CN1100340C - 阴极射线管 - Google Patents

Abstract

本发明揭示一种阴极射线管，至少包括：具有大致矩形的屏盘、漏斗状的玻锥、圆筒状管颈的真空管壳；设置在管颈内的电子枪；装设在玻锥预定部分外侧、在玻锥内部形成磁场、使电子束偏转的偏转线圈包；玻锥的装设偏转线圈包的预定部分中的管颈侧形成的该玻锥的外形为自所述管颈侧向所述屏盘侧逐渐由圆形变形成在与所述屏盘的对角轴大致相同的方向具有最大直径的非圆形；设最大直径的半径为L、该半径与长轴方向半径H的差为ΔH、该半径L与短轴方向半径V的差为ΔV、该ΔH与ΔV的和为ΔHV，在玻锥的装设偏转线圈包的预定部分中的屏盘侧，形成的玻锥外形满足关系式：0.3≤ΔHV/L≤0.6。

Description

阴极射线管

本发明涉及彩色显像管之类的阴极射线管，尤其涉及能有效降低偏转线圈包消耗功率及由偏转线圈包产生的泄漏磁场的阴极射线管。

作为以往的阴极射线管一个例子的彩色显像管示于图1A。该彩色显像管具有真空管壳，该真空管壳由大致矩形的玻璃制的屏盘1、与该屏盘1连接的漏斗状的玻璃制玻锥(funnel)2、及与该玻锥2的小直径部连接的圆筒状的玻璃制管颈3构成。在该屏盘1内表面设置含发蓝、绿、红光的点状或条状的3色荧光层的、大致矩形的荧光屏，如图1B所示。

又，在管颈3内，设置发射3束电子束6的的电子枪7。该电子枪7是发射在同一水平面上成一字形排列的3束电子束6的直线型电子枪。在玻锥2的管颈3附近外侧装设偏转线圈包8。偏转线圈包8产生枕形水平偏转磁场，同时产生桶形垂直偏转磁场。

由电子枪7发射的成一字形排列的3束电子束6由偏转线圈包8产生的水平偏转磁场及垂直偏转磁场在水平方向H及垂直方向V上产生偏转。由此，在3束电子束经荫罩(未图示)到达荧光屏4时，不需特别的修正装置，成一字形排列的3束电子束聚集在整个荧光屏4，即整个画面上，通过水平和垂直扫描，显示彩色图像。

这种结构的彩色显像管称为自会聚直线型彩色显像管，它被广泛应用。

在这种彩色显像管之类的阴极射线管中，其重要课题是降低最大功率消耗源(偏转线圈包8)的消耗功率。即，为了提高荧光屏的辉度，必须增大最终加速电子束的阴极电压，且为了适应HDTV(高清晰度电视)和PC(个人计算机)之类的办公自动化设备，必须提高偏转频率，这些均导致偏转功率、即偏转线圈包消耗功率的增大。尤其，在以高频偏转电子束时，偏转磁场易泄漏至阴极射线管外。为此，对于操作者接近阴极射线管的PC，经对该泄漏磁场进行强制限定。

为了降低泄漏磁场，以往通常采用附加补偿线圈的方法。但，若附加补偿线圈，相应地，PC的消耗功率增大。

从而，为了降低偏转功率和泄漏磁场，希望阴极射线管管颈直径小、安装偏转线圈包玻锥的管颈侧附近的外径小、使偏转磁场对电子束能有效作用。

在阴极射线管中，当电子束偏转至画面的最大直径方向，即对角线方向时，电子束的偏转角，即Z轴与偏转电子束轨迹间形成的角度变大。若电子束的偏转角变大，则电子束靠近安装偏转线圈包的玻锥管颈侧附近的内表面而通过。由此，若单纯使管颈直径及玻锥的管颈侧附近的外径变小，则如图1A所示，成直线排列的电子束外侧的电子束6将碰撞玻锥2的管颈3侧附近的内壁。在3束电子束6均碰撞玻锥2的内壁时，如图1B所示，在荧光屏4上形成电子束6不能到达的部分10(图中，仅画出一个角部)。

从而，在以往的阴极射线管中，不能单纯地使管颈和玻锥的管颈侧附近的外径减小。由此，难以降低偏转功率和泄漏磁场。且，若电子束持续碰撞玻锥2的管颈3侧附近的内壁，则该部分温度可上升至使玻璃熔化。因此，玻锥的内壁的一部分变薄，玻锥有在该处破损的危险。

为了解决上述问题，由于考虑到在荧光屏上扫描出矩形光栅时，通过装有偏转线圈包的玻锥的管颈附近的电子束轨迹所规定的通过区域也大致为矩形这一情况，在特公昭48-34349号公报中揭示了一种示于图2A的这种阴极射线管12，图2B至2F分别表示图2A的B-B至F-F的剖面，该阴极射线管12，如上述图所示，在装有偏转线圈包的玻锥2的管颈3侧附近、自管颈3侧至屏盘1的剖面形状，以从圆形经椭圆形逐渐变成大致矩形的方式形成。

装有偏转线圈包的玻锥的管颈侧附近的剖面形状如图2B至2F所示而构成的阴极射线管，如图3所示，其玻锥2的管颈侧附近的形状与通常圆形构成的阴极射线管相比，电子束易于碰撞的对角部分(即，对角轴D)附近的内径变大。由此，防止电子束碰撞玻锥的内壁。

且，示于图2B至图2F这种结构的阴极射线管，其玻锥2的管颈附近的形状与通常圆形构成的阴极射线管相比，其长轴(水平轴(H轴))与短轴(垂直轴(V轴))附近的内径变小，由此，偏转线圈包的水平偏转线圈及垂直偏转线圈接近于电子束通过区域，能有效偏转电子束，因而可降低偏转功率。

但是，这种阴极射线管，装有偏转线圈包的玻锥的管颈侧附近的剖面形状越接近矩形，耐气压强度越低，有损于安全性。因而，在实用中，必须使其形状带有适当的圆角，从而不能充分降低偏转功率及泄漏磁场。

由上所述，一方面要满足HDTV及PC之类的显示设备所要求的高辉度及高频率化，又要降低阴极射线管的偏转功率及泄漏磁场，这时极其困难的。已有技术作为降低阴极射线管偏转功率的构造，提出了装有偏转线圈包的玻锥的管颈侧附近的形状，从管颈侧向屏盘方向由圆形经椭圆形逐渐变化至大致矩形这种方案。

但，若玻锥的管颈侧附近接近于矩形，则降低耐气压强度，有损于安全性。由此，实用上，必须带有适当的圆角，从而不能充分降低偏转功率。又，以往，用于设计阴极射线管管壳形状的仿真技术尚不成熟，不能如现在那样进行正确的电子束轨道分析及偏转磁场分析，不能设计出既保持耐气压强度又降低偏转功率及泄漏磁场的形状。

本发明即是为解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种既满足高辉度及高频率化的要求，又能降低偏转功率和泄漏磁场且能防止降低耐气压强度的阴极射线管。

根据本发明，所提供的阴极射线管至少包括：具有大致矩形的屏盘、与所述屏盘连接的漏斗状的玻锥、与所述玻锥的直径小的端部连接的圆筒状的管颈的真空管壳；设置在所述管颈内、产生电子束的电子枪；装设在所述玻锥的预定部分外侧、在玻锥内部形成磁场、使电子束在所述屏盘的长轴方向及短轴方向产生偏转的偏转线圈包；所述玻锥的所述装设偏转线圈包的预定部分中的管颈侧形成的该玻锥的外形为自所述管颈侧向所述屏盘侧逐渐由圆形变形成在与所述屏盘的对角轴大致相同的方向具有最大直径的大致椭圆形或大致矩形；同时，设所述最大直径的半径为L、该半径与长轴方向半径H的差为ΔH、该半径L与短轴方向半径V的差为ΔV、该ΔH与ΔV的和为ΔHV，在所述玻锥的所述装设偏转线圈包的预定部分中的所述屏盘侧，形成的所述玻锥外形满足关系式：0.3≤ΔHV/L≤0.6。

本发明的阴极射线管，在装有偏转线圈包的玻锥的预定范围中屏盘附近，其所形成的外形满足关系式0.3≤ΔHV/L≤0.6。由此，玻维的预定范围的屏盘侧，非圆形化的比例变大，能提高玻锥内部形成的磁场灵敏度，有效偏转电子束。由此可降低偏转功率且可确保玻锥有足够的机械强度，例如耐气压强度。

又，由于在玻锥预定范围的屏盘侧，非圆形的比例变大，因而降低了偏转线圈形成的磁场成分中的朝向屏盘的分量，由此，能降低来自屏盘侧的泄漏磁场。

进而，由于在上述形状的玻锥的预定范围装设偏转线圈包，能使偏转线圈包紧凑，可大幅度降低偏转功率及来自偏转线圈包的泄漏磁场。

再者，对于电子束偏转角大于110度的大偏转角管，能构成以实用的偏转频率偏转且对泄漏磁场也能通过规定值的阴极射线管。

图1A是以往的阴极射线管一个例子的剖视图。

图1B是图1A所示的阴极射线管的正视图。

图2A是以往的阴极射线管的侧视图。

图2B至图2F分别是图2A所示的阴极射线管沿B-B线至F-F线剖面时的剖视图。

图3是装有偏转线圈包的玻锥的管颈侧附近为大致矩形时，电子束通过区域关系的说明图。

图4是本发明实施例的阴极射线管，即彩色显像管构造略图。

图5是表示图4所示的彩色显像管的管壳图。

图6表示图5所示的管壳的玻锥中，装有偏转线圈包的管颈附近的外径和管轴方向位置的关系。

图7表示最大外径和长轴方向外径的差ΔH及最大外径和短轴方向外径的差ΔV的和ΔHV，相对于管轴方向位置的变化图。

图8是图5所示的玻锥的管颈侧附近的最大外径与长轴方向外径的差ΔH及最大外径与短轴方向外径的差ΔV的说明图。

图9是表示图5所示的玻维的管颈侧附近非圆形化的比率的曲线图。

图10是图5所示的玻锥的管颈侧附近的形状变化与其它玻锥管颈侧附近的形状变化的比较图。

图11表示图5所示的玻锥的管颈侧附近非圆形化的比率与泄漏磁场的关系。

图12表示在图5所示的玻锥中安装的偏转线圈包中所含的偏转线圈产生的偏转磁场在管轴上的强度分布。

图13是表示在图5所示的玻锥中安装的偏转线圈包所含的偏转线圈配置的剖面图。

图14是玻锥的管颈侧附近的非圆形化界限的说明图。

图15表示图10所示形状的玻锥水平方向的偏转灵敏度及真空应力最大值。

下文，参照附图，对作为本发明的阴极射线管一例的彩色显像管的实施例进行说明。

如图4所示，该彩色显像管具有真空管壳23。所述真空管壳23由大致呈矩形的玻璃制的屏盘20、与该屏盘连接的漏斗状的玻璃制的玻锥21及与所述玻锥21的直径小的部分连接的圆筒状的玻璃制的管颈22构成。在屏盘20的内表面设置含分别发出蓝、绿、红光的点状或条状的3色荧光层的、大致为矩形的荧光屏44。与该荧光屏44相对，在其内侧即在管颈侧，配置具有许多电子束通过孔的荫罩45。

又，在管颈22内，设置发射3束电子束46的电子枪47。该电子枪47是发射在同一水平面上成一字形排列的3束电子束46的直线型电子枪。

进而，在玻锥21的管颈22侧附近，即在玻锥中间区域24的外侧，安装偏转线圈包48。该偏转线圈包48产生枕形的水平偏转磁场及桶形的垂直偏转磁场。

由电子枪47发射的3束电子束46通过偏转线圈包48产生的偏转磁场在长轴，即水平轴(H轴)方向产生偏转。且，这3束电子束46，由偏转线圈包48产生的垂直偏转磁场在短轴，即垂直轴(V轴)方向产生偏转。由此，直线型电子枪47发射的成一字形排列的3束电子束46，经荫罩45到达荧光屏44时，通过在整个荧光屏44、即在整个画面上进行水平及垂直扫描，显示彩色图像。

这种构造的彩色显像管，不必特别的修正装置，在整个画面上集中成一字形排列的3束电子束46，因此称为自会聚直线型彩色显像管。

真空管壳23构造的一个例子示于图5。

设管壳23的管轴方向，即发射电子束的方向为Z轴，屏盘20在与Z轴垂直方向的截面形状为由与长轴大致平行的屏盘长边及与短轴大致平行的屏盘短边所规定的大致为矩形的形状。又，管颈22在与Z轴垂直方向的截面形状为圆形。玻锥21的连接屏盘20与管颈22的玻锥中间区域24，其在与Z轴垂直方向的截面形状沿Z轴变化。

即，装有偏转线圈包的玻锥中间区域24的截面形状，沿Z轴方向自管颈22侧至屏盘20间，由与管颈22同样的圆形逐渐变化为在屏盘20的长轴及短轴方向以外的方向具有最大直径的非圆形这种方式形成。即，在屏盘方向，其截面形状近似于以屏盘长边和短边规定的大致矩形的形状。长轴及短轴方向以外的最大直径方向，与与屏盘20的对角线方向平行的方向，即对角轴(D轴)。

玻锥中间区域24的外径相对于Z轴(即，管轴方向)位置的关系示于图6。图6中曲线25、26、27分别表示长轴方向的外径、短轴方向的外径及对角轴的最大直径方向的外径相对于Z轴的变化曲线。

其中，管轴方向位置的原点，即0mm处称为偏转中心，这是偏转至屏盘长边与短边相交的角位置的电子束轨迹中，最接近于角位置的轨迹的切线与Z轴的交点。自该偏转中心向屏盘侧为正、向管颈侧为负。

如图6所示，玻锥中间区域24的与管颈相连的部分附近，在本实施例中为Z轴位置是-30mm处，长轴、短轴及对角轴方向的外径相同。截面形状为圆形。又，玻锥中间区域24，随着靠近屏盘侧，相对于对角轴方向外径的增加率，其长轴及短轴方向的外径增加率逐渐变小，变成扁平的非圆形，即矩形形状。

如图8所示，设玻锥中间区域的外径中的最大外径(即对角轴方向的外径)的半径为L、该最大外径的半径L与长轴方向外径的差为ΔH、最大外径的半径L与短轴方向外径的差为ΔV。设ΔH与ΔV的和为ΔHV，即，ΔHV＝ΔH+ΔV时，该ΔHV以图7中曲线28所示方式变化。

表示玻锥中间区域的非圆形化(即，扁平化)比率的ΔHV/L如图9中曲线29所示变化。安装在该玻锥中间区域的、其前端部即屏盘侧备有鞍型水平偏转线圈的偏转线圈包，在其屏盘侧的凸缘部位于的图中虚线所示位置附近，即在+10mmZ轴位置，希望该非圆形化的比率ΔHV/L为0.3以上、0.6以下的范围。在图9所示的例子中，ΔHV/L为0.4。

真空管壳的构成上，管颈形成圆筒状、屏盘形成矩形状、而玻锥自管颈侧至屏盘侧间形成大而宽阔的形状。由此，装有偏转线圈包的玻锥中间区域的形状自管颈侧不能急剧地变为例如近似于画面纵横比的矩形形状。

在图10中所示为，装有偏转线圈包的玻锥中间区域相对于Z轴的形状变化，即ΔHV变化的，代表性的3个例子。

曲线30表示的例子是：自管颈侧至屏盘侧间，即随着Z轴位置的增加，ΔHV逐渐增大，在玻锥中间区域的接近屏盘位置的ΔHV的增加率，即与曲线相切的切线的斜率约为0.7。

曲线31所示的例子是：在自管颈侧至屏盘侧的中间部分，即Z轴位置0mm附近，ΔHV的增加率较小，而随着接近屏盘，ΔHV的增加率变大。在该例子中，在玻锥中间区域接近屏盘的位置的ΔHV的增加率为1.1以上。

曲线32所示的例子是，自管颈侧至屏盘侧的中间部分，ΔHV的增加率增大，随着接近屏盘，ΔHV的增加率变小。在该例子中，玻锥中间区域接近屏盘位置的ΔHV的增加率为0.6以下。

在这3个例子中，如曲线32所示的例子表示，中间部分ΔHV增加率大时，玻锥中间区域的截面形状相对于Z轴急剧变化。这种形状的玻锥易于产生机械强度、例如耐气压强度不足。

如曲线31所示例子，在玻锥中间区域接近屏盘位置的ΔHV增加率大时，为使电子束偏转而作用于电子束的偏转磁场灵敏度降低。

这些比较结果，详细示于图15。

图15示出真空应力，为了稳定确保其机械强度，其所示的最大值，希望在每平方英寸1200磅以下。

即，具有曲线30所示形状的玻锥，是其玻锥中间区域的形状沿管轴方向ΔHV逐渐变大的适宜形状。该玻锥中间区域，偏转磁场的灵敏度，例如水平方向的偏转灵敏度良好。而且，该玻锥中间区域在管轴方向的全部区域，真空应力的最大值是稳定能确保机械强度的值，即小于1200psi。

具有曲线31所示形状的玻锥，其玻锥中间区域的形状是管轴中央附近ΔHV增加率小的形状。且，该玻锥中间区域，在屏盘侧ΔHV急剧增加，该位置偏转灵敏度降低。再者，该玻锥中间区域，真空应力最大值超过1200psi的区域多。因此，要充分确保玻锥整个中间区域机械强度是困难的。

具有曲线32所示形状的玻锥，其中间区域的形状在管轴中心附近ΔHV增加率大。又，该玻锥中间区域，真空应力的最大值极高，不能充分确保机械强度。

因而，在实用时，希望如曲线30所示的例子，ΔHV自管颈侧向屏盘方向逐渐增加，玻锥中间区域接近屏盘位置的ΔHV的增加率位于比0.6大、比1.1小的范围内。

通过使玻锥中间区域为上述构造，能形成不降低偏转磁场灵敏度、能充分确保耐气压强度的期望形状的玻锥。

这样，使装有偏转线圈包的玻锥中间区域的截面形状，在自管颈侧至屏盘侧间，逐渐从圆形变化为近似于屏盘纵横比的矩形形状，且使偏转线圈包的前端部位于的接近屏盘位置的非圆形的比率ΔHV/L为0.3≤ΔHV/L≤0.6，由此可降低偏转功率。

泄漏磁场强度与非圆形化的比率ΔHV/L的关系示于图11。泄漏磁场的规定值由图中直线34所示。如曲线33所示，非圆形化的比率ΔHV/L为0.3以上，最好为0.35以上，能使泄漏磁场小于规定值。

再者，如图10的曲线30所示，使玻锥中间区域接近屏盘位置的ΔVH增加率大于0.6小于1.1，可形成具有充分耐气压强度的玻锥。

从而，根据上述设计条件构成玻锥，能得到既满足高辉度和高频化，又降低偏转功率和泄漏磁场且具有足够耐气压强度的彩色显示管。

上述设计条件，是对于阴极射线管中安装的偏转线圈包进行详细磁场分析而得到的。

为了降低阴极射线管的偏转功率，必须尽可能使装有偏转线圈包的玻锥的管颈侧附近，即玻锥中间区域直径小，使偏转线圈小，这种情况下，必须使偏转的电子束不碰撞玻锥的管颈内壁。为此，如图1A所示，希望使电子束易于碰撞的玻锥内壁为与画面长宽比形状近似相符的形状。且，希望玻锥其外径随着从管颈侧向屏盘侧而增大，且使屏盘侧的玻锥的与管轴垂直的截面形状为在屏盘长轴及短轴方向以外的方向具有最大直径的大致椭圆或矩形之类的非圆形状。又，希望在该玻锥中间区域装设的偏转线圈，构成与玻锥中间区域的外径形状相符的形状。

通常，偏转线圈产生的磁场强度分布，如图12中曲线36所示，在偏转线圈中心附近具有峰值。另一方面，装有偏转线圈包的玻锥中间区域随着向管颈侧方向，其外径逐渐变小。由此，为了降低偏转功率，从图11所示的偏转磁场强度的峰值至管颈侧，尽可能使玻锥的外部逐渐变小是有效的。但是，偏转功率与施加于电子束的整个偏转磁场的积分值相当，因而缩小从峰值侧至屏盘侧的玻锥的外径也是重要的。

由偏转线圈包产生的泄漏磁场，主要由装在偏转线圈包前端部的水平偏转线圈产生。这是由于偏转线圈包的前端部在屏盘方向开口变大的缘故，在屏盘方向有强磁场泄漏，且该泄漏磁场直至远方。因而，为了降低由偏转线圈包泄漏的磁场，希望偏转线圈包的前端部所位于的玻锥的中间区域的外径尽可能小，水平偏转线圈尽可能不朝向屏盘方向安装。

即，如图13所示，例如对于具有鞍形水平偏转线圈38和垂直偏转线圈39的偏转线圈包，为了使该水平偏转线圈38前端部的凸缘部的直径小，必须使该凸缘部所位于的玻锥中间区域24的短轴(即V轴)方向的外径小。且，为了使垂直偏转线圈39前端部凸缘部直径小，必须使该凸缘部所位于的玻锥中间区域24的长轴(H轴)方向的外径小。

即，为了同时降低偏转功率和泄漏磁场，必须使装有偏转线圈包的玻锥中间区域尽可能小。但，根据本申请发明者的磁场分析和试制实验，用作例如个人计算机和其他计算机之类终端的显像管，即使用已有技术的玻锥设计110度偏转管，也不能充分降低偏转功率且泄漏磁场也大，不能通过瑞典的规格值。

与此相反，如前所述，使装有偏转线圈包的玻锥中间区域的截面形状，从管颈侧至屏盘侧，逐渐由图形变化为在屏盘的长轴和短轴方向以外的方向(对角轴方向)具有最大直径的非圆形状，相对于该最大直径的半径L，使长轴方向的半径H及短轴方向的半径V变小，由此得到半径L与半径H的差ΔH及半径L与半径V的差ΔV均同样有助于降低偏转功率这一铙有趣味的结果。已判明：表示玻维中间区域的非圆形化的比率的半径L与ΔH及ΔV的和之比(ΔHV/L)为0.3以上，最好为035以上，能把泄漏磁场降低至可实用的强度且能降低偏转功率。

但，这时，真空管壳必须形成避免其机械强度降低、可保持足够耐气压强度的形状。即，即使单纯地把玻锥中间区域设计成ΔHV/L大于0.3的截面大致为矩形的形状，若如图14所示，制成边41的中央弯向内侧的形状，则由于加于各边41中央的大气压荷重，在各对角部施加超过1200psi的极大应力。由此，玻锥有破损的危险，难于实用化。由于这一原因，装有偏转线圈包的玻锥的中间区域的非圆形化有个极限，ΔHV/L小于0.6即是得到的这一限度的结果。该值相当于玻锥中间区域截面的H轴与V轴方向的比与画面的纵横比大致相同的情况。

通过把玻锥中间区域的构造设定成管颈侧至屏盘方向ΔVH逐渐增加，在玻锥中间区域接近屏盘的位置ΔHV的增加率大于0.6、小于1.1的范围，能构成不降低偏转磁场的灵敏度且能充分确保耐气压强度的期望形状的玻锥。

另外，虽然上述实施例对彩色显像管加以说明，但本发明也可适用于彩色显像管以外的阴极射线管。

Claims (5)

1.一种阴极射线管，至少包括：

具有大致矩形的屏盘(20)、与所述屏盘连接的漏斗状的玻锥(21)、与所述玻锥的直径小的端部连接的圆筒状的管颈(22)的真空管壳(23)；

设置在所述管颈内、产生电子束的电子枪(47)；

装设在所述玻锥的预定部分外侧(24)、在玻锥内部形成磁场、使电子束在所述屏盘的长轴方向及短轴方向产生偏转的偏转线圈包(48)；其特征在于：

所述玻锥的所述装设偏转线圈包(48)的预定部分中的管颈侧形成的该玻锥的外形为自所述管颈侧向所述屏盘侧逐渐由圆形变形成在与所述屏盘的对角轴大致相同的方向具有最大直径的大致椭圆形或大致矩形；同时，设所述最大直径的半径为L、该半径与长轴方向半径H的差为ΔH、该半径L与短轴方向半径V的差为ΔV、该ΔH与ΔV的和为ΔHV，在所述玻锥的所述装设偏转线圈包(48)的预定部分中的所述屏盘侧，形成的所述玻锥外形满足关系式：0.3≤ΔHV/L≤0.6。

2.如权利要求1所述的阴极射线管，其特征在于，所述玻锥的所述装设偏转线圈包(48)的预定部分中的管颈侧，形成的所述玻锥的外形为自所述管颈侧向所述屏盘侧逐渐由圆形变形成在与所述屏盘的对角轴大致相同的方向具有最大直径的大致矩形的形状。

3.如权利要求1所述的阴极射线管，其特征在于，所述玻锥的所述装设偏转线圈包(48)的预定部分中的所述屏盘侧，形成的所述玻锥的外形为其长宽比与所述屏盘的长轴方向长度与短轴方向长度的比相近似的大致矩形形状。

4.如权利要求1所述的阴极射线管，其特征在于，所述ΔHV自所述管颈侧向所述屏盘侧而逐渐增加，所述玻锥在所述装设偏转线圈包(48)的预定部分中的所述屏盘侧的ΔHV增加率位于大于0.6、小于1.1的范围内。

5.如权利要求1所述的阴极射线管，其特征在于，所述玻锥的所述装设偏转线圈包(48)的预定部分中的所述屏盘侧，形成的所述玻锥外形满足关系式：0.35≤ΔHV/L≤0.6。

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