CN110002733A - 微晶玻璃的强化方法及微晶玻璃盖板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的微晶玻璃的强化方法包括：提供第一离子交换浴及第二离子交换浴，所述第一离子交换浴包括硝酸钾与硝酸钠，所述第二离子交换浴包括硝酸钾；将待强化处理的微晶玻璃放入所述第一离子交换浴中进行初次盐浴以得到初次强化微晶玻璃；及，将所述初次强化微晶玻璃放入所述第二离子交换浴中进行二次盐浴以得到二次强化微晶玻璃。本发明实施方式的微晶玻璃的强化方法通过将待强化的微晶玻璃依次放入第一离子交换浴及第二离子交换浴中进行两次盐浴，提升了微晶玻璃的线膨胀系数、硬度、弯曲应力及强度，并且减小了介电损耗。本发明还公开了一种微晶玻璃盖板的制作方法。
Description
技术领域
本发明涉及玻璃生产制造技术领域，特别涉及一种微晶玻璃的强化方法及微晶玻璃盖板的制作方法。
背景技术
微晶玻璃具有低膨胀、高强度、耐磨性、较好的电绝缘性、耐冲击等特性，因而被广泛应用于制造天文望远镜、高温电光源玻璃、电磁炉面板、微电子技术用基板等。由于微晶玻璃产品都需要进行研磨、抛光，而研磨后的微晶玻璃的强度会降低，从而影响微晶玻璃产品的使用性能。
发明内容
本发明的实施例提供一种微晶玻璃的强化方法及微晶玻璃盖板的制作方法。
本发明实施方式微晶玻璃的强化方法包括：提供第一离子交换浴及第二离子交换浴，所述第一离子交换浴包括硝酸钾与硝酸钠，所述第二离子交换浴包括硝酸钾；将待强化处理的微晶玻璃放入所述第一离子交换浴中进行初次盐浴以得到初次强化微晶玻璃；及，将所述初次强化微晶玻璃放入所述第二离子交换浴中进行二次盐浴以得到二次强化微晶玻璃。
本发明实施方式的微晶玻璃的强化方法通过将待强化的微晶玻璃依次放入第一离子交换浴及第二离子交换浴中进行两次盐浴，提升了微晶玻璃的线膨胀系数、硬度、弯曲应力及强度，并且减小了介电损耗。
在某些实施方式中，所述第一离子交换浴包括0重量％-20重量％硝酸钾、及0重量％-10重量％硝酸钠，所述第一离子交换浴的温度为400℃-600℃，所述初次盐浴的时间为300分钟-720分钟。第一离子交换浴在上述温度下能够提升微晶玻璃中的多个离子与第一离子交换浴中的钾离子、钠离子的交换速度，同时，在上述初次盐浴时间内，第一离子交换浴中的钾离子、钠离子能够充分地与微晶玻璃中的多个离子进行交换。
在某些实施方式中，所述第二离子交换浴包括5重量％-20重量％的硝酸钾，所述第二离子交换浴的温度为400℃-500℃，所述二次盐浴的时间为5分钟-30分钟。第二离子交换浴在上述温度下能够提升微晶玻璃中的多个离子与第二离子交换浴中的钾离子的交换速度，同时，在上述初次盐浴时间内，第二离子交换浴中的钾离子能够充分地与微晶玻璃中的多个离子进行交换。
在某些实施方式中，所述微晶玻璃的强化方法还包括：清洗所述初次强化微晶玻璃。由于待强化的微晶玻璃经过第一离子交换浴进行初次强化后，初次强化微晶玻璃的表面会粘附第一离子交换浴及被置换至第一离子交换浴中的离子，通过清洗初次强化微晶玻璃能够减小杂质对第二离子交换浴的影响。
本发明实施方式的微晶玻璃盖板的制作方法包括：
提供第一离子交换浴及第二离子交换浴，所述第一离子交换浴包括硝酸钾与硝酸钠，所述第二离子交换浴包括硝酸钾；
将待强化处理的微晶玻璃放入所述第一离子交换浴中进行初次盐浴以得到初次强化微晶玻璃；
将所述初次强化微晶玻璃放入所述第二离子交换浴中进行二次盐浴以得到二次强化微晶玻璃；
清洗所述二次强化微晶玻璃；
在所述二次强化微晶玻璃表面丝印电极层；及
在所述电极层上镀膜以形成所述微晶玻璃盖板。
本发明实施方式的微晶玻璃盖板的制作方法通过将待强化的微晶玻璃依次放入第一离子交换浴及第二离子交换浴中进行两次盐浴，提升了微晶玻璃盖板的线膨胀系数、硬度、弯曲应力及强度，并且减小了介电损耗。
在某些实施方式中，所述第一离子交换浴包括0重量％-20重量％硝酸钾、及0重量％-10重量％硝酸钠，所述第一离子交换浴的温度为400℃-600℃，所述初次盐浴的时间为300分钟-720分钟。第一离子交换浴在上述温度下能够提升微晶玻璃中的多个离子与第一离子交换浴中的钾离子、钠离子的交换速度，同时，在上述初次盐浴时间内，第一离子交换浴中的钾离子、钠离子能够充分地与微晶玻璃中的多个离子进行交换。
在某些实施方式中，所述第二离子交换浴包括5重量％-20重量％的硝酸钾，所述第二离子交换浴的温度为400℃-500℃，所述二次盐浴的时间为5分钟-30分钟。第二离子交换浴在上述温度下能够提升微晶玻璃中的多个离子与第二离子交换浴中的钾离子的交换速度，同时，在上述初次盐浴时间内，第二离子交换浴中的钾离子能够充分地与微晶玻璃中的多个离子进行交换。
在某些实施方式中，所述微晶玻璃盖板的制作方法还包括：清洗所述初次强化微晶玻璃。由于待强化的微晶玻璃经过第一离子交换浴进行初次强化后，初次强化微晶玻璃的表面会粘附第一离子交换浴及被置换至第一离子交换浴中的离子，通过清洗初次强化微晶玻璃能够减小杂质对第二离子交换浴的影响。
在某些实施方式中，所述制作方法还包括：
提供一微晶玻璃原材；
对所述微晶玻璃原材进行晶化处理以得到晶化微晶玻璃；
切割所述晶化微晶玻璃以得到细化微晶玻璃；
研磨所述细化微晶玻璃；及
清洗所述细化微晶玻璃以得到所述待强化处理的微晶玻璃。
如此，本实施方式能够获得的细化微晶玻璃具有合适的尺寸大小及结构、光滑的表面质量及更细小的晶粒大小。
在某些实施方式中，所述切割所述晶化微晶玻璃以得到细化微晶玻璃的步骤包括：
切割所述晶化微晶玻璃以得到片状微晶玻璃；
对所述片状微晶玻璃进行切割以得到所述细化微晶玻璃。
如此，本实施方式的制作方法能够得到合适的尺寸大小、结构的细化微晶玻璃。
在某些实施方式中，所述制作方法还包括：提供一微晶玻璃原材；对所述微晶玻璃原材进行晶化处理以得到晶化微晶玻璃；切割所述晶化微晶玻璃以得到细化微晶玻璃；研磨所述细化微晶玻璃；及，清洗所述细化微晶玻璃以得到所述待强化处理的微晶玻璃。如此，通过热弯细化微晶玻璃能够得到合适形状的微晶玻璃。
在某些实施方式中，热弯所述细化微晶玻璃的温度为650℃-850℃，热弯所述细化微晶玻璃的时间为10秒-60秒，热弯所述细化微晶玻璃的压力为0.1MPa-0.5MPa。在上述热弯压力、温度及时间下得到的微晶玻璃具有较高的强度、并且微晶玻璃不会恢复原来的形状。
在某些实施方式中，热弯所述细化微晶玻璃的温度为700℃-750℃，热弯所述细化微晶玻璃的时间为20秒-40秒，热弯所述细化微晶玻璃的压力为0.2MPa-0.3MPa。在上述热弯压力、温度及时间下得到的微晶玻璃具有较高的强度、并且微晶玻璃不会恢复原来的形状。
本发明的实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实施方式的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本发明某些实施方式的微晶玻璃的强化方法的流程示意图。
图2是本发明某些实施方式的微晶玻璃的强化方法的原理示意图。
图3是本发明某些实施方式的微晶玻璃的强化方法的流程示意图。
图4是本发明某些实施方式的微晶玻璃的强化方法的原理示意图。
图5是本发明某些实施方式的微晶玻璃盖板的制作方法的流程示意图。
图6是本发明某些实施方式的微晶玻璃盖板的制作方法的原理示意图。
图7是本发明某些实施方式的微晶玻璃盖板的制作方法的流程示意图。
图8是本发明某些实施方式的微晶玻璃盖板的制作方法的原理示意图。
图9是本发明某些实施方式的微晶玻璃盖板的制作方法的流程示意图。
图10是本发明某些实施方式的微晶玻璃盖板的制作方法的原理示意图。
图11是本发明某些实施方式的微晶玻璃盖板的制作方法的流程示意图。
图12是本发明某些实施方式的微晶玻璃盖板的制作方法的流程示意图。
图13是本发明某些实施方式的微晶玻璃盖板的制作方法的原理示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1及图2，本发明实施方式的微晶玻璃10的强化方法包括：
S11，提供第一离子交换浴101及第二离子交换浴102，第一离子交换浴101包括硝酸钾与硝酸钠，第二离子交换浴102包括硝酸钾；
S12，将待强化处理的微晶玻璃10放入第一离子交换浴101中进行初次盐浴以得到初次强化微晶玻璃20；及
S14，将初次强化微晶玻璃20放入第二离子交换浴102中进行二次盐浴以得到二次强化微晶玻璃30。
具体地，本发明实施方式的微晶玻璃可以为硼系微晶玻璃或铝系微晶玻璃。第一离子交换浴101由硝酸钾、硝酸钠溶解与溶剂形成。其中，溶剂可以为质子极性溶剂，例如，溶剂可以为水、甲醇、乙醇、异丙醇、硝基甲烷、甲酸、乙酸、乙二醇、1,3-丙二醇、甘油中的任意一种或多种组合形成。类似地，溶剂还可以为非质子极性溶剂，例如，溶剂可以为丙酮、乙酸乙酯、乙腈、二甲亚砜、四氢呋喃、二甲基甲酰胺中的任意一种或多种组合形成。此外，溶剂可为不同比例的质子溶剂和非质子溶剂的组合形成。第二离子交换浴102由硝酸钾与溶剂形成，该溶剂可以与第一离子交换浴101中的溶剂成分相同，溶剂成分的含量可以不相同。
当待强化的微晶玻璃10放入第一离子交换浴101中进行初次盐浴时，微晶玻璃10中的多个离子与第一离子交换浴101中的钾离子、钠离子进行交换。其中，“交换”指将来自第一离子交换浴101中的阳离子(钾离子、钠离子)引入微晶玻璃10(或者微晶玻璃10的表面部分)中并使第一离子交换浴101中的阳离子置换微晶玻璃10中具有相同价态/电荷/氧化状态的阳离子；或者，“交换”还可以指将来自第一离子交换浴101中的阳离子(钾离子、钠离子)引入微晶玻璃10(或者微晶玻璃10的表面部分)中并使第一离子交换浴101中的阳离子置换微晶玻璃10中具有不相同价态/电荷/氧化状态的阳离子。
当初次强化微晶玻璃20放入第二离子交换浴102中进行二次盐浴时，初次强化微晶玻璃20中的多个离子与第二离子交换浴102中的钾离子进行交换。
从表1可以看出本发明实施方式的微晶玻璃10的强化方法能够使微晶玻璃10的光线透过率大于或等于88％的前提下，提升了微晶玻璃10的线膨胀系数、硬度、弯曲应力及强度，并且减小了介电损耗。
表1
| 微晶玻璃 | 铝硅酸盐强化玻璃 | |
| 透过率(550nm) | 89.3％ | 91.0％ |
| 线膨胀系数α×10<sup>-7</sup>/℃(0-300℃) | 91 | 78 |
| 介电常数(1GHz) | 5-6 | 7.1 |
| 介电损耗(1GHz) | 0.0003 | 0.01 |
| 维氏硬度(200gf) | 730 | 580 |
| 四点弯曲应力(MPa) | 1000 | 640 |
| 钢球落下强度(132g) | 90 | 35 |
| 化学强化层(μm) | ≥54 | ≥160 |
本发明实施微晶玻璃10的强化方法通过将待强化的微晶玻璃10依次放入第一离子交换浴101及第二离子交换浴102中进行两次盐浴，提升了微晶玻璃10的线膨胀系数、硬度、弯曲应力及强度，并且减小了介电损耗。
请参阅图1及图2，在某些实施方式中，第一离子交换浴101包括0重量％-20重量％硝酸钾、及0重量％-10重量％硝酸钠，第一离子交换浴101的温度为400℃-600℃，初次盐浴的时间为300分钟-720分钟。
具体地，第一离子交换浴101还包括溶剂，该溶剂可以为质子极性溶剂或非质子极性溶剂。第一离子交换浴101中的硝酸钾的重量百分比可以为0重量％、2重量％、4重量％、5重量％、6重量％、8重量％、10重量％、12重量％、14重量％、15重量％、16重量％、18重量％、20重量％中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。第一离子交换浴101中的硝酸钠的重量百分比可以为0重量％、1重量％、2重量％、3重量％、4重量％、5重量％、6重量％、7重量％、8重量％、9重量％、10重量％中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。第一离子交换浴101的温度为400℃、425℃、450℃、475℃、500℃、525℃、550℃、575℃、600℃中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。初次盐浴的时间为300分钟、330分钟、360分钟、390分钟、400分钟、425分钟、450分钟、475分钟、500分钟、525分钟、550分钟、575分钟、600分钟、630分钟、660分钟、690分钟、700分钟、720分钟中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。
第一离子交换浴101在上述温度下能够提升微晶玻璃10中的多个离子与第一离子交换浴101中的钾离子、钠离子的交换速度，同时，在上述初次盐浴时间内，第一离子交换浴101中的钾离子、钠离子能够充分地与微晶玻璃10中的多个离子进行交换。
请参阅图1及图2，在某些实施方式中，第一离子交换浴101包括5重量％-15重量％硝酸钾、及0.5重量％-5重量％硝酸钠，第一离子交换浴101的温度为450℃-500℃，初次盐浴的时间为400分钟-600分钟。
具体地，第一离子交换浴101还包括溶剂，该溶剂可以为质子极性溶剂或非质子极性溶剂。第一离子交换浴101中的硝酸钾的重量百分比可以为5重量％、6重量％、7重量％、8重量％、9重量％、10重量％、11重量％、12重量％、13重量％、14重量％、15重量％中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。第一离子交换浴101中的硝酸钠的重量百分比可以为0.5重量％、1重量％、1.5重量％、2重量％、2.5重量％、3重量％、3.5重量％、4重量％、4.5重量％、5重量％中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。第一离子交换浴101的温度为450℃、460℃、470℃、475℃、480℃、490℃、500℃中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。初次盐浴的时间为400分钟、425分钟、450分钟、475分钟、500分钟、525分钟、550分钟、575分钟、600分钟中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。
第一离子交换浴101在上述温度下能够提升微晶玻璃10中的多个离子与第一离子交换浴101中的钾离子、钠离子的交换速度，同时，在上述初次盐浴时间内，第一离子交换浴101中的钾离子、钠离子能够充分地与微晶玻璃10中的多个离子进行交换。
请参阅图1及图2，在某些实施方式中，第二离子交换浴102包括5重量％-20重量％的硝酸钾，第二离子交换浴102的温度为400℃-500℃，所述二次盐浴的时间为5分钟-30分钟。
具体地，第二离子交换浴102还包括溶剂，该溶剂可以为质子极性溶剂或非质子极性溶剂。第一离子交换浴101中的硝酸钾的重量百分比可以为5重量％、6重量％、7重量％、8重量％、9重量％、10重量％、11重量％、12重量％、13重量％、14重量％、15重量％、16重量％、17重量％、18重量％、19重量％、20重量％中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。第一离子交换浴101的温度为400℃、410℃、420℃、425℃、430℃、440℃、450℃、460℃、470℃、475℃、480℃、490℃、500℃中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。初次盐浴的时间为5分钟、10分钟、12分钟、15分钟、18分钟、20分钟、22分钟、25分钟、30分钟中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。
第二离子交换浴102在上述温度下能够提升微晶玻璃10中的多个离子与第二离子交换浴102中的钾离子的交换速度，同时，在上述初次盐浴时间内，第二离子交换浴102中的钾离子能够充分地与微晶玻璃10中的多个离子进行交换。
请参阅图3及图4，在某些实施方式中，微晶玻璃10的强化方法还包括：
S13，清洗初次强化微晶玻璃20。
由于待强化的微晶玻璃10经过第一离子交换浴101进行初次强化后，初次强化微晶玻璃20的表面会粘附第一离子交换浴101及被置换至第一离子交换浴101中的离子，通过清洗初次强化微晶玻璃20能够减小杂质对第二离子交换浴102的影响。具体地，清洗出气强化微晶玻璃20所用的液体可以与第二离子交换浴102中的溶质相同或不相同。
请参阅图5及图6，本发明实施方式的微晶玻璃盖板100的制作方法包括：
S11，提供第一离子交换浴101及第二离子交换浴102，第一离子交换浴101包括硝酸钾与硝酸钠，第二离子交换浴102包括硝酸钾；
S12，将待强化处理的微晶玻璃10放入第一离子交换浴101中进行初次盐浴以得到初次强化微晶玻璃20；
S14，将初次强化微晶玻璃20放入第二离子交换浴102中进行二次盐浴以得到二次强化微晶玻璃30；
S15，清洗二次强化微晶玻璃30；
S16，在二次强化微晶玻璃30表面丝印电极层40；及
S17，在电极层40上镀膜50以形成微晶玻璃盖板100。
具体地，本发明实施方式的微晶玻璃可以为硼系微晶玻璃或铝系微晶玻璃。第一离子交换浴101由硝酸钾、硝酸钠溶解与溶剂形成。其中，溶剂可以为质子极性溶剂，例如，溶剂可以为水、甲醇、乙醇、异丙醇、硝基甲烷、甲酸、乙酸、乙二醇、1,3-丙二醇、甘油中的任意一种或多种组合形成。类似地，溶剂还可以为非质子极性溶剂，例如，溶剂可以为丙酮、乙酸乙酯、乙腈、二甲亚砜、四氢呋喃、二甲基甲酰胺中的任意一种或多种组合形成。此外，溶剂可为不同比例的质子溶剂和非质子溶剂的组合形成。第二离子交换浴102由硝酸钾与溶剂形成，该溶剂可以与第一离子交换浴101中的溶剂成分相同，溶剂成分的含量可以不相同。
当待强化的微晶玻璃10放入第一离子交换浴101中进行初次盐浴时，微晶玻璃10中的多个离子与第一离子交换浴101中的钾离子、钠离子进行交换。其中，“交换”指将来自第一离子交换浴101中的阳离子(钾离子、钠离子)引入微晶玻璃10(或者微晶玻璃10的表面部分)中并使第一离子交换浴101中的阳离子置换微晶玻璃10中具有相同价态/电荷/氧化状态的阳离子；或者，“交换”还可以指将来自第一离子交换浴101中的阳离子(钾离子、钠离子)引入微晶玻璃10(或者微晶玻璃10的表面部分)中并使第一离子交换浴101中的阳离子置换微晶玻璃10中具有不相同价态/电荷/氧化状态的阳离子。
当初次强化微晶玻璃20放入第二离子交换浴102中进行二次盐浴时，初次强化微晶玻璃20中的多个离子与第二离子交换浴102中的钾离子进行交换。
从表1可以看出本发明实施方式的微晶玻璃10的强化方法能够使微晶玻璃10的光线透过率大于或等于88％的前提下，提升了微晶玻璃10的线膨胀系数、硬度、弯曲应力及强度，并且减小了介电损耗。
电极层40可以为触控电极层，当电极层40为触控电极层时，电极层40包括触控电极及电极引线。膜50可以为绝缘膜，绝缘层用于隔绝电极层40与空气接触以避免电极层40被氧化。
本发明实施的微晶玻璃盖板100的制作方法通过将待强化的微晶玻璃10依次放入第一离子交换浴101及第二离子交换浴102中进行两次盐浴，提升了微晶玻璃盖板100的线膨胀系数、硬度、弯曲应力及强度，并且减小了介电损耗。
在某些实施方式中，第一离子交换浴101包括0重量％-20重量％硝酸钾、及0重量％-10重量％硝酸钠，第一离子交换浴101的温度为400℃-600℃，初次盐浴的时间为300分钟-720分钟。
具体地，第一离子交换浴101还包括溶剂，该溶剂可以为质子极性溶剂或非质子极性溶剂。第一离子交换浴101中的硝酸钾的重量百分比可以为0重量％、2重量％、4重量％、5重量％、6重量％、8重量％、10重量％、12重量％、14重量％、15重量％、16重量％、18重量％、20重量％中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。第一离子交换浴101中的硝酸钠的重量百分比可以为0重量％、1重量％、2重量％、3重量％、4重量％、5重量％、6重量％、7重量％、8重量％、9重量％、10重量％中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。第一离子交换浴101的温度为400℃、425℃、450℃、475℃、500℃、525℃、550℃、575℃、600℃中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。初次盐浴的时间为300分钟、330分钟、360分钟、390分钟、400分钟、425分钟、450分钟、475分钟、500分钟、525分钟、550分钟、575分钟、600分钟、630分钟、660分钟、690分钟、700分钟、720分钟中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。
第一离子交换浴101在上述温度下能够提升微晶玻璃10中的多个离子与第一离子交换浴101中的钾离子、钠离子的交换速度，同时，在上述初次盐浴时间内，第一离子交换浴101中的钾离子、钠离子能够充分地与微晶玻璃10中的多个离子进行交换。
在某些实施方式中，第一离子交换浴101包括5重量％-15重量％硝酸钾、及0.5重量％-5重量％硝酸钠，第一离子交换浴101的温度为450℃-500℃，初次盐浴的时间为400分钟-600分钟。
具体地，第一离子交换浴101还包括溶剂，该溶剂可以为质子极性溶剂或非质子极性溶剂。第一离子交换浴101中的硝酸钾的重量百分比可以为5重量％、6重量％、7重量％、8重量％、9重量％、10重量％、11重量％、12重量％、13重量％、14重量％、15重量％中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。第一离子交换浴101中的硝酸钠的重量百分比可以为0.5重量％、1重量％、1.5重量％、2重量％、2.5重量％、3重量％、3.5重量％、4重量％、4.5重量％、5重量％中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。第一离子交换浴101的温度为450℃、460℃、470℃、475℃、480℃、490℃、500℃中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。初次盐浴的时间为400分钟、425分钟、450分钟、475分钟、500分钟、525分钟、550分钟、575分钟、600分钟中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。
第一离子交换浴101在上述温度下能够提升微晶玻璃10中的多个离子与第一离子交换浴101中的钾离子、钠离子的交换速度，同时，在上述初次盐浴时间内，第一离子交换浴101中的钾离子、钠离子能够充分地与微晶玻璃10中的多个离子进行交换。
在某些实施方式中，第二离子交换浴102包括5重量％-20重量％的硝酸钾，第二离子交换浴102的温度为400℃-500℃，所述二次盐浴的时间为5分钟-30分钟。
具体地，第二离子交换浴102还包括溶剂，该溶剂可以为质子极性溶剂或非质子极性溶剂。第一离子交换浴101中的硝酸钾的重量百分比可以为5重量％、6重量％、7重量％、8重量％、9重量％、10重量％、11重量％、12重量％、13重量％、14重量％、15重量％、16重量％、17重量％、18重量％、19重量％、20重量％中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。第一离子交换浴101的温度为400℃、410℃、420℃、425℃、430℃、440℃、450℃、460℃、470℃、475℃、480℃、490℃、500℃中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。初次盐浴的时间为5分钟、10分钟、12分钟、15分钟、18分钟、20分钟、22分钟、25分钟、30分钟中的任意一个，或者在上述任意两者之间取值。
第二离子交换浴102在上述温度下能够提升微晶玻璃10中的多个离子与第二离子交换浴102中的钾离子的交换速度，同时，在上述初次盐浴时间内，第二离子交换浴102中的钾离子能够充分地与微晶玻璃10中的多个离子进行交换。
请参阅图7及图8，在某些实施方式中，微晶玻璃盖板100的制作方法还包括：
S13，清洗初次强化微晶玻璃20。
由于待强化的微晶玻璃10经过第一离子交换浴101进行初次强化后，初次强化微晶玻璃20的表面会粘附第一离子交换浴101及被置换至第一离子交换浴101中的离子，通过清洗初次强化微晶玻璃20能够减小杂质对第二离子交换浴102的影响。具体地，清洗出气强化微晶玻璃20所用的液体可以与第二离子交换浴102中的溶质相同或不相同。
请参阅图9及图10，本发明实施方式的微晶玻璃盖板100的制作方法还包括：
S01，提供一微晶玻璃原材60；
S03，对微晶玻璃原材60进行核化及晶化处理以得到晶化微晶玻璃70；
S05，切割晶化微晶玻璃70以得到细化微晶玻璃80；
S07，研磨细化微晶玻璃80；
S09，清洗细化微晶玻璃80以得到待强化处理的微晶玻璃10。
具体地，微晶玻璃原材60的材料中可包含有晶核剂(例如，二氧化钛、二氧化锆)，将微晶玻璃原材60在一定温度(例如，830℃)下进行核化及晶化处理能够得到晶粒更细小且结构更加均匀的晶化微晶玻璃70。切割晶化微晶玻璃70能够得到合适的尺寸大小、结构的细化微晶玻璃80，合适的结构可以理解为：细化微晶玻璃80上开设的孔、槽、倒角等结构。研磨细化微晶玻璃80能够使细化微晶玻璃80的表面更加光滑。清洗细化微晶玻璃90能够去除研磨细化微晶玻璃80后产生的细小颗粒。在一些实施方式中，清洗细化微晶玻璃80后得到的细化微晶玻璃80可以为待强化处理的微晶玻璃10。如此，本实施方式能够获得的细化微晶玻璃80具有合适的尺寸大小及结构、光滑的表面质量及更细小的晶粒大小。
请参阅图9及图11，在某些实施方式中，所述切割晶化微晶玻璃70以得到细化微晶玻璃80的步骤(步骤S05)包括：
S051，切割晶化微晶玻璃70以得到片状微晶玻璃90；
S052，对片状微晶玻璃90进行切割以得到细化微晶玻璃80。
具体地，切割晶化微晶玻璃70得到的片状微晶玻璃90为用户所需要的合适的尺寸大小。对片状微晶玻璃90进行切割能够得到合适结构的细化微晶玻璃80，合适结构可以理解为：细化微晶玻璃80上开设的孔、槽、倒角等结构。如此，本实施方式的制作方法能够得到合适的尺寸大小、结构的细化微晶玻璃80。
请参阅图12及图13，在某些实施方式中，微晶玻璃盖板100的制作方法还包括：
S01，提供一微晶玻璃原材60；
S03，对微晶玻璃原材60进行核化及晶化处理以得到晶化微晶玻璃70；
S05，切割晶化微晶玻璃70以得到细化微晶玻璃80；
S07，研磨细化微晶玻璃80；
S09，清洗细化微晶玻璃80；
S10，热弯细化微晶玻璃80以得到待强化处理的微晶玻璃10。
具体地，热弯细化微晶玻璃80包括热弯细化微晶玻璃80的边缘以使微晶玻璃10的边缘形成曲面结构。如此，通过热弯细化微晶玻璃80能够得到合适形状的待强化处理的微晶玻璃10。
请参阅图12及图13，在某些实施方式中，热弯细化微晶玻璃80的温度为650℃-850℃，热弯细化微晶玻璃80的时间为10秒-60秒，热弯细化微晶玻璃80的压力为0.1MPa-0.5MPa。例如，热弯细化微晶玻璃80的温度可以为650℃、660℃、680℃、700℃、720℃、740℃、760℃、780℃、800℃、820℃、840℃、850℃中的一个，或者在任意两者之间取值。热弯细化微晶玻璃80的时间可以为10秒、15秒、20秒、25秒、30秒、35秒、40秒、45秒、50秒、55秒、60秒中的一个，或者在任意两者之间取值。热弯细化微晶玻璃80的压力可以为0.1MPa、0.15MPa、0.2MPa、0.25MPa、0.3MPa、0.35MPa、0.4MPa、0.45MPa、0.5MPa中的一个，或者在任意两者之间取值。在上述热弯压力、温度及时间下得到的微晶玻璃10具有较高的强度、并且微晶玻璃10不会恢复原来的形状。
请参阅图12及图13，在某些实施方式中，热弯细化微晶玻璃80的温度为700℃-750℃，热弯细化微晶玻璃80的时间为20秒-40秒，热弯细化微晶玻璃80的压力为0.2MPa-0.3MPa。例如，热弯细化微晶玻璃80的温度可以为700℃、705℃、710℃、715℃、720℃、725℃、730℃、735℃、740℃、745℃、750℃中的一个，或者在任意两者之间取值。热弯细化微晶玻璃80的时间可以为20秒、22秒、24秒、25秒、26秒、28秒、30秒、32秒、34秒、35秒、36秒、38秒、40秒中的一个，或者在任意两者之间取值。热弯细化微晶玻璃80的压力可以为0.2MPa、0.22MPa、0.24MPa、0.25MPa、0.26MPa、0.28MPa、0.3MPa中的一个，或者在任意两者之间取值。在上述热弯压力、温度及时间下得到的微晶玻璃10具有较高的强度、并且微晶玻璃10不会恢复原来的形状。
在本说明书的描述中，参考术语“某些实施方式”、“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施方式，可以理解的是，上述实施方式是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施方式进行变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种微晶玻璃的强化方法，其特征在于，所述微晶玻璃的强化方法包括：
提供第一离子交换浴及第二离子交换浴，所述第一离子交换浴包括硝酸钾与硝酸钠，所述第二离子交换浴包括硝酸钾；
将待强化处理的微晶玻璃放入所述第一离子交换浴中进行初次盐浴以得到初次强化微晶玻璃；及
将所述初次强化微晶玻璃放入所述第二离子交换浴中进行二次盐浴以得到二次强化微晶玻璃。
2.根据权利要求1所述强化方法，其特征在于，所述第一离子交换浴包括0重量％-20重量％硝酸钾、及0重量％-10重量％硝酸钠，所述第一离子交换浴的温度为400℃-600℃，所述初次盐浴的时间为300分钟-720分钟。
3.根据权利要求1所述强化方法，其特征在于，所述第二离子交换浴包括5重量％-20重量％的硝酸钾，所述第二离子交换浴的温度为400℃-500℃，所述二次盐浴的时间为5分钟-30分钟。
4.一种微晶玻璃盖板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供第一离子交换浴及第二离子交换浴，所述第一离子交换浴包括硝酸钾与硝酸钠，所述第二离子交换浴包括硝酸钾；
将待强化处理的微晶玻璃放入所述第一离子交换浴中进行初次盐浴以得到初次强化微晶玻璃；
将所述初次强化微晶玻璃放入所述第二离子交换浴中进行二次盐浴以得到二次强化微晶玻璃；
清洗所述二次强化微晶玻璃；
在所述二次强化微晶玻璃表面丝印电极层；及
在所述电极层上镀膜以形成所述微晶玻璃盖板。
5.根据权利要求4所述制作方法，其特征在于，所述第一离子交换浴包括0重量％-20重量％硝酸钾、及0重量％-10重量％硝酸钠，所述第一离子交换浴的温度为400℃-600℃，所述初次盐浴的时间为300分钟-720分钟。
6.根据权利要求4所述制作方法，其特征在于，所述第二离子交换浴包括5重量％-20重量％的硝酸钾，所述第二离子交换浴的温度为400℃-500℃，所述二次盐浴的时间为5分钟-30分钟。
7.根据权利要求4所述制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
提供一微晶玻璃原材；
对所述微晶玻璃原材进行晶化处理以得到晶化微晶玻璃；
切割所述晶化微晶玻璃以得到细化微晶玻璃；
研磨所述细化微晶玻璃；及
清洗所述细化微晶玻璃以得到所述待强化处理的微晶玻璃。
8.根据权利要求7所述制作方法，其特征在于，所述切割所述晶化微晶玻璃以得到细化微晶玻璃的步骤包括：
切割所述晶化微晶玻璃以得到片状微晶玻璃；
对所述片状微晶玻璃进行切割以得到所述细化微晶玻璃。
9.根据权利要求4所述制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
提供一微晶玻璃原材；
对所述微晶玻璃原材进行晶化处理以得到晶化微晶玻璃；
切割所述晶化微晶玻璃以得到细化微晶玻璃；
研磨所述细化微晶玻璃；
清洗所述细化微晶玻璃；及
热弯所述细化微晶玻璃以得到所述微晶玻璃以得到所述待强化处理的微晶玻璃。
10.根据权利要求9所述制作方法，其特征在于，热弯所述细化微晶玻璃的温度为650℃-850℃，热弯所述细化微晶玻璃的时间为10秒-60秒，热弯所述细化微晶玻璃的压力为0.1MPa-0.5MPa。
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| CN201810011512.6A Pending CN110002733A (zh) | 2018-01-05 | 2018-01-05 | 微晶玻璃的强化方法及微晶玻璃盖板的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110002733A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2820189C2 (ru) * | 2021-07-08 | 2024-05-30 | Хонор Девайс Ко., Лтд. | Химически упрочненное микрокристаллическое стекло, способ его получения и применение |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102137822A (zh) * | 2008-07-29 | 2011-07-27 | 康宁股份有限公司 | 用于化学强化玻璃的双阶段离子交换 |
| CN105408272A (zh) * | 2013-05-24 | 2016-03-16 | 康宁股份有限公司 | 双离子交换过程 |
| CN106866000A (zh) * | 2015-12-11 | 2017-06-20 | 康宁股份有限公司 | 包含金属氧化物浓度梯度的可熔合成形的基于玻璃的制品 |
| CN107032621A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-08-11 | 河北省沙河玻璃技术研究院 | 一种绿色微晶玻璃及其制备方法和应用 |
| CN107108345A (zh) * | 2014-07-25 | 2017-08-29 | 康宁股份有限公司 | 具有深的压缩深度的强化玻璃 |
-
2018
- 2018-01-05 CN CN201810011512.6A patent/CN110002733A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102137822A (zh) * | 2008-07-29 | 2011-07-27 | 康宁股份有限公司 | 用于化学强化玻璃的双阶段离子交换 |
| CN105408272A (zh) * | 2013-05-24 | 2016-03-16 | 康宁股份有限公司 | 双离子交换过程 |
| CN107108345A (zh) * | 2014-07-25 | 2017-08-29 | 康宁股份有限公司 | 具有深的压缩深度的强化玻璃 |
| CN106866000A (zh) * | 2015-12-11 | 2017-06-20 | 康宁股份有限公司 | 包含金属氧化物浓度梯度的可熔合成形的基于玻璃的制品 |
| CN107032621A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-08-11 | 河北省沙河玻璃技术研究院 | 一种绿色微晶玻璃及其制备方法和应用 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| （苏）彼特拉什，Л.В.著；白云昭译: "《有色冶金化工过程原理及设备》", 中国工业出版社 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2820189C2 (ru) * | 2021-07-08 | 2024-05-30 | Хонор Девайс Ко., Лтд. | Химически упрочненное микрокристаллическое стекло, способ его получения и применение |
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