CN110055509A - 薄膜包封制造设备 - Google Patents

薄膜包封制造设备 Download PDF

Info

Publication number
CN110055509A
CN110055509A CN201811587333.3A CN201811587333A CN110055509A CN 110055509 A CN110055509 A CN 110055509A CN 201811587333 A CN201811587333 A CN 201811587333A CN 110055509 A CN110055509 A CN 110055509A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
cluster part
thin film
layer
inorganic layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811587333.3A
Other languages
English (en)
Inventor
许明洙
尹泰承
李正浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN110055509A publication Critical patent/CN110055509A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/35—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being liquid crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供了一种薄膜包封制造设备。所述薄膜包封制造设备包括：第一簇件，用于通过使用溅射工艺在其上形成有发射单元的第一基底上形成第一无机层；第二簇件，用于通过使用有机沉积工艺在从第一簇件输送的第一无机层上形成第一有机层；第一连接模块，用于连接第一簇件和第二簇件，并且通过以非接触的方式使第一基底冷却将其上形成有第一无机层的第一基底从第一簇件输送到第二簇件；以及第三簇件，用于通过使用化学气相沉积工艺或等离子体加强化学气相沉积工艺在从第二簇件输送的第一有机层上形成第二无机层。

Description

薄膜包封制造设备
本申请是申请日为2014年8月27日、申请号为201410428092.3、题为“制造显示设备的方法”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的一个或更多个实施例涉及一种利用薄膜包封制造装置的显示装置制造方法。
背景技术
近来，已变得广泛地应用移动电子装置。除了诸如移动电话的紧凑型电子装置以外，平板个人计算机(PC)近来也已经变得广泛地用作移动电子装置。
为了提供各种功能，移动电子装置包括显示设备以向用户提供诸如图像的视觉信息。近来，由于用于驱动显示装置的组件已经变得紧凑，因此显示装置占据电子装置的比例逐渐增大。也已经研发了从平面态可弯曲直至成一定角度(例如，直至成预定角度)的显示装置。
具体地，可以利用多层薄膜来包封柔性显示装置的发光单元，以增加显示装置的寿命或使用期限。在这种情况下，最近正在对在包封期间形成的包封薄膜进行研究。
发明内容
本发明的一个或更多个实施例的多个方面涉及一种利用薄膜包封制造设备的显示设备制造方法，其能够调整有机层和无机层的厚度并且维持(例如，均匀地维持)各种薄膜设备的真空度。
下面的描述中将部分地阐述附加方面和特征，并且附加方面和特征部分地将通过描述而清楚，或者可以通过给出的实施例的实施而了解。
根据本发明的一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法包括下述步骤：通过利用溅射工艺在发射单元形成在其上的第一基底上形成第一无机层；以非接触方式通过吸收从第一无机层形成在其上的第一基底发射的辐射来使第一基底冷却；通过有机沉积工艺在第一无机层上形成第一有机层；在第一有机层上形成第二无机层。
可以在使第一基底翻转之后形成第二无机层。
所述方法还可以包括以非接触方式使第一有机层形成在其上的第一基底冷却。
可以分别在第一簇件的多个第一处理室、第二簇件的多个第二处理室和第三簇件的多个第三处理室中形成第一无机层、第一有机层和第二无机层。
可以确定第一簇件的所述多个第一处理室、第二簇件的所述多个第二处理室和第三簇件的所述多个第三处理室的顺序，可以根据确定的顺序分别在第一簇件的所述多个第一处理室中的第一个第一处理室、第二簇件的所述多个第二处理室中的第一个第二处理室和第三簇件的所述多个第三处理室中的第一个第三处理室中形成第一无机层、第一有机层和第二无机层。
第一簇件和第二簇件可以通过第一连接模块结合，第一连接模块被构造成将第一基底从第一簇件输送至第二簇件，当输送第一基底时，第一簇件的内部压强与第一连接模块的内部压强可以基本相同，或者第一连接模块的内部压强与第二簇件的内部压强可以基本相同。
第二簇件和第三簇件可以通过第二连接模块结合，第二连接模块被构造成将第一基底从第二簇件输送至第三簇件，当输送第一基底时，第二簇件的内部压强与第二连接模块的内部压强可以基本相同，或者第二连接模块的内部压强与第三簇件的内部压强可以基本相同。
可以顺序地执行第一基底的冷却步骤、第一有机层的形成步骤和第二无机层的形成步骤，使得第一有机层和第二无机层交替地堆叠在第一无机层上。
可以通过向下沉积来形成第一无机层和第一有机层，可以通过向上沉积来形成第二无机层。
在形成第一无机层之前，可以通过装载簇件从外部接收其上形成有发射单元的第一基底。
可以通过与第一基底分开的第二基底冷却单元来使第一基底冷却，第二基底冷却单元可以包括：第二冷却板，与第一基底分开；第二冷却器，与第二冷却板结合并且使第二冷却板冷却。
第二制冷剂通道可以形成在第二冷却板中，通过第二冷却器循环的第二制冷剂通过第二制冷剂通道流动。
所述方法还可以包括以非接触方式使第一有机层形成在其上的第一基底冷却。
可以通过化学气相沉积(CVD)工艺或等离子体加强化学气相沉积(PECVD)工艺来形成第二无机层。
根据本发明的一个或更多个实施例，一种薄膜包封制造设备包括：第一簇件，用于通过使用溅射工艺在其上形成有发射单元的第一基底上形成第一无机层；第二簇件，用于通过使用有机沉积工艺在从第一簇件输送的第一无机层上形成第一有机层；第一连接模块，用于连接第一簇件和第二簇件，并且通过以非接触的方式使第一基底冷却将其上形成有第一无机层的第一基底从第一簇件输送到第二簇件；以及第三簇件，用于通过使用化学气相沉积工艺或等离子体加强化学气相沉积工艺在从第二簇件输送的第一有机层上形成第二无机层。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面和特征将变得清楚且更容易被理解，在附图中：
图1是根据本发明实施例的薄膜包封制造设备的构思图；
图2是利用在图1中示出的薄膜包封制造设备制造的显示设备的剖视图；
图3是在图1中示出的第二输送室的平面图；
图4是在图1中示出的第二输送室的剖视图；
图5是在图1中示出的第三输送室的剖视图；
图6是根据本发明另一实施例的薄膜包封制造设备的构思图；
图7是利用在图6中示出的薄膜包封制造设备制造的显示设备的剖视图；
图8是根据本发明另一实施例的薄膜包封制造设备的构思图；
图9是利用在图8中示出的薄膜包封制造设备制造的显示设备的剖视图。
具体实施方式
现在将详细地参照示例实施例，其示例在附图中示出，其中，相同的参考标号始终指示相同的元件。在这种情况下，本实施例可以具有不同的形式且不应该被解释为局限于在此阐述的描述。因此，仅在下面通过参照附图来描述实施例，以说明本发明的多个方面。这里使用的术语仅出于描述具体示例实施例的目的，而不意图限制本发明构思。如这里所用的，除非上下文另外明确地指明，否则单数形式也意图包括复数形式。将进一步理解的是，术语“包含”和/或“包括”用在本说明书中时说明存在陈述的特征、整体、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、操作、元件、组件和/或它们的组。将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语所限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和全部组合。当诸如“至少一个(种)”的表述放在一系列元件(要素)之后时，修饰整个系列的元件(要素)，而不是修饰所述系列中的单个元件(要素)。另外，在描述本发明的实施例时使用“可以”表示“本发明的一个或更多个实施例”。
图1是根据本发明实施例的薄膜包封制造设备100的概念图。图2是利用在图1中示出的薄膜包封制造设备100制造的显示设备200的剖视图。图3是在图1中示出的第二输送室P2的平面图。图4是在图1中示出的第二输送室P2的剖视图。图5是在图1中示出的第三输送室P3的剖视图。
参照图1至图5，薄膜包封制造设备100可以包括装载簇件110、第一输送室P1、第一簇件120、第一连接模块M1、第二簇件130、第二连接模块M2、第三簇件140、第二转向模块室T2、第四输送室P4以及卸载簇件150。
装载簇件110可以从外部接收发光单元220形成在其上的第一基底210，并将发光单元220形成在其上的第一基底210供应到第一簇件120。例如，可以将发光单元220形成在其上的第一基底210供应到装载簇件110，其中，发光单元220包括随后将描述的有机发光器件(228，OLED)。可以在发光单元220上形成包括例如随后将进一步描述的氟化锂(LiF)的卤化金属层。
装载簇件110可以包括从外部接收(例如，被构造成接收)发光单元220形成在其上的第一基底210并且储存(例如，被构造成储存)第一基底210的装载室112。例如，装载簇件110可以包括多个装载室112。多个装载室112中的每个可以储存发光单元220形成在其上的第一基底210。装载簇件110还可以包括连接至装载室112的第一传送室111。多个装载室112均可以连接至第一传送室111。
第一输送室P1可以连接装载簇件110和第一簇件120。在这种情况下，第一输送室P1可以将发光单元220形成在其上的第一基底210从装载簇件110输送(例如，被构造成输送)至第一簇件120。在这种情况下，第一输送室P1可以包括第一基底冷却单元。第一基底冷却单元可以以例如非接触的方式使从装载簇件110输送至第一簇件120的第一基底210冷却。
第一基底冷却单元可以包括被安装成与第一基底210分开(例如，分隔开)的第一冷却板和使第一冷却板冷却(例如，被构造成冷却)的第一冷却器。例如，第一冷却板可以设置在第一基底210上方并且与第一基底210分开。在这种情况下，第一冷却器可以使第一制冷剂在第一冷却板内或者穿过第一冷却板而循环，以使第一冷却板的表面温度下降或降低。在这种情况下，第一基底冷却单元可以以与随后将进一步描述的第二基底冷却单元R2(参照图3)相同或相似的方式形成，并且可以被包括在第一输送室P1中或者可以不被包括在第一输送室P1中。为了便于说明，下面将详细描述第一基底冷却单元未被包括在第一输送室P1中的示例实施例。
第一簇件120可以包括第二传送室121。第一簇件120可以包括连接至第二传送室121的第一溅射室122，并且第一簇件120可以是用于执行(例如，被构造成执行)溅射工艺的第一处理室。在这种情况下，第一簇件120可以包括多个第一溅射室122。多个第一溅射室122中的每个可以连接至第二传送室121。例如，每个第一溅射室122可以对发光单元220形成在其上的第一基底210执行沉积第一无机层231的工艺。
第一簇件120可以另外包括储存(例如，被构造成储存)用于溅射工艺(例如，溅射工艺所必需)的掩模的第一掩模贮存室123。在这种情况下，第一掩模贮存室123可以将储存在其中的掩模供应(例如，自动地供应或者可以被构造成供应)至第一溅射室122。
第一连接模块M1可以包括第二输送室P2。在这种情况下，第二输送室P2可以使第一簇件120与第二簇件130连接，并且可以将发光单元220形成在其上的第一基底210从第一簇件120输送至第二簇件130。
第二输送室P2可以包括用来输送发光单元220形成在其上的第一基底210的第二穿梭件S2(参照图3)。第二穿梭件S2可以在第二输送室P2中执行(例如，被构造成执行)线性运动以将发光单元220形成在其上的第一基底210从第一簇件120输送至第二簇件130。
第一连接模块M1可以包括安装在第二输送室P2中的第二基底冷却单元R2(参照图3)。第二基底冷却单元R2可以安装成与第二穿梭件S2分开(例如，分隔开)(例如，分隔开预定的间隙)。例如，第二基底冷却单元R2可以包括安装在第二输送室P2中的第二冷却板R2b。在这种情况下，第二冷却板R2b可以安装成与发光单元220形成在其上并且置于第二穿梭件S2上或置于第二穿梭件S2中的第一基底210分开(例如，分隔开)间隙(例如，预定的间隙)。例如，第二冷却板R2b与发光单元220形成在其上的第一基底210之间的距离可以小于大约20mm。在这种情况下，当第二冷却板R2b与发光单元220形成在其上的第一基底210之间的距离超过大约20mm时，冷却效率会劣化(例如，会迅速劣化)，当形成第一有机层232时这会影响第一有机层232的质量。
第二冷却板R2b可以因由随后将进一步描述的第二冷却器R2a供应的第二制冷剂的循环而冷却。冷却后的第二冷却板R2b可以与发光单元220形成在其上的第一基底210交换热(即，可以使发光单元220形成在其上的第一基底210冷却)。例如，第二冷却板R2b可以由金属材料(例如，铜)形成。第二冷却板R2b的表面可以涂覆有黑体材料。在这种情况下，黑体材料可以包括例如石墨或氧化锆。然而，第二冷却板R2b不限于此，并且第二冷却板R2b可以包括吸收辐射能量的所有材料和/或可以包括吸收辐射能量的黑体材料。
第二制冷剂可以包括各种元素。例如，第二制冷剂可以包括诸如氦、氩的惰性气体以及二氧化碳、氮等。
第二冷却板R2b的面积(例如，表面面积)可以与第一基底210的面积相同或不同。例如，第二冷却板R2b的面积可以比第一基底210的面积大。在这种情况下，第二冷却板R2b可以完全地覆盖或围绕第一基底210，因此第二冷却板R2b和第一基底210可以更有效地交换热(例如，第一基底210可以被有效地冷却)。
第二基底冷却单元R2可以包括连接至第二冷却板R2b的第二冷却器R2a。在这种情况下，第二冷却器R2a可以利用第二制冷剂使第二冷却板R2b冷却。例如，可以在第二冷却板R2b中形成第二制冷剂循环通路R2c，从而第二制冷剂可以通过第二制冷剂循环通路R2c循环。例如，第二制冷剂循环通路R2c可以是用于使第二制冷剂在第二冷却板R2b内或者围绕第二冷却板R2b循环的空间，并且可以连接至第二冷却器R2a。单独的管可以安装在第二冷却板R2b中。
第一连接模块M1可以包括多个第二基底冷却单元R2。第二基底冷却单元R2可以安装成彼此分开(例如，分隔开)间隙(例如，预定间隙)。例如，第二基底冷却单元R2可以安装在一个平面上并且彼此分开(例如，分隔开)。第二冷却器R2a可以分别连接至第二冷却板R2b，从而第二制冷剂可以被供应至第二冷却板R2b并且在第二冷却板R2b内或者围绕第二冷却板R2b循环。
第二簇件130可以包括储存(例如，临时储存)发光单元220形成在其上的并且通过第二输送室P2被输送的第一基底210的第三传送室131。第二簇件130可以包括连接至第三传送室131并且作为执行(例如，被构造成执行)有机沉积工艺的第二处理室的第一单体沉积室132。在这种情况下，第二簇件130可以包括多个第一单体沉积室132。第一单体沉积室132中的每个可以连接(例如，辐射状地连接)至第三传送室131。例如，在第一单体沉积室132中，第一有机层232可以形成在第一无机层231上。如上所述，用于形成第一有机层232的有机沉积工艺可以利用不同的工艺方法。例如，有机沉积工艺可以包括闪蒸。
第二簇件130可以包括储存(例如，被构造成储存)将用在每个第一单体沉积室132中(例如，在每个第一单体沉积室132中需要)的掩模的第二掩模贮存室133。在这种情况下，第二掩模贮存室133可以储存多个掩模，并且可以供应将用在每个第一单体沉积室132中(例如，在每个第一单体沉积室132中需要)的掩模。
同时，第二连接模块M2可以安装在第二簇件130和第三簇件140之间。在这种情况下，第二连接模块M2可以包括第三输送室P3和第一转向模块室T1。在这种情况下，第三输送室P3将发光单元220形成在其上的第一基底210从第二簇件130输送(例如，被构造成输送)至第一转向模块室T1，第一转向模块室T1可以形成为翻转室，以使发光单元220形成在其上的第一基底210对齐并且反转(例如，被构造成对齐且反转)。例如，可以制备发光单元220形成在其上的第一基底210，从而在第一簇件120和第二簇件130中执行向下沉积，然后在第一转向模块室T1中通过使发光单元220形成在其上的第一基底210反转并将第一基底210供应至第三簇件140来在第三簇件140中执行向上沉积。在这种情况下，向上沉积包括将形成在第一基底210上的发光单元220放置成面对每个室的底表面、使沉积材料从每个室的底侧朝着每个室的顶侧移动以及将沉积材料沉积到发光单元220上的工艺，反之，向下沉积包括将形成在第一基底210上的发光单元220放置成面对每个室的顶表面、使沉积材料从每个室的顶侧朝着每个室的底侧移动以及将沉积材料沉积到发光单元220上的工艺。
第二连接模块M2可以包括使从第二簇件130抽出(例如，从第二簇件130移除)并被输送至第三簇件140的第一基底210冷却的第三基底冷却单元R3(参照图5)。在这种情况下，第三基底冷却单元R3可以安装在第三输送室P3和第一转向模块室T1中的至少一个中。为了便于描述，下面将详细描述第三基底冷却单元R3安装在第三输送室P3中的示例实施例。
在这种情况下，第三基底冷却单元R3和第三输送室P3可以以与上面描述的第二基底冷却单元R2和第二输送室P2相同或相似的方式形成。例如，第三基底冷却单元R3可以包括被安装成与发光单元220形成在其上并且被置于第三输送室P3的第三穿梭件S3上的第一基底210分开(例如，分隔开)间隙(例如，预定间隙)的第三冷却板R3b，第三冷却器R3a可以连接至第三冷却板R3b。在这种情况下，第三冷却板R3b和第三冷却器R3a分别与上面描述的第二冷却板R2b和第二冷却器R2a相同或相似，因此，这里将省略对其的详细描述。
第三簇件140可以包括连接至第一转向模块室T1的第四传送室141。在这种情况下，第四传送室141可以包括作为用于设置或形成(例如，堆叠)第二无机层233的第三处理室的第一化学气相室142。例如，第四传送室141可以包括多个第一化学气相室142。第一化学气相室142中的每个可以安装(例如，辐射状地安装)在第四传送室141处并且彼此分开(例如，分隔开)(例如，分隔开预定间隙)。
第二无机层233可以通过例如普通化学气相沉积(CVD)或等离子体加强CVD(PECVD)在第一化学气相室142中形成。为了便于描述，下面将详细描述利用普通CVD在第一化学气相室142中形成第二无机层233的示例实施例。
第三簇件140可以包括供应将在第一化学气相室142中使用(例如，在第一化学气相室142中需要)的掩模的第三掩模贮存室143。在这种情况下，第三掩模贮存室143可以储存用于工艺(例如，工艺所必需)的掩模，然后将掩模供应至在其中执行该工艺的每个第一化学气相室142。
同时，第二转向模块室T2可以连接至如上面描述地形成的第三簇件140。例如，第二转向模块室T2可以连接至第四传送室141并且可以使发光单元220形成在其上的第一基底210反转(例如，翻转)并输送发光单元220形成在其上的第一基底210。例如，第二转向模块室T2可以是与上面描述的第一转向模块室T1相似的翻转室。
第四输送室P4可以连接至第二转向模块室T2。第四输送室P4可以将发光单元220形成在其上并且已经完成薄膜包封工艺的第一基底210输送至卸载簇件150。
卸载簇件150可以包括第五传送室151。卸载簇件150可以包括卸载室152，其中，卸载室152将从第五传送室151输送的并且发光单元220形成在其上的第一基底210移(例如，运出)至外部。在这种情况下，卸载簇件150可以包括多个卸载室152。卸载室152可以安装(例如，辐射状地安装)在第五传送室151处。
下面将详细描述利用薄膜包封制造设备100执行薄膜包封工艺的方法和显示设备200。
显示设备200可以具有(例如，形成为具有)不同的形式。例如，显示设备200可以包括液晶显示(LCD)设备、等离子体显示设备和有机发光显示设备等。为了便于描述，下面将详细描述显示设备200包括有机发光显示设备的示例实施例。
可以在第一基底210上形成发光单元220。在这种情况下，发光单元220可以包括薄膜晶体管(TFT)。可以在发光单元220中形成钝化层221以覆盖TFT。可以在钝化层221上形成OLED 228。
第一基底210可以由玻璃材料形成，但是不限于此，并且也可以由塑料材料或诸如不锈钢(SUS)或钛(Ti)的金属材料形成。
可以在第一基底210的上表面上进一步形成由有机化合物和/或无机化合物形成的缓冲层222，缓冲层222可以由例如氧化硅(SiOx(x≥1))或氮化硅(SiNx(x≥1))形成。
可以在缓冲层222上形成以图案(例如，预定图案)布置的有源层223，然后通过栅极绝缘层224覆盖(例如，掩埋)有源层223。有源层223包括源区223a和漏区223c，并且进一步包括位于源区223a和漏区223c之间的沟道区223b。在这种情况下，有源层223可以由非晶硅形成，但是不限于此，并且也可以由氧化物半导体形成。例如，氧化物半导体可以包括由从诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)和它们的组合的12族、13族和14族金属元素组成的组中选择的材料形成的氧化物。例如，由半导体形成的有源层223可以包括G-I-Z-O[a(In2O3)b(Ga2O3)c(ZnO)](a、b和c是满足a≥0、b≥0且c＞0的条件的实数)。为了便于描述，下面将详细描述有源层223由非晶硅形成的示例实施例。
可以通过在缓冲层222上形成非晶硅层、使非晶硅层结晶化、形成多晶硅层以及使多晶硅层图案化来形成有源层223。有源层223可以包括根据TFT类型(例如，驱动TFT或开关TFT)掺杂有杂质的源区223a和漏区223c。
可以在栅极绝缘层224上形成与有源层223相对应的栅电极225和覆盖栅电极225的层间绝缘层226。
在层间绝缘层226和栅极绝缘层224中形成接触孔之后，可以在层间绝缘层226上形成源电极227a和漏电极227b，以分别接触源区223a和漏区223c。
同时，由于在如上所述地形成源电极227a/漏电极227b的同时形成反射层，因此源电极227a/漏电极227b可以由具有能够使光反射的厚度的导电(例如，高导电)材料形成。源电极227a/漏电极227b可以由诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)的金属材料或它们的化合物形成。
可以在如上所述地形成的反射层和TFT上形成钝化层221。在钝化层221上形成OLED 228的像素电极228a。像素电极228a通过形成在钝化层221中的通孔接触TFT的漏电极227b。钝化层221可以由无机材料和/或有机材料形成并且成单层结构或包括至少两层的结构，钝化层221可以形成为平坦化层，使得无论下层的弯曲或形状如何，钝化层221的上表面都被平面化，然而钝化层221可以沿(例如，对应于)下层的曲线弯曲。钝化层221可以由透明绝缘材料形成，以实现共振效果(例如，光学共振)。
在钝化层221上形成像素电极228a之后，可以由有机材料和/或无机材料形成像素限定层229，以覆盖像素电极228a和钝化层221，像素限定层229敞开以暴露像素电极228a。
至少在像素电极228a上形成有机层228b和相对电极228c。
像素电极228a可以用作阳极，相对电极228c可以用作阴极，然而，可以转换像素电极228a和相对电极228c的极性。
像素电极228a可以由具有高功函数的材料(例如，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟(In2O3)和氧化锌(ZnO)的透明导体)形成。
相对电极228c可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca的金属或它们的化合物形成；例如，相对电极228c可以由厚度小的Mg、Ag或Al形成，以成为半透反射层，从而在光学共振之后光可以通过相对电极228c传播。
像素电极228a和相对电极228c通过有机层228b彼此绝缘，从而通过将相反极性的电压施加至有机层228b而使光从有机发射层发射。
有机层228b可以包括有机发射层。在这种情况下，有机层228b可以由低分子或聚合物有机层形成。当有机层228b由低分子层形成时，有机层228b可以具有其中除了发射层(EML)以外还以单层或多层结构堆叠有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的结构，可以使用诸如CuPc(铜酞菁)、NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)、Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)等的各种有机材料。可以利用真空沉积来形成低分子有机层。在这种情况下，HIL、HTL、ETL和EIL是可以共同地应用于红色像素、绿色像素和蓝色像素的公共层。因此，公共层可以形成为像相对电极228c一样覆盖整个像素。
当有机层228b由聚合物有机层形成时，聚合物有机层可以由HTL和EML形成。在这种情况下，PEDOT(聚(3,4-乙烯二氧噻吩))可以用作HTL，诸如聚苯撑乙烯撑类材料或聚芴类材料的聚合物有机材料用作EML，EML可以通过利用丝网印刷、喷墨印刷、精细金属掩模工艺或激光热转印工艺等形成。
同时，如上所述的EML可以具有(例如，形成为具有)各种形式。例如，可以在每个子像素中形成蓝色EML、绿色EML和红色EML以形成单个单元像素。另外，除了如上所述的蓝色EML、绿色EML和红色EML以外，还可以在子像素中形成其他颜色的EML。例如，除蓝色EML、绿色EML和红色EML之外，还可以层叠(例如，堆叠)蓝色EML、绿色EML和红色EML以形成白色EML作为子像素，从而形成单个单元像素。
此外，尽管上面描述了在每个像素中由额外的发光材料形成的EML，但是本发明不限于此。可以不考虑像素的位置而在整个像素中共同地形成EML。在这种情况下，可以通过垂直地堆叠或混合包括发射例如红光、绿光和蓝光的发光材料的层来形成EML。只要发射白光，则其他颜色的组合也是可能的。还可以包括将发射的白光转换成某一颜色(例如，预定的颜色)的颜色转换层或滤色器。
有机层228b不限于此，也可以应用有机层228b的其他各种示例。为了便于描述，下面将详细描述蓝色EML、绿色EML和红色EML形成为子像素以形成单个单元像素的示例实施例。
同时，在制备发光单元220形成在其上的第一基底210之后，可以在第一基底210进入薄膜包封制造设备100时形成包封单元230。在这种情况下，可以通过堆叠(例如，顺序地堆叠)如上所述的第一无机层231、第一有机层232和第二无机层233来形成包封单元230。
例如，第一有机层232可以由聚合物形成，并且也可以为由例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一种形成的单层或多层(例如，堆叠层)。第一有机层232也可以由聚丙烯酸酯形成；例如，第一有机层232可以包括具有二丙烯酸酯单体或三丙烯酸酯单体的聚合单体成分。单体成分还可以包括单丙烯酸酯单体。单体成分还可以包括诸如热塑性聚烯烃(TPO)的合适的光引发剂，但是不限于此。
第一无机层231和第二无机层233可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠层。例如，第一无机层231和第二无机层233可以包括氮化硅(例如，SiNx)、氧化铝(例如，Al2O3)、氧化硅(例如，SiO2)和氧化钛(例如，TiO2)中的一种。在这种情况下，第二无机层233可以形成为或被构造成防止或减少湿气渗透进入发光单元220内。
同时，还可以在发光单元220和第一无机层231之间包括含有例如氟化锂(例如，LiF)的卤化金属层。卤化金属层可以防止或减少在利用溅射工艺形成第一无机层231时对发光单元220造成的损坏。
第一有机层232可以比第二无机层233小，例如，可以具有比第二无机层233小的表面面积。在这种情况下，第一有机层232可以被第二无机层233覆盖(例如，完全覆盖)。
如上所述地形成包封单元230的方法还可以包括将发光单元220形成在其上的第一基底210装载到装载室112内。在这种情况下，可以使用各种装载方法。例如，可以将发光单元220形成在其上的第一基底210装载到盒子内，然后可以将盒子装载到装载室112内。也可以通过输送单元(例如，外部机械手臂)来将发光单元220形成在其上的第一基底210供应至或移至装载室112中。
同时，可以将如上所述供应的第一基底210从装载室112供应至或移至第一传送室111。在这种情况下，机械手臂等可以安装在第一传送室111中来移动第一基底210。例如，在将第一基底210从装载室112输送至第一传送室111之前，可以将装载室112和第一传送室111中的压强或装载室112和第一传送室111的压强控制成彼此基本相等(例如，可以使压强相等)。
可以将如上所述地输送至第一传送室111的第一基底210再从第一传送室111输送至第一输送室P1。在这种情况下，当输送第一基底210时，可以将第一传送室111和第一输送室P1的内部压强控制成一致(例如，可以使内部压强相等)。
在第一基底冷却单元安装在第一输送室P1中的示例实施例中，第一基底冷却单元可以例如以非接触方式使进入第一输送室P1的第一基底210冷却。为了便于描述，下面将详细描述没有安装第一基底冷却单元的示例实施例，即，在没有使第一基底210冷却的情况下，使第一基底210经由第一输送室P1供应至第一簇件120的情况。
第一输送室P1可以将第一基底210输送至第一簇件120的第二传送室121。在这种情况下，在输送第一基底210时，可以使第一输送室P1和第二传送室121的内部压强维持基本一致(例如，可以使内部压强相等)。
可以将如上所述地输送的第一基底210从第二传送室121装载到多个第一溅射室122中的一个内。在这种情况下，可以确定(例如，预先确定或预确定)多个第一溅射室122中的第一基底210被装载到其中的一个第一溅射室122。例如，可以沿一个方向确定第一溅射室122的顺序或次序(例如，每个第一溅射室122可以根据第一簇件120上的位置被排序或排列)。可以对每个第一溅射室122或者对第一基底210做出标识(ID)。然而，确定第一溅射室122的顺序或次序的方法不限于此，而是可以以各种方式来确定。为了便于描述，下面将描述沿一个方向确定顺序的示例实施例。
可以将第一基底210装载至多个第一溅射室122中的第一个第一溅射室内，其中，根据对多个第一溅射室122中的每个或者对第一基底210做出的ID来确定所述多个第一溅射室122的顺序或次序。例如，可以将第一基底210装载至第一溅射室122中的一个第一溅射室122内，使得第一基底210的ID与所述一个第一溅射室122的顺序或次序彼此对应或彼此一致。
同时，当利用如上所述的溅射工艺来形成第一无机层231时，可以将溅射工艺中使用的掩模从第一掩模贮存室123输送至将在其中执行溅射工艺的第一溅射室122。在这种情况下，掩模可以进入并被储存在多个第一掩模贮存室123中的至少一个中。例如，可以确定掩模进入的顺序，使得在第一基底210进入将在其中执行溅射工艺的第一溅射室122前面(例如，在第一基底210进入将在其中执行溅射工艺的第一溅射室122之前)将掩模输送至第一溅射室122。然而，本发明不限于此，掩模可以与第一基底210一起(例如，同时)进入。
同时，在第一基底210进入多个第一溅射室122中的一个之后，所述一个第一溅射室122可以在发光单元220上形成第一无机层231。在这种情况下，第一无机层231可以与上面描述的相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
当如上所述地形成(例如，完全形成)第一无机层231时，然后可以将第一基底210从第一溅射室122输送至第二传送室121。在这种情况下，可以将第一溅射室122与第二传送室121的压强控制成基本相同或相等。
第二传送室121可以将第一无机层231形成在其上的第一基底210输送至第二输送室P2。在这种情况下，可以通过例如机械手臂将第一基底210输送至第二穿梭件S2。例如，可以在将第二传送室121和第二输送室P2的内部压强维持一致或基本相等的同时，将第一基底210从第二传送室121输送至第二输送室P2。
在第一基底210的输送期间，可以通过第二基底冷却单元R2使第一基底210在第二输送室P2中冷却。例如，当第一基底210被置于第二穿梭件S2上或中时，第二冷却器R2a可以通过使第二制冷剂在第二冷却板R2b中或者穿过第二冷却板R2b循环而使第二冷却板R2b冷却。当第二冷却板R2b的表面温度下降(例如，降低)时，从具有比第二冷却板R2b的温度高的温度的第一无机层231、发光单元220和第一基底210发射的辐射能量到达第二冷却板R2b并进行热交换(例如，被吸收)，因此第一基底210的温度可以下降(例如，可以降低)。在这种情况下，尽管第二冷却器R2a可以在第一基底210如上所述地进入第二输送室P2时运行，但是第二制冷剂可以被持续地供应至第二冷却板R2b。为了便于描述，下面将描述在第一基底210进入第二输送室P2时第二冷却器R2a运行的示例实施例。
当完成上述工艺时，可以将第一基底210输送至第二簇件130。在这种情况下，可以将第一基底210输送至连接到第二输送室P2的第三传送室131，当输送第一基底210时，可以将第二输送室P2和第三传送室131的压强维持为基本相同或相等。
可以将如上所述地输送至第三传送室131的第一基底210从第三传送室131进一步输送至第一单体沉积室132。在这种情况下，将第一基底210输送至多个第一单体沉积室132中的一个的方法可以与如上所述的将第一基底210输送至多个第一溅射室122中的一个的方法相似或相同。例如，可以以与多个第一溅射室122的顺序或次序相同的顺序或次序对多个第一单体沉积室132进行编号。例如，如在多个第一溅射室122中的第一个第一溅射室中形成第一无机层231一样，可以在多个第一单体沉积室132中的第一个第一单体沉积室中形成第一有机层232。
第三传送室131和第一单体沉积室132可以具有(例如，被设置成具有)相同或基本相同的压强。第一单体沉积室132可以在第一无机层231上形成第一有机层232。例如，当第一基底210被装载到第一单体沉积室132内时，可以利用闪蒸来沉积可通过施加紫外(UV)线或热而聚合的单体和光引发剂。
当完成上述工艺时，可以通过对单体沉积在其上的表面施加UV线或热并且使单体聚合以增加其硬度，来形成包括例如聚合物的第一有机层232。例如，第一有机层232可以与上面描述的第一有机层相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
在这种情况下，用于形成第一有机层232的掩模在被储存在第二掩模贮存室133之后，可以被供应至第一单体沉积室132。在这种情况下，将掩模从第二掩模贮存室133供应至第一单体沉积室132的方法可以与将掩模从第一掩模贮存室123供应至第一溅射室122的方法相似，因此，这里将省略对其的详细描述。
同时，在第一无机层231上形成第一有机层232之后，可以将输送至第三传送室131的第一基底210从第三传送室131进一步输送至第二连接模块M2。例如，第一基底210可以从第三传送室131被输送至第三输送室P3。在这种情况下，当第一基底210被输送时，第三输送室P3的内部压强和第三传送室131的内部压强可以被控制成基本相同或相等。
第三穿梭件S3可以设置在第三输送室P3内并且可以输送第一基底210。在这种情况下，安装在第三输送室P3内的第三基底冷却单元R3可以运行，使得第一基底210的温度(例如，表面温度)可以降低或下降。在这种情况下，使第三基底冷却单元R3运行的方法可以与使第二基底冷却单元R2运行的方法相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
当完成上述工艺时，可以将第一基底210从第三输送室P3供应至第一转向模块室T1。在这种情况下，第一转向模块室T1可以使第一基底210反转例如180度(例如，可以使第一基底210的方向反转或者使第一基底210翻转)。例如，第一簇件120和第二簇件130可以利用向下沉积来沉积第一无机层231和第一有机层232，第三簇件140可以利用向上沉积来沉积第二无机层233，其中，在向下沉积中沿向下方向提供沉积材料(例如，使沉积材料向下移动)，在向上沉积中沿向上方向提供沉积材料(例如，使沉积材料向上移动)。因此，对于向上沉积，第一基底210可以反转180度。即，当第一基底210被反转时，设置在第一基底210上的第一无机层231和第一有机层232可以被设置成朝向向下方向(例如，第一基底210可以被定位成使得第一无机层231可以在第一有机层232上方)。
在第一基底210如上所述地在第一转向模块室T1中被反转之后，可以将第一基底210供应至第四传送室141。在这种情况下，第一转向模块室T1和第四传送室141的内部压强可以被控制成基本相同或相等。
同时，输送至第四传送室141的第一基底210可以进一步被输送至第一化学气相室142。在这种情况下，第四传送室141的内部压强和第一化学气相室142的内部压强可以被控制成基本相同或相等。
当如上所述地沉积第二无机层233时，可以从第三掩模贮存室143供应在第一化学气相室142中使用(例如，在第一化学气相室142中所必需)的掩模。在这种情况下，第三掩模贮存室143的操作可以与第一掩模贮存室123或第二掩模贮存室133的操作相似，因此这里将省略对其的详细描述。
同时，当如上所述地沉积(例如，完全沉积)第二无机层233时，可以将显示设备200从第四传送室141输送至第二转向模块室T2。在这种情况下，第二转向模块室T2可以通过使显示设备200反转例如180度来使显示设备200恢复至最初方向(例如，最初状态)。
可以将如上所述恢复至最初方向的显示设备200通过第四输送室P4从第二转向模块室T2输送至第五传送室151。在这种情况下，在第二转向模块室T2的内部压强和第四输送室P4的内部压强维持基本一致(例如，维持相等或基本相等)的同时将显示设备200从第二转向模块室T2输送至第四输送室P4之后，可以通过使第四输送室P4的内部压强和第五传送室151的内部压强维持基本一致(例如，维持相等)来将显示设备200从第四输送室P4输送至第五传送室151。
可以将如上所述制造的显示设备200从第五传送室151装载到卸载室152中并且储存在一个卸载室152中。在这种情况下，当第五传送室151的内部压强和卸载室152的内部压强被控制成基本相同(例如，当内部压强相等或基本相等)时，可以输送显示设备200。
同时，可以具有各种方法将如上所述的显示设备200装载到卸载室152内。例如，可以通过设置卸载室152的顺序或次序(例如，预先设置卸载室152的顺序或次序)来控制卸载室152，并且当将显示设备200装载(例如，完全装载)到随机选择的一个卸载室152中时，可以控制其他卸载室152来储存其他显示设备200。一个显示设备200可以被储存在多个卸载室152中的一个卸载室152中，并且可以从第五传送室151随机输送至多个卸载室152中的被确定为其中没有储存显示设备200的一个卸载室152。
如上所述，薄膜包封制造设备100可以执行顺列(in-line)薄膜包封，从而最优化或减少执行薄膜包封所需的时间。
当形成多层薄膜包封时，薄膜包封制造设备100可以调整每层的厚度，可以执行(例如，同时执行)向上和向下的膜形成，从而便于形成多层薄膜包封。
例如，薄膜包封制造设备100可以包括装载簇件110和卸载簇件150，因此，可以顺序地(in one line)形成薄膜包封，从而提高产率。
薄膜包封制造设备100可以在执行每个工艺之前降低或减小第一基底210的温度，因此可以减小或防止因每个工艺而由第一基底210的温度升高或温度增大产生的影响(例如，因素)，从而确保促进和/或完成薄膜包封。
此外，薄膜包封制造设备100可以在形成第一有机层232之前降低或减小第一基底210的温度，从而在形成第一无机层231之后改善形成的第一有机层232的质量。
图6是根据本发明另一实施例的薄膜包封制造设备300的构思图。图7是利用在图6中示出的薄膜包封制造设备300制造的显示设备400的剖视图。
参照图6和图7，薄膜包封制造设备300可以包括装载簇件、第一输送室P1、第一簇件320、第一连接模块M1、第二簇件330、第二连接模块M2和第三簇件340。在这种情况下，可以安装(例如，顺序地安装)第一连接模块M1、第二簇件330、第二连接模块M2和第三簇件340。第一连接模块M1、第二簇件330、第二连接模块M2和第三簇件340可以形成单个有机/无机层形成模块S。多个有机/无机层形成模块S可以形成并包括连接至第一簇件320的第一有机/无机层形成模块S1和连接至第一有机/无机层形成模块S1的第二有机/无机层形成模块S2。
第一有机/无机层形成模块S1和第二有机/无机层形成模块S2可以交替地形成(例如，顺序地形成)第一有机层432和第二无机层433，因此可以形成随后将进一步描述的第一有机层432、第二无机层433、第二有机层434和第三无机层435。
装载簇件、第一输送室P1、第一簇件320及第一有机/无机层形成模块S1的第一连接模块M1、第二簇件330、第二连接模块M2和第三簇件340可以彼此连接(例如，顺序地连接)。第二有机/无机层形成模块S2的第一连接模块、第二簇件、第二连接模块和第三簇件可以连接(例如，顺序地连接)至第三簇件340。然而，为了避免描述的混乱，将连接至第三簇件340的第二有机/无机层形成模块S2的第一连接模块、第二簇件、第二连接模块和第三簇件分别重新命名为第三连接模块M3、第四簇件360、第四连接模块M4和第五簇件370，下面将对其进行进一步详细的描述。
薄膜包封制造设备300可以包括装载簇件、第一输送室P1、第一簇件320、第一连接模块M1、第二簇件330、第二连接模块M2、第三簇件340、第三连接模块M3、第四簇件360、第四连接模块M4、第五簇件370、第十输送室P10、第五转向模块室T5、第十一输送室P11和卸载簇件。
第一输送室P1可以包括第一基底冷却单元。第一基底冷却单元可以例如以非接触方式使向第一簇件320输送的第一基底410冷却。在这种情况下，第一基底冷却单元可以与上面描述的第一基底冷却单元相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。为了便于描述，下面将详细描述第一输送室P1中不包括第一基底冷却单元的示例实施例。
同时，第一连接模块M1和第二连接模块M2可以以与参照图1和图2描述的第一连接模块M1和第二连接模块M2相同或相似方式形成。例如，第一连接模块M1可以包括第二输送室P2、第一转向模块室T1和第三输送室P3。第一连接模块M1可以包括例如以非接触方式使第一基底410冷却的第二基底冷却单元。在这种情况下，第二基底冷却单元可以安装在第二输送室P2、第一转向模块室T1和第三输送室P3中的至少一个中。为了便于描述，下面将详细描述第二基底冷却单元安装在第二输送室P2和第三输送室P3中的每个中的示例实施例。
上面描述的第二基底冷却单元可以包括第二冷却板和第二冷却器。在这种情况下，第二冷却板和第二冷却器可以与参照图1和图2描述的冷却板和冷却器相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
第二连接模块M2可以包括第四输送室P4、第二转向模块室T2和第五输送室P5。第二连接模块M2可以包括安装在第四输送室P4、第二转向模块室T2和第五输送室P5中的至少一个中的第三基底冷却单元。为了便于描述，下面将详细描述第三基底冷却单元安装在第四输送室P4和第五输送室P5中的每个中的示例实施例。
第三连接模块M3可以包括第六输送室P6、第三转向模块室T3和第七输送室P7。第三连接模块M3可以包括安装在第六输送室P6、第三转向模块室T3和第七输送室P7中的至少一个中的第四基底冷却单元。在这种情况下，第四基底冷却单元可以以与第二基底冷却单元相同或相似的方式形成，因此这里将省略对其的详细描述。
第四连接模块M4可以包括第八输送室P8、第四转向模块室T4和第九输送室P9。第四连接模块M4可以包括安装在第八输送室P8、第四转向模块室T4和第九输送室P9中的至少一个中的第五基底冷却单元。在这种情况下，第五基底冷却单元可以以与第三基底冷却单元相同或相似的方式形成，因此这里将省略对其的详细描述。
上面描述的薄膜包封制造设备300可以选择性地包括第二基底冷却单元至第五基底冷却单元。例如，第三基底冷却单元和第五基底冷却单元可以不被安装在薄膜包封制造设备300中。为了便于描述，下面将更详细地描述薄膜包封制造设备300包括第二基底冷却单元至第五基底冷却单元中的每个的示例实施例。
同时，上面描述的第一输送室P1至第十一输送室P11可以以与上面参照图1和图2描述的第一输送室P1至第四输送室P4相同或相似的方式形成，可以以相同的方式或者以相似的方式输送发光单元420形成在其上的第一基底410，因此，这里将省略对其的详细描述。
第一转向模块室T1至第五转向模块室T5可以以与上面参照图1和图2描述的第一转向模块室T1和第二转向模块室T2相同或相似的方式形成，发光单元420形成在其上的第一基底410可以以相同的方式或以相似的方式对齐或反转并被输送，因此，这里将省略对其的详细描述。
同时，可以以与上面参照图1和图2描述的相同或相似的方式形成装载簇件和卸载簇件，因此下面省略了对其的详细描述。装载簇件和卸载簇件可以被包括或者可以不被包括在薄膜包封制造设备300中，因此，为了便于描述，下面将详细描述不包括装载簇件和卸载簇件的示例实施例。
第一簇件320可以包括第二传送室321、第一溅射室322和第一掩模贮存室323。在这种情况下，第一簇件320可以以与上面参照图1和图2描述的方式相同或相似的方式形成，因此这里将省略对其的详细描述。
第二簇件330可以包括第三传送室331、第一单体沉积室332和第二掩模贮存室333。在这种情况下，第二簇件330可以以与上面参照图1和图2描述的方式相同或相似的方式形成，因此这里将省略对其的详细描述。
第三簇件340可以包括第四传送室341、第一化学气相室342和第三掩模贮存室343。在这种情况下，第三簇件340可以以与上面参照图1和图2描述的方式相同或相似的方式形成，因此这里将省略对其的详细描述。为了便于描述，下面将详细描述利用PECVD在第一化学气相室342中形成第二无机层433的示例实施例。
同时，第四簇件360可以包括第六传送室361、第二单体沉积室362和第四掩模贮存室363。在这种情况下，第四簇件360可以在第二无机层433上形成第二有机层434。例如，第四簇件360可以以与第二簇件330相同或相似的方式形成，第二有机层434可以以与第一有机层432相同或相似的方式形成，因此这里将省略对其的详细描述。
第五簇件370可以包括第七传送室371、第二化学气相室372和第五掩模贮存室373。在这种情况下，第五簇件370可以在第二有机层434上形成第三无机层435。例如，第五簇件370可以以与第三簇件340相同或相似的方式形成，第三无机层435可以以与第二无机层433相同或相似的方式形成，因此这里将省略对其的详细描述。
同时，下面将详细描述通过利用薄膜包封制造设备300执行薄膜包封工艺的方法和显示设备400的结构。
首先，可以制造发光单元420形成在其上的第一基底410。在这种情况下，第一基底410和发光单元420可以与上面参照图1和图2描述的第一基底210和发光单元220分别相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
同时，在制备发光单元420形成在其上的第一基底410之后，可以在第一基底410进入薄膜包封制造设备300时形成包封单元430。在这种情况下，包封单元430可以包括至少一层有机层形成(例如，插入)在至少两层无机层之间的至少一种结构(例如，三明治结构或层叠结构)。可选择地，包封单元430可以包括至少一层无机层形成(例如，插入)在至少两层有机层之间的至少一种结构(例如，三明治结构或层叠结构)。
例如，可以通过如上所述地堆叠(例如，顺序地堆叠)第一无机层431、第一有机层432、第二无机层433、第二有机层434和第三无机层435来形成包封单元430。
例如，第一有机层432和第二有机层434可以由聚合物形成，并且可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一种形成的单层或堆叠层。第一有机层432和第二有机层434可以由聚丙烯酸酯形成，详细地讲，可以包括包含二丙烯酸酯单体或三丙烯酸酯单体的聚合的单体成分。单体成分还可以包括单丙烯酸酯单体。诸如TPO的合适的光引发剂还可以被包括在单体成分中，但是不限于此。
第一无机层431、第二无机层433和第三无机层435可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠层。例如，第一无机层431、第二无机层433和第三无机层435可以包括氮化硅(例如，SiNx)、氧化铝(例如，Al2O3)、氧化硅(例如，SiO2)和氧化钛(例如，TiO2)中的一种。在这种情况下，第三无机层435可以形成为防止或者减少湿气渗透到发光单元420中。
同时，包括例如氟化锂(例如，LiF)的卤化金属层还可以包括在发光单元420和第一无机层431之间。卤化金属层可以防止或者减少在利用溅射工艺形成第一无机层431时对发光单元420造成的损坏。
第一有机层432可以比第二无机层433小(例如，第一有机层432的表面面积可以比第二无机层433的表面面积小)，第二有机层434可以比第三无机层435小(例如，第二有机层434的表面面积可以比第三无机层435的表面面积小)。在这种情况下，第一有机层432可以被第二无机层433覆盖(例如，完全覆盖)，第二有机层434可以被第三无机层435覆盖(例如，完全覆盖)。
形成如上所述的包封单元430的方法可以包括：将薄膜包封设备300的真空度(例如，整个真空度)维持在5E-4Pa或更小(即，5×10-4Pa或更小)；利用例如机械手臂将掩模分别从第一掩模贮存室323、第二掩模贮存室333、第三掩模贮存室343、第四掩模贮存室363和第五掩模贮存室373移至第一溅射室322、第一单体沉积室332、第一化学气相室342、第二单体沉积室362和第二化学气相室372内；在每个室内安装掩模。
当执行上述工艺时，可以将发光单元420形成在其上的第一基底410安装在第一输送室P1中，并且可以将第一输送室P1的真空度维持成与第二传送室321的真空度基本相同或相等，然后可以打开闸门阀以将第一基底410移至第二传送室321。在这种情况下，可以通过例如机器人来移动第一基底410。在这种情况下，如上所述，在发光单元420上可以形成或者可以不形成包括例如氟化锂(例如，LiF)的卤化金属层，以防止或减少在溅射工艺期间对发光单元420造成的损坏。为了便于描述，下面将详细描述在发光单元420上不形成卤化金属层但是形成有第一无机层431的示例实施例。
当第一基底冷却单元安装在第一输送室P1中时，可以通过第一基底冷却单元例如以非接触方式使进入第一输送室P1的第一基底410冷却。为了便于描述，下面将详细描述没有安装第一基底冷却单元的示例实施例，即，通过第一输送室P1将第一基底410供应至第一簇件320而没有使第一基底410冷却的情况。
同时，当第二传送室321的真空度与第一溅射室322中的在其中执行溅射工艺以形成第一无机层431的一个第一溅射室322的真空度基本相同或相等时，可以打开闸门阀以将第一基底410移至第一溅射室322。在将第一基底410装载在掩模(例如，预先安装的掩模)和基底保持器之间之后，可以通过利用第一基底410上的标记和掩模上的开口标记或掩模中的开口空间并通过利用连接有可视单元的对齐工具使第一基底410对齐(例如，精确地对齐)，然后可以使第一基底410和掩模彼此连接(例如，附着)。
同时，可以将用于溅射工艺的工艺气体注入至第一溅射室322中以将真空度维持在1E-1Pa至1E-2Pa(即，1×10-1Pa至1×10-2Pa)，然后可以通过向阴极施加电压来产生等离子体放电。在这种情况下，可以在第一基底410或阴极位于第一溅射室322中时执行膜形成。
在上述工艺期间，当实现第一无机层431的目标厚度时，可以将第一基底410或阴极移至备用区域以停止在第一基底410上沉积材料，可以停止工艺气体的注入以控制真空放电系统的流导(即，流动)，因此将第一溅射室322的真空度维持成与第二传送室321的真空度基本相同或相等。在这种情况下，可以将第一基底410和掩模彼此分开(例如，分离)，并且可以将第一基底410和掩模移至可以从其排出第一基底410的位置。
当完成上述工艺时，可以将第一基底410从第一溅射室322移至第二传送室321。可以将第一基底410从第二传送室321输送至第一连接模块M1。
例如，当第二传送室321的真空度与第二输送室P2的真空度基本相同或相等时，可以将第一基底410从第二传送室321移至第二输送室P2。
在这种情况下，可以通过运行第二基底冷却单元来使发光单元420形成在其上的第一基底410冷却。例如，第二冷却器可以通过使第二制冷剂在第二冷却板中循环或者穿过第二冷却板循环来冷却第二冷却板，并且可以通过在冷却的第二冷却板、第一无机层431、发光单元420和第一基底410之间交换热来降低或减小第一基底410的温度。第二冷却器可以在第一基底410被装载在第二冷却板上时以与上面描述的方式相同或相似的方式运行，或者可以以与上面描述的方式相同或相似的方式持续地运行而无论第一基底410是否被装载在第二冷却板上。
当第一基底410被充分冷却(例如，完全冷却)时，在将第二输送室P2的真空度和第一转向模块室T1的真空度维持成基本相同或相等或者使第二输送室P2的真空度和第一转向模块室T1的真空度基本相同或相等之后，可以将第一基底410移至第一转向模块室T1中并且在第一转向模块室T1中将第一基底410旋转(例如，翻转)例如180度，因此可以防止第一基底410的沉积侧的改变(例如，可以防止第一单体沉积室332和第二簇件330的注入位置的改变)。
同时，当如上所述完成第一转向模块室T1的操作并且将第一转向模块室T1的真空度和第三输送室P3的真空度控制成基本相同或相等时，可以将第一基底410移至第三输送室P3。第三输送室P3的第二基底冷却单元可以冷却(例如，进一步冷却)第一基底410。在这种情况下，使第一基底410冷却的方法可以与上面描述的方法相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
在将第三输送室P3的真空度和第三传送室331的真空度维持为基本相同或相等或者使第三输送室P3的真空度和第三传送室331的真空度基本相同或相等之后，可以打开闸门阀以将第一基底410移至第三传送室331。在这种情况下，可以通过利用例如机器人来移动第一基底410。
当完成上述工艺时，当第三传送室331的真空度与多个第一单体沉积室332中的在其中执行形成第一有机层432的有机沉积工艺的一个第一单体沉积室332的真空度基本相同或相等时，可以打开闸门阀以将第一基底410移至多个第一单体沉积室332中的一个。在这种情况下，在将第一基底410装载在掩模(例如，预先安装的掩模)和基底保持器之间之后，可以通过利用第一基底410上的标记和掩模上的开口标记或掩模中的开口空间并利用连接有可视单元的对齐工具使第一基底410对齐(例如，精确地对齐)，然后可以将第一基底410与掩模彼此连接(例如，附着)。
可以将用于有机沉积工艺的工艺气体注入至在其中执行有机沉积工艺的第一单体沉积室332中，以将真空度维持在例如1E-1Pa至1E-2Pa(即，1×10-1Pa至1×10-2Pa)，然后可以打开包含蒸发的有机材料的蒸发器的喷嘴单元。在这种情况下，在输送第一基底410或源单元(例如，使第一基底410或源单元相对于另一个移动)的同时，在第一单体沉积室332中执行膜形成和硬化。
例如，如上所述，当将第一基底410装载到第一单体沉积室332中时，可以通过例如闪蒸来沉积可通过施加UV线或热而聚合的单体和光引发剂。
当完成上述工艺时，可以通过对单体沉积在其上的第一基底410的表面施加UV线或热来使表面硬化，因此可以使单体聚合以形成包括聚合物的第一有机层432。
同时，在上述工艺期间，当实现第一有机层432的目标厚度时，可以将第一基底410或源单元移至备用区域以关闭喷嘴单元并停止注入工艺气体，然后可以控制真空放电系统的流导(例如，流动)以将第一单体沉积室332的真空度维持成与第三传送室331的真空度基本相同或相等。在这种情况下，可以将第一基底410和掩模彼此分离(例如，分开)，并且移至可以从其排出第一基底410的位置。
如上所述，当第一单体沉积室332的真空度与第三传送室331的真空度基本相同或相等时，可以将第一基底410从第一单体沉积室332移至第三传送室331。然后可以进一步将第一基底410从第三传送室331移至第二连接模块M2。
例如，当第三传送室331的真空度和第四输送室P4的真空度基本相同或相等时，可以将第一基底410从第三传送室331移至第四输送室P4。当第一基底410进入第四输送室P4时，第三基底冷却单元可以使第一基底410冷却。在这种情况下，第三基底冷却单元使第一基底410冷却的方法可以与上面描述的第二基底冷却单元使第一基底410冷却的方法相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
同时，当第四输送室P4的真空度与第二转向模块室T2的真空度基本相同或相等时，可以将第一基底410移至第二转向模块室T2并且使第一基底410在第二转向模块室T2中旋转(例如，翻转)例如180度，因此可以防止第一基底410的沉积侧的改变(例如，可以防止第一化学气相室342和第三簇件340的注入位置的改变)。
当完成上述工艺时，当第二转向模块室T2的真空度和第五输送室P5的真空度基本相同或相等时，可以将第一基底410移至第五输送室P5。第五输送室P5的第三基底冷却单元可以使第一基底410冷却。在这种情况下，第三基底冷却单元使第一基底410冷却的方法可以与上面描述的第二基底冷却单元使第一基底410冷却的方法相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
在将第五输送室P5的真空度与第三簇件340的真空度维持为基本相同或相等之后，可以打开闸门阀以将第一基底410移至第三簇件340。例如，可以将第一基底410从第五输送室P5移至第四传送室341。在这种情况下，可以通过例如机器人来移动第一基底410。
如上所述，当通过利用例如时间空间划分(time spatial division)控制真空放电系统的流导(例如，流动)，使第四传送室341的真空度与多个第一化学气相室342中的在其中执行形成第二无机层433的PECVD工艺的第一化学气相室342的真空度基本相同或相等时，可以打开闸门阀以将第一基底410移至第一化学气相室342。在将第一基底410装载在掩模(例如，预先安装的掩模)和基底保持器之间之后，可以通过利用第一基底410上的标记和掩模上的开口标记或掩模中的开口空间并利用连接有可视单元的对齐工具使第一基底410对齐(例如，精确对齐)，然后可以使第一基底410与掩模彼此连接(例如，附着)。
其后，在可以完全关闭用于控制流导的可以连接至高真空泵的阀之后，等离子体产生单元可以通过注入作为放电气体的氩气(Ar)来产生等离子体，以维持或设置例如1Pa至200Pa的压强，然后可以将功率级增大至例如3W/cm2至5W/cm2。
在这种情况下，可以通过供应反应材料、反应气体和/或输送气体并利用等离子体产生源来调整例如1Pa至200Pa的压强。可以将反应材料注入到等离子体区域中以形成自由基(radical)(例如，中性等离子体种类)。例如，可以利用氮化硅(例如，SiN)产生气体，或者可以利用SiH4/NH3/N2/H2/Ar。在上面描述的环境中，可以执行膜形成工艺。在这种情况下，可以将膜形成速度维持或设置在200nm/min或更小，可以供应(例如，持续地供应)包括例如SiH4(50-500sccm)/NH3(300-2000sccm)/N2(300-2000sccm)的气体。
同时，当通过执行上述工艺实现第二无机层433的目标厚度时，可以通过包括停止供应有助于反应的气体的多个步骤使等离子体功率降至1W/cm2。其后，可以将第一基底410和掩模彼此分开(例如，分离)，并移至可以从其排出第一基底410的位置。可以通过时间空间划分控制来打开(例如，在第一基底410与掩模分开时同时打开)用于控制流导的安装在高真空泵中的阀，然后可以将第一化学气相室342的真空度维持成与第四传送室341的真空度基本相同或相等。在这种情况下，可以将第一基底410从第一化学气相室342移至第四传送室341。
同时，当完成上述工艺时，可以将第一基底410从第四传送室341移至第三连接模块M3。例如，当第四传送室341的真空度与第六输送室P6的真空度基本相同或相等时，可以将第一基底410从第四传送室341移至第六输送室P6。第一基底410的温度可以因包括在第六输送室P6中的第四基底冷却单元而下降或降低。在这种情况下，第四基底冷却单元使第一基底410冷却的方法可以与上面描述的第二基底冷却单元使第一基底410冷却的方法相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
当第六输送室P6的真空度与第三转向模块室T3的真空度基本相同或相等时，可以将第一基底410移至第三转向模块室T3并且使第一基底410在第三转向模块室T3中旋转(例如，翻转)例如180度，因此可以防止第一基底410的沉积侧的改变(例如，可以防止第二单体沉积室362和/或第四簇件360的注入位置的改变)。
在这种情况下，当第三转向模块室T3的真空度和第七输送室P7的真空度基本相同或相等时，可以将第一基底410移至第七输送室P7。例如，当将第一基底410装载到第七输送室P7中时，第一基底410的温度可以因第四基底冷却单元的使用而下降或降低。在这种情况下，使第七输送室P7的第四基底冷却单元运行的方法可以与上面描述的方法相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
在将第七输送室P7的真空度和第六传送室361的真空度维持或设置成基本相同或相等之后，可以打开闸门阀以将第一基底410移至第六传送室361。在这种情况下，可以通过例如机器人来移动第一基底410。
同时，当第六传送室361的真空度与多个第二单体沉积室362中的在其中执行形成第二有机层434的有机沉积工艺的第二单体沉积室362的真空度基本相同或相等时，可以打开闸门阀以将发光单元420形成在其上的第一基底410移至第二单体沉积室362。在这种情况下，形成第二有机层434的方法可以与形成第一有机层432的方法相似，因此这里将省略对其的详细描述。
当实现第二有机层434的目标厚度时，可以将第一基底410或源单元移至备用区域以关闭喷嘴单元并停止注入工艺气体，然后可以通过控制真空放电系统的流导将第二单体沉积室362的真空度维持或设置成与第六传送室361基本相同或相等。在这种情况下，可以将第一基底410和掩模彼此分开(例如，分离)，并且移至可以从其排出第一基底410的位置。
同时，如上所述，可以将第一基底410从第二单体沉积室362移至第六传送室361，然后可以将第一基底410移至第四连接模块M4。
例如，当第六传送室361的真空度与第八输送室P8的真空度基本相同或相等时，可以将第一基底410从第六传送室361移至第八输送室P8。在这种情况下，第八输送室P8的第五基底冷却单元可以使第一基底410冷却。在这种情况下，第五基底冷却单元使第一基底410冷却的方法可以与上面描述的第二基底冷却单元使第一基底410冷却的方法相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
当第八输送室P8的真空度与第四转向模块室T4的真空度基本相同或相等时，可以将第一基底410移至第四转向模块室T4并且使第一基底410在第四转向模块室T4中旋转(例如，翻转)例如180度，因此可以防止第一基底410的沉积侧的改变(例如，可以防止第二化学气相室372和第五簇件370的注入位置的改变)。
当完成上述工艺时，当第四转向模块室T4的真空度与第九输送室P9的真空度基本相同或相等时，可以将第一基底410移至第九输送室P9。在这种情况下，第九输送室P9的第五基底冷却单元可以使第一基底410冷却。在这种情况下，第五基底冷却单元使第一基底410冷却的方法可以与上面描述的方法相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
当充分冷却(例如，完全冷却)第一基底410时，在将第九输送室P9的真空度和第七传送室371的真空度维持或设置为基本相同或相等之后，可以打开闸门阀以将第一基底410移至第七传送室371。在这种情况下，可以通过例如机器人来移动第一基底410。
当完成上述工艺时，当通过利用时间空间划分控制真空放电系统的流导来使第七传送室371的真空度与多个第二化学气相室372中的在其中执行用于形成第三无机层435的PECVD工艺的第二化学气相室372的真空度基本相同或相等时，可以打开闸门阀以使第一基底410移至第二化学气相室372。在这种情况下，在使第一基底410与掩模对齐之后形成第三无机层435的方法可以与上面描述的形成第二无机层433的方法相似，因此这里将省略对其的详细描述。
同时，当完成该工艺时，即，当实现第三无机层435的目标厚度时，可以将发光单元420形成在其上的第一基底410和掩模彼此分开(例如，分离)，并且移至可以从其排出第一基底410的位置。可以打开(例如，可以在将第一基底410与掩模分开时一起或同时打开)用于控制流导的安装在高真空泵中并且通过时间空间控制来控制的阀，然后可以将第二化学气相室372的真空度维持或设置成与第七传送室371的真空度基本相同或相等。
当完成上述工艺时，可以将显示设备400从第二化学气相室372输送至第七传送室371。当第七传送室371的真空度与第十输送室P10的真空度基本相同或相等时，可以将显示设备400从第七传送室371移至第十输送室P10。
同时，当完成上述工艺时，可以将显示设备400从第十输送室P10输送至第五转向模块室T5，在第五转向模块室T5中旋转例如180度并对齐，然后输送至第十一输送室P11。
在这种情况下，用户可以通过将从第十一输送室P11排出的显示设备400移到外部来完成工艺。例如，可以通过例如机器人来取出第十一输送室P11中的显示设备400。
因此，薄膜包封制造设备300可以在形成包括有机层和无机层的堆叠且多层的薄膜时控制每个层的厚度，可以形成顺列簇件并且可以利用PECVD工艺的时间空间划分真空控制来将各种薄膜工艺设备的真空度维持成基本相同或相等。薄膜包封制造设备300可以形成顺列簇件，从而按照顺列方式执行溅射、有机沉积和PECVD。
在执行每个工艺之前，薄膜包封制造设备300可以使第一基底410的温度降低或下降，因此可以防止或减少因每个工艺而由第一基底410的温度升高或增大而导致的影响或因素(例如，产距时间(takt time)增大)，从而确保促进薄膜包封。
此外，薄膜包封制造设备300可以在形成包括例如第一有机层432、第二无机层433、第二有机层434和第三无机层435的膜之前使第一基底410的温度降低或下降，从而提高第一有机层432、第二无机层433、第二有机层434和第三无机层435的质量。
图8是根据本发明另一实施例的薄膜包封制造设备500的构思图。图9是利用在图8中示出的薄膜包封制造设备500制造的显示设备600的剖视图。
参照图8和图9，薄膜包封制造设备500可以包括装载簇件、第一输送室P1、第一簇件520、第一连接模块M1、第二簇件530、第二连接模块M2和第三簇件540。在这种情况下，可以安装(例如，顺序地安装)第一连接模块M1、第二簇件530、第二连接模块M2和第三簇件540。在这种情况下，第一连接模块M1、第二簇件530、第二连接模块M2和第三簇件540可以形成单个有机/无机层形成模块S。可以形成多个有机/无机层形成模块S，多个有机/无机层形成模块S可以包括连接至第一簇件520的第一有机/无机层形成模块S1和连接至第一有机/无机层形成模块S1的第二有机/无机层形成模块S2。多个有机/无机层形成模块S可以包括连接至第二有机/无机层形成模块S2的第三有机/无机层形成模块S3。
第一有机/无机层形成模块S1、第二有机/无机层形成模块S2和第三有机/无机层形成模块S3可以交替地形成(例如，顺序地形成)第一有机层632和第二无机层633。这样，可以形成将在后面进一步描述的第一有机层632、第二无机层633、第二有机层634、第三无机层635、第三有机层636和第四无机层637。
薄膜包封制造设备500的装载簇件、第一输送室P1、第一簇件520及第一有机/无机层形成模块S1的第一连接模块M1、第二簇件530、第二连接模块M2和第三簇件540可以彼此连接(例如，顺序地连接)。第二有机/无机层形成模块S2的第一连接模块、第二簇件、第二连接模块和第三簇件可以连接至(例如，顺序地连接至)第三簇件540。然而，为了避免描述的混乱，将连接至(例如，顺序地连接至)第三簇件540的第二有机/无机层形成模块S2的第一连接模块、第二簇件、第二连接模块和第三簇件分别重新命名为第三连接模块M3、第四簇件560、第四连接模块M4和第五簇件570，下面将对此进行进一步详细的描述。
为了避免描述的混乱，将连接(例如，顺序地连接)至第五簇件570的第三有机/无机层形成模块S3的第一连接模块、第二簇件、第二连接模块和第三簇件分别重新命名为第五连接模块M5、第六簇件580、第六连接模块M6和第七簇件590，下面将对此进行进一步详细的描述。
例如，薄膜包封制造设备500可以包括装载簇件、第一输送室P1、第一簇件520、第一连接模块M1、第二簇件530、第二连接模块M2、第三簇件540、第三连接模块M3、第四簇件560、第四连接模块M4、第五簇件570、第五连接模块M5、第六簇件580、第六连接模块M6、第七簇件590、第十四输送室P14、第七转向模块室T7、第十五输送室P15和卸载簇件。
在这种情况下，第一输送室P1可以包括第一基底冷却单元。第一基底冷却单元可以例如以非接触方式使输送至第一簇件520的第一基底610冷却。在这种情况下，第一基底冷却单元可以与上面描述的基底冷却单元相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。为了便于描述，下面将详细描述第一输送室P1中不包括第一基底冷却单元的示例实施例。
同时，第一连接模块M1和第二连接模块M2可以以与参照图1和图2描述的第一连接模块M1和第二连接模块M2相似的方式形成。例如，第一连接模块M1可以包括第二输送室P2、第一转向模块室T1和第三输送室P3。第二连接模块M2可以包括第四输送室P4、第二转向模块室T2和第五输送室P5。
第一连接模块M1可以包括例如以非接触方式使第一基底610冷却的第二基底冷却单元。在这种情况下，第二连接模块M2可以包括第三基底冷却单元。下面将进一步详细地描述其中第二连接模块M2不包括第三基底冷却单元的示例实施例。
第二基底冷却单元可以安装在第二输送室P2、第一转向模块室T1和第三输送室P3中的至少一个中。为了便于描述，下面将进一步详细地描述其中第二基底冷却单元安装在输送室P2和P3中的每个中的示例实施例。
如上所述，第二基底冷却单元可以包括第二冷却板和第二冷却器。第二冷却板和第二冷却器可以与参照图1和图2描述的冷却板和冷却器相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
同时，可以以与第一连接模块M1相同或相似的方式形成第三连接模块M3和第五连接模块M5，可以以与第二连接模块M2相同或相似的方式形成第四连接模块M4和第六连接模块M6。
例如，第三连接模块M3可以包括第六输送室P6、第三转向模块室T3和第七输送室P7。第四连接模块M4可以包括第八输送室P8、第四转向模块室T4和第九输送室P9。第五连接模块M5可以包括第十输送室P10、第五转向模块室T5和第十一输送室P11。第六连接模块M6可以包括第十二输送室P12、第六转向模块室T6和第十三输送室P13。
第三连接模块M3可以包括第四基底冷却单元。第五连接模块M5可以包括第六基底冷却单元。在这种情况下，第四基底冷却单元和第六基底冷却单元可以以与第二基底冷却单元相同或相似的方式形成，因此这里将省略对其的详细描述。
同时，第一输送室P1至第十五输送室P15可以以与上面参照图1和图2描述的第一输送室P1至第四输送室P4相同或相似的方式形成，可以以相同的方式或者以相似的方式输送发光单元620形成在其上的第一基底610，因此，这里将省略对其的详细描述。
第一转向模块室T1至第七转向模块室T7可以以与上面参照图1和图2描述的第一转向模块室T1和第二转向模块室T2相同的方式，或者以与上面参照图1和图2描述的第一转向模块室T1和第二转向模块室T2相似的方式形成，可以以相同的方式或者以相似的方式输送发光单元620形成在其上的第一基底610，因此，这里将省略对其的详细描述。
同时，装载簇件和卸载簇件可以以与上面参照图1和图2描述的方式相同或相似的方式形成，因此，这里将省略对其的详细描述。装载簇件和卸载簇件可以被包括在薄膜包封制造设备500中或者可以不被包括在薄膜包封制造设备500中，因此，为了便于描述，下面将进一步详细地描述不包括装载簇件和卸载簇件的示例实施例。
第一簇件520可以包括第二传送室521、第一溅射室522和第一掩模贮存室523。第一簇件520可以以与上面参照图1和图2描述的方式相同或相似的方式形成，因此，这里将省略对其的详细描述。
第二簇件530可以包括第三传送室531、第一单体沉积室532和第二掩模贮存室533。在这种情况下，第二簇件530可以以与上面参照图1和图2描述的方式相同或相似的方式形成，因此，这里将省略对其的详细描述。
第三簇件540可以包括第四传送室541、第一化学气相室542和第三掩模贮存室543。在这种情况下，第三簇件540可以以与上面参照图1和图2描述的方式相同或相似的方式形成，因此，这里将省略对其的详细描述。为了便于描述，下面将进一步详细地描述利用PECVD工艺在第一化学气相室542中形成第二无机层633的示例实施例。
同时，第四簇件560可以包括第六传送室561、第二单体沉积室562和第四掩模贮存室563。在这种情况下，第四簇件560可以在第二无机层633上形成第二有机层634。例如，第四簇件560可以以与第二簇件530相似的方式形成，第二有机层634可以以与第一有机层632相同或相似的方式形成，因此，这里将省略对其的详细描述。
第五簇件570可以包括第七传送室571、第二化学气相室572和第五掩模贮存室573。在这种情况下，第五簇件570可以在第二有机层634上形成第三无机层635。例如，第五簇件570可以以与第三簇件540相似的方式形成，第三无机层635可以以与第二无机层633相同或相似的方式形成，因此，这里将省略对其的详细描述。
同时，第六簇件580可以包括第八传送室581、第三单体沉积室582和第六掩模贮存室583。在这种情况下，第六簇件580可以在第三无机层635上形成第三有机层636。例如，第六簇件580可以以与第二簇件530相似的方式形成，第三有机层636可以以与第一有机层632相同或相似的方式形成，因此，这里将省略对其的详细描述。
第七簇件590可以包括第九传送室591、第三化学气相室592和第七掩模贮存室593。在这种情况下，第七簇件590可以在第三有机层636上形成第四无机层637。例如，第七簇件590可以以与第三簇件540相似的方式形成，第四无机层637可以以与第二无机层633相同或相似的方式形成，因此，这里将省略对其的详细描述。
同时，下面将进一步详细地描述利用薄膜包封制造设备500执行薄膜包封工艺的方法和第一基底610的结构。
显示设备600可以包括第一基底610和形成在其上的发光单元620。在这种情况下，第一基底610和发光单元620分别与上面参照图1和图2描述的第一基底210和发光单元220相同或相似，因此，这里将省略对其的详细描述。
同时，在制备发光单元620形成在其上的第一基底610之后，可以在第一基底610进入薄膜包封制造设备500时形成包封单元630。在这种情况下，包封单元630可以包括至少一层有机层形成在至少两层无机层之间(例如，至少一层有机层插入在至少两层无机层之间)的至少一种结构(例如，三明治结构或层状结构)。包封单元630可以包括至少一层无机层形成在至少两层有机层之间(例如，至少一层无机层插入在至少两层有机层之间)的至少一种结构(例如，三明治结构或层状结构)。
例如，可以通过如上所述地堆叠(例如，顺序地堆叠)第一无机层631、第一有机层632、第二无机层633、第二有机层634、第三无机层635、第三有机层636和第四无机层637来形成包封单元630。
例如，第一有机层632、第二有机层634和第三有机层636可以由聚合物形成，并且可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一种形成的单层或堆叠层。第一有机层632、第二有机层634和第三有机层636可以由例如聚丙烯酸酯形成，并且可以包括包含二丙烯酸酯单体和三丙烯酸酯单体的聚合的单体成分。单体成分还可以包括单聚丙烯酸酯单体。诸如热塑性聚烯烃(TPO)的合适的光引发剂可以进一步包括在单体成分中，但是不限于此。
第一无机层631、第二无机层633、第三无机层635和第四无机层637可以是包括例如金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠层。例如，第一无机层631、第二无机层633、第三无机层635和第四无机层637可以包括氮化硅(例如，SiNx)、氧化铝(例如，Al2O3)、氧化硅(例如，SiO2)和氧化钛(例如，TiO2)中的一种。在这种情况下，第四无机层637可以形成为防止或减少水分渗透到发光单元620中。
同时，在发光单元620和第一无机层631之间还可以包括包含例如氟化锂(例如，LiF)的卤化金属层。卤化金属层可以在利用溅射工艺形成第一无机层631时防止或减少对发光单元620的损坏。
第一有机层632可以比第二无机层633小(例如，第一有机层632的表面面积可以比第二无机层633的表面面积小)，第二有机层634也可以比第三无机层635小(例如，第二有机层634的表面面积可以比第三无机层635的表面面积小)。第三有机层636也可以比第四无机层637小(例如，第三有机层636的表面面积也可以比第四无机层637的表面面积小)。
在这种情况下，第二无机层633可以覆盖(例如，完全覆盖)第一有机层632，第三无机层635也可以覆盖(例如，完全覆盖)第二有机层634。第四无机层637也可以覆盖(例如，完全覆盖)第三有机层636。
形成如上所述的包封单元630的方法可以包括：将薄膜包封设备500的真空度维持在例如5E-4Pa或更小(即，5×10-4Pa或更小)；利用例如机械手臂将掩模从第一掩模贮存室523、第二掩模贮存室533、第三掩膜贮存室543、第四掩模贮存室563和第五掩模贮存室573分别移至第一溅射室522、第一单体沉积室532、第一化学气相室542、第二单体沉积室562和第二化学气相室572中；将掩模安装在各个相应的室中。
当完成上述工艺时，可以在发光单元620上形成(例如，顺序地形成)第一无机层631、第一有机层632、第二无机层633、第二有机层634和第三无机层635。在这种情况下，形成第一无机层631、第一有机层632、第二无机层633、第二有机层634和第三无机层635的方法可以与上面参照图6和图7描述的方法相同或相似，因此，这里将省略对其的详细描述。
在这种情况下，如上所述，可以在发光单元620上形成包括例如氟化锂(例如，LiF)的卤化金属层，以防止或减少在形成第一无机层631之前的溅射工艺期间对发光单元620的损坏，或者可以不形成包括例如氟化锂(例如，LiF)的卤化金属层。为了便于描述，下面将详细描述在发光单元620上没有形成卤化金属层而形成第一无机层631的示例实施例。
当将第一基底冷却单元安装在第一输送室P1中时，可以通过第一基底冷却单元例如以非接触方式使进入第一输送室P1的第一基底610冷却。为了便于描述，下面将详细地描述没有安装第一基底冷却单元的示例实施例，即，通过第一输送室P1将第一基底610供应至第一簇件520而没有使第一基底610冷却的情况。
同时，在形成第一无机层631之后，输送至第一连接模块M1的第一基底610的温度可以因第二基底冷却单元而下降或降低，然后可以将第一基底610输送至第二簇件530，因此可以形成第一有机层632。例如，穿过第二输送室P2和第三输送室P3的第一基底610的温度可以根据安装在第二输送室P2和第三输送室P3中的每个中的第二基底冷却单元的运行而下降或降低。在这种情况下，使第二基底冷却单元运行的方法可以与上面描述的方法相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
在第三簇件540在第一有机层632上形成第二无机层633之后，可以将第一基底610从第三簇件540移至第三连接模块M3。在这种情况下，当第一基底610的温度因包括在第三连接模块M3中的第四基底冷却单元而下降或降低时，可以将第一基底610供应至第四簇件560。使第四基底冷却单元运行的方法可以与上面描述的使第二基底冷却单元运行的方法相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
可以在如上所述地输送至第四簇件560的第一基底610上形成第二有机层634，然后使第一基底610经由第四连接模块M4移至第五簇件570，从而可以形成第三无机层635。
当完成上述工艺时，可以使第一基底610经由第五连接模块M5从第五簇件570移至第六簇件580。例如，第一基底610可以经由第十输送室P10、第五转向模块室T5和第十一输送室P11从第五簇件570进入第六簇件580。例如，当第一基底610穿过第五连接模块M5时，可以通过安装在第十输送室P10和第十一输送室P11中的每个中的第六基底冷却单元使第一基底610冷却，可以将第一基底610供应至第六簇件580。在这种情况下，使第六基底冷却单元运行的方法可以与如上面描述的使第二基底冷却单元运行的方法相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
可以在第六簇件580中利用有机沉积工艺在第三无机层635上形成第三有机层636。在这种情况下，使第六簇件580运行的方法可以与上述的使第二簇件530和第四簇件560运行的方法相同或相似，因此这里将省略对其的详细描述。
当完成上述工艺时，可以使第一基底610经由第十二输送室P12、第六转向模块室T6和第十三输送室P13从第六簇件580移至第七簇件590。
在这种情况下，可以在第七簇件590中在第三有机层636上形成第四无机层637。例如，可以在第七簇件590中利用例如PECVD工艺形成第四无机层637。在这种情况下，第七簇件590可以以与第三簇件540和第五簇件570相似的方式运行，因此这里将省略对其的详细描述。
在如上所述地形成第四无机层637之后，可以将发光单元620形成在其上的第一基底610经由第十四输送室P14、第七转向模块室T7和第十五输送室P15从第七簇件590拉出至外部(例如，从第七簇件590中去除)。
同时，如上面描述地形成的包封单元630不限于此，并且可以通过在第一无机层631上交替地形成第一有机层632和第二无机层633来形成。
因此，薄膜包封制造设备500可以在形成包括有机层和无机层的堆叠且多层的薄膜时控制每个层的厚度，可以包括顺列型的簇件布置，并且可以利用PECVD工艺的时间空间划分真空控制来将各种薄膜工艺设备的真空度维持成基本相同或相等。薄膜包封制造设备500可以形成顺列型的簇件布置，从而按照顺列方式执行溅射、有机沉积和PECVD。
在执行每个工艺之前，薄膜包封制造设备500可以使第一基底610的温度下降或降低，因此可以防止或减少因每个工艺而由第一基底610的温度升高或增大而产生的影响(例如，因素)，从而确保促进薄膜包封。
此外，薄膜包封制造设备500可以在形成包括例如第一有机层632、第二有机层634和第三有机层636的膜之前使第一基底610的温度下降或降低，从而提高第一有机层632、第二有机层634和第三有机层636的质量。
如上所述，根据本发明的一个或更多个上面的实施例，当形成包括有机层和无机层的堆叠且多层的薄膜时，可以控制每个层的厚度。也可以形成顺列型的簇件布置，顺列型的簇件布置可以通过利用PECVD的时间空间划分真空控制将各种薄膜工艺设备的真空度维持成基本相同或相等。可以形成顺列型的簇件，从而按照顺列方式执行溅射、有机沉积和PECVD。
应该理解的是，这里描述的示例实施例应该仅以描述性含义被考虑，而不是出于限制的目的。在每个实施例中对特征和/或方面的描述通常应当被看作可适用于其他实施例中的其他相似特征和/或方面。
尽管已经参照附图描述了本发明的一个或更多个示例实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，在此可以做出形式和细节上的各种改变。

Claims (14)

1.一种薄膜包封制造设备，所述薄膜包封制造设备包括：
第一簇件，用于通过使用溅射工艺在其上形成有发射单元的第一基底上形成第一无机层；
第二簇件，用于通过使用有机沉积工艺在从所述第一簇件输送的所述第一无机层上形成第一有机层；
第一连接模块，用于连接所述第一簇件和所述第二簇件，并且通过以非接触的方式使所述第一基底冷却将其上形成有所述第一无机层的所述第一基底从所述第一簇件输送到所述第二簇件；以及
第三簇件，用于通过使用化学气相沉积工艺或等离子体加强化学气相沉积工艺在从所述第二簇件输送的所述第一有机层上形成第二无机层。
2.如权利要求1所述的薄膜包封制造设备，其中，所述第一连接模块包括第二基底冷却单元，所述第二基底冷却单元被安装为与所述第一基底分隔开并且以所述非接触的方式冷却所述第一基底。
3.如权利要求2所述的薄膜包封制造设备，其中，所述第二基底冷却单元包括：
第二冷却板，设置为与所述第一基底分隔开；以及
第二冷却器，连接到所述第二冷却板且使所述第二冷却板冷却。
4.如权利要求3所述的薄膜包封制造设备，其中，第二制冷剂通道形成在所述第二冷却板中，通过所述第二冷却器循环的第二制冷剂通过所述第二制冷剂通道流动。
5.如权利要求3所述的薄膜包封制造设备，其中，所述第二冷却板的外表面的至少一部分涂覆有黑体材料。
6.如权利要求1所述的薄膜包封制造设备，
其中，所述第一簇件包括多个第一处理室，所述多个第一处理室的顺序沿一个方向确定，
其中，所述第二簇件包括多个第二处理室，所述多个第二处理室的顺序沿一个方向确定，
其中，所述第三簇件包括多个第三处理室，所述多个第三处理室的顺序沿一个方向确定，
其中，在具有相同顺序的所述多个第一处理室、所述多个第二处理室和所述多个第三处理室中，所述第一无机层、所述第一有机层和所述第二无机层分别形成在相同顺序的所述第一处理室、所述第二处理室和所述第三处理室中。
7.如权利要求1所述的薄膜包封制造设备，其中，当输送所述第一基底时，所述第一簇件的内部压强与所述第一连接模块的内部压强被控制为相同，或者所述第一连接模块的内部压强与所述第二簇件的内部压强被控制为相同。
8.如权利要求1所述的薄膜包封制造设备，其中，所述薄膜包封制造设备还包括：第二连接模块，用于连接所述第二簇件和所述第三簇件，并且将从所述第二簇件抽出的所述第一基底输送到所述第三簇件。
9.如权利要求8所述的薄膜包封制造设备，其中，所述薄膜包封制造设备还包括：第三基底冷却单元，所述第三基底冷却单元被安装为与所述第一基底分隔开并且以非接触的方式冷却所述第一基底。
10.如权利要求8所述的薄膜包封制造设备，其中，所述第二连接模块使所述第一基底反转，并且将所述第一基底从所述第二簇件输送到所述第三簇件。
11.如权利要求8所述的薄膜包封制造设备，其中，当输送所述第一基底时，所述第二簇件的内部压强与所述第二连接模块的内部压强被控制为相同，或者所述第二连接模块的内部压强与所述第三簇件的内部压强被控制为相同。
12.如权利要求1所述的薄膜包封制造设备，其中，所述第一连接模块、所述第二簇件和所述第三簇件重复地顺序地安装，使得所述第一有机层和所述第二无机层交替地堆叠在所述第一无机层上。
13.如权利要求1所述的薄膜包封制造设备，其中，所述第一簇件和所述第二簇件通过使用向下沉积分别形成所述第一无机层和所述第一有机层，所述第三簇件通过使用向上沉积形成所述第二无机层。
14.如权利要求1所述的薄膜包封制造设备，其中，所述薄膜包封制造设备还包括：装载簇件，用于从外部接收所述第一基底并且将所述第一基底供应到所述第一簇件。
CN201811587333.3A 2013-08-27 2014-08-27 薄膜包封制造设备 Pending CN110055509A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0102002 2013-08-27
KR1020130102002A KR101673016B1 (ko) 2013-08-27 2013-08-27 박막봉지 제조장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
CN201410428092.3A CN104425772B (zh) 2013-08-27 2014-08-27 制造显示设备的方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410428092.3A Division CN104425772B (zh) 2013-08-27 2014-08-27 制造显示设备的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110055509A true CN110055509A (zh) 2019-07-26

Family

ID=52583795

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811587333.3A Pending CN110055509A (zh) 2013-08-27 2014-08-27 薄膜包封制造设备
CN201410428092.3A Active CN104425772B (zh) 2013-08-27 2014-08-27 制造显示设备的方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410428092.3A Active CN104425772B (zh) 2013-08-27 2014-08-27 制造显示设备的方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9153795B2 (zh)
KR (1) KR101673016B1 (zh)
CN (2) CN110055509A (zh)
TW (2) TWI658622B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101673016B1 (ko) * 2013-08-27 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
KR102439506B1 (ko) 2015-10-16 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN105655494B (zh) * 2016-03-18 2018-08-24 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管的基底及其制作方法、有机发光二极管
WO2018154764A1 (ja) * 2017-02-27 2018-08-30 シャープ株式会社 基板搭載ステージ、インクジェット塗布装置、レベリング装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR102581681B1 (ko) * 2018-09-05 2023-09-22 삼성전자주식회사 플라즈마 증착 방법 및 플라즈마 증착 장치
KR20200119454A (ko) 2019-04-09 2020-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110518146B (zh) * 2019-08-30 2022-02-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构及显示面板
JPWO2022153151A1 (zh) * 2021-01-14 2022-07-21

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0466288A (ja) * 1990-07-02 1992-03-02 Hitachi Cable Ltd ビーム集光器
CN1458666A (zh) * 2002-05-17 2003-11-26 株式会社半导体能源研究所 制造装置
US20050029243A1 (en) * 2003-08-07 2005-02-10 Canon Kabushiki Kaisha Method of effecting heating and cooling in reduced pressure atmosphere
US6919271B2 (en) * 1998-11-20 2005-07-19 Mattson Technology, Inc. Method for rapidly heating and cooling semiconductor wafers
CN1845359A (zh) * 2005-04-06 2006-10-11 三星Sdi株式会社 制造有机发光器件的方法
US20070017445A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Takako Takehara Hybrid PVD-CVD system
US20080014055A1 (en) * 2003-11-10 2008-01-17 Van Der Meulen Peter Bypass thermal adjuster for vacuum semiconductor processing
CN101167160A (zh) * 2005-04-22 2008-04-23 Vitex系统公司 用于在分立薄片上沉积多层涂层的装置
CN101906608A (zh) * 2009-06-02 2010-12-08 三星移动显示器株式会社 沉积设备及其控制方法
WO2012174550A2 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Applied Materials, Inc. Mask management system and method for oled encapsulation

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5663077A (en) * 1993-07-27 1997-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor in which the gate insulator comprises two oxide films
US6000227A (en) * 1997-09-24 1999-12-14 Applied Materials, Inc. Wafer cooling in a transfer chamber of a vacuum processing system
CN1264387C (zh) * 2000-03-22 2006-07-12 出光兴产株式会社 有机el显示装置的制造装置以及使用其制造有机el显示装置的方法
DE10196908T1 (de) * 2000-11-16 2003-10-09 Mattson Tech Inc Vorrichtung und Verfahren für das ohmsche Heizen eines thermischen Bearbeitungssystems
JP4075425B2 (ja) * 2002-03-20 2008-04-16 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造装置、及び電子機器
JP4115158B2 (ja) * 2002-04-24 2008-07-09 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20030203210A1 (en) 2002-04-30 2003-10-30 Vitex Systems, Inc. Barrier coatings and methods of making same
JP2004014311A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Sony Corp 有機薄膜の形成方法
JP2004055401A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Sony Corp 有機膜形成装置
US7510913B2 (en) 2003-04-11 2009-03-31 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
JP2006085933A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置の製造方法及び製造装置
KR100718555B1 (ko) * 2004-10-11 2007-05-15 두산디앤디 주식회사 잉크젯 프린팅과 저분자 유기증착 방법을 겸용하는 대면적 유기 박막 증착장치
US20070138001A1 (en) 2005-12-19 2007-06-21 Teng-Yuan Ko Method of forming an inductor on a semiconductor substrate
US7837838B2 (en) * 2006-03-09 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Method of fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma apparatus
JP2008202491A (ja) 2007-02-20 2008-09-04 Edwards Kk クライオパネル冷却構造とその冷却方法
US7635617B2 (en) * 2007-04-27 2009-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device
KR20080111964A (ko) * 2007-06-20 2008-12-24 삼성전자주식회사 박막증착장치 및 이를 이용한 박막증착방법
JP5677785B2 (ja) * 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
TW201135845A (en) 2009-10-09 2011-10-16 Canon Anelva Corp Acuum heating and cooling apparatus
WO2012021197A2 (en) * 2010-05-21 2012-02-16 Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University Method of manufacturing electronic devices on both sides of a carrier substrate and electronic devices thereof
KR101188109B1 (ko) * 2010-09-20 2012-10-05 에스엔유 프리시젼 주식회사 모노머 증착장치
KR101255537B1 (ko) * 2010-11-26 2013-04-16 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
JP6014325B2 (ja) * 2010-12-28 2016-10-25 積水化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用封止剤
JP2013044044A (ja) 2011-08-26 2013-03-04 Ihi Corp アレイアンテナ式のｃｖｄプラズマ装置
KR101329818B1 (ko) * 2012-01-31 2013-11-15 주식회사 티이에스 기판 반전 장치
KR101673016B1 (ko) * 2013-08-27 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0466288A (ja) * 1990-07-02 1992-03-02 Hitachi Cable Ltd ビーム集光器
US6919271B2 (en) * 1998-11-20 2005-07-19 Mattson Technology, Inc. Method for rapidly heating and cooling semiconductor wafers
CN1458666A (zh) * 2002-05-17 2003-11-26 株式会社半导体能源研究所 制造装置
US20050029243A1 (en) * 2003-08-07 2005-02-10 Canon Kabushiki Kaisha Method of effecting heating and cooling in reduced pressure atmosphere
US20080014055A1 (en) * 2003-11-10 2008-01-17 Van Der Meulen Peter Bypass thermal adjuster for vacuum semiconductor processing
CN1845359A (zh) * 2005-04-06 2006-10-11 三星Sdi株式会社 制造有机发光器件的方法
CN101167160A (zh) * 2005-04-22 2008-04-23 Vitex系统公司 用于在分立薄片上沉积多层涂层的装置
US20070017445A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Takako Takehara Hybrid PVD-CVD system
CN101906608A (zh) * 2009-06-02 2010-12-08 三星移动显示器株式会社 沉积设备及其控制方法
WO2012174550A2 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Applied Materials, Inc. Mask management system and method for oled encapsulation

Also Published As

Publication number Publication date
US20150064825A1 (en) 2015-03-05
US20150368790A1 (en) 2015-12-24
CN104425772B (zh) 2019-01-18
US9153795B2 (en) 2015-10-06
TWI698038B (zh) 2020-07-01
TWI658622B (zh) 2019-05-01
TW201937777A (zh) 2019-09-16
KR20150024722A (ko) 2015-03-09
CN104425772A (zh) 2015-03-18
TW201508969A (zh) 2015-03-01
KR101673016B1 (ko) 2016-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104425772B (zh) 制造显示设备的方法
KR101990555B1 (ko) 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법
CN1679375B (zh) 制造系统,发光装置以及含有有机化合物层的制造方法
KR100961401B1 (ko) 발광 디바이스를 제조하는 방법 및 발광 디바이스를제조하는 장치
US10533245B2 (en) Mask assembly, method of manufacturing thereof, and apparatus including the same
US20140245957A1 (en) Manufacturing apparatus
TW200402768A (en) Manufacturing apparatus
CN103474447A (zh) 薄膜沉积设备、制造有机发光显示装置的方法及显示装置
JP2004146369A (ja) 製造装置および発光装置の作製方法
CN110656310A (zh) 成膜装置、有机设备的制造装置以及有机设备的制造方法
JP2004111386A (ja) 製造装置、発光装置、および有機化合物を含む層の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination