CN110034158A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置，包括：缓冲层，设置在基板上并具有多个凹部；以及黑矩阵，布置在多个凹部中的每个凹部处，从而可以在接合晶体管基板和滤光器基板时对填充材料进行均匀填充并且可以避免黑矩阵的损失。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
显示装置被广泛地用作笔记本电脑、平板电脑、智能电话、便携式显示装置、便携式信息设备等的显示屏幕以及电视机或监视器的显示屏幕。
液晶显示器和有机发光显示器使用晶体管(即，薄膜晶体管)作为开关元件来显示图像。由于液晶显示器不是自发光型的，所以它使用从布置在液晶显示面板下面的背光单元发射的光来显示图像。液晶显示器具有背光单元，因此在设计和亮度上有限制，并且响应速度会降低。有机发光显示器包括有机材料，因此它易受湿气影响，并且其可靠性和使用寿命会下降。
近年来，已经完成和进行对于使用微发光元件的有机发光显示器的研究和开发。这种有机发光显示器由于其高图像质量和高可靠性而作为下一代显示器变得出名。
在相关技术的显示装置中，聚酰亚胺基板和缓冲层依次层叠在载体玻璃基板上，并且黑矩阵图案化在缓冲层上。但是，在相关技术的显示装置中，缓冲层和黑矩阵由于它们之间的表面能的不同而不能稳定地相互粘附，因此黑矩阵图案被损失掉了。为了解决这个问题，在相关技术的显示装置中，可以通过直接在聚酰亚胺基板上对黑矩阵进行图案化来避免黑矩阵图案的损失，但是在这种情况下，在接合晶体管基板和滤色器基板时填充材料不能被均匀填充，导致在显示面板上形成拖尾。
发明内容
因此，本公开涉及提供一种显示装置，该显示装置能够基本避免由于相关技术的局限和不足导致的一个或多个问题。
本公开的一个方面涉及提供一种显示装置，其中，通过包括具有凹部的缓冲层，可以防止黑矩阵图案的损失并且可以在接合晶体管基板和滤色器基板时对填充材料进行均匀填充。
本公开的另一方面涉及提供一种显示装置，其中，提供具有多个凹部的缓冲层并且将多个凹部的底面实现为不规则表面，从而防止黑矩阵图案的损失进而防止光泄露和可视性退化，并且将填充材料均匀地填充在晶体管基板和滤色器基板之间以防止显示面板的拖尾现象。
本公开的另一方面涉及提供一种显示装置，其中，通过缓解施加到缓冲层的应力来增大缓冲层的厚度，并且通过增强显示面板的防水功能来增强显示装置的可靠性。
本公开的附加优点和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且在本领域普通技术人员考察下面的内容后部分地变得显而易见，或者可以通过实施本公开而习得。本公开的目标和其他优点可以通过在所撰写的说明书、权利要求书以及附图中特别指出的结构实现并得到。
为了实现这些和其他优点并且根据本公开的目的，如本文所体现并大体描述的，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：缓冲层，设置在基板上并具有多个凹部；以及黑矩阵，布置在多个凹部中的每个凹部处。
在本公开的另一方面，提供了一种显示装置，包括：缓冲层，设置在基板上；黑矩阵，设置在缓冲层上并具有布置为比缓冲层的上端相对于基板的高度更低的下端；以及滤色器，具有布置为相对于黑矩阵的下端具有台阶的下端。
详细描述和附图中包括其他实施方式的细节。
其他系统、方法、特征和优点将在本领域普通技术人员考察下面的附图和详细描述后显而易见或变得显而易见。旨在将所有这些另外的系统、方法、特征和优点包含在该描述中、本公开的范围内并被以下权利要求保护。本段的任何内容都不应被视为对这些权利要求的限制。进一步的方面和优点结合本公开的实施方式在下面讨论。将理解的是，本公开的前述总体描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对于请求保护的本公开的进一步的说明。
附图说明
被包括以提供对本公开的进一步理解并且结合在本申请中并构成本申请的一部分的附图示出了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。在附图中：
图1是示出根据本公开的示例的显示装置的平面图；
图2是沿着图1的线I-I’获得的截面图；
图3是示出图2中的区域‘A’的截面图；
图4是示出缓冲层的凹部和黑矩阵的另一实施方式的图2的区域‘A’的截面图；
图5是示出缓冲层的凹部和黑矩阵的另一实施方式的图2的区域‘A’的截面图；
图6是示出根据本公开的示例的显示装置中的缓冲层的截面图；以及
图7A至7D是示意性地示出制造根据本公开的示例的显示装置中的缓冲层的方法的过程的截面图。
具体实施方式
现在将详细描述本公开的示例性实施方式，这些实施方式的示例在附图中示出。在可能的情况下，贯穿附图将使用相同的参考标号来指代相同或类似的部分。
通过参考附图描述的以下实施方式，将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。但是，本公开可以实现为不同形式，并且不应该被认为限于本文所述的实施方式。相反，提供这些实施方式，以使本公开变得全面、完整，并且将充分地向本领域技术人员传达本公开的范围。另外，本公开仅由权利要求的范围限定。
用于描述本公开的实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比例、角度以及数目仅仅是示例，因此本公开不限于所示出的细节。相同的参考标号在各处指代相同的元件。在以下描述中，当确定相关的已知功能或配置的详细描述不必要地模糊本公开的重点时，将省略该详细描述。在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用了“仅...”，否则还可以包括其他部分。除非有相反的指示，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在解释某个元件时，该元件被解释为包括误差范围(尽管没有明确记载)。
在描述位置关系时，例如，当两个部分之间的位置关系描述为“在...上”、“在...之上”、“在...下方”以及“居于...旁边”时，除非使用了“刚好”或者“直接”，否则一个或多个其他部分可以布置在这两个部分之间。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在...之后”、“...随后”、“...接下来”或者“在...之前”，除非使用了“刚好”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。
将理解的是，尽管可以使用“第一”、“第二”等术语来描述各种元件，但是这些元件不应该被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件区别于另一个元件。例如，在不偏离本公开的范围的条件下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
在描述本公开的元件时，可以使用“第一”、“第二”等术语。这些术语仅用于将一个元件区别于另一个元件，并且对应元件的本质、顺序、次序或数目不应该受这些术语的限制。将理解的是，当元件或层被描述为“连接”、“联结”或者“附着”到另一元件或层时，该元件或层可以直接连接或附着到另一元件或层，但是其他元件或层可以“布置”在元件或层之间，或者元件或层可以通过其他元件或层相互“连接”、“耦合”或者“联结”。
因此，在本公开中，显示装置的示例可以包括狭义的显示装置本身(例如，液晶模块(LCM)或有机发光显示(OLED)模块)以及包括LCM或OLED模块的作为应用产品或最终消费者设备的机组设备。
另外，如果显示面板是有机发光显示面板，则显示面板可以包括多个栅极线、多个数据线以及分别设置在由栅极线和数据线的交叉限定的多个像素区域中的多个像素。另外，显示面板可以包括阵列基板、阵列基板上的有机发光器件层以及布置在阵列基板上以覆盖有机发光器件层的封装层，其中，阵列基板包括作为用于选择性地向每个像素施加电压的元件的TFT。封装基板可以保护TFT和有机发光器件层不受外部冲击，并且可以防止水或者氧气渗入到有机发光器件层中。另外，设置在阵列基板上的层可以包括无机发光层(例如，纳米材料层、量子点等)。
另外，显示面板还可以包括附着在显示面板上的诸如金属板这样的背衬(backing)。但是，本实施方式不限于金属板，并且显示面板可以包括其他结构。
本公开的各种实施方式的特征可以部分或全部相互联结或组合，可以通过各种方式彼此互操作并在技术上被驱动，如本领域技术人员能够充分理解的。本公开的实施方式可以被相互独立地实现，或者可以按照共同依赖的关系一起实现。
下面，将参考附图详细描述本公开的实施方式。
图1是示出根据本公开的示例的显示装置的平面图，图2是沿图1的线I-I’获得的截面图。
参考图1和图2，显示装置100包括晶体管基板110、第一缓冲层120、像素阵列层130、封装层140、填充层150、黑矩阵164、第二缓冲层170、基板180、窗口盖(window cover)190、显示驱动电路单元210以及扫描驱动电路单元220。
晶体管基板110、基板可以是柔性基板。例如，晶体管基板110可以包括透明聚酰亚胺材料。考虑在由聚酰亚胺形成的晶体管基板110上执行高温沉积工艺，可以使用可以耐受高温的耐热性优异的聚酰亚胺。可以通过将设置在载体玻璃基板上的牺牲层的正面上涂覆的聚酰亚胺树脂固化到预定厚度，来形成由聚酰亚胺形成的晶体管基板110。这里，可以通过根据激光释放工艺释放牺牲层，来将载体玻璃基板与晶体管基板110分离。牺牲层可以由非晶硅(a-Si)或硅氮化物(SiNx)形成。
根据示例，晶体管基板110可以是玻璃基板。例如，晶体管基板110可以包括二氧化硅(SiO2)或者氧化铝(Al2O3)作为主要成分。
晶体管基板110可以包括显示区域AA和非显示区域NA。显示区域AA可以限定在晶体管基板110的中心部分，作为显示图像的区域。这里，显示区域AA可以对应于像素阵列层130的有源区域。例如，显示区域AA可以包括形成在每个像素区域处的多个像素(未示出)，其中，多个栅极线(未示出)和多个数据线(未示出)在像素区域相交。这里，多个像素中的每个像素可以被限定为用于发光的最小单位面积。
非显示区域NA可以限定在晶体管基板110的围绕显示区域AA的边缘部分处，作为不显示图像的区域。
第一缓冲层120可以设置在晶体管基板110上。第一缓冲层120可以形成在晶体管基板110的整个表面上，以阻挡湿气通过晶体管基板110穿过像素阵列层130。可以通过层叠多个无机层形成第一缓冲层120。例如，第一缓冲层120可以形成为包括硅氧化物层(SiOx)、硅氮化物层(SiNx)以及氮氧化硅(SiON)层中的至少一者的多层。由于缓冲层120包括多个无机层，所以可以改善面板的水蒸气透过率(WVTR)。
像素阵列层130包括薄膜晶体管(TFT)层TFTL和发光元件层EDL。TFT层TFTL可以包括TFT 131、栅极绝缘层132、层间绝缘层133、钝化层134以及平坦化层135。
TFT 131可以设置在晶体管基板110上的显示区域AA中。TFT 131可以包括有源层ACL、栅电极GE、漏电极DE以及源电极SE。
有源层ACL可以设置在晶体管基板110的显示区域AA中。有源层ACL可以被布置为与栅电极GE、漏电极DE以及源电极SE交叠。有源层ACL可以直接接触漏电极DE和源电极SE并且面向栅电极GE(其中，栅极绝缘层132插置在有源层ACL和栅电极GE之间)。根据示例，有源层(ACL)的一部分可以由未掺杂有掺杂物的半导体材料形成，并且有源层(ACL)的另一部分可以由掺杂有掺杂物的半导体材料形成。
栅电极GE可以设置在栅极绝缘层132上。栅电极GE可以与有源层ACL的中心区域交叠，并且栅极绝缘层132插置在栅电极GE和有源层ACL之间。例如，栅电极GE可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)以及铜(Cu)或它们的合金中的任意一者形成的单层或多层，但是本实施方式并不限于此。
漏电极DE和源电极SE可以设置在层间绝缘层133上并彼此间隔开。漏电极DE可以通过设置在栅极绝缘层132和层间绝缘层133中的第一接触孔与有源层ACL的一端接触，并且源电极SE可以通过设置在栅极绝缘层132和层间绝缘层133中的第二接触孔与有源层ACL的另一端接触。源电极SE可以通过平坦化层135的第三接触孔与有机发光元件136的第一电极E1直接接触。
栅极绝缘层132可以设置在有源层ACL上。具体地，栅极绝缘层132可以布置在有源层ACL和晶体管基板110上，并且可以将有源层ACL与栅电极GE隔离。栅极绝缘层132可以形成在晶体管基板110的显示区域AA的整个表面上并且在相应区域中被移除从而与有源层ACK、漏电极DE以及源电极SE接触。例如，栅极绝缘层132可以包括第一接触孔和第二接触孔，其中，漏电极DE穿过第一接触孔，源电极SE穿过第二接触孔。栅极绝缘层132可以由例如二氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)以及氮氧化硅(SiON)或者它们的多层这样的无机绝缘材料形成。
层间绝缘层133可以设置在栅电极GE上。例如，层间绝缘层133可以是由二氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)层以及氮氧化硅(SiON)层或者它们的多层形成的无机绝缘材料，但是也不限于此。层间绝缘层133可以在相应区域中被移除，以与漏电极DE或源电极SE接触。例如，层间绝缘层133可以包括第一接触孔和第二接触孔，其中，漏电极DE穿过第一接触孔，源电极SE穿过第二接触孔。这里，层间绝缘层133的第一接触孔和第二接触孔可以分别连接到栅极绝缘层132的第一接触孔或第二接触孔。
钝化层134可以设置在TFT 131上。具体地，钝化层134可以形成为覆盖源电极SE、漏电极DE以及数据线以保护TFT 131。例如，钝化层134可以是由二氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、以及氮氧化硅(SiON)或者它们的多层形成的无机绝缘材料。
平坦化层135可以设置在钝化层134上，以平坦化TFT 131的上端。平坦化层135可以在相应区域中被移除，以使第一电极E1和源电极SE相互接触。例如，平坦化层135可以包括第三接触孔，其中，第一电极E1穿过第三接触孔。根据示例，平坦化层135可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等有机绝缘材料形成，但也不限于此。
发光元件层(EDL)可以包括多个有机发光元件136和多个堤部137。
多个有机发光元件136可以设置在平坦化层135上，并且分别电连接到多个TFT131。有机发光元件136可以包括第一电极E1、有机发光层EL以及第二电极E2。
第一电极E1可以设置在平坦化层135上。具体地，第一电极E1可以布置为与由堤部137限定的有机发光元件136的开口区域OA交叠。第一电极E1可以通过设置在平坦化层135中的第三接触孔接触TFT 131的源电极SE。根据示例，第一电极E1可以由具有大工作函数值的诸如ITO、IZO、ZnO或者In2O3这样的透明导电材料形成，从而用作阳极。
有机发光层EL可以设置在第一电极E1上。根据示例，有机发光层EL可以实现为所有像素共用而没有被像素区域划分的有机层的形式。例如，有机发光层EL可以形成在堤部137和第一电极E1上。这里，有机发光层EL可以包括空穴传输层、有机发光层以及电子传输层。有机发光层(EL)还可以包括用于提高发光层的发光效率和使用寿命的至少一个功能层。
第二电极E2可以设置在有机发光层EL上。例如，第二电极E2可以形成为所有像素共用而没有被像素区域划分的电极。当电压被施加到第一电极E1和第二电极E2时，每个空穴和电子可以通过空穴传输层或电子传输层移动到发光层，并且可以在发光层中相互结合来发光。第二电极E2可以用作有机发光二极管136的阴极，并且可以由诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或者它们的复合物这样的不透明金属材料形成。
多个堤部137可以设置在平坦化层135上。具体地，每个堤部137可以设置在相邻的第一电极E1之间，以分离第一电极E1。因此，多个堤部137可以使彼此相邻的第一电极E1电绝缘，从而限定多个有机发光元件136的开口区域OA。例如，多个堤部137可以由诸如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、苯丙环丁烯(BCB)等的有机绝缘材料形成，但也不限于此。
封装层140可以覆盖像素阵列层130。具体地，封装层140可以设置在第二电极E2的整个上端上。封装层140可以防止可以从外部引入的湿气等的渗透，从而防止有机发光层EL的损坏。根据示例，封装层140可以由诸如铜(Cu)和铝(Al)等或者它们的合金这样的金属形成，但是也不限于此，并且可以利用本领域已知的各种材料实现。
填充层150填充晶体管基板110和基板180之间的空间，并且不会通过堰部(未示出)扩展到显示装置100的外部。填充层150可以布置在晶体管基板110和基板180之间，以防止光损失并增大晶体管基板110和基板180之间的粘附力。
滤色器162可以形成在第二缓冲层170上，并且可以布置在多个凹部171之间。晶体管基板110和基板180可以接合在一起，从而使得滤光器162与有机发光元件136交叠。滤色器162可以插置在填充层150和第二缓冲层170之间，并且可以被在第二缓冲层170上图案化的黑矩阵164围绕。例如，多个滤色器162中的每个滤色器可以相互间隔开，以对应于多个有机发光元件136中的每个有机发光元件。作为另一示例，相邻的滤色器162中的每个滤色器可以对应于多个有机发光元件136中的每个有机发光元件并且可以相互接触。滤色器162可以布置为对应于有机发光元件136并且可以转变从有机发光元件136发出的白光的颜色。例如，多个滤色器162可以包括红色滤光器、绿色滤光器以及蓝色滤光器。因此，多个子像素中的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素可以包括滤色器162，并且白色子像素可以实现为没有滤色器。
黑矩阵164可以图案化在第二缓冲层170上。具体地，黑矩阵164可以布置在第二缓冲层170的凹部171上。黑矩阵164可以与限定有机发光元件136的开口区域OA的堤部137交叠。例如，黑矩阵164可以图案化在第二缓冲层170上，以不与有机发光元件136的开口区域OA交叠，并且此后，当晶体管基板110和基板180接合时，黑矩阵164可以布置在填充层150和第二缓冲层170之间。黑矩阵164可以布置在相邻的滤色器162之间，以分隔滤色器162。因此，黑矩阵164可以围住多个有机发光元件136中的每个有机发光元件的开口区域OA，并且可以阻挡入射到TFT 131的光。黑矩阵164可以防止从有机发光元件136发射的光泄漏到非显示区域NA，从而防止对比度下降。因此，由于黑矩阵164提高了像素阵列层130的孔径比和透射性，所以可以降低功耗并可以提高亮度。黑矩阵164可以防止从多个有机发光元件136中的每个有机发光元件发射的光相互混合，从而改善了光泄露和能见度的恶化。
根据示例，黑矩阵164的下部可以被凹部171围绕，并且黑矩阵164的上部可以被多个滤色器162围绕。具体地，黑矩阵164的下部可以容纳在第二缓冲层170的凹部171中并被凹部171围绕，并且黑矩阵164的上部可以从第二缓冲层170的上端面突出并且可以被布置在第二缓冲层170上的多个滤色器162围绕。因此，黑矩阵164的上端相对于基板180的高度可以比第二缓冲层170的上端相对于基板180的高度更高。这样，由于黑矩阵164布置在凹部171中，因此可以优化黑矩阵164和第二缓冲层170之间的表面能，并且可以增强黑矩阵164和第二缓冲层170之间的粘附力从而可以防止黑矩阵164的损失。
根据示例，黑矩阵164的上端相对于基板180的高度可以等于第二缓冲层170的上端相对于基板180的高度。因此，由于黑矩阵164被完全插入到凹部171中，因此可以优化黑矩阵164和第二缓冲层170之间的表面能，并且可以增强黑矩阵164和第二缓冲层170之间的粘附力从而防止黑矩阵164的损失。另外，当黑矩阵164的上部被完全插入到凹部171中时，黑矩阵164的整个侧面可以与凹部171的内侧面171b接触并稳定地固定，而不像黑矩阵164的上部从第二缓冲层的上端170b突出的情况那样。
根据示例，黑矩阵164的上端相对于基板180的高度可以比第二缓冲层170的上端相对于基板180的高度更低。另外，滤色器162的下端162a可以围绕第二缓冲层170的上端170b和凹部171的内侧面171b的上部。因此，由于黑矩阵164被完全插入到凹部171中并且滤色器162的下端162a的边缘被插入到凹部171中以覆盖黑矩阵164的上端164b，因此可以优化黑矩阵164和第二缓冲层170之间的表面能，并且可以增强黑矩阵164和第二缓冲层170之间的粘附力从而防止黑矩阵164的损失。当整个黑矩阵164被插入到凹部171中并且滤色器162的下端162a的边缘被插入到凹部171中时，黑矩阵164的整个侧面可以与凹部的内侧面171b接触并稳定地固定，并且黑矩阵164的上端164b可以被滤色器162的下端162a的边缘稳定地固定，而不像黑矩阵164的上端164b的高度与第二缓冲层170的上端170b的高度相等的情况那样。
第二缓冲层170可以设置在基板180上。第二缓冲层170可以形成在基板180的整个表面上，以防止湿气通过基板180渗透到像素阵列层130。可以通过层叠多个无机层形成第二缓冲层170。例如，可以将第二缓冲层170形成为多层，其中，硅氧化物层(SiOx)、硅氮化物层(SiNx)和氮氧化硅层(SiON)中的一个或多个无机层被层叠在一起。由于第二缓冲层170包括多个无机层，所以可以改善面板的水蒸气透过率(WVTR)。
第二缓冲层170可以包括多个凹部171。具体地，多个凹部171可以具有相对于第二缓冲层170的上表面的台阶。多个凹部171可以通过在第二缓冲层170上执行蚀刻工艺形成并且可以容纳黑矩阵164。凹部171的底面171a可以与黑矩阵164的下端164a接触，并且凹部171的内侧面171b可以围绕黑矩阵164的侧面。结果，凹部171可以优化黑矩阵164和第二缓冲层170之间的表面能，并且可以防止黑矩阵164的损失。
根据示例，由于第二缓冲层170包括凹部171，所以施加到第二缓冲层170的应力可以被释放。例如，随着第二缓冲层170的厚度增大，显示面板的防潮效果改善，但是第二缓冲层170易受应力影响。因此，根据相关技术的缓冲层的厚度不能增加预定水平或预定水平以上，并且不能同时满足防潮效果和应力分散效应。但是，由于根据本公开的显示装置100包括形成在第二缓冲层170上的凹部171，因此可以防止应力集中在第二缓冲层170上，并且可以增加显示装置100的可靠性(尽管增加了显示装置170的厚度)。如上所述，显示装置100可以同时满足显示面板的防潮效果和应力分散效应。
基板180可以面向晶体管基板110，其中，封装层130插置在基板180和晶体管基板110之间。具体地，基板180可以设置在填充层150的整个上端。例如，在滤色器162和黑矩阵164形成在基板180的上端之后，基板180可以接合到晶体管基板110。这里，基板180可以布置在晶体管基板110上，以阻止设置在晶体管基板110上的有机发光元件136和TFT 131免受外界湿气和空气等的影响。根据示例，面向晶体管基板110放置基板180，并且可以通过沿着晶体管基板110和基板180的边缘布置的密封件(未示出)将晶体管基板110和基板180相互接合。例如，基板180可以是玻璃基板或者塑料基板。
窗口盖190可以通过盖粘合构件这一媒介接合到基板180的正面。根据示例，窗口盖190可以由塑料材料、金属材料或者玻璃材料形成。玻璃材料的窗口盖190可以包括蓝宝石玻璃。
显示驱动电路单元210可以连接到设置在晶体管基板110的非显示区域NA中的焊盘部，以在每个像素上显示与从显示驱动系统提供的图像数据对应的图像。根据示例，显示驱动电路单元210可以包括多个电路膜211、多个数据驱动集成电路(IC)213、印刷电路板(PCB)215以及时序控制器217。
设置在多个电路膜211中的每个电路膜的一侧上的输入端子可以通过膜附着工艺附接到PCB 215，并且设置在多个电路膜211中的每个电路膜的另一侧上的输出端子可以通过膜附着工艺附着到焊盘部。根据示例，多个电路膜211中的每个电路膜可以实现为柔性电路膜以减小显示装置100的边框区域，并且可以弯曲以围绕窗口盖190的侧面。
多个数据驱动IC 213中的每个数据驱动IC可以分别安装在多个电路膜211中的每个电路膜上。多个数据驱动IC 213中的每个数据驱动IC可以接收从时序控制器217提供的数据控制信号和像素数据，根据数据控制信号将像素数据转变为模拟像素数据信号，并将模拟像素数据信号提供给相应的数据线。根据示例，多个数据驱动IC 213中的每个数据驱动IC可以根据相应电路膜211的弯曲被布置在窗口盖190的侧面上。
PCB 215可以支撑时序控制器217，并在显示驱动电路单元210的组件之间递送信号和功率。根据示例，PCB 215可以根据电路膜211的弯曲被布置在窗口盖190的正面上。
时序控制器217可以安装在PCB 215上，并且可以通过设置在PCB 215上的用户连接器接收从显示驱动系统提供的图像数据和时序同步信号。时序控制器217可以通过基于时序同步信号将图像数据对准以适合于像素排列结构来生成像素数据，并且将所生成的像素数据提供给相应的数据驱动集成电路213。时序控制器217可以基于时序同步信号生成数据控制信号和扫描控制信号，通过数据控制信号控制多个数据驱动IC 213中的每个数据驱动IC的驱动时序，并通过扫描控制信号控制扫描驱动电路单元220的驱动时序。这里，扫描控制信号可以通过晶体管基板110的非显示区域NA和多个电路膜211中的第一个和/或最后一个柔性电路膜被提供给相应的扫描驱动电路单元220。
扫描驱动电路单元220可以设置在晶体管基板110的非显示区域NA中。扫描驱动电路单元220可以根据从显示驱动电路单元210提供的扫描控制信号生成扫描信号，并将扫描信号提供给与设定的次序对应的扫描线。根据示例，扫描驱动电路单元220可以与TFT一起形成在晶体管基板110的非显示区域NA中。
图3是示出图2的区域‘A’的截面图。
参考图3，第二缓冲层170可以布置在基板180上。例如，第二缓冲层的下端170a可以面向基板180的正面，并且第二缓冲层的上端170b可以面向多个滤色器的下端162a或者可以包括凹部171。
黑矩阵164可以图案化在第二缓冲层170上并且布置在第二缓冲层170的凹部171中。根据示例，黑矩阵164的一部分可以插入到凹部171中。具体地，黑矩阵164的下部可以被凹部171围绕，并且黑矩阵164的上部可以从缓冲层的上端170b的表面突出并被多个滤色器162围绕。例如，黑矩阵164的下端164a可以与凹部的底面171a接触，并且黑矩阵164的下侧面可以被凹部171的内侧面171b围绕。黑矩阵164的上端164b可以从第二缓冲层170的上端170b突出，并且可以被多个滤色器162围绕。因此，黑矩阵164的上端164b相对于基板180的高度可以比第二缓冲层170的上端170b相对于基板180的高度更高。多个滤色器的上端162b相对于基板180的高度可以比黑矩阵的上端164b相对于基板180的高度更高。因此，黑矩阵164的上部可以布置在多个滤色器162之间。多个滤色器162中的每个滤色器可以布置在多个凹部171之间或者布置在多个凹部171中的黑矩阵164之间。
因此，由于黑矩阵被布置在凹部171中，所以可以优化黑矩阵164和第二缓冲层170之间的表面能，并且可以增强黑矩阵164和第二缓冲层之间的粘附力从而防止黑矩阵164的损失。这里，由于黑矩阵164的一部分被插入到凹部171中，所以，被插入到凹部171中的黑矩阵164的侧面可以与凹部171的内侧面171b接触并稳定地固定。结果，可以优化黑矩阵164的下端164a和凹部171的底面171a之间的表面能，并且可以防止显示装置100中的黑矩阵164的损失。
这样，由于黑矩阵164的一部分被插入到凹部171中，所以黑矩阵164可以被保持为预定图案形式。这里，黑矩阵164的预定图案形式可以由从显示装置100的正面看的凹部171的形状决定。例如，如果第二缓冲层170不包括多个凹部171，则尽管黑矩阵164被图案化在第二缓冲层170上，黑矩阵164的表面能和第二缓冲层170的表面能也不同。另外，当黑矩阵164和第二缓冲层170的表面能不同时，黑矩阵164的损失会发生，并且在发生黑矩阵164的损失的部分会发生光泄露和可视性退化现象。因此，在根据本公开的显示装置100中，由于提供了具有多个凹部171的第二缓冲层170并且在多个凹部171中的每个凹部上图案化黑矩阵164，所以可以防止黑矩阵164图案的损失。
在根据本公开的显示装置100中，由于具有多个凹部171的第二缓冲层170被布置在基板180上并且黑矩阵164的一部分被插入到凹部171中，所以可以将填充材料均匀填充在晶体管基板110和基板180之间。例如，如果第二缓冲层170没有被布置在基板180上并且黑矩阵164被直接布置在基板180上，则当晶体管基板110和基板180接合时填充材料不能被均匀分布，并且在填充材料不充足的区域会出现拖尾现象。因此，在根据本公开的显示装置100中，提供了布置在基板180上并且具有多个凹部171的第二缓冲层170，并且将黑矩阵164图案化在多个凹部171中的每个凹部上，从而可以防止黑矩阵164的损失，并且在晶体管基板110和基板180接合时填充材料可以均匀分布。这样，显示装置100可以防止光泄露和可见光退化现象，还可以防止由于填充材料的不均匀分布导致的拖尾现象，并且还可以防止光泄露和可视性退化现象。
图4是示出图2的区域‘A’并示出缓冲层的凹部和黑矩阵的另一实施方式的截面图。
参考图4，黑矩阵164可以图案化在第二缓冲层170上，并布置在第二缓冲层170的凹部171中。根据示例，黑矩阵164可以插入到凹部171中。具体地，黑矩阵164可以被凹部171围绕，并且黑矩阵164的上端164b可以与第二缓冲层的上端170b形成同一层。例如，黑矩阵164的上端164b相对于基板180的高度可以与第二缓冲层的上端170b相对于基板180的高度相同。另外，黑矩阵164的上端164b相对于基板180的高度可以与滤色器162的下端162a相对于基板180的高度相同。因此，黑矩阵164的下端164a可以与凹部171的底面171a接触，黑矩阵164的侧面可以被凹部171的内侧面171b围绕，并且黑矩阵164的上端164b可以与第二缓冲层170的上端170b形成同一平面。即，滤色器的下端162a可以保持平面。多个滤色器162中的每个滤色器可以布置在多个凹部171之间，或者黑矩阵164可以布置在多个凹部171中。
因此，由于黑矩阵被完全插入到凹部171中，所以可以优化黑矩阵164和第二缓冲层170之间的表面能，并且可以增强黑矩阵164和第二缓冲层之间的粘附力从而防止黑矩阵164的损失。这里，由于黑矩阵164被完全插入到凹部171中，所以黑矩阵164的整个侧面可以与凹部171的内侧面171b接触并被稳定地固定，而不像黑矩阵164的上部从第二缓冲层的上端170b突出的情况那样。结果，可以优化黑矩阵164的下端164a和凹部171的底面171a之间的表面能，并且可以防止显示装置100中的黑矩阵164的损失。
这样，由于整个黑矩阵164被插入到凹部171中，所以黑矩阵164可以保持为预定图案形式。这里，黑矩阵164的预定图案形式可以由从显示装置100的正面看的凹部171的形状决定。例如，如果第二缓冲层170不包括多个凹部171，则即使黑矩阵164被图案化在第二缓冲层170上，黑矩阵164的表面能和第二缓冲层170的表面能也可以不同。另外，当黑矩阵164和第二缓冲层170的表面能不同时，会出现黑矩阵164的损失，并且在出现黑矩阵164的损失的部分会出现光泄露和可视性退化现象。因此，在根据本公开的显示装置100中，由于提供了具有多个凹部171的第二缓冲层170并且在多个凹部171中的每个凹部上图案化黑矩阵164，所以可以防止黑矩阵164图案的损失。
图5是示出图2的区域‘A’并示出缓冲层的凹部和黑矩阵的另一实施方式的截面图。
参考图5，黑矩阵164可以图案化在第二缓冲层170上，并且布置在第二缓冲层170的凹部171中。根据示例，黑矩阵164可以插入到凹部171中。具体地，黑矩阵164可以被凹部171围绕，并且黑矩阵164的上端164b可以与第二缓冲层的上端170b的表面形成台阶。例如，黑矩阵164的上端164b相对于基板180的高度可以比第二缓冲层的上端170b相对于基板180的高度更低。黑矩阵164的下端164a可以接触凹部171的底面171a，黑矩阵164的侧面可以被凹部171的内表面171b围绕，并且黑矩阵164的上端164b可以与第二缓冲层的上端170b形成台阶。因此，滤色器162的下端162a可以围绕第二缓冲层170的上端170b和凹部171的内侧面171b的上部。滤色器162的下端162a的边缘可以容纳在凹部171中，并且可以接触黑矩阵164的上端164b。因此，可以优化滤色器162和第二缓冲层170之间的表面能，这对于优化黑矩阵164和第二缓冲层170之间的表面能有益。结果，黑矩阵164的下端164a接触凹部171的底面171a，黑矩阵164的上端164b接触滤色器162的下端162a，从而可以优化黑矩阵164和第二缓冲层170之间的表面能。
因此，由于黑矩阵164被完全插入到凹部171中并且滤色器162的下端162a的边缘被插入到凹部171中以覆盖黑矩阵164的上端164b，所以可以优化黑矩阵164和第二缓冲层170之间的表面能，并且可以增强黑矩阵164和第二缓冲层170之间的附着力从而防止黑矩阵的损失。这里，当整个黑矩阵164被插入到凹部171中并且滤色器162的下端162a的边缘被插入到凹部171中时，黑矩阵164的整个侧面与凹部的内侧面171b接触并被稳定地固定，并且黑矩阵164的上端164b可以被滤色器162的下端162a的边缘稳定地固定，而不像黑矩阵164的上端164b的高度和第二缓冲器107的上端170b的高度相等的情况那样。结果，可以优化黑矩阵164的下端164a和凹部171的底面171a之间的表面能，并且显示装置100可以防止黑矩阵164的损失。
图6是示出根据本公开的示例的显示装置中的缓冲层的截面图。
参考图6，凹部171的底面171a可以具有凹凸形。具体地，凹部171可以通过在第二缓冲层170上执行蚀刻工艺形成。凹部171的底面171a可以通过表面处理工艺具有凹凸形。这里，蚀刻工艺和表面处理工艺可以通过干法蚀刻工艺执行，但是本公开不限于此。由于凹部171的底面171a被实现为凹凸形，所以可以优化黑矩阵164的下端164a和凹部171的底面171a之间的表面能，并且可以防止黑矩阵164的损失(相比于仅提供不具有凹凸形的凹部171的情况)。
根据示例，凹部171的底面171a可以包括功能团，因此可以改变表面特性。例如，当凹部171的底面171a由二氧化硅(SiO2)形成并且通过诸如氩气(Ar)、氧气(O2)、氢气(H2)之类的等离子气体在凹部171的底面171a上执行表面处理工艺时，功能团可以被接合到现有的二氧化硅(SiO2)，或者现有的二氧化硅(SiO2)的接合可以被打破并且可以形成新的功能团。这里，可以改变等离子气体的类型和第二缓冲层170的构成材料，以优化黑矩阵164的下端164a和凹部171的底面171a之间的表面能。具体地，诸如-OH这样的功能团可以通过使用等离子气体的表面处理工艺形成在凹部171的底面171a上，并且可以优化用于与黑矩阵164接合的表面能。这里，功能团的类型不限于-OH，并且可以根据等离子气体的类型和凹部171的底面的类型改变。因此，由于功能团改变了凹部171的底面171a的表面特性，所以可以优化黑矩阵164的下端164a和凹部171的底面171a之间的表面能。
凹部171的深度D可以小于第二缓冲层170的从第二缓冲层170的上端170b开始的厚度T的1/3。黑矩阵164的下端164a相对于第二缓冲层170的下端170a的高度可以是第二缓冲层170的上端170b相对于第二缓冲层170的下端170a的高度的2/3或2/3以上。具体地，包括凹部171的第二缓冲层170可以防止黑矩阵164的损失，并且可以执行显示面板的防潮功能(这是原始功能)。另外，第二缓冲层170可以保持预定厚度T，以防止湿气传播到显示面板，但是在形成凹部171的区域中第二缓冲层170的厚度可以减少达凹部171的厚度D。因此，由于凹部171的深度D被形成为第二缓冲层170的从第二缓冲层170的上端开始的厚度T的1/3或1/3以下，所以在形成凹部171的区域中第二缓冲层170的厚度可以保持在预定水平或预定水平以上。例如，当第二缓冲层170具有3000埃的厚度T时，凹部171的深度D可以具有500到1000埃的深度D。相应地，第二缓冲层170在形成凹部171的区域中的厚度可以为第二缓冲层170的总厚度T的2/3或2/3以上。结果，通过调整凹部171的深度，第二缓冲层170可以保持能够防止黑矩阵164的损失并且能够执行显示面板的防潮功能的预定厚度。
图7A至图7D是示意性地示出制造根据本公开的示例的显示装置中的缓冲层的方法的过程的截面图。
参考图7A，可以准备载体玻璃基板10和层叠在载体玻璃基板10的上端上的牺牲层20来制造根据本公开的显示装置100。基板180和第二缓冲层170可以依次层叠在载体玻璃基板10上。因此，载体玻璃基板10可以在基板180和第二缓冲层170被层叠的同时支撑基板180和第二缓冲层170。因此，载体玻璃基板10可以临时用作支撑基板。
参考图7B，光刻胶30可以布置在第二缓冲层170上，以在第二缓冲层170上形成凹部171。例如，光刻胶30可以是正性光刻胶(正PR)。可以根据凹部171的形状制造掩模40，并且可以将掩模40设置在光刻胶30上并且与光刻胶30间隔开以执行曝光工艺。这里，形成凹部171的区域是指图案化黑矩阵164的区域，因此可以使用用于黑矩阵164的图案化工艺的掩模。因此，由于在第二缓冲层170上形成凹部171的处理不需要单独掩模，所以可以减少显示装置100的制造成本和时间。当在布置掩模40之后照射激光时，光刻胶30对应于凹部171的区域可以被移除。
参考图7C和图7D，当移除了光刻胶30的对应于凹部171的区域时，可以通过干法蚀刻工艺在第二缓冲层170上形成凹部171。根据示例，凹部171可以通过在第二缓冲层170上执行蚀刻工艺来形成。凹部171的底面171a可以通过表面处理工艺而具有凹凸形。由于凹部171的底面171a被实现为具有凹凸形，所以可以优化黑矩阵164的下端164a和凹部171的底面171a之间的表面能，并且可以防止黑矩阵164的损失(相比于仅形成不具有凹凸形的凹部171的情况)。
因此，由于根据本公开的显示装置包括具有多个凹部的缓冲层，所以可以防止黑矩阵图案的损失并且可以在晶体管基板和滤色器基板接合时均匀填充填充材料。另外，显示装置可以防止黑矩阵图案的泄露，从而防止光泄露和可视性退化现象，并且由于通过将填充材料均匀地填充在晶体管基板和滤色器基板之间防止了显示面板的拖尾现象，所以可以改善显示面板的防潮功能并且可以提高显示装置的可靠性。
根据本公开的显示装置包括具有多个凹部的缓冲层，因此可以防止黑矩阵图案的损失，并且可以在接合晶体管基板和滤色器基板时均匀地填充填充材料。
在根据本公开的显示装置中，由于缓冲层具有多个凹部并且凹部的底面被实现为凹凸形，所以可以防止黑矩阵图案的损失，从而防止光泄露和可视性退化，并且可以通过将填充材料均匀地填充在晶体管基板和滤色器基板之间防止显示面板的拖尾现象。
在根据本公开的显示装置中，可以通过缓解施加到缓冲层的应力来增大缓冲层的厚度，并且可以通过改善显示面板的防潮功能来增强显示装置的可靠性。
本领域技术人员将明白，可以在不脱离本公开的精神或范围的条件下对本公开做出各种修改和变形。因此，期望本公开覆盖本公开的变形和修改，只要所述修改和变形落入所附权利要求及其等同物的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年12月13日递交的韩国专利申请No.10-2017-0170948的优先权，其通过引用全部结合于此。

Claims (14)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个薄膜晶体管TFT，设置在晶体管基板上；
多个有机发光元件，分别电连接到所述多个TFT；
多个堤部，分别布置在所述多个有机发光元件之间并且限定所述多个有机发光元件的开口区域；
缓冲层，设置在基板上并且具有分别与所述多个堤部交叠的多个凹部；以及
黑矩阵，布置在所述多个凹部中的每个凹部处。
2.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
滤色器，布置在所述多个凹部之间并且与所述多个有机发光元件的所述开口区域交叠。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个凹部具有相对于所述缓冲层的上端的表面的台阶。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述黑矩阵的下部被所述多个凹部中的每个凹部围绕，并且所述黑矩阵的上部从所述缓冲层的上端的表面突出。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述黑矩阵的上端相对于所述基板的高度等于所述缓冲层的上端相对于所述基板的高度。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述黑矩阵的上端相对于所述基板的高度低于所述缓冲层的上端相对于所述基板的高度。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个凹部中的每个凹部的底面具有凹凸形。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个凹部中的每个凹部的深度是所述缓冲层的厚度的1/3或1/3以下。
9.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个薄膜晶体管TFT，设置在晶体管基板上；
多个有机发光元件，分别电连接到所述多个TFT；
多个堤部，布置在所述多个有机发光元件之间并且限定所述多个有机发光元件中的每个有机发光元件的开口区域；
缓冲层，设置在基板上；
黑矩阵，设置在所述缓冲层上，具有布置成比所述缓冲层的上端相对于所述基板的高度更低的下端，并且与所述多个堤部中的每个堤部交叠；以及
滤色器，具有布置为相对于所述黑矩阵的下端具有台阶的下端，并且与所述多个有机发光元件的所述开口区域交叠。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述黑矩阵的上端相对于所述基板的高度高于所述缓冲层的上端相对于所述基板的高度。
11.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述黑矩阵的上端相对于所述基板的高度等于所述缓冲层的上端相对于所述基板的高度。
12.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述黑矩阵的上端相对于所述基板的高度低于所述缓冲层的上端相对于所述基板的高度。
13.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述缓冲层和所述黑矩阵的交界具有凹凸形。
14.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述黑矩阵的下端的高度是所述缓冲层的上端相对于所述缓冲层的下端的高度的2/3或2/3以上。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114196910A (zh) * 2020-09-02 2022-03-18 延原表股份有限公司 掩模框架以及包括其的沉积系统
CN114284320A (zh) * 2021-12-16 2022-04-05 合肥维信诺科技有限公司 显示面板以及显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210084913A (ko) * 2019-12-30 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN111312780B (zh) * 2020-02-27 2022-12-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种具有高开口率的显示面板及其制作方法和显示装置
CN111665656A (zh) * 2020-06-28 2020-09-15 武汉华星光电技术有限公司 显示装置及其制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030047862A (ko) * 2001-12-11 2003-06-18 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치용 기판과 그 제조 방법, 전기 광학 장치와그 제조 방법 및 전자 기기
US20080259255A1 (en) * 2007-04-19 2008-10-23 Gee Sung Chae Color filter array substrate, a liquid crystal display panel and fabricating methods thereof
JP2009294498A (ja) * 2008-06-06 2009-12-17 Toppan Printing Co Ltd 表示装置用カラーフィルタの製造方法及び表示装置用カラーフィルタ
KR20110054732A (ko) * 2009-11-18 2011-05-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US20120249936A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 Hefei Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP2012212694A (ja) * 2012-08-08 2012-11-01 Sharp Corp 有機ｅｌデバイス
US20120319122A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Ma Jang-Seok Organic light-emitting display device including black matrix-containing neutral density film
CN104979372A (zh) * 2015-05-20 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法以及显示装置
US20150338702A1 (en) * 2014-01-22 2015-11-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Color filter substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal display panel and display device
US20150340412A1 (en) * 2014-05-22 2015-11-26 Lg Display Co., Ltd. Flat panel display having low reflective black matrix and method for manufacturing the same
CN106526942A (zh) * 2017-01-06 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4245032B2 (ja) * 2006-10-03 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
KR102082793B1 (ko) * 2012-05-10 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
KR20140114210A (ko) * 2013-03-18 2014-09-26 엘지디스플레이 주식회사 입체영상 표시장치 및 그 제조방법
KR102378893B1 (ko) * 2015-05-29 2022-03-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102658367B1 (ko) * 2016-09-28 2024-04-18 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030047862A (ko) * 2001-12-11 2003-06-18 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치용 기판과 그 제조 방법, 전기 광학 장치와그 제조 방법 및 전자 기기
US20080259255A1 (en) * 2007-04-19 2008-10-23 Gee Sung Chae Color filter array substrate, a liquid crystal display panel and fabricating methods thereof
JP2009294498A (ja) * 2008-06-06 2009-12-17 Toppan Printing Co Ltd 表示装置用カラーフィルタの製造方法及び表示装置用カラーフィルタ
KR20110054732A (ko) * 2009-11-18 2011-05-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US20120249936A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 Hefei Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
US20120319122A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Ma Jang-Seok Organic light-emitting display device including black matrix-containing neutral density film
JP2012212694A (ja) * 2012-08-08 2012-11-01 Sharp Corp 有機ｅｌデバイス
US20150338702A1 (en) * 2014-01-22 2015-11-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Color filter substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal display panel and display device
US20150340412A1 (en) * 2014-05-22 2015-11-26 Lg Display Co., Ltd. Flat panel display having low reflective black matrix and method for manufacturing the same
KR20150135624A (ko) * 2014-05-22 2015-12-03 엘지디스플레이 주식회사 낮은 반사율을 갖는 블랙 매트릭스를 구비한 평판 표시장치 및 그 제조 방법
CN104979372A (zh) * 2015-05-20 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法以及显示装置
CN106526942A (zh) * 2017-01-06 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114196910A (zh) * 2020-09-02 2022-03-18 延原表股份有限公司 掩模框架以及包括其的沉积系统
CN114284320A (zh) * 2021-12-16 2022-04-05 合肥维信诺科技有限公司 显示面板以及显示装置
WO2023109239A1 (zh) * 2021-12-16 2023-06-22 合肥维信诺科技有限公司 显示面板以及显示装置

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Publication number Publication date
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