CN110021584A - 显示设备和用于显示设备的运行方法 - Google Patents

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Abstract

在一个实施方式中，显示设备(1)包括多个像点(3)，所述像点用于借助于至少一个半导体层序列(2)以能调节的方式不同颜色地放射可见光的。像点(3)可彼此独立地控制。像点(3)中的每一个具有多种类型的像素(4)，并且每种类型像素(4)设计用于发射特定颜色的光。像素(4)可彼此独立地控制并且分别划分成多个可彼此独立地控制的子像素(5)。一个像素(4)之内的全部子像素(5)设计用于发射相同颜色的光。

Description

显示设备和用于显示设备的运行方法
技术领域
本发明提出一种显示设备。此外，提出一种用于显示设备的运行方法。
发明内容
待实现的目的在于：提出一种显示设备，借助所述显示设备可再现具有高对比度的图像。
该目的尤其通过一种显示设备来实现，其具有多个像点，所述像点用于借助于至少一个半导体层序列以能调节的方式不同颜色地放射可见光，其中所述像点能够彼此独立地控制，所述像点中的每一个都具有多种类型的像素并且每种类型的像素设计用于发射特定颜色的光，所述像素能够彼此独立地控制，并且所述像素分别划分成所属的所述像素的多个能彼此独立地控制的子像素，并且全部子像素设计用于从所述显示设备中发射相同颜色的光而没有其它颜色变化。优选的改进形式在下文中说明。
根据至少一个实施方式，显示设备包括多个像点。像点分别设计用于可见光的可调节的不同颜色的放射。这是指，根据控制，像点能够发射彩色光，例如红光、绿光或蓝光，或者也发射混色光，如白光。此外，由像点在运行时发射的光的强度是可调节的。
根据至少一个实施方式，像点中的光产生基于至少一个半导体层序列。这是指，显示设备为半导体光源。半导体层序列优选由无机材料形成。
半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如为氮化物化合物半导体材料，如AlnIn1-n-mGamN，或是磷化物化合物半导体材料，如AlnIn1-n-mGamP，或也是砷化物化合物半导体材料，如AlnIn1-n-mGamAs或AlnGamIn1-n-mAskP1-k，其中分别0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1，以及0≤k<1。优选地，在此对于半导体层序列的至少一个层或对于全部层适用的是：0<n≤0.8，0.4≤m<1和n+m≤0.95以及0<k≤0.5。在此，半导体层序列能够具有掺杂剂以及附加的组成部分。然而，为了简单起见仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。
根据至少一个实施方式，像点可彼此独立地被控制。因此，可经由像点在时间上变化地显示图像。由此，能够经由显示设备显示影片或视频。显示设备例如是显示器、电视机或视频墙。
根据至少一个实施方式，像点中的每一个都具有多种类型的像素。在此，每种类型的像素设计用于发射特定颜色的光。优选地，在每个像点中存在刚好三种类型的像素。像点例如每种类型刚好具有一个像素。替选地，可行的是：例如为了产生绿光存在一种类型的多个像素。
根据至少一个实施方式，像素可彼此独立地被控制。经由对像素的不同控制，可调节由相关的像点在运行时产生的光的色彩印象。
根据至少一个实施方式，像点分别划分成多个可彼此独立地控制的子像素。在此，一个像素的全部子像素设计用于发射相同颜色的光。这是指，一个像素的子像素在所发射的光谱方面没有区别或没有显著区别。
根据至少一个实施方式，全部子像素设计用于从显示设备中发射相同颜色的光。这是指，子像素的光在没有其它颜色变化的情况下从显示设备放射。这是指，在子像素之后不跟随任何用于颜色变化的其它发光材料。优选地，在下游也不连接任何滤色器。在所有情况下，进行例如因材料不纯而引起的小部分的光的吸收，其中不因这种次要的光损失产生颜色变化。
在至少一个实施方式中，显示设备包括多个像点以借助于至少一个半导体层序列以可调节的方式不同颜色地放射可见光的。像点可彼此独立地被控制。像点中的每一个都具有多种类型的像素，并且每种类型的像素设计用于发射特定颜色的光。像素可彼此独立地被控制，并且分别划分成多个可彼此独立地被控制的子像素。一个像素之内的全部子像素设计用于从显示设备中发射相同颜色的光而没有其它的颜色变化。
通过将像素划分成子像素可实现像点之间的高的对比度，同时实现相对简单的控制。
在显示设备中追求越来越高的图像分辨率，尤其标准4K和UHD。在此，不仅应提高图像分辨率，而且也应提高可进入的色彩空间和动态范围。特别地，应当能够显示高对比度图像，英文是High Dynamic Range Images或简称为HDRI，也称作HRD图像。HDR尤其表示：显示设备的亮和暗的区域之间的对比度尤其大且清楚地表现。这是指：用于HDR的显示设备必须能够产生较亮的白色和较暗的黑色。理想的黑色尤其通过将像点完全切断来产生。这仅借助LED或OLED是可行的，相反借助液晶掩膜，简称LCD是不可行的。
尤其借助直接LED技术可实现高的亮度，因为无机的半导体层序列在发光面小的情况下能够产生高的光强度，这与例如在OLED或LCD中的情况不同。在此，尤其在例如用于视频壁的外部应用的范围中需实现在6000cd/m2的范围中或直至10000cd/m2的亮度。尤其为了实现这种高的亮度，LED的各个像素必须具有一定的最小尺寸。如果使用较大的LED芯片，那么最大化效率并且LED芯片与较小的芯片相比能够以更高的电流运行。然而，如果针对高的电流密度优化半导体层序列，那么在电流密度较小的情况下效率通常显著下降，并且可能出现不期望的表现，例如进行亮度调节失去线性。
在LED芯片或像素相对大的情况下另一问题在于：在简称为PWM的脉宽调制的情况下，控制脉冲仅能够实现直至特定的最小时间。更短的接通时间或最小时间在技术上仅可借助过分大的耗费实现。由此除了脉冲持续时间之外通常改变电流强度，以便实现相对低的亮度。然而，电流密度的改变引起附加的校准耗费。
在此处所描述的显示设备中，各个像素划分成子像素，由此尤其可以借助于PWM专门以各个电流脉冲中的相同的电流强度改善可控制性。由此，在控制耗费相对小的情况下，提高动态范围并且可显示更高的对比度。
在通常情况下，像点通过RGB像素形成，使得存在一个用于产生红光的像素，一个用于产生绿光的像素和一个用于产生蓝光的像素。在此处所描述的显示设备中，这些像素划分成相同大小的或不同大小的子像素，而不是仅使用一个电连贯的发光面。这实现：相对于常规的RGB像点提高所述像点的控制动态。
在此可行的是：控制单元、尤其控制器IC直接安置到产生光的半导体层序列上。这种在其上能够存在半导体层序列的中间载体，要么能够通过也称作为TFT的薄膜晶体管制造，要么能够以硅-CMOS技术来制造并且能够可选地安置在较大的载体上。TFT优选在较大的显示设备中使用，硅CMO驱动器优选在也称作为微显示器的较小的显示设备中使用。
因此，借助此处所描述的显示设备，当接通全部子像素并且以高的电流密度运行时，可实现像点的高的亮度。此外，当子像素中的仅一个或一些接通并且以短的接通时间和/或以低的平均电流密度运行时，能够实现极其低的亮度。由此，尤其当子像素具有不同的大小时，能够扩大动态范围。此外，通过在不使用LCD的情况下在像素中直接产生光可有效地实现深黑色，其中切断全部子像素。
像素的该设计方案尤其具有如下优点：能够扩大PWM的最小的脉宽，和/或仅需要唯一的、相对高的电流强度以进行控制。这显著地降低校准耗费，否则所述校准耗费对于每个所参与的电流强度都是必需的。由于校准耗费下降，所需的存储器也减小并且在预处理控制数据时需要少量的计算耗费。
还可行的是：出于校准目的而使用具有划分成子像素的这种显示设备。
如果全部像素安置在相同的有源衬底上，那么还能够共同地使用参考结构，如光电探测器和用于温度补偿的装置。
根据至少一个实施方式，像点分别包括一个或多个用于产生红光的、用于产生绿光的用于产生蓝光的像素。特别地，对于红光、绿光和蓝光分别存在刚好一个像素。由此像点能够实现为RGB像点。
根据至少一个实施方式，不同类型的像素的半导体层序列分别具有用于产生相关颜色的光的有源区。这是指，红光、绿光和蓝光在运行时分别借助于电致发光产生。用于产生蓝光和绿光的半导体层序列优选基于InGaN而用于红光的半导体层序列优选基于AlInGaP。
根据至少一个实施方式，在制造公差的范围内，不同类型的像素的半导体层序列分别相同地设计。这是指，不同类型的像素的半导体层序列分别设计用于产生仅一个特定颜色的光，例如用于产生蓝光或也用于产生近紫外辐射，尤其具有最大强度为至少360nm或395nm和/或至多420nm或410nm的波长。
根据至少一个实施方式，至少发射红色和绿色的像素分别设有发光材料，使得在运行时分别借助于光致发光至少产生红光和绿光。可选地，如果相关的半导体层序列的有源区发射近紫外辐射，那么也能够存在用于产生蓝光的发光材料。
至少一个发光材料优选选自：Eu2+掺杂的氮化物，如(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+,Sr(Ca,Sr)Si2Al2N6:Eu2+,(Sr,Ca)AlSiN3*Si2N2O:Eu2+,(Ca,Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+,(Sr,Ca)[LiA13N4]:Eu2+；由如下一般体系构成的石榴石(Gd,Lu,Tb,Y)3(Al,Ga,D)5(O,X)12:RE，其中X＝卤化物、N或二价元素,D＝三价的或四价的元素，并且RE＝稀土金属，如Lu3(All-xGax)5Ol2:Ce3+,Y3(Al1-xGax)5O12:Ce3+；Eu2+掺杂的硫化物，如(Ca,Sr,Ba)S:Eu2+；Eu2+掺杂的SiONe，如(Ba,Sr,Ca)Si2O2N2:Eu2+；SiAlONe，例如出自体系LixMyLnzSi12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n；β-SiAlONe，其出自体系Si6-xAlzOyN8-y:REz，其中RE＝稀土金属；次氮基正硅酸盐，如AE2-x-aRExEuaSiO4-xNx或AE2-x-aRExEuaSi1-yO4-x-2yNx，其中RE＝稀土金属并且AE＝碱金属或如(Ba,Sr,Ca,Mg)2SiO4:Eu2 +；铝硅酸盐，如Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+；氯磷酸盐，如(Sr,Ba,Ca,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu2+；出自BaO-MgO-Al2O3-体系的BAM发光材料，如BaMgAl10O17:Eu2+；卤代磷酸盐，如M5(PO4)3(Cl,F):(Eu2+,Sb2+,Mn2+)；SCAP-发光材料，如(Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+。也可使用参考文献EP 2549 330 A1中提出的发光材料作为发光材料。关于所使用的发光材料，该参考文献的公开内容通过参引并入本文。此外，也能够引入所谓的量子点作为转换材料。呈纳米晶体材料形式的量子点在这种情况下是优选的，所述材料包含II-VI族化合物和/或III-V族化合物和/或IV-VI族化合物和/或金属纳米晶体。
优选地，将量子点，英文为Quantum Dot用作为发光材料，所述量子点尤其以在其大小方面可调节的方式发射具有相对小的光谱宽度的特定颜色的光。同样可行的是：发光材料外延地生长并且通过多量子阱结构形成。用于光致发光的外延生长的发光材料例如基于与用于像点和像素的半导体层序列相同的半导体材料体系。
根据至少一个实施方式，像素之内的子像素在俯视图中观察分别是相同大小的。这是指，在俯视图中观察，子像素优选具有相同的基面。例如，子像素全部通过相同大小的正方形或相同大的矩形或相同大的正六边形形成。
根据至少一个实施方式，像素之内的子像素在俯视图中观察具有不同的大小。在此，子像素能够分别具有相同的几何基本形状，例如正方形、矩形、三角形或正六边形。
根据至少一个实施方式，每个像素存在至少三个不同大小的子像素。优选地，这些子像素在俯视图中观察具有4：2：1的大小比例。这是指，子像素的发光面分别对分。由此在控制相对简单的情况下可实现尤其高的动态范围。
根据至少一个实施方式，显示设备包括载体。像点布置在载体上。此外，像点经由载体通电。例如，载体为电路板，尤其印刷电路板，简称PCB。可行的是：载体一件式地且连贯地在整个显示设备上延伸。替选地，载体由多个子载体组成，所述子载体能够侧向彼此相邻地设置。
根据至少一个实施方式，在载体的朝向像点的一侧上存在薄膜晶体管装置。经由薄膜晶体管装置电操纵像点进而还有像素和子像素。
根据至少一个实施方式，显示设备包括一个或多个中间载体。优选地，将至少一个中间载体安置在载体上。
根据至少一个实施方式，像点分别安置在中间载体上。这是指，中间载体能够出于像点和载体之间。
根据至少一个实施方式，至少一个中间载体基于硅。在此，中间载体优选包括控制电路。控制电路优选通过CMOS电路实现并且能够包括晶体管、存储单元、寄存器和/或恒定电流源。对此，中间载体优选基于硅或替选地基于另一半导体材料。
根据至少一个实施方式，每个中间载体存在刚好一个具有其全部子像素的像点。由此，具有所述像点的中间载体能够以大的设计自由度安置在载体上。这尤其在显示设备设计为视频墙的情况中是适用的。
根据至少一个实施方式，每个中间载体存在多个具有其全部子像素的像点。这是指，像点能够借助于中间载体分组或预分组，并且相应地成组安装在载体上。中间载体例如设计为方形的或矩形的区。同样地，中间载体能够作为各个列或列部段或也能够作为各个行或行部段来制造。可行的是：安置在载体上的全部中间载体是结构相同的。中间载体能够以彼此相同或不同取向的方式来施加。例如，在俯视图中观察，能够将不同的中间载体用于显示设备的角区域或内部区域或边缘区域。
根据至少一个实施方式，一个像素之内的全部子像素和/或一个像点之内的全部像素分别具有相关的半导体层序列的共同的和/或连续的有源区。这是指，像素和/或像点能够关于半导体层序列单片地构成。
替选地，可行的是：相关像素的或相关像点的子像素由相同的半导体层序列制造。在此，划分为子像素尤其通过完全移除相邻的子像素之间的半导体层序列来进行，所述移除尤其借助于刻蚀进行。在此，在划分半导体层序列时优选不改变子像素彼此的相对位置。
也就是说，这是指，子像素能够具有相同的半导体层序列。这例如可经由透射电子显微镜证实，因为子像素具有在半导体层序列之内的相同的分层和相同的层厚度。半导体层序列的各个子层的分层和精确的层厚度是一种指纹，借助所述指纹可确定：子像素实际上是否基于同一半导体层序列。
根据至少一个实施方式，显示设备设计用于显示视频格式4K和/或UHD的影片。换言之，其能够为4K2K显示器。在格式4K中尤其存在4096乘2160个RGB像点，所述像点设计为RGB像点。在也称作为Ultra High Definition(超高清晰度)的UHD格式中存在3840乘2160个RGB像点
根据至少一个实施方式，显示设备设计用于显示也称作为HDR的高对比度图像。HDR图像对于亮度例如以至少10bit编码，优选至少12bit或14bit或15bit。亮度编码能够线性地或非线性地进行。与此相对，具有低动态范围的数字图像，也称作为low dynamicrange images(低动态范围图像)或简称LDR图像，通常仅具有7bit或8bit的亮度编码。
此外，提出一种用于这种显示设备的运行方法。显示设备在此如结合一个或多个之前所提出的实施方式描述的那样构成。因此，运行方法的特征也针对显示设备公开并且反之亦然。
在运行方法的至少一个实施方式中，显示设备的像点至少暂时地运行，使得针对每个像素并非全部子像素都放射光，而是子像素中的仅一个或多个放射光。由此，与不具有将像素划分成子像素的在其他方面相同的显示设备相比，在运行时可实现提高的对比度。
根据至少一个实施方式，像点进而像素和子像素借助脉宽调制来运行。脉宽调制在没有电流强度变化的情况下也是适用的。这是指，电流强度在脉宽调制的脉冲中分别是相同大小的。这尤其涉及相应的电流脉冲中的平衡电流强度或最大电流强度。在脉冲不同的情况下，不进行电流强度的有针对性的变化或调节。特别地，相同的直流电流源能够不改变地用于名义上保持不变的电流强度。
附图说明
在下文中，参照附图根据实施例详细阐述在此所描述的显示设备和在此所描述的运行方法。在此，在各个附图中，相同的附图标记说明相同的元件。然而，在此并未以合乎比例的关系示出，更确切地说，为了更好的理解能够夸大地示出各个元件。
附图示出：
图1示出在此所描述的显示设备的像点的实施例的示意性俯视图，
图2示出常规的像点的示意性俯视图，
图3示出在此所描述的显示设备的像点的实施例的示意性俯视图，
图4示出在此所描述的显示设备的实施例的示意性俯视图，
图5至图7示出在此所描述的显示设备的实施例的示意性剖视图，
图8示出在此所描述的显示设备的实施例的示意性俯视图，
图9示出在此所描述的显示设备的像素的实施例的示意性剖视图，以及
图10示出在此所描述的显示设备的像点的实施例的示意性剖视图。
具体实施方式
在图1中示出显示设备1的像点3的实施例。像点3具有用于产色红光、绿光以及蓝光的四个像素4R、4G、4B。在俯视图中观察，像素4R、4G、4B分别方形地成形并且设置在方形的三个角区域中。
像素4R、4G、4B分别划分成多个子像素5。特别地，存在各四个子像素5。子像素5在俯视图中观察全部是相同大小的并且方形地成形。由此，方形的像素4R、4G、4B通过子像素5划分成四个相同大小的方形。
由此，可行的是：各个像素4R、4G、4B运行成，使得在光强度低的情况下对所属的像点4R、4G、4B的子像素5中的仅一个通电。在此，能够使用未改变的、相同的电流强度，并且能够相对大地选择PWM控制的最小脉冲持续时间。借助这种像点3可有效地实现高对比度图像，简称HDR图像的显示。
与此相对，在图2中示出常规的像点3’。在此，各个像素4R、4G、4B未划分成子像素。因此，各个像素4R、4G、4B具有相对大的面。因此，对于低的光强度而言，要么需减小电流强度，这会在电流低的情况下引起不受控的和/或非线性的表现，要么需在PWM中选择技术上耗费的、仅极其短的最小的控制时间。
在此，像点3’能够方形地设计，参见图2A并且对照图1，或者作为矩形并排设置，参见图2B。
在图3中示出像点3的另一实施例。像素4R、4G、4B如在图2B中那样在俯视图中观察具有矩形的轮廓线。每个像素4R、4G、4B存在多个不同大小的子像素5a、5b、5c，例如各四个子像素5。子像素5a、5b是相对大的并且分别矩形地构成。在俯视图中观察最小的子像素5c方形地成形。子像素5a、5b、5c彼此间的大小比例近似为4：2：1。由此，能够通过控制仅子像素5c实现尤其小的亮度。
在图4中示出显示设备1的实施例。像点3矩阵状以正方形或矩形图案安置在载体6上。载体6例如为电路板。各个像点3优选如在图3中说明的那样构造，替选地如在图1中示出的那样构造。
显示设备1优选是4K适用的并且具有大约4000×2000个像点3。像点3可彼此电独立地被控制。像点3的控制经由载体6进行。
在图5中示出显示设备1的另一实施例，其中为了简化视图仅说明像点3中的一个。像点3通过LED芯片形成，如这在全部其他实施例中也是可行的。像素4R、4G、4B的用于产生红光、绿光和蓝光的各个子像素5单片地集成在像点3的LED芯片中。
像点3的LED芯片安置在中间载体7上。中间载体7基于硅并且包括控制电路75。控制电路75在CMOS技术中在中间载体7的最靠近LED芯片的层中产生。由此，能够经由中间载体7的控制电路75电寻址(elektrisch angesprochen)和控制各个子像素5。
中间载体7处于载体6处。对此，中间载体7和与之相应地载体6具有多个电连接面76、77。例如，为了给中间载体7和像点3供电存在三个连接面76。此外，例如存在用于数据线路的两个连接面77。
由此，中间载体7能够经由用于数据线路77的连接面获得控制数据，所述控制数据在控制电路75中处理。子像素5根据经由数据线路77的控制来调节。
连接面76、77和控制电路75之间的电连接例如经由电通孔78进行。通孔78优选为硅通孔，也称作为Through Silicon Vias(硅直通孔)或简称TSV。
在具有子像素5的LED芯片和控制电路75之间例如存在比子像素5多的电连接。具有子像素5的LED芯片能够焊接或粘贴在中间载体7上或者也优选经由直接键合或晶片键合来固定。当具有子像素5的LED芯片设计为没有生长衬底的无衬底芯片从而例如具有至少2μm和/或至多12μm厚度时，尤其应用直接键合或晶片键合。
在图6的实施例中说明：将像点3中多个共同地安置在中间载体7上。由此，能够减少载体6上的布线和带状导线的数量。布线加强地经由中间载体7进行。载体6和中间载体7之间的接触在图6的设计方案中也能够对应于图5来实现，使得由于存在用于数据线路的连接面77而整体上需要数量相对少的、在载体6和中间载体7之间的连接面76、77。
在图7的实施例中说明：在载体6上安置薄膜晶体管装置63。像点3经由薄膜晶体管装置63电控制。由此，能够将像点3直接安置在载体6上。
在如在图8中说明的实施例中，尤其呈LED芯片形式的像点3直接位于载体6上。相同的内容适用于控制电路75。由此，像点3以及所属的控制电路75能够位于平行于载体6的共同的平面中。
在图8A中说明：针对每个像点3来观察，像素4R、4G、4B对应于图1设置进而处于方形的角区域处。用于该像点3的所属的控制电路75处于第四角区域处。由此，每个像点3能够存在一个控制电路75。
此外，在图8A中说明：相邻的像点3之间的间距能够大于像点3之内的像素4R、4G、4B之间的间距。相应的内容适用于全部其他的实施例。替选地，像素4R、4G、4B能够在多个像点3上等间距地设置，以便实现节约空间的设置。
在图8B中示出：在俯视图中观察像素4R、4G、4B分别矩形地设计并且线性地设置。相应所属的控制电路75列入该线性设置中。
在图8C的显示设备1中，像素4R、4G、4B线性地设置。所属的控制电路75在俯视图中观察能够同样矩形地成形并且沿着所属的像素4R、4G、4B延伸。
如图8中说明的那样，相应的设置也能够存在于全部其他实施例中。
在像素4的实施例中，如图9中可见的那样，像素4分别由唯一的半导体层序列2制成。根据图9A，半导体层序列2的有源区22连续地在全部子像素5上延伸。在相邻的子像素5之间部分地移除半导体层序列2，使得子像素5可彼此电独立地控制，且在半导体层序列2之内的相邻的子像素5之间不出现横向导电性或不出现显著的横向导电性。出于该目的，也可行的是：不同于图9A中的视图，有源区22也被切断，其中半导体层序列2保持为连贯的层序列。
与此相对，根据图9B完全地移除相邻子像素5之间的半导体层序列2。在此，在制造子像素5期间，其彼此间的相对位置在安置到载体6或中间载体7上时相对于生长衬底不改变。由此，在忽略子像素5之间的空隙的情况下，半导体层序列2以不改变的、保持相同的组成在子像素5上延伸。
相邻的子像素5之间的空隙优选为至少0.2μm或0.5μm或1μm和/或至多10μm或5μm或2μm。这优选也适用于全部其他实施例。
在图10的像点3的实施例中，像点3分别具有至少一种发光材料45。经由发光材料45在所属的有源区22中产生的辐射优选完全地变换成另一颜色的光。
根据图10A，像素4具有相同的半导体层序列2，在所述半导体层序列中优选产生蓝光。划分成子像素5通过部分地移除半导体层序列2来提供，类似图9A。
发光材料45R、45G连续地被施加到像素4上以产生红光和绿光。用于产生红光和绿光的发光材料45R、45G例如为量子点，所述量子点引入基体材料中。与图10A中的视图不同，发光材料也能够延伸到相邻的子像素5之间的空隙中。
在图10B中说明：半导体层序列2并且可选地还有有源区22连续地在全部像点3上延伸。与图10B中所示出的不同，替选地也可以在像点3中的多个上延伸。在有源区22中例如产生近红外辐射。由此，整体上存在三种不同的发光材料45，以便产生红光、绿光和蓝光。
以及在全部实施例中可行的是：发光材料45分别受限于各个子像素5。在这种配置中，发光材料45为在半导体层序列2上外延地生长的层，所述层在划分成子像素5时一起被结构化。
在图10C中说明：半导体层序列2以保持相同的厚度在全部像素4R、4B、4B上延伸。这例如通过半导体层序列2中的相对小的横向导电性实现。在图10C中未单独示出的划分成子像素，于是例如纯电地进行并且并非在几何方面经由通过材料去除而引起的半导体层序列2的部分划分来进行。发光材料45能够面状地且连续地施加到相应的像素4R、4G、4B上。
以及在全部实施例中可行的是，在相邻的像素4R、4G、4B之间引入光学绝缘部，其未被示出，例如通过漫反射的囊封材料或通过镜面反射的金属，例如在半导体层序列2中的沟槽中或在发光材料45的相邻的区域之间。
在此所描述的像点10在亮度方面例如能够以10bit调光来控制，以便时间高的亮度动态范围。可行的是：借助于内插法或外推法从8bit数据组或7bit数据组中获得10bit控制，以便扩展亮度范围。
在附图中示出的部件只要未另作说明就优选以所提出的顺序分别紧随彼此。在附图中未涉及的层优选彼此间隔开。只要线彼此平行地绘制，那么相应的面优选同样彼此平行地定向。同样，只要没有另作说明，绘出的部件彼此间的相对位置在附图中具体地被描述。
本发明不因根据所述实施例的描述而受限于此。更确切地说，本发明包括各个新的特征以及特征的各个组合，即使所述特征或所述组合本身没有在实施例中明确地说明时也是如此。
本申请要求德国专利申请10 2017 129 981.5的优先权，其公开内容通过参考并入本文。
附图标记列表
1 显示设备
2 半导体层序列
22 有源区
3 像点
3’ 常规的像点
4 像素
45 发光材料
5 子像素
6 载体
63 薄膜晶体管装置
7 中间载体
75 控制电路
76 用于供电的连接面
77 用于数据线路的连接面
78 电通孔

Claims (16)

1.一种显示设备(1)，其具有多个像点(3)，所述像点用于借助于至少一个半导体层序列(2)以能调节的方式不同颜色地放射可见光，其中
-所述像点(3)能够彼此独立地控制，
-所述像点(3)中的每一个都具有多种类型的像素(4)并且每种类型的像素(4)设计用于发射特定颜色的光，
-所述像素(4)能够彼此独立地控制，并且
-所述像素(4)分别划分成所属的所述像素(4)的多个能彼此独立地控制的子像素(5)，并且全部子像素(5)设计用于从所述显示设备(1)中发射相同颜色的光而没有其它颜色变化。
2.根据上一项权利要求所述的显示设备(1)，
其中所述像点(3)分别通过用于产生红光的像素(4)、用于产生绿光的像素(4)和用于产生蓝光的像素(4)形成。
3.根据上一项权利要求所述的显示设备(1)，
其中不同类型的像素(4)的所述半导体层序列(2)分别具有用于产生相关颜色的光的有源区(22)，使得在运行时分别借助于电致发光产生红光、绿光和蓝光。
4.根据权利要求2所述的显示设备(1)，
其中不同类型的像素(4)的所述半导体层序列(2)具有分别相同设计的、用于产生仅一个特定颜色的光的有源区(22)，
其中至少发射红色和发射绿色的像素(4)分别设有发光材料(45)，使得在运行时分别借助于光致发光至少产生红光和绿光。
5.根据权利要求1所述的显示设备(1)，
其中所述像素(4)之内的所述子像素(5)在俯视图中观察分别是相同大小的。
6.根据权利要求1所述的显示设备(1)，
其中所述像素(4)之内的所述子像素(5)在俯视图中观察具有不同的大小。
7.根据上一项权利要求所述的显示设备(1)，
其中每个像素(4)存在至少三个不同大小的子像素(5)，并且所述子像素(5)在俯视图中观察具有4：2：1的大小比例。
8.根据权利要求1所述的显示设备(1)，
所述显示设备还包括载体(6)，所述像点(3)布置在所述载体上，并且经由所述载体给所述像点(3)通电。
9.根据上一项权利要求所述的显示设备(1)，其中在所述载体(6)的朝向所述像点(3)的一侧上存在薄膜晶体管装置(63)，所述像点(3)借助所述薄膜晶体管装置来电控制。
10.根据权利要求8所述的显示设备(1)，
所述显示设备还包括多个中间载体(7)，所述中间载体安置在所述载体(6)上，
其中所述像点(3)分别安置在所述中间载体(7)上，使得所述中间载体(7)位于所述像点(3)和所述载体(6)之间，并且其中所述中间载体(7)基于硅并且分别包括用于所述子像素(5)的控制电路(75)。
11.根据上一项权利要求所述的显示设备(1)，
其中每个中间载体(7)存在刚好一个具有其全部子像素(5)的像点(3)。
12.根据权利要求10所述的显示设备(1)，
其中每个中间载体(7)存在多个具有其全部子像素(5)的所述像点(3)。
13.根据上述权利要求中任一项所述的显示设备(1)，
其中一个像素(4)之内的全部子像素(5)和/或一个像点(3)之内的全部像素(4)分别具有相关的所述半导体层序列(2)的共同的且连续的有源区(22)。
14.根据权利要求1至12中任一项所述的显示设备(1)，
所述显示设备设计用于显示视频格式4K和/或UHD的影片以及用于显示高对比度图像。
15.一种用于根据权利要求1所述的显示设备(1)的运行方法，
其中像点(3)至少暂时地运行，使得对于每个像素(4)而言并非全部子像素(5)都放射光，使得与没有将像素划分成子像素的显示设备相比在运行时能实现提高的对比度。
16.根据上一项权利要求所述的运行方法，
其中所述像点(5)借助脉宽调制在没有电流强度变化的情况下运行。
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