如第三谱，期望谱、第一谱和/或第二谱)具有多个子谱，所述子谱与模型相互和/或彼此不同地加权。
实例21是一种根据实例19或20所述的方法100、300，其中借助权重因数加权每个子谱的多个子谱(其中权重因数可选地彼此不同)。
实例22是一种根据实例1至21中任一项所述的方法100、300，其中所述映射函数(例如关联)是n位的映射函数，其中谱与期望谱的偏差具有恰好n个分量，其中每个分量关联有恰好一个波长和/或其中每个分量表示两个谱在有恰好一个波长的情况下辐射度测量的变量的差。
实例23是一种根据实例1至22中任一项所述的方法100、300，其中模型(例如映射函数)将两个谱彼此间的偏差单射地(例如一一对应地)映射到校准信息上或至少一个调节参数的改变上。
实例24是一种根据实例1至23中任一项所述的方法100、300，其中模型(例如映射函数)提供(例如线性的)方程组，所述方程组的系数矩阵将两个谱彼此间的偏差映射到校正信息或至少一个调节参数的改变上。
实例25是一种根据实例1至24中任一项所述的方法100、300，其中模型(例如映射函数)具有(例如线性的)方程组，所述方程组的系数矩阵是非方形的(例如具有比列更多的行或其他)。
实例26是一种根据实例24或25中任一项所述的方法100、300，其中系数矩阵提供映射函数。
实例27是一种根据实例1至26中任一项所述的方法100、300，其中模型(例如映射函数)提供在两个谱就彼此间的偏差与校正信息或至少一个调节参数的改变之间的双射和/或满射的关系。
实例28是一种根据实例1至27中任一项所述的方法100、300，其中该光谱或每个光谱具有幅谱和/或频谱。
实例29是一种根据实例1至28中任一项所述的方法100、300，其中该光谱或每个光谱具有反射光谱和/或透射光谱。
实例30是一种根据实例1至29中任一项所述的方法100、300，此外具有：运输衬底物(其具有第一衬底112和可选地具有第二衬底112)穿过多个涂布区域，其中在每个涂布区域中进行多个涂布过程中的恰好一个或多于一个的涂布过程。
实例31是一种根据实例1至30中任一项所述的方法100、300，其中该光谱或每个光谱具有离散的(例如频率离散的或波长离散的)谱和/或一个或多于一个的离散(例如频率离散的或波长离散的)子谱。
实例32是一种根据实例1至31中任一项所述的方法100、300，其中检测103，301，303该光谱或每个光谱具有：针对多个离散波长和/或离散频率检测辐射度测量的变量(例如光学强度)。
实例33是一种根据实例32所述的方法100、300，其中多个离散波长的波长的数量大于多个涂布过程中的涂布过程的数量(例如120或更多)。
实例34是一种根据实例1至33中任一项所述的方法100、300，其中至少一个涂布过程具有多个调节区域并且两个谱(例如第一谱以及第二谱)中的每个谱具有多个子谱，其中每个子谱关联有至少一个涂布过程的调节区域，并且其中针对至少一个涂布过程的每个调节区域改变至少一个调节参数。
实例35是一种根据实例1至34中任一项所述的方法100、300，其中多个涂布过程具有多于六个、七个、八个、九个、十个或多于十个的例如多于15个，例如多于20个的涂布过程。
实例36是一种根据实例1至35中任一项所述的方法100、300，其中校正信息具有多个校正分量：其中至少一个涂布过程具有多个涂布过程，其中每个涂布过程关联有多个校正分量中的恰好一个校正分量，其中涂布过程基于与其关联的校正分量来调节。
实例37是一种根据实例1至36中任一项所述的方法100、300，其中光谱具有多个子谱，其中每个子谱与层堆叠的层区域关联。
实例38是一种处理器，所述处理器构建为执行根据实例1至37中任一项所述的方法100、300。
实例39是非易失性存储器，所述存储器存储有指令(例如借助代码段、机器代码、解释器可执行的代码和/或源代码)，其配置为，当由一个处理器执行时，执行根据实例1至37中任一项所述的方法100、300。
实例40是一种控制设备1802，其具有：一个或多于一个的处理器818，其配置为执行根据实例1至37中任一项所述的方法100、300；一个或多于一个的存储器，所述存储器具有数据，其中所述数据表示模型。
实例41是控制设备1802，具有：第一接口816，其配置为传送数据，所述数据表示一个或多于一个的调节参数以借助多个涂布过程形成101层堆叠(其中例如每个涂布过程形成第一层堆叠中的至少一层)；第二接口816，其配置为接收数据，所述数据表示层堆叠的光学光谱；电路818，其配置为通过使用模型确定多个涂布过程中的至少一个涂布过程的校正信息，其中模型提供了在谱与期望谱之间的偏差与校正信息之间的双射的映射函数；并且其中该电路还配置为通过使用校正信息改变107用于调节多个涂布过程中的至少一个涂布过程的调节参数；和其中第一接口816还配置为，传送第一数据，所述第一数据表示改变的调节参数，用于借助多个涂布过程通过使用改变的调节参数来形成109第二层堆叠，其中每个涂布过程形成第二层堆叠的至少一个层。
实例42是一种控制设备1802，具有：第一接口816，其配置为操控多个涂布过程和/或传送第一数据，其中第一数据表示多个调节参数，用于调节借助多个涂布过程对衬底112的涂布(例如形成101层堆叠)；第二接口816，其配置为，接收数据，其中第二数据表示层堆叠的光谱；电路818，其实现模型，其中模型代表两个光谱彼此间的偏差与多个调节参数中的每个调节参数的改变之间的双射的(例如线性)映射函数；其中该电路还配置为，基于借助第二接口接收的数据，确定和/或更新映射函数；和/或通过使用模型改变107至少一个调节参数和借助第一接口816传送数据，所述数据表示改变的调节参数。
实例43是一种涂布装置，具有：多个涂布设备，其中每个涂布设备配置为，执行多个涂布过程中的至少一个涂布过程；传感器装置714，其配置为检测103、301、303光谱；和根据实例40至42中任一项所述的控制设备1802，其第一接口与多个涂布设备通信地耦合和其第二接口与传感器装置通信地耦合。
实例44是一种涂布设备700a、700b，具有：一个或多于一个的真空腔室102，和根据实例43的涂布装置，其多个涂布设备设置在一个或多于一个的真空腔室102中。
实例45是根据实例44的涂布设备700a、700b，其中传感器装置714具有第一传感器，其设置在一个或多于一个的形成为真空腔室102的真空系统内；和/或其中传感器装置具有第二传感器，其设置在真空系统之外。
实例46是根据实例44或45的涂布设备700a、700b，还具有：运输设备108，其配置为将衬底112沿着运输面111f运输，其中传感器装置具有两个传感器，其设置在运输面111f的对置的侧上；和/或其中传感器装置714具有两个传感器，其设置在运输面111f的相同侧上。
实例47是一种模型511，具有：第一张量，其表示(例如预设)期望光谱；第二张量，其表示(例如所检测到的)实际光谱；校正信息，其具有多个分量，其中每个分量与多个涂布过程中的一个涂布过程关联和表示与该分量关联的涂布过程的的调节参数的要进行的改变；映射函数，其将在第一张量与第二张量之间的偏差单射地映射到校正信息上(即其是双射函数)。
实例48是根据实例46的模型511，其中该模型具有数据，所述数据表示期望光谱。

Claims (19)

1.一种用于涂布的方法(100)，具有：
借助多个涂布过程在第一衬底(112)上形成(101)第一层堆叠，其中每个涂布过程形成第一层堆叠的至少一个层；
检测(103)第一层堆叠的光谱；
通过使用模型确定(105)所述多个涂布过程中的至少一个涂布过程的校正信息，其中所述模型提供了在所述谱与期望谱的偏差和所述校正信息之间的双射的映射函数；以及
通过使用所述校正信息改变(107)用于调节所述多个涂布过程中的至少一个涂布过程的至少一个调节参数；以及
借助所述多个涂布过程通过使用改变的调节参数在第一或第二衬底(112)上形成(109)第二层堆叠，其中每个涂布过程形成所述第二层堆叠的至少一个层。
2.根据权利要求1所述的方法(100)，其中，在调节时使用校正信息作为调节差。
3.根据权利要求1或2所述的方法(100)，其中，所述映射函数是多位的映射函数。
4.根据权利要求1或2所述的方法(100)，其中，所述映射函数是n位的映射函数；以及其中，所述谱与期望谱的偏差具有恰好n个分量，其中每个分量关联有恰好一个波长。
5.根据权利要求1或2所述的方法(100)，其中，所述校正信息表示电功率的改变，借助所述电功率供给所述至少一个涂布过程。
6.根据权利要求1或2所述的方法(100)，其中，所述光谱具有多个子谱，所述子谱相互加权和/或彼此不同地加权。
7.根据权利要求1或2所述的方法(100)，其中，所述模型将所述谱与期望谱的偏差单射地映射到校正信息上。
8.根据权利要求1或2所述的方法(100)，其中，所述模型具有线性的方程组，其系数矩阵是非方形的矩阵。
9.根据权利要求1或2所述的方法，此外具有：
运输所述第一衬底(112)和/或第二衬底(112)穿过多个涂布区域，其中在每个涂布区域中进行所述多个涂布过程中的恰好一个或多于一个的涂布过程。
10.根据权利要求1或2所述的方法(100)，其中，检测(103)光谱具有：针对多个离散的波长检测辐射度测量的变量。
11.根据权利要求10所述的方法(100)，其中，所述多个离散波长的波长的数量大于所述多个涂布过程中的涂布过程的数量。
12.根据权利要求1或2所述的方法(100)，
其中，所述至少一个涂布过程具有多个调节区域并且所述谱具有多个子谱，其中每个子谱关联有所述至少一个涂布过程的调节区域，以及
其中，针对所述至少一个涂布过程中的每个调节区域，基于与所述调节区域关联的子谱来确定所述至少一个调节参数来对调节区域进行调节。
13.根据权利要求1或2所述的方法(100)，其中，所述多个涂布过程具有多于六个的涂布过程。
14.根据权利要求1或2所述的方法(100)，此外具有：
其中，所述校正信息具有多个校正分量：
其中，所述至少一个涂布过程具有多个涂布过程，其中每个涂布过程关联有所述多个校正分量中的恰好一个校正分量。
15.一种用于校准的方法(300)，具有：
借助多个涂布过程在第一衬底(112)上形成(1001)第一层堆叠，其中每个涂布过程形成所述第一层堆叠的至少一个层，其中针对所述多个涂布过程中的每个涂布过程进行如下：
检测(301)所述第一层堆叠的第一光谱；
改变(305)至少一个调节参数以调节所述多个涂布过程中的涂布过程；
借助多个涂布过程通过使用改变的至少一个调节参数在第一衬底(112)或第二衬底(112)上形成(1007)第二层堆叠，其中每个涂布过程形成第二层堆叠的至少一个层；
检测(303)第二层堆叠的第二光谱；以及
确定(307)模型，其中所述模型针对多个涂布过程中的所有涂布过程提供了第二谱与第一谱的偏差和所述至少一个调节参数的改变之间的共同的映射函数。
16.根据权利要求15所述的方法(300)，其中，所述确定(307)模型具有：
确定第一映射，所述第一映射将改变映射到偏差上；以及
确定第二映射，所述第二映射是第一映射的相反映射，其中第二映射提供了映射函数。
17.根据权利要求16所述的方法(300)，其中，所述确定相反映射借助奇异值分解进行。
18.一种非易失性存储器，其存储指令，所述指令构建为，当由处理器执行时，执行如下：
通过使用模型确定(105)多个涂布过程中的至少一个涂布过程的校正信息，其中所述模型提供了第一层堆叠的谱与期望谱的偏差和校正信息之间的双射的映射函数，其中第一层堆叠借助所述多个涂布过程形成在第一衬底(112)上，其中每个涂布过程形成第一层堆叠的至少一个层；
通过使用校正信息来改变(107)至少一个调节参数，以调节所述多个涂布过程中的至少一个涂布过程；
通过使用改变的调节参数来操控所述多个涂布过程，以借助所述多个涂布过程在第一或第二衬底(112)上形成(109)第二层堆叠，其中每个涂布过程形成第二层堆叠的至少一个层。
19.一种控制设备(1802)，具有：
一个或多于一个的处理器，所述处理器配置为：
通过使用模型确定(105)多个涂布过程中的至少一个涂布过程的校正信息，其中所述模型提供了第一层堆叠的谱与期望谱的偏差和校正信息之间的双射的映射函数，其中第一层堆叠借助所述多个涂布过程形成在第一衬底(112)上，其中每个涂布过程形成第一层堆叠的至少一个层；
通过使用校正信息来改变(107)至少一个调节参数，以调节所述多个涂布过程中的至少一个涂布过程；
通过使用改变的调节参数来操控所述多个涂布过程，以借助所述多个涂布过程在第一或第二衬底(112)上形成(109)第二层堆叠，其中每个涂布过程形成第二层堆叠的至少一个层；以及
一个或多于一个的存储器，其具有数据，其中所述数据表示所述模型。
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