CN110041083A - 陶瓷烧成体的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种陶瓷烧成体的制造方法。随着框架经过烧成炉的次数增加，有时会在框架中积蓄变形。陶瓷烧成体的制造方法包括以下工序：收纳架(3)经过烧成炉(4)的工序；从经过了烧成炉(4)的收纳架(3)取出框架(2)的工序；使用所取出的框架(2)来构建待经过烧成炉(4)的新的收纳架(3)的工序；以及，按经过烧成炉(4)时的新的收纳架(3)中所包括的框架(2)的周向位置与经过了烧成炉(4)时被取出的框架(2)的周向位置不同的方式使框架(2)旋转的工序。

Description

陶瓷烧成体的制造方法
技术领域
本发明涉及陶瓷烧成体的制造方法。
背景技术
专利文献1的图2公开了烧成用的搁板和支柱的组合。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9－188580号公报
发明内容
随着框架经过烧成炉的次数增加，有时会在框架中积蓄变形。
本发明的一个方案所涉及的陶瓷烧成体的制造方法包括以下工序：
收纳架经过烧成炉的工序，该收纳架由搁板和配置在所述搁板上的框架层叠构建，在所述搁板间沿周向延伸的所述框架将配置在所述搁板上的1个以上陶瓷结构体包围；
从经过了所述烧成炉的所述收纳架取出所述框架的工序；
使用所取出的所述框架来构建待经过所述烧成炉的新的收纳架的工序；以及
按经过所述烧成炉时的所述新的收纳架中所包括的所述框架的周向位置与经过了所述烧成炉时的被取出的所述框架的周向位置不同的方式使所述框架旋转的工序。
在某些情况下，所述框架随着经过所述烧成炉的次数增加而绕着与竖直方向一致的旋转轴进行旋转。
在某些情况下，所述框架以事先设定的一定的角度进行旋转。
在某些情况下，所述框架包含：碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)或多铝红柱石(3Al2O3·2SiO2)。
在某些情况下，所述框架为正方形状。
在某些情况下，所述框架的旋转在从经过了所述烧成炉的所述收纳架取出所述框架之时进行、和/或、在构建所述新的收纳架之时进行、和/或、在将所述框架从某一位置向另一位置转移之时进行。
在某些情况下，所述框架的旋转基于对所述框架进行转移的转移机构的工作来进行。
在某些情况下，所述转移机构包括卡盘，该卡盘构成为对所述框架进行保持。
在某些情况下，在所述烧成炉中被烧成的所述1个以上陶瓷结构体为脱脂后的陶瓷结构体。
在某些情况下，使用所取出的所述框架来构建待经过所述烧成炉的新的收纳架的工序包括：在配置有所述脱脂后的陶瓷结构体的所述搁板上配置所取出的所述框架。
在某些情况下，所述框架通过所述搁板、所述框架自身、或所述收纳架的旋转而发生旋转。
在某些情况下，在所述搁板设置有至少一个突起，该至少一个突起在所述搁板上限制所述框架的位置。
在某些情况下，所述陶瓷结构体至少包含碳化硅(SiC)。
在某些情况下，所述陶瓷结构体具有规定多个开口隔室的、格子状的隔壁。
在某些情况下，在烧成炉中对至少一个陶瓷结构体进行烧成的工序在非氧化气氛中进行。
根据本发明的一个方案，能够减少随着框架经过烧成炉的次数增加而能够积蓄在框架中的变形量。
附图说明
图1是示出本发明的一个方案所涉及的陶瓷烧成体的生产线以及制造工序的示意图。经过脱脂炉的收纳架在第一位置P1到第二位置P2之间移动。从经过了脱脂炉的收纳架取出的框架在第二位置P2到第一位置P1之间移动。从经过了烧成炉的收纳架取出的框架在第四位置P4到第三位置P3之间移动。经过烧成炉的收纳架在第三位置P3到第四位置P4之间移动。为了使收纳架及框架移动，可以使用辊式输送机或带式输送机。
图2是示出本发明的一个方案所涉及的收纳有多个陶瓷结构体的收纳架经过烧成炉的情形的示意图。在烧成炉内形成有障碍物的情况下，可能会发生不希望出现的该障碍物与收纳架的接触。
图3是本发明的一个方案所涉及的收纳架的概略立体图。收纳架的上部与下部之间的中间部的图示被省略。
图4是示出本发明的一个方案所涉及的收纳架中在搁板的上表面设置有对框架的位置进行限制的突起的情形的概略剖视简图。
图5是本发明的一个方案所涉及的陶瓷结构体的概略立体图。
图6是图5中以双点划线表示的平面PL7中的陶瓷结构体的概略剖视简图。
图7是本发明的一个方案所涉及的包括多个陶瓷烧成体的过滤器的概略立体图。
图8是涉及陶瓷烧成体的制造方法的概略流程图。
图9是示出从经过了烧成炉的收纳架取出框架并将框架堆叠而构建框架的层叠体的原理以及方法的概略示意图。在某些情况下，框架可以通过用于对框架进行转移的转移机构的工作而进行旋转。
图10是示出从经过了脱脂炉的收纳架取出在上表面配置有陶瓷结构体的搁板并使用该取出的搁板来构建待经过烧成炉的新的收纳架的原理以及方法的概略示意图。
图11是示出从框架的层叠体取出框架并使用取出的框架来构建待经过烧成炉的新的收纳架的原理以及方法的概略示意图。在某些情况下，框架可以通过用于对框架进行转移的转移机构的工作而进行旋转。
图12是示出随着框架经过烧成炉的次数增加而使经过烧成炉时的框架的周向位置发生变化的情形的示意图。
图13是示出框架的变形的概略示意图。
符号说明
1搁板、2框架、3收纳架、4烧成炉、7陶瓷结构体。
具体实施方式
以下，参照图1至图13，对本发明的非限定性实施方式进行说明。本发明的1个以上实施方式以及实施方式中所包含的各特征并不是各自独立的。不需要过多说明，本领域技术人员就能够将各实施方式和/或各特征进行组合。另外，本领域技术人员还能够理解由该组合所带来的协同效果。原则上，省略实施方式间的重复说明。附图的主要目的为描述发明，有时为了方便作图而进行了简化。
以下的描述中，关于某一制造方法描述的多个特征除了理解为这些特征的组合，还理解为与其它特征独立的个别特征。对于个别特征，虽然理解为无需与其它特征进行组合而独立的个别特征，但是也理解为与1个以上其它个别特征的组合。对个别特征的全部组合进行描述对于本领域技术人员而言过于冗长，将其省略。个别特征通过“在某些情况下”这一表述方式来明示。个别特征并不是仅在例如附图中公开的制造方法中有效，理解为在其它各种各样的制造方法中也通用的普遍特征。
在图1所示的本发明的陶瓷烧成体的生产线以及方法中，可以将图3、图5以及图6所示的陶瓷结构体7脱脂、然后烧成。如图1及图8所示，陶瓷结构体7可以利用脱脂炉9进行脱脂(S3)，接下来，利用烧成炉4进行烧成(S6)。应予说明，还设想：在烧成炉4中连续地进行脱脂和烧成，而将脱脂炉9省略。在脱脂炉9中，对陶瓷结构体7进行加热，除去陶瓷结构体7中所包含的有机粘合剂。在烧成炉4中对脱脂后的陶瓷结构体7进行烧成，使得陶瓷材料、例如碳化硅(SiC)的粒子结合。并不一定限于此，不过，脱脂炉9中的陶瓷结构体7的加热在氧化气氛中进行，例如，在大气气氛中进行。烧成炉4中的陶瓷结构体7的烧成在非氧化气氛中进行，例如，在氩之类惰性气体气氛中进行。陶瓷结构体7的脱脂工序中的脱脂炉9的炉内温度可以为500℃以下。陶瓷结构体7的烧成工序中的烧成炉4的炉内温度可以为1000℃以上。也可以将脱脂炉9称为第一烧成炉，并将烧成炉4称为第二烧成炉。再次说明，还设想将脱脂炉9省略。
可以由脱脂及烧成后的多个陶瓷结构体7制造图7所示的过滤器79。图7所示的过滤器79是对从柴油发动机之类的内燃机排出的废气中所包含的粒子状物质、通称PM(Particulate Matter)进行捕集并除去的功能部件。过滤器79通过如下方式来制造，即，借助接合层而二维配置陶瓷烧成体78，由此得到块体，将该块体加工成圆柱状，最后，在圆柱体的外周面涂布外周层，并进行烧成，得到过滤器79。过滤器79不限于在柴油发动机的废气净化中使用，还期待用于污水净化等其它各种各样的用途。还设想：向过滤器79所包含的陶瓷结构体7中导入各种种类的催化剂。在某些情况下，过滤器79的接合层和/或外周层可以包含堇青石(2MgO·2Al2O3·5SiO2)。
由图8可理解，图3、图5以及图6所示的陶瓷结构体7可以是经过原料的成型(S1)和干燥(S2)而制得的。在某些情况下，原料至少包含生坯，或者至少包含陶瓷材料、有机粘合剂、以及水。陶瓷材料可以包含从通过烧成而变为堇青石(2MgO·2Al2O3·5SiO2)的原料、碳化硅(SiC)、多铝红柱石(3Al2O3·2SiO2)、氧化铝(Al2O3)、以及氧化锆(ZrO2)构成的组中选择的至少一种材料。有机粘合剂可以包含从琼脂、羟丙基甲基纤维素、羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、甲基纤维素、聚乙烯醇、以及淀粉构成的组中选择的至少一种材料。使用挤出成型机，挤出陶瓷结构体7，接下来，利用干燥机进行干燥。由此，制造具有能够利用人工或机械进行把持的硬度的陶瓷结构体7。
通过烧成而变为堇青石(2MgO·2Al2O3·5SiO2)的原料被称为堇青石化原料。堇青石化原料的化学组成为：二氧化硅落入40～60质量％的范围内，氧化铝落入15～45质量％的范围内，氧化镁落入5～30质量％的范围内。堇青石化原料可以为从滑石粉、高岭土、预烧高岭土、氧化铝、氢氧化铝、以及二氧化硅的组中选择的多种无机原料的混合物。在陶瓷成型体包含堇青石化原料时，烧成温度可以设定为1380～1450℃，或者，设定为1400～1440℃。另外，烧成时间可以为3～10小时。
并不一定限于此，不过，陶瓷结构体7具有规定多个开口隔室71的格子状的隔壁72。陶瓷结构体7的由格子结构规定的开口隔室71的开口形状可以为多边形、圆形或者椭圆形。多边形可以为三角形、四边形、五边形、六边形、或其他多边形。陶瓷结构体7具有第一端部76和第二端部77，且在第一端部76与第二端部77之间延伸。开口隔室71沿着陶瓷结构体7的延伸方向延伸。
并不一定限于此，不过，在开口隔室71的二维配置中，若干开口隔室71被密封材料73密封。如图6所示，陶瓷结构体7的第一端部76中的由密封材料73形成的开口隔室71的密封图案和陶瓷结构体7的第二端部77中的由密封材料73形成的开口隔室71的密封图案可以是互补的。能够促进过滤器79兼具废气的透过性和废气的净化性。应予说明，第一端部76可以是在废气的流动方向上配置在发动机附近的端部，第二端部77可以是在废气的流动方向上远离发动机而配置的端部。
在某些情况下，陶瓷结构体7至少包含碳化硅(SiC)。在某些情况下，陶瓷结构体7没有被脱脂，除了具有碳化硅以外，还具有有机粘合剂。在某些情况下，陶瓷结构体7被脱脂，除了具有碳化硅，还具有残碳成分。残碳成分可以为源自于有机粘合剂的碳。陶瓷结构体7中所包含的陶瓷材料不限于碳化硅，还可以为堇青石等其它陶瓷材料。
多个陶瓷结构体7可以以收纳于图2至图4所示的收纳架3的状态穿过脱脂炉9和/或烧成炉4。收纳于收纳架3的陶瓷结构体7的数量依赖于搁板1的大小、收纳架3中所包括的搁板1的张数，另外，依赖于陶瓷结构体7自身的大小。收纳架3在脱脂炉9和/或烧成炉4内沿着所确定的方向行进。通过适当设定收纳架3的移动速度，来确定收纳架3在炉内存在的时间、亦即、炉内的脱脂或烧成时间。各炉中的温度分布按照各炉的目的来适当设定。各炉的温度分布是指炉内温度沿着时间轴的变化。在某些情况下，收纳架3配置在窑车8上，窑车8被未图示的推动单元推动而在炉内行进。还设想：窑车8自主行驶。根据需要，将辊式输送机、带式输送机等各种各样的搬送机构用于收纳架3的移动。
收纳架3包括搁板1和配置在搁板1上的框架2，亦即，由搁板1和框架2层叠构建。配置在搁板1上的1个以上陶瓷结构体7被在搁板1间沿周向延伸的框架2包围。特别是，收纳架3是搁板1和框架2沿着竖直方向交替重叠而构建的。搁板1配置于与竖直方向正交的平面。框架2沿与竖直方向平行的某一轴线的周向或以该轴线为中心的周向延伸。在沿竖直方向邻接的搁板1之间配置有框架2，区隔出陶瓷结构体7的收纳空间31。在某些情况下，收纳空间31被搁板1和框架2封闭而与炉内气氛隔开，或者，通过设置于搁板1和/或框架2的1个以上开口而与炉内气氛在空间上相连通。对于收纳空间31与炉内气氛隔开，应理解为：并非意图将收纳空间31与炉内气氛完全隔离，旨在实现阻止炉内气氛与收纳空间31之间的流体移动的状态。
搁板1具有：载置有陶瓷结构体7的上表面16、以及上表面16的相反侧的下表面17。为了避免或抑制在烧成炉4中的烧成过程中搁板1和陶瓷结构体7结合，可以在搁板1的上表面16铺撒适当的耐火性材料的砾石。框架2具有沿与竖直方向平行的某一轴线的周向或以该轴线为中心的周向延伸的外周壁26。外周壁26在周向上连续或者不连续。外周壁26在周向上连续的情况下，框架2是封闭的框架。外周壁26在周向上不连续的情况下，框架2是开放的框架。外周壁26在周向上不连续的开放的框架是例如由图3的符号29表示的外周壁26的一部分被除去得到的框架。在某些情况下，框架2为多边形，和/或，外周壁26规定多边形的开口。在与竖直方向正交的面上，框架2的截面形状可以为四边形。可以在外周壁26设置有多个角部27。在框架2为四边形时，在外周壁26设置有4个角部27。
搁板1以及框架2可以由耐火性材料构成。并不一定限于此，不过，搁板1和/或框架2包含碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)或多铝红柱石(3Al2O3·2SiO2)，或者是碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)或多铝红柱石(3Al2O3·2SiO2)的烧结体。搁板1和/或框架2中所包含的碳化硅(SiC)可以包含反应烧结Si－SiC、重结晶SiC(Re－SiC)、碳化物结合SiC(N－SiC)中的任一种或这些物质的任意组合。特别是，在某些情况下，框架2包含氧化铝(Al2O3)或多铝红柱石(3Al2O3·2SiO2)，或者由氧化铝(Al2O3)或多铝红柱石(3Al2O3·2SiO2)构成。在替代碳化硅而由氧化铝或多铝红柱石构成框架2的情况下，框架2经过烧成炉4的次数增加所伴随的框架2的重量减少变缓，框架2的寿命可以长寿命化。但是，相反框架2经过烧成炉4的次数增加所伴随的框架2的变形会变大。
搁板1以及框架2预定反复经过烧成炉4，要求或希望其具有耐受反复暴露于高温的耐火性能。烧成炉4在陶瓷结构体7烧成时可以具有超过1000℃的炉内温度。暴露于像这样的高温的结果是：搁板1或框架2随着经过烧成炉4的次数增加而劣化，例如其重量可能减少。搁板1或框架2经过烧成炉4的次数还可以理解为搁板1或框架2的使用次数。搁板1或框架2的重量降低可能伴有在烧成炉4生成陶瓷材料的障碍物49。陶瓷材料的障碍物49可能包括向竖直方向下方或与竖直方向交叉的任意方向生长的柱部。在烧成炉4内移动的收纳架3可能会与炉内的障碍物49接触。在某些情况下，为了避免或抑制该问题，在搁板1设置有至少一个突起15，该至少一个突起15在搁板1上限制框架2的位置。亦即，避免或抑制：因障碍物49与收纳架3的轻微接触而导致收纳架3部分或整体倒塌的情况。
设置于搁板1的突起15在框架2配置在搁板1上时可以位于框架2的内侧和/或外侧。突起15可以设置于搁板1的一面或两面、亦即、上表面16和/或下表面17。在某些情况下，突起15与外周壁26的角部27对应地设置、和/或、设置于外周壁26的角部27的内侧。例如，与外周壁26的4个角部27对应地设置有4个突起15。各突起15包括沿着外周壁26延伸的第一延伸部以及第二延伸部，第一延伸部以及第二延伸部可以交叉或正交。
再次说明，要求或希望框架2具有耐受反复经过烧成炉4的耐火性能。根据本发明的发明人的研究可知：随着框架2的反复使用而积蓄的框架2变形会导致框架2的寿命变短，除此以外，还可能带来以下的(i)～(iii)中的至少1个弊端。框架2变形的结果导致：(i)收纳空间31的气氛的稳定性或封闭性降低，结果可能产生陶瓷结构体7的烧成不良；(ii)在烧成炉4内移动的收纳架3的平衡受损，在烧成炉4内移动的收纳架3和障碍物49接触的可能性提高；(iii)在搁板1存在突起15的情况下，框架2和突起15接触，收纳空间31的气氛的稳定性或封闭性降低。上述的(i)～(iii)可能会导致陶瓷烧成体78的成品率和/或品质降低。
特别是，在某些情况下，框架2包含碳化硅以外的陶瓷材料，或者由碳化硅以外的陶瓷材料构成。这种情况下，与框架2由碳化硅构成的情形相比，框架2经过烧成炉4的次数增加所对应的框架2变形的变形量可能变大。在某些情况下，碳化硅以外的陶瓷材料可以为氧化铝(Al2O3)或多铝红柱石(3Al2O3·2SiO2)，但不限定于此，例如可以为其它低热传导性的陶瓷。应予说明，已经证实：在使用了氧化铝或多铝红柱石制的框架2的情况下，上述(i)会导致有时无法获得作为目标的陶瓷烧成体78的颜色、强度。
由后述的描述可具体地理解，本发明所涉及的陶瓷烧成体的制造方法包括以下工序：收纳架3经过烧成炉4的工序；从经过了烧成炉4的收纳架3取出框架2的工序；使用所取出的框架2来构建待经过烧成炉4的新的收纳架3的工序；按经过烧成炉4时的新的收纳架3中所包括的框架2的周向位置与经过了烧成炉4时的前述取出的框架2的周向位置不同的方式使框架2旋转的工序。通过框架2的旋转来促进在之前的烧成工序中产生的框架2的变形被本次或之后的烧成工序中产生的框架2的变形抵消。由此，能够减少与框架2经过烧成炉4的次数增加相对应的框架2变形的变形量，促进框架2的长寿命化。
在框架2中产生的变形可能依赖于框架2自身的形状、外周壁厚、或材质。追加或替代性地，在框架2中产生的变形可能依赖于烧成炉4的温度分布或烧成炉4内可能产生的温度分布。烧成炉4的温度分布是指烧成炉4内的温度沿着时间轴的变化。在收纳空间31被搁板1和框架2封闭时，因由框架2带来的隔热、和/或、收纳空间31内的陶瓷结构体7的显热而在炉内气氛与收纳空间31之间产生温度差，具体而言，收纳空间31的温度低于炉内气氛的温度。与该温度差相对应地，在外周壁26的外周壁面与内周壁面之间产生温度梯度，外周壁26可能以向内侧或外侧弯曲的方式变形。图13中，用箭头表示收纳架3在炉内的行进方向，并示意性地示出，与该行进方向平行的外周壁26的部分向外侧弯曲，结果，与行进方向正交的外周壁26的部分向内侧弯曲。图13为了容易理解而在某种意义上极端地示出框架2的变形，并没有设想在框架2产生如图13所示程度的变形。在框架2是长方形而不是正方形时，有可能引起如图13所示的变形。因此，在某些情况下，框架2为正方形状。
以下，参照图1、图8～图12，对陶瓷烧成体78的制造方法更具体地进行描述。应予说明，可以将经过脱脂炉9的收纳架3称为脱脂架3e，将经过烧成炉4的收纳架3称为烧成架3f。同样地，可以将脱脂架3e中所包括的框架2称为脱脂框架2e，将烧成架3f中所包括的框架2称为烧成框架2f。在某些情况下，脱脂炉9内的脱脂在大气气氛中进行，因此，在脱脂框架2e设置有贯穿框架内外的1个以上开口。追加而言，烧成炉4内的烧成在惰性气体气氛(例如、氩气氛)中进行，烧成框架2f构成为与搁板1协作而将收纳空间31封闭。这种情况下，陶瓷结构体7可以包含应当在非氧化气氛下结合的碳化硅(SiC)。脱脂框架2e可以具有比烧成框架2f低的耐火性。在某些情况下，脱脂框架2e包含碳化硅，烧成框架2f包含氧化铝或多铝红柱石。应予说明，作为脱脂框架2e，还可以使用金属制的框架。还设想在烧成框架2f形成有开口的情形。
在图1的第一位置P1，构建收纳架3、具体为脱脂架3e。具体而言，经过原料的成型(S1)和干燥(S2)而制造的陶瓷结构体7配置在搁板1上。在搁板1上配置脱脂框架2e。交替地反复进行：在搁板1上配置陶瓷结构体7的过程和在搁板1上配置脱脂框架2e的过程，构建脱脂架3e。收纳于脱脂架3e的陶瓷结构体7的数量越多，陶瓷结构体7的制造效率越高，但是，受脱脂炉9的炉内空间的大小等制约。
脱脂架3e以任意方法在脱脂炉9内移动(S3)。在脱脂炉9内暴露于高温，使得脱脂架3e内的陶瓷结构体7的有机粘合剂被氧化、燃烧并除去。在脱脂后的陶瓷结构体7内可能残留有源自于有机粘合剂的碳。
在图1的第二位置P2，脱脂架3e被拆解，从脱脂架3e取出配置有脱脂后的陶瓷结构体7的搁板1(S4)。配置有脱脂后的陶瓷结构体7的搁板1被用于经过烧成炉4的烧成架3f。从脱脂架3e取出的脱脂框架2e如图1的箭头所示从第二位置P2返回到第一位置P1，用于另一脱脂架3e。
在图1的第三位置P3，构建经过烧成炉4的收纳架3、亦即、烧成架3f。具体而言，使用从脱脂架3e取出的搁板1和从在第四位置P4被拆解的烧成架3f取出的烧成框架2f来构建烧成架3f(S5)。可以将取出了烧成框架2f的收纳架3称为前次收纳架3，将使用该取出的烧成框架2f而新构建的收纳架3称为本次收纳架3。前次收纳架3和本次收纳架3不限于在时间上连续地投入烧成炉4中的收纳架3。
本次烧成架3f经过烧成炉4(S6)。在烧成炉4内暴露于高温，烧成架3f内的陶瓷结构体7的陶瓷材料发生结合。在陶瓷结构体7包含碳化硅的情况下，碳化硅的粒子彼此结合。陶瓷烧成体78为多孔质。邻接的开口隔室71借助隔壁72的微细孔而在空间上相连通。
在图1的第四位置P4，经过了烧成炉4的烧成架3f被拆解。具体而言，从烧成架3f取出搁板1和烧成框架2f(S7)。同时，也取出搁板1上的陶瓷烧成体78。可以通过人工从烧成架3f取出搁板1、烧成框架2f。
使烧成框架2f进行旋转的过程(S8)可以利用各种各样的方案、手段或时机来进行。框架2的旋转在从经过了烧成炉4的收纳架3取出框架2之时进行(图9的情形)、和/或、在构建新的收纳架3之时进行(图11的情形)、和/或、在将框架2从某一位置向另一位置转移之时进行(图9和图11的情形或除此以外的情形)。上述的框架2的旋转利用人工来进行、或者、利用装置来进行。在图9至图11所示的若干情况下，用于对搁板1和/或框架2进行转移的转移机构5使框架2进行旋转。亦即，框架2基于转移机构5的工作而发生旋转。
对于框架2的旋转，通过使框架2自身旋转而使其发生、或、通过配置有框架2的搁板1的旋转而使其发生、或、通过包括框架2的收纳架3的旋转而使其发生。考虑这一点，本领域技术人员能够理解：可以在任意的适当时机，利用任意的适当手段，执行框架2的旋转。
图9示出：在第四位置P4、基于转移机构5的工作而将从经过了烧成炉4的收纳架3取出的烧成框架2f堆叠的情形。再次说明，还设想在第四位置P4由作业者、亦即人将收纳架3拆解。转移机构5可以将框架2从某一位置向另一位置转移，另外，可以在转移过程中使框架2旋转。转移机构5的具体结构各种各样，并不限定于公开例。在包括图示例在内的若干情况下，转移机构5具有卡盘6，该卡盘6构成为对烧成框架2f进行保持。卡盘6具有：主体61、以及设置成能够相对于主体61进行位移的一对臂62。适当控制一对臂62之间的间隔，利用卡盘6来把持烧成框架2f。例如，臂62借助气缸而与主体61连接，基于气缸的伸缩来设定主体61与臂62之间的间隔。在臂62的前端部设置有未图示的弹性部件，可以确保框架与臂之间的软接触。
在某些情况下，卡盘6可以安装于具有多关节的机器人臂的前端部，并在该前端部可进行旋转。机器人臂可以为市场上出售的机器人臂。在其他情况下，卡盘6可以借助气缸而安装于能够在轨道上行驶的行驶体，并在气缸的前端部可进行旋转。追加或代替性地，气缸能够相对于行驶体进行旋转。应予说明，卡盘6可以具备至少2个具有多关节的机器人臂，以此代替上述的主体61和臂62的结构例。烧成框架2f被把持在这些机器人臂之间。本领域技术人员知晓：卡盘6能够以吸引、磁吸附等其它替代手段或方案来保持烧成框架2f。
图10示出：在第二位置P2、基于转移机构5的工作而从经过了脱脂炉9的脱脂架3e取出搁板1、并构建新的收纳架3、亦即烧成架3f的情形。在第二位置P2，基于转移机构5的工作而从经过了脱脂炉9的脱脂架3e取出搁板1，并转移至构建烧成架3f的位置。
图11示出：在第三位置P3、基于转移机构5的工作而从烧成框架2f的层叠体取出烧成框架2f、并构建新的烧成架3f的情形。在第三位置P3，基于转移机构5的工作而从烧成框架2f的层叠体取出烧成框架2f，并配置在：配置有脱脂后的陶瓷结构体7的搁板1上。
可以在第四位置P4和第三位置P3中的任一处位置或两方位置，利用转移机构的工作来使框架旋转。在某些情况下，第三位置P3或第四位置P4处的框架2的旋转角度为180°以下、90°以下或90°。在某些情况下，第四位置P4处的框架2的旋转角度与第三位置P3处的框架2的旋转角度的合计值为180°以下。能够减少与框架2经过烧成炉4的次数增加相对应的框架2变形的变形量，促进框架2的长寿命化。在某些情况下，框架2具有N个(N表示2以上的自然数)角部，或为N边形，框架2的旋转角度为360°/N。
在某些情况下，从脱脂架3e取出脱脂框架2e并转移至构建烧成架3f的位置的转移机构、和从烧成框架2f的层叠体取出烧成框架2f并转移至构建烧成架3f的位置的转移机构为同一转移机构。由此，促进制造设备成本降低。
在某些情况下，转移机构5在转移烧成框架2f的过程中使烧成框架2f以事先设定的一定的角度进行旋转。烧成框架2f随着经过烧成炉4的次数增加而绕着与竖直方向一致的旋转轴进行旋转。第m次(m表示2以上的自然数)经过烧成炉4时的烧成框架2f的周向位置与第m－1次经过烧成炉4时的烧成框架2f的周向位置相比，相差与利用转移机构5使烧成框架2f旋转的旋转角度一致的角度。在某些情况下，烧成框架2f为四边形，从烧成架3f取出的烧成框架2f在利用转移机构5转移的转移过程中旋转90°。因此，第m次(m表示2以上的自然数)经过烧成炉4时的烧成框架2f的周向位置与第m－1次经过烧成炉4时的烧成框架2f的周向位置相比，相差90°。
图12示意性地示出：在着眼于某一烧成框架2f时、在烧成炉4内移动时的烧成框架2f的周向位置随着该烧成框架2f经过烧成炉4的次数增加而不同的情况。在包括图12在内的若干情况下，烧成框架2f为正方形状。烧成框架2f具有4个角部，另外，具有4个沿不同方向延伸的外周壁26的部分2A～2D。在图12(a)的第一次烧成时，外周壁26的部分2A在由箭头表示的烧成框架2f的行进方向上朝向下游侧，外周壁26的部分2C在烧成框架2f的行进方向上朝向上游侧。在图12(b)的第二次烧成时，与烧成框架2f旋转90°相对应地，外周壁26的部分2A在与烧成框架2f的行进方向正交的左右方向上朝向右侧，外周壁26的部分2C在左右方向上朝向左侧。在图12(c)的第三次烧成时，外周壁26的部分2A在由箭头表示的烧成框架2f的行进方向上朝向上游侧，外周壁26的部分2C在烧成框架2f的行进方向上朝向下游侧。在图12(d)的第四次烧成时，与烧成框架2f旋转90°相对应地，外周壁26的部分2A在左右方向上朝向左侧，外周壁26的部分2C在左右方向上朝向右侧。第五次烧成时的烧成框架2f的周向位置与图12(a)相同。可以理解，在以后的烧成中也同样地，经过烧成炉4时的烧成框架2f的周向位置与烧成框架2f的旋转相对应地变化。通过旋转烧成框架2f而使经过烧成炉4时的烧成框架2f的周向位置发生变化，促进在之前的烧成工序中产生的框架2的变形被本次或之后的烧成工序中产生的框架2的变形抵消。由此，能够减少与框架2经过烧成炉4的次数增加相对应的框架2变形的变形量，促进框架2的长寿命化。
[实施例]
使由氧化铝制的框架和碳化硅制的搁板构建的收纳架穿过烧成炉合计6次。实施例中，经过烧成炉后，在第三位置P3使框架旋转90°。比较例中，没有在第三位置P3使框架旋转90°。实施例中，与第一基准宽度相比，框架的第一宽度减少了0.36mm。另一方面，比较例中，与第一基准宽度相比，框架的第一宽度减少了0.71mm。实施例中，与第二基准宽度相比，框架的第二宽度减少了0.18mm。另一方面，比较例中，与第二基准宽度相比，框架的第二宽度增加了0.32mm。由此，与比较例相比，实施例中能够确认到框架的变形量减少。应予说明，框架的第一基准宽度为372mm，第二基准宽度为372mm。框架的第一基准宽度以及第一宽度为框架在与烧成炉内的收纳架的行进方向平行的方向上的宽度。框架的第二基准宽度以及第二宽度为框架在与烧成炉内的收纳架的行进方向正交的方向上的宽度。
以上述的公开内容为基础，如果是本领域技术人员，则能够对各实施方式施加各种各样的变更。

Claims (15)

1.一种陶瓷烧成体的制造方法，其中，包括以下工序：
收纳架经过烧成炉的工序，该收纳架由搁板和配置在所述搁板上的框架层叠构建，在所述搁板间沿周向延伸的所述框架将配置在所述搁板上的1个以上陶瓷结构体包围；
从经过了所述烧成炉的所述收纳架取出所述框架的工序；
使用所取出的所述框架来构建待经过所述烧成炉的新的收纳架的工序；以及
按经过所述烧成炉时的所述新的收纳架中所包括的所述框架的周向位置与经过了所述烧成炉时的被取出的所述框架的周向位置不同的方式使所述框架旋转的工序。
2.根据权利要求1所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
所述框架随着经过所述烧成炉的次数增加而绕着与竖直方向一致的旋转轴进行旋转。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
所述框架以事先设定的一定的角度进行旋转。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
所述框架包含：碳化硅SiC、氧化铝Al2O3或多铝红柱石3Al2O3·2SiO2。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
所述框架为正方形状。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
所述框架的旋转在从经过了所述烧成炉的所述收纳架取出所述框架之时进行、和/或、在构建所述新的收纳架之时进行、和/或、在将所述框架从某一位置向另一位置转移之时进行。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
所述框架的旋转基于对所述框架进行转移的转移机构的工作来进行。
8.根据权利要求7所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
所述转移机构包括卡盘，该卡盘构成为对所述框架进行保持。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
在所述烧成炉中被烧成的所述1个以上陶瓷结构体为脱脂后的陶瓷结构体。
10.根据权利要求9所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
使用所取出的所述框架来构建待经过所述烧成炉的新的收纳架的工序包括：在配置有所述脱脂后的陶瓷结构体的所述搁板上配置所取出的所述框架。
11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
所述框架通过所述搁板、所述框架自身、或所述收纳架的旋转而发生旋转。
12.根据权利要求1至11中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
在所述搁板设置有至少一个突起，该至少一个突起在所述搁板上限制所述框架的位置。
13.根据权利要求1至12中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
所述陶瓷结构体至少包含碳化硅SiC。
14.根据权利要求1至13中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
所述陶瓷结构体具有规定多个开口隔室的、格子状的隔壁。
15.根据权利要求1至14中的任意一项所述的陶瓷烧成体的制造方法，其中，
在烧成炉中对至少一个陶瓷结构体进行烧成的工序在非氧化气氛中进行。
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