CN110048028B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示面板及其制备方法，所述显示面板的制备方法包括以下步骤：基板设置步骤、光阻制备步骤、保护层制备步骤、第一无机层制备步骤、有机层制备步骤以及第二无机层制备步骤，在所述第一无机层制备步骤之前或之后，还包括光阻去除步骤，用以去除所述通孔内的光阻及其上的阴极层及保护层。本发明的技术效果在于，无需采用激光切割，避免激光切割导致粒子附着的技术问题，且无需设置防裂结构，提高显示面板的屏占比。增强显示面板阻隔水氧的性能，改善封装膜层的封装效果，延长显示面板的使用寿命。

Description

显示面板及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)的基本结构是一薄而透明具半导体特性的铟锡氧化物(ITO)连接至一阳极，再加上另一个金属阴极，形成类似三明治的结构。整个结构层中包括：空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。

OLED具有自发光特性，不像TFE LCD需要背光板，因此可视度和亮度都很高，而且电压需求低且省电效率高，加上反应快、重量轻、厚度薄、构造简单、成本低等特点，被视为21世纪最具前途的产品之一。

由于发光层的有机材料对外界水氧相当敏感，需要对器件进行薄膜封装(thinfilm encapsulation，TFE)，以阻挡外界水氧对发光材料的侵蚀。

屏下摄像头显示屏是目前新起的一种电子显示器件，该种显示屏需要在发光区进行开孔处理，放置摄像头，开孔会导致封装层的完整性受到破坏，严重影响器件的封装性能，大大降低了器件的使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于，解决现有的显示面板开孔工艺中激光切割造成的粒子附着于切割边缘、阻隔水氧效果差、封装膜层封装效果差、屏占比低等技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：基板设置步骤，在一基板上设置薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层具有一通孔；光阻制备步骤，在所述通孔内制备出一光阻；保护层制备步骤，在所述光阻及所述薄膜晶体管层的上表面制备出一阴极层及一保护层；第一无机层制备步骤，在所述保护层的上表面制备出一第一无机层；有机层制备步骤，在所述第一无机层的上表面制备出一有机层；以及第二无机层制备步骤，在所述有机层的上表面制备出一第二无机层；在所述第一无机层制备步骤之前或之后，还包括光阻去除步骤，用以去除所述通孔内的光阻及其上的阴极层及保护层。

进一步地，所述光阻去除步骤为冲洗步骤，冲洗所述基板，冲洗时长为1～30min，去除所述光阻及其上方的阴极层及保护层。

进一步地，所述基板设置步骤包括以下步骤：衬底层制备步骤，在一基板的上表面制备出一衬底层；薄膜晶体管层制备步骤，在所述衬底层的上表面制备出一薄膜晶体管层；以及开孔步骤，在所述薄膜晶体管层上表面向下开孔，形成一通孔。

进一步地，所述光阻制备步骤包括以下步骤：光阻材料涂布步骤，在所述薄膜晶体管层的上表面涂布一含氟的聚合物光阻材料，形成一光阻层，且延伸至所述通孔内；烘干步骤，烘干所述基板；掩膜版设置步骤，在所述基板上方设置一掩膜版；曝光显影步骤，对所述基板进行曝光显影处理，制备出一光阻；以及掩膜版移除步骤，移除所述掩膜版。

进一步地，在所述烘干步骤中，烘干温度的范围为60～100℃；和/或，烘干时长为5～15分钟。

进一步地，在所述保护层制备步骤中，所述阴极层包括第一阴极层及第二阴极层，所述第一阴极层设于所述光阻的上表面，所述第二阴极层设于所述薄膜晶体管层的上表面，且延伸至所述通孔的内侧壁；所述保护层包括第一保护层及第二保护层，所述第一保护层设于所述第一阴极层的上表面，所述第二保护层包覆于所述第二阴极层的上表面。

为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板，包括：基板；薄膜晶体管层，设于所述基板一侧的表面，其设有一通孔；阴极层，贴附于所述薄膜晶体管层远离所述基板一侧的表面，且延伸至所述通孔内；保护层，包覆于所述阴极层远离所述薄膜晶体管层一侧的表面；第一无机层，贴附于所述保护层远离所述阴极层一侧的表面；有机层，贴附于所述第一无机层远离所述保护层一侧的表面；以及第二无机层，贴附于所述有机层远离所述保护层一侧的表面。

进一步地，所述第一无机层充满所述通孔。

进一步地，所述有机层充满所述通孔。

进一步地，所述阴极层靠近所述通孔的边界完全包覆所述薄膜晶体管层的边界。

本发明的技术效果在于，无需采用激光切割，避免产生激光切割导致粒子附着的技术问题，且无需设置防裂结构来阻止裂纹向内扩散，无需增加非显示区的面积，提高显示面板的屏占比。本发明增强显示面板阻隔水氧的性能，改善封装膜层的封装效果，延长显示面板的使用寿命。

附图说明

图1为本发明实施例1所述的显示面板的制备方法的流程图；

图2为本发明实施例1所述的基板设置步骤的流程图；

图3为本发明实施例1或2所述的基板设置步骤之后显示面板的结构示意图；

图4为本发明实施例1所述的光阻制备步骤的流程图；

图5为本发明实施例1或2所述的光阻制备之后的显示面板的结构示意图；

图6为本发明实施例1或2所述保护层制备步骤之后显示面板的结构示意图；

图7为本发明实施例1所述的光阻去除步骤之后的显示面板的结构示意图；

图8为本发明实施例1所述第一无机层制备步骤之后显示面板的结构示意图；

图9为本发明实施例1所述的有机层制备步骤之后的显示面板的结构示意图；

图10为本发明实施例1所述第二无机层制备步骤之后显示面板的结构示意图；

图11为本发明实施例2所述的显示面板的制备方法的流程图；

图12为本发明实施例2所述的基板设置步骤的流程图；

图13为本发明实施例2所述的光阻制备步骤的流程图；

图14为本发明实施例2所述的光阻去除步骤之后的显示面板的结构示意图；

图15为本发明实施例2所述的有机层制备步骤之后的显示面板的结构示意图；

图16为本发明实施例2所述第二无机层制备步骤之后显示面板的结构示意图。

部分组件标识如下：

1、基板；2、衬底层；3、薄膜晶体管层；31、通孔；4、光阻；

5、阴极层；51、第一阴极层；52、第二阴极层；

6、保护层；61、第一保护层；62、第二保护层；

7、第一无机层；8、有机层；9、第二无机层。

具体实施方式

以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。

本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。

在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。

当某些组件，被描述为“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接置于所述另一组件上；也可以存在一中间组件，所述组件置于所述中间组件上，且所述中间组件置于另一组件上。当一个组件被描述为“安装至”或“连接至”另一组件时，二者可以理解为直接“安装”或“连接”，或者一个组件通过一中间组件“安装至”或“连接至”另一个组件。

实施例1

如图1所示，本实施例提供一种显示面板的制备方法，包括步骤S101～S107。

S101基板设置步骤，所述基板设置步骤包括步骤S111～S113(参见图2)，S111衬底层制备步骤，在基板1的上表面制备出衬底层2，衬底层2的材质为聚酰亚胺(PI)或其他缓冲材质，起到缓冲保护的作用。S112薄膜晶体管层制备步骤，在衬底层2的上表面制备出薄膜晶体管层3。S113开孔步骤，在薄膜晶体管层3上表面向下开孔，形成通孔31(参见图3)，通孔31的内径从上往下逐渐减小，呈现一台状通孔结构。

S102光阻制备步骤，在通孔31内制备出光阻4，所述光阻制备步骤包括步骤S121～S125(参见图4)。S121光阻材料涂布步骤，在薄膜晶体管层3的上表面涂布一含氟的聚合物光阻材料，形成一光阻层，且延伸至通孔31内，所述光阻层的厚度为1～100微米。S122烘干步骤，在60～100℃的温度下烘干所述基板，烘干时长为5～15分钟，在本实施例中，优选地，在80℃的温度下烘干处理10分钟。S123掩膜版设置步骤，在基板1的上方设置一掩膜版，所述掩膜版具有开口，所述开口与通孔31相对设置，且所述开口的尺寸小于通孔31的最小内径。S124曝光显影步骤，对基板1进行曝光显影处理，制备出光阻4，光阻4的尺寸小于通孔31的最小内径，在后续去除光阻步骤中，不会对其他膜层造成影响。S125掩膜版移除步骤，移除所述掩膜版(参见图5)。

在所述曝光显影步骤中，采用光刻图案化技术，所述光刻图案化技术是指在光照作用下，借助光阻将掩膜版上的图形转移到基板上的技术。其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光阻薄膜的基板1表面，引起曝光区域的光阻发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区或未曝光区域的光阻(前者称正性光阻，后者称负性光阻)，如果光阻层的材料为正性光阻，则可使光罩的曝光区域对准通孔31，如果光阻层的材料为负性光阻，则可使光罩的非曝光区域对准通孔31，使掩膜版上的图形被复制到光阻薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基板1上。

S103保护层制备步骤，在光阻4及薄膜晶体管3的上表面制备出阴极层及保护层。所述阴极层包括第一阴极层51及第二阴极层52，第一阴极层51设于光阻4的上表面，第二阴极层51设于薄膜晶体管层3的上表面，且延伸至通孔31的内侧壁，第一阴极层51与第二阴极层52不连续，便于后续第一阴极层51去除时不影响第二阴极层52，减少水氧入侵的可能性，提高显示面板的性能。所述保护层包括第一保护层61及第二保护层62，第一保护层61设于第一阴极层51的上表面，第二保护层62包覆于第二阴极层52的上表面(参见图6)，第一保护层61与第二保护层62不连续，便于后续第一保护层61去除时不影响第二保护层62，减少水氧入侵的可能性，提高显示面板的性能。所述阴极层及所述保护层具有发光功能，保证显示面板的发光效果。

S104光阻去除步骤，在本实施例中所述光阻去除步骤为冲洗步骤，采用有机溶剂对基板1进行冲洗处理，冲洗浸泡时长为1～30min，去除光阻4及其上方的第一阴极层51及第一保护层61，保留衬底层2上方的其他膜层(参见图7)。所述有机溶剂为卤化溶剂或含有卤化溶剂的溶剂体系，其对有机半导体无损害，因此可用于有机半导体的光刻图案化技术，去除光阻4。

在本实施例中，采用冲洗步骤去除光阻，无需采用激光切割，避免产生激光切割导致粒子附着的技术问题，且无需设置防裂结构来阻止裂纹向内扩散，减小显示面板非显示区的面积，提高显示面板的屏占比。

S105第一无机层制备步骤，在第二保护层62的上表面制备出第一无机层7，且延伸至通孔31内(参见图8)，采用气相沉积法、原子沉积法、脉冲激光沉积法或溅镀法中的至少一种制备第一无机层7，第一无机层7的厚度小于1微米，第一无机层7的材质包括氧化铝、二氧化钛、硅的氮化物、硅的氧化物中的至少一种。第一无机层7增强显示面板的阻水隔氧性能，改善封装膜层的封装效果。

S106有机层制备步骤，在第一无机层7的上表面采用喷墨打印法或狭缝涂布法制备出有机层8(参见图9)，有机层8的厚度小于15微米，有机层8的材质包括亚克力、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯中的至少一种。有机层8用以在弯折、折叠时缓冲应力及覆盖颗粒污染物，改善封装膜层的封装效果。

S107第二无机层制备步骤，在有机层8的上表面采用气相沉积法、原子沉积法、脉冲激光沉积法或溅镀法中的至少一种制备第二无机层9(参见图10)。第二无机层9的厚度小于1微米，第二无机层9的材质包括氧化铝、二氧化钛、硅的氮化物、硅的氧化物中的至少一种。第二无机层9的材质包括氧化铝、二氧化钛、硅的氮化物、硅的氧化物中的至少一种。第二无机层9增强显示面板的阻水隔氧性能，改善封装膜层的封装效果。

可选地，在S107第二无机层制备步骤之后，重复步骤S106有机层制备步骤及S107第二无机层制备步骤1～5次，形成有机层与无机层相互交错的薄膜封装结构。

本实施例所述的显示面板的制备方法的技术效果在于，无需采用激光切割，避免产生激光切割导致粒子附着的技术问题，且无需设置防裂结构来阻止裂纹向内扩散，减小显示面板非显示区的面积，提高显示面板的屏占比。本实施例所述的显示面板的制备方法增强显示面板阻隔水氧的性能，改善封装膜层的封装效果，延长显示面板的使用寿命。

如图10所示，本实施例还提供一种显示面板，包括：基板1、衬底层2、薄膜晶体管层3、阴极层5、保护层6、第一无机层7、有机层8及第二无机层9。

衬底层2贴附于基板1的上表面，衬底层2的材质为聚酰亚胺(PI)或其他缓冲材质，起到缓冲保护的作用。

薄膜晶体管层3设于衬底层2上，其上设有通孔31，通孔31的内径从上往下逐渐减小，呈现一台状通孔结构。

阴极层5设置于薄膜晶体管层3的上表面，且延伸至通孔31内，其靠近通孔31的边界完全包覆薄膜晶体管层3的边界。保护层6完全包覆于阴极层5的上表面，起到保护薄膜晶体管层的作用，减少水氧入侵的可能性，提高显示面板的性能。

第一无机层7完全包覆保护层6的上表面，且充满通孔31。第一无机层7的厚度小于1微米，第一无机层7的材质包括氧化铝、二氧化钛、硅的氮化物、硅的氧化物中的至少一种。第一无机层7增强显示面板的阻水隔氧性能，改善封装膜层的封装效果。

有机层8设置于第一无机层7的上表面，有机层8的厚度小于15微米，有机层8的材质包括亚克力、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯中的至少一种。有机层8用以在弯折、折叠时缓冲应力及覆盖颗粒污染物，改善封装膜层的封装效果。

第二无机层9设置于有机层8的上表面，第二无机层9的厚度小于1微米，第二无机层9的材质包括氧化铝、二氧化钛、硅的氮化物、硅的氧化物中的至少一种。第二无机层9的材质包括氧化铝、二氧化钛、硅的氮化物、硅的氧化物中的至少一种。第二无机层9增强显示面板的阻水隔氧性能，改善封装膜层的封装效果。

可选地，第二无机层9的上表面，重复贴附有机层及第二无机层1～5次，形成有机层与无机层相互交错的薄膜封装结构(图未示)。

本实施例所述的显示面板的技术效果在于，无需采用激光切割，避免产生激光切割导致粒子附着的技术问题，且无需设置防裂结构来阻止裂纹向内扩散，减小显示面板非显示区的面积，提高显示面板的屏占比。本实施例所述的显示面板增强显示面板阻隔水氧的性能，改善封装膜层的封装效果，延长显示面板的使用寿命。

实施例2

如图11所示，本实施例提供一种显示面板的制备方法，包括步骤S201～S207。

S201基板设置步骤，所述基板设置步骤包括步骤S211～S213(参见图12)，S211衬底层制备步骤，在基板1的上表面制备出衬底层2，衬底层2的材质为聚酰亚胺(PI)或其他缓冲材质，起到缓冲保护的作用。S212薄膜晶体管层制备步骤，在衬底层2的上表面制备出薄膜晶体管层3。S213开孔步骤，在薄膜晶体管层3上表面向下开孔，形成通孔31(参见图3)，通孔31的内径从上往下逐渐减小，呈现一台状通孔结构。

S202光阻制备步骤，在通孔31内制备出光阻4，所述光阻制备步骤包括步骤S221～S225(参见图13)。S221光阻材料涂布步骤，在薄膜晶体管层3的上表面涂布一含氟的聚合物光阻材料，形成一光阻层，且延伸至通孔31内，所述光阻层的厚度为1～100微米。S222烘干步骤，在60～100℃的温度下烘干所述基板，烘干时长为5～15分钟，在本实施例中，优选地，在80℃的温度下烘干处理10分钟。S223掩膜版设置步骤，在基板1的上方设置一掩膜版，所述掩膜版具有遮挡部，所述遮挡部通孔31相对设置，且所述遮挡部的尺寸小于通孔31的最小内径。S224曝光显影步骤，对基板1进行曝光显影处理，制备出光阻4，光阻4的尺寸小于通孔31的最小内径，在后续去除光阻步骤中，不会对其他膜层造成影响。S225掩膜版移除步骤，移除所述掩膜版(参见图5)。

在所述曝光显影步骤中，采用光刻图案化技术，所述光刻图案化技术是指在光照作用下，借助光阻将掩膜版上的图形转移到基板上的技术。其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光阻薄膜的基板1表面，引起曝光区域的光阻发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区或未曝光区域的光阻(前者称正性光阻，后者称负性光阻)，如果光阻层的材料为正性光阻，则可使光罩的曝光区域对准通孔31，如果光阻层的材料为负性光阻，则可使光罩的非曝光区域对准通孔31，使掩膜版上的图形被复制到光阻薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基板1上。

S203保护层制备步骤，在光阻4及薄膜晶体管3的上表面制备出阴极层及保护层。所述阴极层包括第一阴极层51及第二阴极层52，第一阴极层51设于光阻4的上表面，第二阴极层51设于薄膜晶体管层3的上表面，且延伸至通孔31的内侧壁，第一阴极层51与第二阴极层52不连续，便于后续第一阴极层51去除时不影响第二阴极层52，减少水氧入侵的可能性，提高显示面板的性能。所述保护层包括第一保护层61及第二保护层62，第一保护层61设于第一阴极层51的上表面，第二保护层62包覆于第二阴极层52的上表面(参见图6)，第一保护层61与第二保护层62不连续，便于后续第一保护层61去除时不影响第二保护层62，减少水氧入侵的可能性，提高显示面板的性能。所述阴极层及所述保护层具有发光功能，保证显示面板的发光效果。

S204第一无机层制备步骤，在第二保护层62的上表面制备出第一无机层7，且延伸至通孔31内，采用气相沉积法、原子沉积法、脉冲激光沉积法或溅镀法中的至少一种制备第一无机层7，第一无机层7的厚度小于1微米，第一无机层7的材质包括氧化铝、二氧化钛、硅的氮化物、硅的氧化物中的至少一种。第一无机层7增强显示面板的阻水隔氧性能，改善封装膜层的封装效果。

S205光阻去除步骤，在本实施例中所述光阻去除步骤为冲洗步骤，采用有机溶剂对基板1进行冲洗步骤，冲洗浸泡时长为1～30min，去除通孔31内的光阻4及其上方的阴极层、保护层及第一无机层，保留衬底层2上方的其他膜层(参见图14)。所述有机溶剂为卤化溶剂或含有卤化溶剂的溶剂体系，其对有机半导体无损害，因此可用于有机半导体的光刻图案化技术，去除光阻4。

在本实施例中，无需采用激光切割，避免产生激光切割导致粒子附着的技术问题，且无需设置防裂结构来阻止裂纹向显示面板内部扩散，减小显示面板非显示区的面积，提高显示面板的屏占比。

S206有机层制备步骤，在第一无机层7的上表面采用喷墨打印法或狭缝涂布法填平通孔31，制备出有机层8(参见图15)，有机层8的厚度小于15微米，有机层8的材质包括亚克力、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯中的至少一种。有机层8用以在弯折、折叠时缓冲应力及覆盖颗粒污染物，改善封装膜层的封装效果。

S207第二无机层制备步骤，在有机层8的上表面采用气相沉积法、原子沉积法、脉冲激光沉积法或溅镀法中的至少一种制备第二无机层9(参见图16)。第二无机层9的厚度小于1微米，第二无机层9的材质包括氧化铝、二氧化钛、硅的氮化物、硅的氧化物中的至少一种。第二无机层9的材质包括氧化铝、二氧化钛、硅的氮化物、硅的氧化物中的至少一种。第二无机层9增强显示面板的阻水隔氧性能，改善封装膜层的封装效果。

可选地，在S107第二无机层制备步骤之后，重复步骤S206有机层制备步骤及S207第二无机层制备步骤1～5次，形成有机层与无机层相互交错的薄膜封装结构。

本实施例所述的显示面板的制备方法的技术效果在于，无需采用激光切割，避免产生激光切割导致粒子附着的技术问题，且无需设置防裂结构来阻止裂纹向显示面板内部扩散，减小显示面板非显示区的面积，提高显示面板的屏占比。本实施例所述的显示面板的制备方法还可以增强显示面板阻隔水氧的性能，改善封装膜层的封装效果，延长显示面板的使用寿命。

如图16所示，本实施例还提供一种显示面板，包括：基板1、衬底层2、薄膜晶体管层3、阴极层5、保护层6、第一无机层7、有机层8及第二无机层9。

衬底层2贴附于基板1的上表面，衬底层2的材质为聚酰亚胺(PI)或其他缓冲材质，起到缓冲保护的作用。

薄膜晶体管层3设于衬底层2上，其上设有通孔31，通孔31的内径从上往下逐渐减小，呈现一台状通孔结构。

阴极层5设置于薄膜晶体管层3的上表面，且延伸至通孔31内，其靠近通孔13的边界完全包覆薄膜晶体管层3的边界。保护层6完全包覆于阴极层5的上表面，起到保护薄膜晶体管层的作用，减少水氧入侵的可能性，提高显示面板的性能。

第一无机层7完全包覆保护层6的上表面。第一无机层7的厚度小于1微米，第一无机层7的材质包括氧化铝、二氧化钛、硅的氮化物、硅的氧化物中的至少一种。第一无机层7增强显示面板的阻水隔氧性能，改善封装膜层的封装效果。

有机层8设置于第一无机层7的上表面，且充满通孔31。有机层8的厚度小于15微米，有机层8的材质包括亚克力、六甲基二甲硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯中的至少一种。有机层8用以在弯折、折叠时缓冲应力及覆盖颗粒污染物，改善封装膜层的封装效果。

第二无机层9设置于有机层8的上表面，第二无机层9的厚度小于1微米，第二无机层9的材质包括氧化铝、二氧化钛、硅的氮化物、硅的氧化物中的至少一种。第二无机层9的材质包括氧化铝、二氧化钛、硅的氮化物、硅的氧化物中的至少一种。第二无机层9增强显示面板的阻水隔氧性能，改善封装膜层的封装效果。

可选地，第二无机层9的上表面，重复贴附有机层及第二无机层1～5次，形成有机层与无机层相互交错的薄膜封装结构(图未示)。

本实施例所述的显示面板的技术效果在于，无需采用激光切割，避免产生激光切割导致粒子附着的技术问题，且无需设置防裂结构来阻止裂纹向内扩散，减小显示面板非显示区的面积，提高显示面板的屏占比。本实施例所述的显示面板增强显示面板阻隔水氧的性能，改善封装膜层的封装效果，延长显示面板的使用寿命。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

基板设置步骤，在一基板上设置薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层开设有一通孔；

光阻制备步骤，在所述通孔内制备出一光阻；

保护层制备步骤，在所述光阻及所述薄膜晶体管层的上表面制备出一阴极层及一保护层；

第一无机层制备步骤，在所述保护层的上表面制备出一第一无机层；

有机层制备步骤，在所述第一无机层的上表面制备出一有机层；以及

第二无机层制备步骤，在所述有机层的上表面制备出一第二无机层；

在所述第一无机层制备步骤之前或之后，还包括

光阻去除步骤，用以去除所述通孔内的光阻及其上的阴极层及保护层；

当所述光阻去除步骤在所述第一无机层制备步骤之前时，在所述保护层的上表面制备出第一无机层，且延伸至所述通孔内；

当所述光阻去除步骤在所述第一无机层制备步骤之后时，在所述第一无机层的上表面填平所述通孔，制备出有机层。

2.如权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，

所述光阻去除步骤为冲洗步骤，冲洗所述基板，冲洗时长为1～30min，去除所述光阻及其上方的阴极层及保护层。

3.如权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，

所述基板设置步骤包括以下步骤：

衬底层制备步骤，在一基板的上表面制备出一衬底层；

薄膜晶体管层制备步骤，在所述衬底层的上表面制备出一薄膜晶体管层；以及

开孔步骤，在所述薄膜晶体管层上表面向下开孔，形成一通孔。

4.如权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，

所述光阻制备步骤包括以下步骤：

光阻材料涂布步骤，在所述薄膜晶体管层的上表面涂布一含氟的聚合物光阻材料，形成一光阻层，且延伸至所述通孔内；

烘干步骤，烘干所述基板；

掩膜版设置步骤，在所述基板上方设置一掩膜版；

曝光显影步骤，对所述基板进行曝光显影处理，制备出一光阻；以及

掩膜版移除步骤，移除所述掩膜版。

5.如权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，

在所述烘干步骤中，

烘干温度的范围为60～100℃；和/或，

烘干时长为5～15分钟。

6.如权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，

在所述保护层制备步骤中，

所述阴极层包括第一阴极层及第二阴极层，所述第一阴极层设于所述光阻的上表面，所述第二阴极层设于所述薄膜晶体管层的上表面，且延伸至所述通孔的内侧壁；

所述保护层包括第一保护层及第二保护层，所述第一保护层设于所述第一阴极层的上表面，所述第二保护层包覆于所述第二阴极层的上表面。

7.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板；

薄膜晶体管层，设于所述基板上，其设有一通孔；

阴极层，设置于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧，且延伸至所述通孔内；

保护层，完全包覆于所述阴极层远离所述薄膜晶体管层的一侧；

第一无机层，完全包覆所述保护层远离所述阴极层的一侧；

有机层，设置于所述第一无机层远离所述保护层的一侧；以及

第二无机层，设置于所述有机层上；

所述第一无机层充满所述通孔；

所述有机层充满所述通孔。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，

所述阴极层靠近所述通孔的边界完全包覆所述薄膜晶体管层的边界。

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