CN110033820B - 数据存储异常检测方法与装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种数据存储异常检测方法与装置,涉及硬盘检测领域。当任意两次得到的第二反馈数据均有数位发生翻转时,依据所述任意两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置生成数据存储异常检测结果,容易精确地检测出不良品,在后期无需耗费很多的人力和物力进行异常测试、定位和维修,节省了大量的经济成本,并且测试结果可靠性高。

Description

数据存储异常检测方法与装置
技术领域
本发明涉及硬盘检测领域,具体而言,涉及一种数据存储异常检测方法与装置。
背景技术
固态硬盘(Solid State Disk)是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘,由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成。通常情况下,固态硬盘制作完成后,会进行高温RDT以及BIT老化等测试,以检测固态硬盘的盘片的焊接导致信号质量异常的情况。
在传统技术中,通常通过制盘后的X射线检查固态硬盘是否有虚焊,对于固态硬盘的比较隐蔽的位置发生异常时,这种粗糙的筛选方式是无法检测出不良品,以致在后期还会耗费很多的人力和物力进行异常测试、定位和维修,需要耗费大量的经济成本,并且测试结果可靠性低。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例的目的在于提供一种数据存储异常检测方法与装置。
第一方面,本发明实施例提供了一种数据存储异常检测方法,应用于主控芯片,方法包括:
在根据获得的第一反馈数据确定延时参数均不可用时,将预先获得的第二测试数据写入存储器;
连续读第二测试数据至少两次,得到至少两个第二反馈数据;
当任意两次得到的第二反馈数据均有数位发生翻转时,依据任意两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置生成数据存储异常检测结果。
第二方面,本发明实施例还提供了一种数据存储异常检测装置,应用于主控芯片,装置包括:
数据写入单元,用于在根据获得的第一反馈数据确定延时参数均不可用时,将预先获得的第二测试数据写入存储器;
数据读出单元,用于连续读第二测试数据至少两次,得到至少两个第二反馈数据;
结果生成单元,用于当任意两次得到的第二反馈数据均有数位发生翻转时,依据两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置生成数据存储异常检测结果。
第三方面,本发明实施例提供了一种固态硬盘,所述固态硬盘包括有主控芯片与存储器,所述存储器中包括一个或多个由所述主控芯片执行的机器可执行指令,所述主控芯片可执行所述机器可执行指令以实现上述的方法。
第四方面,本发明实施例还提供了一种存储介质,所述存储介质中存储有计算机指令,其中,所述计算机指令在被读取并运行时执行如上述的数据存储异常检测方法。
与现有技术相比,本发明提供的数据存储异常检测方法与装置,当任意两次得到的第二反馈数据均有数位发生翻转时,依据所述任意两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置生成数据存储异常检测结果,容易精确地检测出不良品,在后期无需耗费很多的人力和物力进行异常测试、定位和维修,节省了大量的经济成本,并且测试结果可靠性高。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围,而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例提供的固态硬盘的电路连接框图;
图2为本发明实施例提供的数据存储异常检测方法的一种实施例的流程图;
图3为本发明实施例提供的数据存储异常检测方法的另一种实施例的流程图;
图4为本发明实施例提供的数据存储异常检测装置的功能单元示意图。
图标:101-主控芯片;102-非线性闪存;103-固态硬盘;401-参数确定单元;402-参数选择单元;403-数据写入单元;404-数据读出单元;405-判断单元;406-结果生成单元。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围,而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种数据存储异常检测方法,应用于主控芯片101。如图1所示,本实施例中,主控芯片101与非线性闪存102通信连接,且主控芯片101与一非线性闪存102设置于固态硬盘103。主控芯片101用于管理非线性闪存102,并向外设主机提供数据的输入输出接口,另外,主控芯片101还提供与非线性闪存102交互的接口,用于将数据写入非线性闪存102或从非线性闪存102读取数据。如图1所示,该方法包括:
步骤S201:在根据获得的第一反馈数据确定延时参数均不可用时,将预先获得的第二测试数据写入存储器。
其中,此处的存储器可以为非线性闪存102,延时参数即延迟锁相环(Delaylocked Loop,DLL)参数,延时参数作用于双向数据控制引脚(DQS,Bi-directional DataStrobe)发出的数据读写信号,用于确定数据读写信号的相位移动步长。主控芯片101利用配置的延时参数输出相位被移动后的数据读写信号,对非线性闪存102内存储的数据进行读与写。
另外,当根据获得的第一反馈数据确定延时参数均不可用(关于延时参数是否可用的判断标准请参见后文叙述)的条件下,说明固态硬盘103存在问题,则需要对第二测试数据进行读写操作,以检测固态硬盘103具体存在的问题。其中,第一反馈数据为对第一测试数据进行读写操作得到的反馈数据。
本实施例中,第二测试数据优选为实时构造的全0数据,例如,第二测试数据可以为“0000”。当第二测试数据为全0数据时,可以在被主控芯片101进行读写操作时准确地检测出是否发生翻转。
具体地,主控芯片101包括有缓冲区(OCM,On Chip Memory),用于临时存放读写数据。非线性闪存102设置有高速缓存寄存器与闪存阵列,其中,高速缓存寄存器为非线性闪存102的缓存,闪存阵列为用来保存数据的存储区域。当主控芯片101写数据的时候,被写的数据先由OCM传到高速缓存寄存器,然后再从高速缓存寄存器写进闪存阵列。
步骤S202:连续读第二测试数据至少两次,得到至少两个第二反馈数据。
主控芯片101读数据时,被读的数据先从非线性闪存102的闪存阵列传到高速缓存寄存器,然后再由高速缓存寄存器传到OCM。在本实施例中,选择连续读两次第二测试数据,得到两个第二反馈数据。当然地,读第二测试数据的次数也可以为3次、4次、5次等等,在此不做限定。
步骤S203:判断任意两次得到的第二反馈数据是否均有数位发生翻转,如果是,则执行步骤S204;如果否,则执行步骤S205。
例如,若写入的第二测试数据为0000,而读出的反馈数据为0001或0101或0011等等,则认为本次读出的数据发生翻转。
步骤S204:依据任意两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置生成数据存储异常检测结果。
具体地,当任意两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置一致时,则存储器中包含的存储颗粒存在异常。
例如,第二测试数据为0000,而两次读出的反馈数据均为0001,则认为存储器中包含的存储颗粒存在异常;再例如,第二测试数据为0000,而两次读出的反馈数据均为0011,则认为存储器中包含的存储颗粒存在异常。
当任意两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置不一致时,则主控芯片101与存储器之间的通讯链路存在异常。
例如,第二测试数据为0000,第一次读出的反馈数据均为0001,第二次读出的反馈数据为0010,则认为主控芯片101与存储器之间的通讯链路存在异常;再例如,第二测试数据为0000,第一次读出的反馈数据为0011,第二次读出的反馈数据为0101,则认为主控芯片101与存储器之间的通讯链路存在异常。
本实施例中,可以理解地,将主控芯片与一外设显示模块通信,使得异常结果可以传输至外设显示模块进行显示,以提示工作人员做维护工作。例如,当存储器中包含的存储颗粒存在异常时,需要提示工作人员进行高速缓存寄存器更换;当主控芯片与存储器之间的通讯链路存在异常时,需要提示检查盘片焊接点或者其他硬件的异常问题。
步骤S205:生成检测正常的结果。
另外,如图2所示,该数据存储异常检测方法还包括:
步骤S101:按照设定的顺序轮流从预设的延时参数范围中选择一个延时参数配置。
其中,预设的延时参数范围为主控芯片101出厂配置的延时参数范围,在固态硬盘103当前所处的环境温度过高、过低或使用时间较长时,可能会导致当前可用的延时参数范围相对于出厂配置的延时参数范围缩小,因此,需要重新确定可用的延时参数范围。主控芯片101依据当前的配置的延时参数输出脉冲信号的相位差完成对第一测试数据的读与写,主控芯片101配置的延时参数的大小会影响脉冲信号的相位差。在当前的延时参数可用时,读出的第一反馈数据不会发生翻转;当前的延时参数不可用时,读出的第一反馈数据会发生翻转。
步骤S102:将预先获得的第一测试数据写入存储器并读出。
第一测试数据为主控芯片101可以识别并读写的数据,例如,0101、0011等等。
步骤S103:判断读出的第一反馈数据是否有数位发生翻转,如果是,则执行步骤S104,如果否,则执行步骤S105。
步骤S104:确定配置的DDL参数不可用。
当读出的第一反馈数据会发生翻转时,则确定配置的DDL参数不可用。
S105:确定配置的延时参数可用。
S106:判断是否遍历完预设的延时参数范围,如果是,则执行S107;如果否,则重新执行S101。
S107:判断每个第一反馈数据是否均有数位发生反转,如果是,则执行S108;如果否,则执行S109。
S108:确定延时参数均不可用。
当将所有可设置的延时参数轮询完检查后,每个第一反馈数据均有数位发生反转,表明每个延时参数都不可用。此时,需要进一步经常数据存储异常,从而执行S201。
S109:选择所有被确定为可用的延时参数中的中间值参数配置。
当将所有可设置的延时参数轮询完检查是否可用后,可以得出一个延时参数范围,较佳地,取延时参数范围的中间值配置到主控芯片上,如此,主控芯片可以在当前的应用场景下,更精确地进行数据读写,并提高固态硬盘在使用的过程中的稳定性。
请参阅图4,本发明实施例还提供了一种数据存储异常检测装置,应用于主控芯片101。需要说明的是,本发明实施例所提供的数据存储异常检测装置,其基本原理及产生的技术效果和上述实施例相同,为简要描述,本实施例部分未提及之处,可参考上述的实施例中相应内容。该装置包括数据写入单元403、数据读出单元404、判断单元405以及结果生成单元406。
数据写入单元403用于在根据获得的第一反馈数据确定延时参数均不可用时,将预先获得的第二测试数据写入存储器。
可以理解地,数据写入单元403可以执行上述的步骤S201。
数据读出单元404用于连续读第二测试数据至少两次,得到至少两个第二反馈数据。
可以理解地,数据读出单元404可以执行上述的步骤S202。
判断单元405用于判断任意两次得到的第二反馈数据是否均有数位发生翻转。
可以理解地,判断单元405可以执行上述的步骤S203。
结果生成单元406用于当任意两次得到的第二反馈数据均有数位发生翻转时,依据两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置生成数据存储异常检测结果。
可以理解地,结果生成单元406可以执行上述的步骤S204。
具体地,结果生成单元406具体用于当两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置一致时,则存储器中包含的存储颗粒存在异常;当两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置不一致时,则主控芯片101与存储器之间的通讯链路存在异常。
另外,该数据存储异常检测装置还包括:
参数选择单元402,用于按照设定的顺序轮流从预设的延时参数范围中选择一个延时参数配置。
可以理解地,参数选择单元402可以执行上述的步骤S101。
数据写入单元403还用于将预先获得的第一测试数据写入所述存储器。
可以理解地,数据写入单元403还可以执行上述的步骤S102。
数据读出单元404还用于读写入存储器的第一测试数据得到第一反馈数据。
可以理解地,数据读出单元404还可以执行上述的步骤S103。
参数确定单元401,用于当读出的第一反馈数据有数位发生翻转时,确定配置的DDL参数不可用。
可以理解地,参数确定单元401还可以执行上述的步骤S104。
参数确定单元401还用于当读出的第一反馈数据没有数位发生翻转时,确定配置的延时参数可用。
参数选择单元402还用于选择所有被确定为可用的延时参数中的中间值参数配置。
本发明实施例提供了一种固态硬盘103,固态硬盘103包括有主控芯片101与存储器,存储器中包括一个或多个由主控芯片101执行的机器可执行指令,具体地,存储器(例如,上述的非线性闪存102)包含有存储介质,存储介质中存储有计算机指令,其中,计算机指令在被读取并运行时执行如上述实施例所述的数据存储异常检测方法。
综上所述,本发明提供的数据存储异常检测方法与装置,当任意两次得到的第二反馈数据均有数位发生翻转时,依据所述任意两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置生成数据存储异常检测结果,容易精确地检测出不良品,在后期无需耗费很多的人力和物力进行异常测试、定位和维修,在保证生产良率的基础上,节省了大量的经济成本,并且测试结果可靠性高,并且将当前确定的可用延时参数范围的中间值配置到主控芯片,从而保障了链路上的数据稳定传输。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的装置和方法,也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上,流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分,所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意,在有些作为替换的实现方式中,方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如,两个连续的方框实际上可以基本并行地执行,它们有时也可以按相反的顺序执行,这依所涉及的功能而定。也要注意的是,框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合,可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现,或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
另外,在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分,也可以是各个模块单独存在,也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

Claims (6)

1.一种数据存储异常检测方法,其特征在于,应用于主控芯片,所述方法包括:
在根据获得的第一反馈数据确定延时参数均不可用时,将预先获得的第二测试数据写入存储器,其中,所述延时参数包括延迟锁相环参数,所述延时参数作用于双向数据控制引脚发出的数据读写信号,用于确定数据读写信号的相位移动步长;
连续读所述第二测试数据至少两次,得到至少两个第二反馈数据;
当任意两次得到的第二反馈数据均有数位发生翻转时,依据所述任意两次得到的第二反馈数据发生翻转的数位的位置生成数据存储异常检测结果;
所述当任意两次得到的第二反馈数据均有数位发生翻转时,依据所述任意两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置生成数据存储异常检测结果的步骤包括:
当所述任意两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置一致时,则所述存储器中包含的存储颗粒存在异常;
当所述任意两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置不一致时,则所述主控芯片与所述存储器之间的通讯链路存在异常。
2.根据权利要求1所述的数据存储异常检测方法,其特征在于,在所述在根据获得的第一反馈数据确定延时参数存在异常时,将预先获得的第二测试数据写入存储器的步骤之前,所述方法还包括:
按照设定的顺序轮流从预设的延时参数范围中选择一个延时参数配置;
将预先获得的第一测试数据写入所述存储器并读出;
当读出的第一反馈数据有数位发生翻转时,确定所述延时参数不可用;
遍历完所述预设的延时参数范围后,每个所述第一反馈数据均有数位发生反转时,确定所述延时参数均不可用。
3.根据权利要求2所述的数据存储异常检测方法,其特征在于,所述方法还包括:
当读出的第一反馈数据没有数位发生翻转时,确定所述延时参数可用;
遍历完所述预设的延时参数范围后,选择所有被确定为可用的延时参数中的中间值参数配置。
4.一种数据存储异常检测装置,其特征在于,应用于主控芯片,所述装置包括:
数据写入单元,用于在根据获得的第一反馈数据确定延时参数均不可用时,将预先获得的第二测试数据写入存储器,其中,所述延时参数包括延迟锁相环参数,所述延时参数作用于双向数据控制引脚发出的数据读写信号,用于确定数据读写信号的相位移动步长;
数据读出单元,用于连续读所述第二测试数据至少两次,得到至少两个第二反馈数据;
结果生成单元,用于当任意两次得到的第二反馈数据均有数位发生翻转时,依据两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置生成数据存储异常检测结果;
所述结果生成单元具体用于当两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置一致时,则所述存储器中包含的存储颗粒存在异常;
所述结果生成单元具体用于当两次读出的第二反馈数据发生翻转的数位的位置不一致时,则所述主控芯片与所述存储器之间的通讯链路存在异常。
5.一种固态硬盘,其特征在于,所述固态硬盘包括有主控芯片与存储器,所述存储器中包括一个或多个由所述主控芯片执行的机器可执行指令,所述主控芯片可执行所述机器可执行指令以实现权利要求1-3任一所述的方法。
6.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质中存储有计算机指令,其中,所述计算机指令在被读取并运行时执行如权利要求1-3中任一权项所述的数据存储异常检测方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3061473B2 (ja) * 1991-04-15 2000-07-10 オリンパス光学工業株式会社 データ写し込み装置
CN102915260B (zh) * 2012-09-17 2016-04-20 记忆科技(深圳)有限公司 固态硬盘容错的方法及其固态硬盘
CN104899119A (zh) * 2015-05-21 2015-09-09 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种自动检测硬盘异常的方法
CN105242876A (zh) * 2015-09-28 2016-01-13 联想(北京)有限公司 一种控制方法及电子设备
KR102444604B1 (ko) * 2016-02-02 2022-09-21 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
CN106201795A (zh) * 2016-07-07 2016-12-07 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种快速检测数据存储链路稳定性的方法
CN108154904A (zh) * 2016-12-06 2018-06-12 北京京存技术有限公司 一种存储芯片性能的测试方法和装置
CN107729199A (zh) * 2017-10-19 2018-02-23 郑州云海信息技术有限公司 一种存储设备的硬盘检测方法和系统
CN109032863A (zh) * 2018-07-19 2018-12-18 郑州云海信息技术有限公司 一种NVMe固态硬盘及其故障原因的确定方法、系统

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