CN110011620B - 具备具有提高的线性度的偏置升压结构的功率放大设备 - Google Patents

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Abstract

提供具备具有提高的线性度的偏置升压结构的功率放大设备。一种功率放大设备，包括：第一偏置电路，被配置为通过将升压电流相加到从参考电流生成的基极偏置电流来生成第一偏置电流；第一放大电路，被配置为接收所述第一偏置电流并放大通过所述第一放大电路的输入端输入的信号以输出第一放大信号；偏置升压电路，被配置为基于从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号中的谐波分量的幅值来生成所述升压电流。

Description

具备具有提高的线性度的偏置升压结构的功率放大设备
本申请要求于2017年12月27日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0181052号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
技术领域
本申请涉及一种通过实现偏置升压结构来提高线性度的功率放大设备。
背景技术
随着对无线通信系统能够具有宽带能力、多媒体能力以及智能化的需求逐渐增加，对宽带系统、线性度的改善以及对应用于无线通信系统的射频(RF)功率放大器智能化的需求也增加。
近来，逐渐变得期望RF功率放大器在更高功率区域中的线性操作。
典型的两级功率放大设备可包括用于驱动功率放大电路的大输入电容负载的驱动放大电路以及用于获得高输出功率的功率放大电路。通常，当输入功率高的操作和输入功率低的操作相互进行比较时，放大电路的偏置点可能在各个情况下不同，并且随着输入功率增大，偏置点由于放大电路的晶体管的非线性度而下降。
偏置点的这种下降可通过由有源偏置电路的非线性度引起的直流(DC)分量来额外且自动地补偿。
然而，在典型的两级功率放大设备中，可能没有必要补偿具有高输入功率的功率放大电路，但是由于以相对低的输入功率驱动的驱动放大电路具有随着输入功率增大而下降的偏置点，因此系统的线性度可能劣化。具体地讲，以高功率区域中的低偏置点驱动的驱动放大电路可对系统的整体线性度产生影响。
发明内容
提供本发明内容来以简化的形式介绍在下面的具体实施方式中进一步描述的所选择的构思。本发明内容不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种功率放大设备，包括：第一偏置电路，被配置为通过将升压电流相加到从参考电流生成的基极偏置电流来生成第一偏置电流；第一放大电路，被配置为接收所述第一偏置电流并对通过所述第一放大电路的输入端输入的信号进行放大以输出第一放大信号；偏置升压电路，被配置为基于从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号中的谐波分量的幅值来生成所述升压电流。
所述偏置升压电路可被配置为：将从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号中的所述谐波分量转换成直流(DC)电流，并基于所述DC电流的幅值生成所述升压电流。
所述偏置升压电路可包括：谐波提取电路，被配置为从自所述第一放大电路输出的所述第一放大信号提取所述谐波分量；整流器电路，被配置为对提取的所述谐波分量进行整流；低通滤波器，被配置为通过对由所述整流器电路整流的信号进行低通滤波，来生成DC电流并输出所述DC电流；升压电路，被配置为对从所述低通滤波器输出的所述DC电流进行升压并将所述升压电流提供给所述第一偏置电路。
所述谐波提取电路可包括LC并联谐振电路，其中，所述LC并联谐振电路在从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号的基频分量中形成并联谐振点，以阻隔基频分量并将除了所述基频分量之外的谐波分量传递到所述整流器电路。
所述整流器电路可包括：二极管连接的晶体管，被配置为当由所述谐波提取电路提取的所述谐波分量的幅值等于或大于导通电压的幅值时执行所述谐波分量的全波整流。
所述低通滤波器可包括：电阻器，具有连接到所述整流器电路的输出端的一端；电容器，连接在所述电阻器的另一端与地之间。
所述升压电路可包括：电流升压晶体管，具有连接到电池电压的集电极、输入有来自所述低通滤波器的DC电流的基极以及对所述DC电流进行升压并输出的发射极。
在一个总体方面，一种功率放大设备，包括：第一偏置电路，被配置为通过将升压电流相加到从参考电流生成的基极偏置电流来生成第一偏置电流；第一放大电路，被配置为接收所述第一偏置电流并对通过所述第一放大电路的输入端输入的信号进行放大以输出第一放大信号；第二偏置电路，被配置为生成第二偏置电流；第二放大电路，被配置为接收所述第二偏置电流并对从所述第一放大电路接收的所述第一放大信号进行放大；偏置升压电路，被配置为基于从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号中的谐波分量的幅值来生成所述升压电流并将所述升压电流提供给所述第一偏置电路。
所述偏置升压电路可被配置为：将从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号中的所述谐波分量转换成直流(DC)电流，并基于所述DC电流的幅值生成所述升压电流。
所述偏置升压电路可包括：谐波提取电路，被配置为从自所述第一放大电路输出的所述第一放大信号提取所述谐波分量；整流器电路，被配置为对提取的所述谐波分量进行整流；低通滤波器，被配置为通过对由所述整流器电路整流的信号进行低通滤波，来生成DC电流；升压电路，被配置为对从所述低通滤波器输出的所述DC电流进行升压并将所述升压电流提供给所述第一偏置电路。
所述谐波提取电路可包括LC并联谐振电路，其中，所述LC并联谐振电路在从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号的基频分量中形成并联谐振点，以阻隔基频分量并将除了所述基频分量之外的谐波分量传递到所述整流器电路。
所述整流器电路可包括：二极管连接的晶体管，被配置为当由所述谐波提取电路提取的所述谐波分量的幅值等于或大于导通电压的幅值时执行所述谐波分量的全波整流。
所述低通滤波器可包括：电阻器，具有连接到所述整流器电路的输出端的一端；电容器，连接在所述电阻器的另一端与地之间。
所述升压电路可包括：电流升压晶体管，具有连接到电池电压的集电极、输入有来自所述低通滤波器的DC电流的基极以及对所述DC电流进行升压并输出的发射极。
在一个总体方面，一种功率放大设备，包括：偏置电路，被配置为通过将升压电流相加到基极偏置电流来生成第一偏置电流；放大电路，被配置为接收所述第一偏置电流，对输入信号进行放大并输出放大信号；偏置升压电路包括：谐波提取电路，被配置为从输出的所述放大信号提取谐波分量；整流器电路，被配置为对提取的所述谐波分量进行整流；低通滤波器，被配置为通过对整流的信号进行低通滤波来生成直流(DC)电流；升压电路，被配置为基于所述DC电流的幅值生成所述升压电流并将生成的所述升压电流提供给所述偏置电路。
所述基极偏置电流可从参考电流生成。
所述整流器电路可包括：二极管连接的晶体管，被配置为当由所述谐波提取电路提取的所述谐波分量的幅值等于或大于导通电压的幅值时执行所述谐波分量的全波整流。
所述升压电路可包括：电流升压晶体管，具有连接到电池电压的集电极、输入有来自所述低通滤波器的DC电流的基极以及对所述DC电流进行升压并输出的发射极。
通过下面的具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将显而易见。
附图说明
图1是示出功率放大设备的配置的示例的示图；
图2是示出功率放大设备的配置的示例的示图；
图3是示出图2的功率放大设备的电路配置的示例的示图；
图4示出根据是否使用偏置升压的Vbe-Pout的特性曲线图的示例。
在整个附图和具体实施方式中，相同的参考标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供下面的具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改和等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可对在此描述的操作的顺序做出在理解了本申请的公开内容之后将显而易见的改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省略本领域已知的特征的描述。
在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”所述另一元件“上”、直接“连接到”所述另一元件或直接“结合到”所述另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其它元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。
尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分将不受这些术语的限制。更确切地说，这些术语仅用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中提及的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分还可被称作第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了方便描述，可在此使用诸如“上方”、“上部”、“下方”和“下部”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“上方”或“上部”的元件随后将相对于另一元件位于“下方”或“下部”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位而包含上方和下方两种方位。装置还可以以其他方式被定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并对在此使用的空间相对术语做出相应的解释。
在此使用的术语仅用于描述各种示例，而不用于限制本公开内容。除非上下文另外清楚地指明，否则单数也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”指明存在所叙述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，可发生附图中所示出的形状的变化。因此，在此描述的示例并不限于附图中示出的特定形状，而是包括制造期间发生的形状上的变化。
图1是示出功率放大设备的配置的示例的示图。
参照图1，功率放大设备可包括第一偏置电路110、第一放大电路210和偏置升压电路300。偏置升压电路300可包括谐波提取电路310、整流器电路320、低通滤波器330和升压电路340，其中，谐波提取电路310从自第一放大电路210输出的信号提取交流(AC)分量(例如，谐波分量)，整流器电路320对提取的谐波分量进行整流，低通滤波器330通过对由整流器电路320整流的信号进行低通滤波来生成直流(DC)，升压电路340对从低通滤波器330输出的生成的DC进行升压并将生成的升压电流(Iboost)提供给第一偏置电路110。
图2是示出功率放大设备的配置的示例的示图。
参照图2，功率放大设备可包括第一偏置电路110、第一放大电路210、第二偏置电路120、第二放大电路220和偏置升压电路300。作为非限制性示例，图1的第一偏置电路110、第一放大电路210和偏置升压电路300可对应于图2的第一偏置电路110、第一放大电路210和偏置升压电路300。
应注意，在此关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括或实现什么)表示存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，而全部示例和实施例不限于此。
参照图1和图2，第一偏置电路110可根据基于第一参考电流Iref1生成的偏置电流Ibias和升压电流Iboost来生成第一偏置电流Ibias1。
第一放大电路210可被供应有第一偏置电流Ibias1，并可对通过输入端IN输入的信号进行放大以输出第一放大信号。
第二偏置电路120可根据基于第二参考电流Iref2生成的偏置电流，来生成第二偏置电流Ibias2。
第二放大电路220可被供应有第二偏置电流Ibias2，并对从第一放大电路210输入的信号进行放大以通过输出端OUT输出第二放大信号。
在包括第一放大电路210和第二放大电路220的两级功率放大设备中，由于第二放大电路220可以以相对高的输入功率驱动并且可作为有源偏置电路进行操作，因此第二放大电路220的下降的偏置点可被自动升压，而以相对低的输入功率驱动的第一放大电路210的偏置点可随着输入功率增大而下降。具体地讲，由于在高功率区域中以低偏置点驱动的第一放大电路210不利地影响系统的整体线性度，因此期望通过补偿第一放大电路210的第一偏置点的下降来补偿对系统的线性度的不利影响。
作为示例，在第一放大电路210的高功率操作时，在基于输出端的交流(AC)电流将升压电流额外地供应给第一放大电路210的基极偏置电流的情况下，由于输出端的AC电流未针对多个频率分量中的每个进行分类，因此，大部分电流分量可以是基波分量。结果，在提取并使用基波电流情况下，用于驱动第一放大电路(例如，驱动放大电路)中的第二放大电路(例如，功率放大电路)的输入电流可减小，从而引起增益退化。由于初始输入功率的电平应被主要用于获得相同的输出功率，因此，效率可由于消耗的DC电流的增加而退化。
因此，在一个示例中，描述了提取除了基波分量之外的剩余的AC分量(例如，谐波分量)和基于谐波分量的幅值补偿偏置点的操作。
偏置升压电路300可基于从第一放大电路210输出的信号中的谐波分量的幅值来生成升压电流Iboost，并将升压电流Iboost提供给第一偏置电路110。
此外，第一偏置电路110可将接收的升压电流Iboost相加到基于第一参考电流Iref1生成的偏置电流Ibias，以生成第一偏置电流Ibias1或升压的电流偏置Ibias1。将参照图3来描述生成升压电流Iboost的偏置升压电路300。
在各个附图中，针对具有相同参考标号和相同功能的组件，可能省略不必要的重复描述，而将主要描述各个附图中的差异。
图3是示出图2的功率放大设备的电路配置的示例的示图。
参照图3，将描述第一放大电路210、第二放大电路220、第一偏置电路110、第二偏置电路120和偏置升压电路300中的每个的电路配置示例。
第一放大电路210可包括具有被供应第一偏置电流Ibias1的基极的第一放大晶体管Q1。第二放大电路220可包括具有被供应第二偏置电流Ibias2的基极的第二放大晶体管Q2。虽然为了方便，图3示出了第一放大电路210仅包括一个第一放大晶体管Q1并且第二放大电路220仅包括一个第二放大晶体管Q2，但是实施例不限于此，例如，第一放大电路210可包括多个第一放大晶体管Q1并且第二放大电路220可包括多个第二放大晶体管Q2。
此外，功率放大电路可包括输入匹配电路(IMC)305、级间匹配电路(MMC)315和输出匹配电路(OMC)325。
输入匹配电路(IMC)305可包括电感器和电容器。
级间匹配电路(MMC)315可包括线电感器(wire inductor)。
输出匹配电路(OMC)325可包括电感器、电容器和用于放电保护的反向连接的二极管电路。
作为示例，DC阻隔电容器可连接在上述电路之间。
作为示例，第一放大晶体管Q1和第二放大晶体管Q2中的每个可以是异质结双极晶体管(HBT)，但不限于此。
作为示例，第一偏置电路110可包括彼此串联连接在第一参考电流Iref1端与地之间的电阻器R11、通过二极管彼此连接的晶体管Q11和Q12以及电阻器R12。第一偏置电路110可包括输出晶体管Q13，其中，输出晶体管Q13具有连接到电池电压Vbat端的集电极、连接到电阻器R11和通过二极管连接的晶体管Q11的连接节点的基极以及通过电阻器R13连接到输出端的发射极。由第一参考电流Iref1、电阻器R11以及晶体管Q11和Q12确定的电流Ib1可由输出晶体管Q13放大，并且放大后的偏置电流(Ibias＝Ib1×βQ13，其中，βQ13是Q13的电流增益)可流过第一偏置电路110的输出侧的电阻器R13。
第一偏置电路110还可包括连接到输出晶体管Q13的基极的电容器C11。图3中示出的第一偏置电路110仅作为示例示出，并且不限于此。
作为示例，第二偏置电路120可包括彼此串联连接在第二参考电流Iref2端与地之间的电阻器R21、通过二极管彼此连接的晶体管Q21和Q22、以及电阻器R22。第二偏置电路120可包括输出晶体管Q23，其中，输出晶体管Q23具有连接到电池电压Vbat端的集电极、连接到电阻器R21和通过二极管连接的晶体管Q21的连接节点的基极以及通过电阻器R23连接到输出端的发射极。第二偏置电路210还可包括连接到输出晶体管Q23的基极的电容器C21。图3中示出的第二偏置电路120仅作为示例示出，并且不限于此。
偏置升压电路300可将从第一放大电路210输出的信号中的谐波分量转换成DC电流，并且基于DC电流的幅值生成升压电流Iboost。
参照图3，例如，偏置升压电路300可包括谐波提取电路310、整流器电路320、低通滤波器330和升压电路340。
谐波提取电路310可从自第一放大电路210输出的信号提取谐波分量。作为示例，谐波提取电路310可包括LC并联谐振电路。例如，谐波提取电路310可包括并联的电容器C31和电感器L31。LC并联谐振电路可在从第一放大电路210输出的信号的基频分量fo中形成并联谐振点。在这种情况下，LC并联谐振电路可针对基频分量fo具有无限阻抗。基频分量不被传递而是被LC并联谐振电路阻隔，除了基频分量fo之外的谐波分量2fo和3fo可被传递到整流器电路320。通过谐波提取电路310，基频分量fo可被传导到第二放大电路，并且除了基频分量fo之外的谐波分量2fo和3fo可被传导到整流器电路320。
整流器电路320可对由谐波提取电路310提取的谐波分量进行整流。作为示例，整流器电路320可包括二极管连接的晶体管Q32。在由谐波提取电路310提取的谐波分量的幅值大于或等于导通电压的幅值的情况下，整流器电路320可执行谐波分量的全波整流。也就是说，二极管连接的晶体管Q32可具有由二极管连接的基极和集电极以形成PN结二极管，并且在第一放大电路210的输出端的AC电压振幅的平均值等于或大于导通电压的情况下，AC电压振幅的平均值可仅在二极管连接的晶体管Q32导通的高功率区间中被整流，并可被传导到低通滤波器330，并且整流操作可不在作为导通电压或更小的输出功率区间中执行。
低通滤波器330可通过对由整流器电路320整流的信号进行低通滤波来生成DC电流。作为示例，低通滤波器330可包括具有连接到整流器电路320的输出端的一端的电阻器R32和连接在电阻器R32的另一端与地之间的电容器C32。在这种情况下，包括电阻器R32和电容器C32的低通滤波器LPF 330可以使3dB的带宽BW非常小，使得从低通滤波器LPF 330输出的分量几乎都是直流DC。
此外，升压电路340可对从低通滤波器330输出的DC电流进行升压并将升压的电流Iboost提供给第一偏置电路110。作为示例，升压电路340可包括电流升压晶体管Q34，其中，电流升压晶体管Q34具有连接到电池电压Vbat的集电极、输入有来自低通滤波器330的DC电流的基极以及对DC电流进行升压并输出的发射极。
例如，通过低通滤波器LPF 330的DC电流Ib2可被施加到升压电路340的电流升压晶体管Q34的基极，并且在电流升压晶体管Q34的发射极放大的DC电流的升压电流(Iboost＝Ib2×βQ34，其中，βQ34是Q34的电流增益)可流过第一偏置电路110的输出侧的电阻器R13。结果，升压电流Iboost和偏置电流Ibias可通过第一偏置电路的输出侧的电阻器R13而彼此相加，以生成可被供应给第一放大电路210的基极的第一偏置电流Ibias1。
如上所述，当以相对高的输入功率驱动功率放大器设备时，升压电路340可在第一放大电路210的偏置点下降的区域中操作。
因此，当升压电路340操作时，升压电流(Iboost＝Ib2×βQ34)可被相加到偏置电流Ibias以确定第一偏置电流Ibias1。另一方面，当升压电路340不操作时，由于升压电流未被相加，因此偏置电流Ibias可被确定为第一偏置电流(Ibias1＝Ibias)。在图3中，Vcc1和Vcc2可分别为第一操作电压和第二操作电压。
图4是根据是否使用偏置升压的Vbe-Pout的特性曲线图。
在图4中，P1是示出针对不使用偏置升压的情况下作为第一放大电路的偏置电压的基极-发射极电压Vbe与第一放大电路的输出功率Pout之间的关系的曲线图，P2是示出针对使用偏置升压的情况下作为第一放大电路的偏置电压的基极-发射极电压Vbe与第一放大电路的输出功率Pout之间的关系的曲线图。也就是说，P1和P2是通过对当增大第一放大电路的输入功率时作为第一放大电路的基极端的DC电压的基极-发射极电压Vbe进行仿真而获得的结果的曲线图。
参照图4的P1，在不使用偏置升压的情况下，可以看出，随着输出功率Pout增大，基极-发射极电压Vbe减小。另一方面，参照P2，在使用偏置升压的情况下，可以看出，即使输出功率Pout增大，第一放大电路的基极-发射极电压Vbe也保持平坦而没有减小。
如以上所阐述的，根据示例，通过将基于除了从放大电路输出的信号中的基频分量之外的谐波分量的幅值生成的升压电流额外地供应给放大电路的基极偏置，即使在输出信号的功率增大的情况下，偏置幅值也可保持在适当的电平，结果，放大电路的线性度可被提高。
尽管本公开包括具体示例，但是在理解本申请的公开内容后将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性的意义，而不是出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其它示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或电路中的组件和/或用其它组件或它们的等同物替换或补充描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可以获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物来限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的所有变化将被解释为包括在本公开中。

Claims (18)

1.一种功率放大设备，包括：
第一偏置电路，被配置为：通过将升压电流相加到从参考电流生成的基极偏置电流来生成第一偏置电流；
第一放大电路，被配置为：接收所述第一偏置电流并对通过所述第一放大电路的输入端输入的信号进行放大以输出第一放大信号；
偏置升压电路，被配置为：基于从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号中的不包括基频分量的谐波分量的幅值来生成所述升压电流。
2.根据权利要求1所述的功率放大设备，其中，所述偏置升压电路被配置为：将从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号中的所述谐波分量转换成直流电流，并基于所述直流电流的幅值生成所述升压电流。
3.根据权利要求1所述的功率放大设备，其中，所述偏置升压电路包括：
谐波提取电路，被配置为：从自所述第一放大电路输出的所述第一放大信号提取所述谐波分量；
整流器电路，被配置为：对提取的所述谐波分量进行整流；
低通滤波器，被配置为：通过对由所述整流器电路整流的信号进行低通滤波，来生成直流电流并输出所述直流电流；
升压电路，被配置为：对从所述低通滤波器输出的所述直流电流进行升压，并将所述升压电流提供给所述第一偏置电路。
4.根据权利要求3所述的功率放大设备，其中，所述谐波提取电路包括LC并联谐振电路，其中，所述LC并联谐振电路在从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号的基频分量中形成并联谐振点，以阻隔基频分量并将除了所述基频分量之外的谐波分量传递到所述整流器电路。
5.根据权利要求3所述的功率放大设备，其中，所述整流器电路包括：二极管连接的晶体管，被配置为当由所述谐波提取电路提取的所述谐波分量的幅值等于或大于导通电压的幅值时执行所述谐波分量的全波整流。
6.根据权利要求3所述的功率放大设备，其中，所述低通滤波器包括：
电阻器，具有连接到所述整流器电路的输出端的一端；
电容器，连接在所述电阻器的另一端与地之间。
7.根据权利要求3所述的功率放大设备，其中，所述升压电路包括：电流升压晶体管，具有连接到电池电压的集电极、输入有来自所述低通滤波器的直流电流的基极以及对所述直流电流进行升压并输出的发射极。
8.一种功率放大设备，包括：
第一偏置电路，被配置为：通过将升压电流相加到从参考电流生成的基极偏置电流来生成第一偏置电流；
第一放大电路，被配置为：接收所述第一偏置电流并对通过所述第一放大电路的输入端输入的信号进行放大以输出第一放大信号；
第二偏置电路，被配置为：生成第二偏置电流；
第二放大电路，被配置为：接收所述第二偏置电流并对从所述第一放大电路接收的所述第一放大信号进行放大；
偏置升压电路，被配置为：基于从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号中的不包括基频分量的谐波分量的幅值来生成所述升压电流，并将所述升压电流提供给所述第一偏置电路。
9.根据权利要求8所述的功率放大设备，其中，所述偏置升压电路被配置为：将从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号中的所述谐波分量转换成直流电流，并基于所述直流电流的幅值生成所述升压电流。
10.根据权利要求8所述的功率放大设备，其中，所述偏置升压电路包括：
谐波提取电路，被配置为：从自所述第一放大电路输出的所述第一放大信号提取所述谐波分量；
整流器电路，被配置为：对提取的所述谐波分量进行整流；
低通滤波器，被配置为：通过对由所述整流器电路整流的信号进行低通滤波，来生成直流电流；
升压电路，被配置为：对从所述低通滤波器输出的所述直流电流进行升压，并将所述升压电流提供给所述第一偏置电路。
11.根据权利要求10所述的功率放大设备，其中，所述谐波提取电路包括LC并联谐振电路，其中，所述LC并联谐振电路在从所述第一放大电路输出的所述第一放大信号的基频分量中形成并联谐振点，以阻隔基频分量并将除了所述基频分量之外的谐波分量传递到所述整流器电路。
12.根据权利要求10所述的功率放大设备，其中，所述整流器电路包括：二极管连接的晶体管，被配置为当由所述谐波提取电路提取的所述谐波分量的幅值等于或大于导通电压的幅值时执行所述谐波分量的全波整流。
13.根据权利要求10所述的功率放大设备，其中，所述低通滤波器包括：
电阻器，具有连接到所述整流器电路的输出端的一端；
电容器，连接在所述电阻器的另一端与地之间。
14.根据权利要求10所述的功率放大设备，其中，所述升压电路包括：电流升压晶体管，具有连接到电池电压的集电极、输入有来自所述低通滤波器的直流电流的基极以及对所述直流电流进行升压并输出的发射极。
15.一种功率放大设备，包括：
偏置电路，被配置为：通过将升压电流相加到基极偏置电流来生成第一偏置电流；
放大电路，被配置为：接收所述第一偏置电流，对输入信号进行放大并输出放大信号；
偏置升压电路，包括：
谐波提取电路，被配置为：从输出的所述放大信号提取谐波分量；
整流器电路，被配置为：对提取的所述谐波分量进行整流；
低通滤波器，被配置为：通过对整流的信号进行低通滤波来生成直流电流；
升压电路，被配置为：基于所述直流电流的幅值生成所述升压电流，并将生成的所述升压电流提供给所述偏置电路。
16.根据权利要求15所述的功率放大设备，其中，所述基极偏置电流从参考电流生成。
17.根据权利要求15所述的功率放大设备，其中，所述整流器电路包括：二极管连接的晶体管，被配置为当由所述谐波提取电路提取的所述谐波分量的幅值等于或大于导通电压的幅值时执行所述谐波分量的全波整流。
18.根据权利要求15所述的功率放大设备，其中，所述升压电路包括：电流升压晶体管，具有连接到电池电压的集电极、输入有来自所述低通滤波器的直流电流的基极以及对所述直流电流进行升压并输出的发射极。
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