CN109994523A - 发光显示面板 - Google Patents

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Abstract

提供了一种发光显示面板。通过控制设置在显示面板上的上堆叠结构的光学厚度，能够周期性地控制从电子装置发射的光的三刺激值Xr和三刺激值Yg。通过上堆叠结构的厚度和折射率来确定光学厚度。该控制可以周期性地减小三刺激值Xr或者周期性地增大三刺激值Yg。可以周期性地减小三刺激值Xr并且可以同时周期性地增大三刺激值Yg。

Description

发光显示面板
技术领域
本公开涉及一种发光显示面板和一种电子装置，更具体地，涉及一种具有改善的显示质量的发光显示面板和电子装置。
背景技术
正在开发诸如智能电话、平板电脑、笔记本电脑、导航和智能电视的电子装置。这些电子装置具有用于提供信息的显示面板。除了显示面板之外，电子装置还包括各种电子模块。
电子装置应该满足其预期用途的显示质量要求。从发光元件产生的光被发射到电子装置的外部，同时产生诸如谐振和干涉的各种光学现象。该光学现象会影响显示图像的质量。
发明内容
本公开提供了一种具有改善的显示质量的显示面板。
本公开还提供了一种具有减少的白色图像的微红的电子装置。
发明构思的实施例提供了一种发光显示面板，该发光显示面板包括：基体层；发光元件，包括设置在基体层上的第一电极、设置在第一电极上的发光层和设置在发光层上的第二电极；以及堆叠结构，设置在发光元件上并且包括多个层，其中，所述多个层之中的第一层至第q层满足下面的式1和2中的至少一个。第一层与第二电极接触。
[式1]
[式2]
在式1和2中，m是0和自然数，n1,z至nq,z是在第一层至第q层中的每个的厚度方向上的折射率，d1至dq是第一层至第q层的各厚度，θair为20°至40°，式1中的λ为610nm或更大且645nm或更小，式2中的λ为515nm或更大且545nm或更小。
在式1和2中，Ф1,CE为下面的式3，
[式3]
在式3中，r1,CE被定义为第一层关于发光元件的反射系数，如果Im(r1,CE)≥0，那么0≤Ф1,CE≤π，如果Im(r1,CE)<0，那么π<Ф1,CE<2π。
在式1和2中，如果第q层的折射率大于第q+1层的折射率，那么Фq,q+1是π，如果第q层的折射率小于第q+1层的的折射率，那么Фq,q+1是0。
在实施例中，发光元件可以包括：第一发光元件，用于产生具有在440nm至460nm的范围内的峰值的蓝光；第二发光元件，用于产生具有在515nm至545nm的范围内的峰值的绿光；以及第三发光元件，用于产生具有在610nm至645nm的范围内的峰值的红光。
在实施例中，堆叠结构中的第一层至第q层可以满足下面的式4。
[式4]
n1，zd1+n2，zd2…nq，zdq≤4000nm
在实施例中，在式4中，q可以是3至5。
在实施例中，堆叠结构可以包括顺序地堆叠的第一有机层、第一无机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
在实施例中，第q层可以是第二无机层。
在实施例中，第一有机层可以包括与发光元件的有机材料相同的有机材料，其中，第一有机层和第一无机层的厚度可以是300nm或更小。
在实施例中，第一无机层可以包括氟化锂。
在实施例中，第二无机层和第三无机层中的每个可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。
在实施例中，第二无机层的折射率可以是1.5至1.9，第二无机层的厚度可以是800nm至2000nm。
在实施例中，第二有机层的折射率可以是1.4至1.8，第二有机层的厚度可以是1000nm至12000nm。
在实施例中，第q层可以是第二有机层。
在实施例中，第二有机层的折射率可以是1.4至1.8，第二有机层的厚度可以是1000nm至2500nm，其中，第二无机层的折射率可以是1.5至1.9，第二无机层的厚度可以是500nm至1600nm。
在实施例中，堆叠结构可以包括：第一有机层，直接设置在发光元件上；第一无机层，直接设置在第一有机层上；以及第二有机层和第二无机层，设置在第一无机层上，其中，第q层可以是第二有机层或第二无机层。
在发明构思的实施例中，一种电子装置包括：发光显示面板；以及窗，设置在发光显示面板上，其中，当发光显示面板显示单一白色图像时，在CIE1931色坐标中示出的在距离窗30cm的高度处并以20°至40°的视角测量的单一白色图像的光的强度的曲线图设置在黑体曲线的左侧和上部。
在实施例中，发光显示面板可以包括：第一发光元件，被构造为产生红光；第二发光元件，被构造为产生绿光；第三发光元件，被构造为产生蓝光；以及干涉层，设置在第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件上，其中，红光可以在干涉层中相消地干涉，蓝光可以在干涉层中相长地干涉。
在实施例中，干涉层之中的第一干涉层至第q干涉层(q是3或更大的自然数)可以满足下面的式1和式2中的至少一个。第一干涉层与第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件接触。
[式1]
[式2]
在式1和2中，m是0和自然数，n1,z至nq,z是在第一层至第q层中的每个的厚度方向上的折射率，d1至dq是第一层至第q层的各厚度，θair为20°至40°，式1中的λ为610nm或更大且645nm或更小，式2中的λ为515nm或更大且545nm或更小。
在式1和2中，Ф1,CE是下面的式3，
[式3]
在式3中，r1,CE被定义为第一层相对于发光元件的反射系数，如果Im(r1,CE)≥0，那么0≤Ф1,CE≤π，如果Im(r1,CE)<0，那么π<Ф1,CE<2π。
在式1和2中，如果第q层的折射率大于直接设置在第q层上方的层的折射率，那么Фq,q+1是π，如果第q层的折射率小于直接设置在第q层上方的层的折射率，那么Фq,q+1是0。
在实施例中，在窗上显示单一白色图像的显示表面可以由第一方向轴和第二方向轴限定，其中，显示表面沿第一方向轴的长度是10cm至20cm。
在实施例中，电子装置还可以包括设置在窗与发光显示面板之间的输入传感器和抗反射层中的至少一个。
在实施例中，第一干涉层至第q干涉层可以满足下面的式4。
[式4]
n1，zd1+N2，zd2…nq，zdq≤4000nm
附图说明
附图被包括以提供对发明构思的进一步的理解，并且附图并入该说明书中并组成该说明书的一部分。附图示出了发明构思的示例性实施例，并与具体实施方式一起用于解释发明构思的原理。在附图中：
图1A是根据发明构思的实施例的电子装置的透视图；
图1B是根据发明构思的实施例的电子装置的侧视图；
图2是示出根据对比示例的电子装置的光学特性的曲线图；
图3A是示出根据发明构思的实施例的电子装置的光学特性的曲线图；
图3B是示出三刺激值Xr根据从电子装置发射的光的视角而变化的曲线图；
图4A和图4B是根据发明构思的实施例的电子装置的剖视图；
图5是根据发明构思的实施例的显示面板的平面图；
图6A是根据发明构思的实施例的像素的等效电路图；
图6B是根据发明构思的实施例的显示面板的剖视图；
图6C是示出从根据发明构思的实施例的显示面板产生的光的发射光谱的曲线图；
图7A、图7B、图7C和图7D是示出根据发明构思的实施例的显示面板的堆叠结构的剖视图；
图8是示出最小可察觉色差(MPCD)依据根据发明构思的实施例的显示面板的光学距离而变化的曲线图；
图9是示出从根据发明构思的实施例的显示面板产生的光的传播路径的剖视图；
图10A是示出根据发明构思的实施例的上堆叠结构的一部分的光学干涉路径的剖视图；
图10B是示出根据发明构思的实施例的上堆叠结构的层间反射的曲线图；以及
图10C是示出根据发明构思的实施例的上堆叠结构的层间相变的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述发明构思的实施例。在该说明书中，当提及组件(或者，区域、层、部分等)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“结合到”另一组件时，这表示该组件可以直接在所述另一组件上、直接连接到或直接结合到所述另一组件，或者可以存在位于该组件与所述另一组件之间的第三组件。
同样的附图标记表示同样的元件。此外，在附图中，为了有效描述，夸大了组件的厚度、比例和尺寸。“和/或”包括由相关组件限定的一个或更多个组合的全部。
将理解的是，术语“第一”和“第二”在这里用于描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语限制。以上术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，反之亦然。除非上下文另外清楚地表示，否则单数表达包括复数表达。
此外，诸如“在……下方”、“下侧”、“在……上”和“上侧”的术语用来描述附图中示出的构造的关系。术语被描述为基于附图中示出的方向的相对概念。
在发明构思的各种实施例中，术语“包括”、“包含”及其变型说明属性、区域、固定的数量、步骤、过程、元件和/或组件，但不排除其它属性、区域，固定的数量、步骤、过程、元件和/或组件。
图1A是根据发明构思的实施例的电子装置ED的透视图。图1B是根据发明构思的实施例的电子装置ED的侧视图。图2是示出根据对比示例的电子装置的光学特性的曲线图。图3A是示出根据发明构思的实施例的电子装置ED的光学特性的曲线图。图3B是示出三刺激值Xr根据从电子装置ED发射的光的视角而变化的曲线图。
如图1A和图1B中所示，电子装置ED可以通过显示表面ED-IS显示图像IM。显示表面ED-IS平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面。显示表面ED-IS的法线方向(即，电子装置ED的厚度方向)由第三方向轴DR3表示。
当显示图像的方向被设定为与第三方向轴DR3相同时，每个元件的上表面(或前表面)和下表面(或后表面)由第三方向轴DR3限定。在下文中，第一方向至第三方向分别指示与第一方向轴DR1至第三方向轴DR3所指示的方向相同的方向，并且分别由与由第一方向轴DR1至第三方向轴DR3的附图标记相同的附图标记来表示。
在发明构思的实施例中，示出了具有平面显示表面的电子装置ED，但是电子装置ED不限于此。电子装置ED还可以包括弯曲显示表面。电子装置ED可以包括立体显示表面。立体显示表面包括指示不同方向的多个显示区域，并且可以包括例如多边棱柱状显示表面。
根据该实施例的电子装置ED可以是刚性显示装置。然而，不限于此，根据发明构思的电子装置ED可以是具有图1A的处于展开状态的形状的柔性电子装置ED。在该实施例中，示例性地示出了可应用于便携式终端的电子装置ED。虽然附图中未示出，但是安装在主板上的电子模块、照相机模块和电源模块可以与电子装置(ED)一起布置在支架/壳体中以构成移动电话终端。
如图1A和图1B中所示，显示表面ED-IS包括显示图像IM的显示区域ED-DA和与显示区域ED-DA相邻的非显示区域ED-NDA。非显示区域ED-NDA是不显示图像的区域。图1A示出了图标图像作为图像IM的示例。非显示区域ED-NDA通常是电子装置ED的边框。
显示区域ED-DA可以具有矩形形式。非显示区域ED-NDA可以围绕显示区域ED-DA。然而，发明构思不限于此，可以相对地设计显示区域ED-DA的形状和非显示区域ED-NDA的形状。例如，非显示区域ED-NDA可以仅设置在沿第一方向DR1面对的区域中。
如图1A和图1B中所示，当用户在特定位置处看电子装置ED的不同位置时，视角θ0、θ1和θ2改变。在电子装置ED上显示的白色图像对用户而言会根据视角θ0、θ1和θ2而看起来不同。这里，白色图像可以是背景图像或在整个显示区域ED-DA中显示的单个图像。
因为从显示面板DP(参照图4A)发射的光根据视角θ0、θ1和θ2而不同地提供给用户，所以与第一视角θ0对应的光的传播路径、与第二视角θ1对应的光的传播路径和与第三视角θ2对应的光的传播路径彼此不同。此外，在显示面板DP的内部(例如，有机发光层)中产生的光穿过多个层并且发射到外部。因为由于多个层的干涉现象根据光的传播路径而变化，所以在电子装置ED上显示的白色图像对用户而言会根据视角θ0、θ1和θ2而看起来不同。
参照图2至图3B描述的曲线图以根据视角的三刺激值Xr、三刺激值Yg和三刺激值Zb为基础。Xr被定义为光谱的红色分量的X三刺激值，Yg被定义为光谱的绿色分量的Y三刺激值，Zb被定义为光谱的蓝色分量的Z三刺激值。在CIE 1931色坐标中示出了下面描述的曲线图。
图2中示出的曲线图示出了色调根据在电子装置ED上显示的白色图像的视角而变化。极大地影响白色图像的颜色变化的因素是红色波长范围的三刺激值Xr、绿色波长范围的三刺激值Yg和蓝色波长范围的三刺激值Zb。这些结果可以表示如下。
WΔx＝-0.0227+0.0934Xr+0.0196Yg-0.0917Zb
WΔy＝-0.00777+0.0337Xr+0.142Yg-0.167Zb
在上式中，WΔx表示白色根据x轴的位移，WΔy表示白色根据y轴的位移。
上面的关系表达式表示红色波长范围、绿色波长范围和蓝色波长范围内的亮度的变化影响白色图像的颜色变化。如果红色波长范围、绿色波长范围和蓝色波长范围内的亮度的变化根据视角是可控的，那么可以控制色调根据白色图像的视角的变化。
基于在距离电子装置ED 30cm高度H1处以不同视角处测量的光的光谱，计算根据视角的三刺激值。利用颜色匹配函数通过光谱计算三刺激值，将三刺激值归一化以根据视角来计算色坐标值。
在30cm高度H1(参见图1B)处的从电子装置ED发射的光的光谱的测量反映了用户使用便携式终端的条件。
图2中示出的黑体曲线(BBC)对应于白色。将以0°的视角(图1B中的第一视角θ0)测量的光谱设定为参考值。与参考值对应的光的光谱可以由色坐标(0,0)表示。
第一曲线图GH-R是从根据对比示例的电子装置发射的光的光谱。根据第一曲线图GH-R，与20°至40°的视角对应的色坐标布置在黑体曲线(BBC)的下侧或右侧上。因此，当以20°至40°的视角观看时，在电子装置ED上显示的白色图像变为略带红色的白色。关于对应于20°至40°的视角测量的光的光谱，与黑体曲线(BBC)相比，三刺激值Xr可以大或者三刺激值Yg可以小。
对于在具有10cm至20cm的长度(L1，参见图1B)的电子装置(ED，参见图1A)上显示的白色图像，当以0°的视角观看时，图像在30cm高度H1处被识别为白色。然而，当以20°至40°的视角观看时，图像在30cm高度H1处被识别为略带红色的白色。
图3A中的第二曲线图GH-S是从根据发明构思的实施例的电子装置ED发射的光的光谱的分析。根据第二曲线图GH-S，与20°至40°的视角对应的色坐标布置在黑体曲线(BBC)上侧或左侧上。因此，当以20°至40°的视角观看时，白色图像不被识别为略带红色的白色。
这里，可以看出，在第二曲线图GH-S的20°至40°的范围外的色坐标相对于第一曲线图GH-R没有显著改变。如将在后面描述的，这是因为控制具有预定厚度或更大厚度的光学距离的层，并且将具有预定厚度或更小厚度的光学距离的层固定到恒定的厚度。
图3B中示出的第一曲线图GH-RR示出了三刺激值Xr依据根据对比示例的电子装置的视角而变化。图3B中示出的第二曲线图GH-SR示出了三刺激值Xr依据根据发明构思的实施例的电子装置ED的视角而变化。根据视角测量从电子装置ED发射的光的光谱，并且通过测量的光谱计算三刺激值Xr。根据该实施例，可以看出，在20°至40°的视角下，与对比示例相比，发明构思的实施例中的三刺激值Xr减小。此外，可以看出，第二曲线图GH-SR的20°至40°的视角范围外的三刺激值Xr相对于第一曲线图GH-RR没有显著改变。在发明构思的实施例中，能够减小三刺激值Xr以防止略带红色的白色图像。
与参照图3A和图3B描述的实施例不同，在发明构思的实施例中，可以增大三刺激值Yg以防止略带红色的白色图像。另一方面，因为三刺激值Zb沿黑体曲线增大或减小，所以对三刺激值Zb的对略带红色的白色图像的影响不显著。
根据发明构思，通过控制设置在显示面板DP上的上堆叠结构的材料和厚度，可以周期性地控制从电子装置ED发射的光的三刺激值Xr和三刺激值Yg。该控制可以周期性地减小三刺激值Xr或周期性地增大三刺激值Yg。可以周期性地减小三刺激值Xr并且同时周期性地增大三刺激值Yg。在下文中，将参照图4A至图10更详细地描述上堆叠结构和光学距离。
图4A和图4B是根据发明构思的实施例的电子装置ED的剖视图。图5是根据发明构思的实施例的显示面板DP的平面图。图6A是根据发明构思的实施例的像素PX的等效电路图。图6B是根据发明构思的实施例的显示面板DP的剖视图。图6C是示出从根据发明构思的实施例的显示面板DP产生的光的发射光谱的曲线图。
根据发明构思的实施例的电子装置ED可以包括显示面板DP、输入传感器ISU、抗反射器RPU和窗WU。显示面板DP产生图像，输入传感器ISU获得外部输入(例如，触摸事件)的坐标信息。抗反射器RPU减少从外部入射的光的反射，窗WU提供显示表面ED-IS。显示面板DP、输入传感器ISU、抗反射器RPU和窗WU的构造中的至少一些通过连续的工艺形成，或者至少一些构造可以经由粘合构件结合在一起。
图4A和图4B示出了作为粘合构件的压敏粘合膜(PSA)。下面描述的粘合构件可以包括传统的粘合剂或胶黏剂并且不受具体限制。在发明构思的实施例中，抗反射器RPU可以用另一构造代替或者可以被省略。在发明构思的实施例中，可以省略输入传感器ISU。
参照图4A，根据发明构思的实施例的显示面板DP可以是发光型显示面板。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点、量子棒等。在下文中，显示面板DP被描述为有机发光显示面板。
输入传感器ISU可以包括至少一个导电层和至少一个绝缘层。至少一个导电层可以包括多个传感器电极。输入传感器ISU可以包括诸如电容触摸面板的多个传感器电极。
抗反射器RPU减少从窗WU上方入射的自然光(或太阳光)的反射。根据发明构思的实施例的抗反射器RPU可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。膜型包括拉伸型合成树脂膜，液晶涂覆型可以包括以预定排列排列的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器和偏振器本身或保护膜可以被限定为抗反射器RPU的基体层。
根据发明构思的实施例的抗反射器RPU可以包括滤色器。滤色器具有预定布置。可以考虑包括在显示面板DP中的像素的发光颜色来确定滤色器的布置。抗反射器RPU还可以包括设置为与滤色器相邻的黑矩阵。
根据发明构思的实施例的窗WU包括基体层WU-BS和光阻挡图案WU-BZ。基体层WU-BS可以包括玻璃基底和/或合成树脂膜等。基体层WU-BS不限于单层。基体层WU-BS可以包括用粘合构件结合的两个或更多个膜。
光阻挡图案WU-BZ与基体层WU-BS部分地叠置。光阻挡图案WU-BZ可以设置在基体层WU-BS的后表面上以限定电子装置ED的边框区域(即，非显示区域ED-NDA(见图1A))。
光阻挡图案WU-BZ可以例如通过涂覆法形成为着色的有机膜。虽然未单独示出，但是窗WU还可以包括设置在基体层WU-BS的前表面上的功能涂层。功能涂层可以包括抗指纹层、抗反射层和硬涂层。
图4A中示出的输入传感器ISU、抗反射器RPU和窗WU可以具有面板形状并且使用粘合构件彼此结合。根据发明构思，输入传感器ISU、抗反射器RPU和窗WU不限于面板形状。根据发明构思的实施例的输入传感器ISU、抗反射器RPU和窗WU可以具有顺序地设置在基体上的多层结构。
多层结构通过具有不同配置的一系列工艺形成。换言之，多层结构的最下层设置在基体上。可以单独提供基体，或者显示面板DP可以是基体。图4B示例性地示出了包括输入感测层ISL的电子装置ED。输入感测层ISL的最下层(例如，绝缘层或导电层)可以直接设置在显示面板DP的最上层(基体表面)上。
如图5中所示，显示面板DP包括驱动电路GDC、多条信号线SGL(在下文中，被称为信号线)、多个信号垫(pad，或称为“焊盘”)DP-PD(在下文中，被称为信号垫)以及多个像素PX-R、PX-G和PX-B(在下文中，被称为像素)。驱动电路GDC可以包括扫描驱动电路。信号线SGL可以包括扫描线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL。控制信号线CSL可以向扫描驱动电路提供控制信号。信号垫DP-PD连接到信号线SGL之中的相应的信号线。信号垫DP-PD可以连接到未示出的电路板。
在平面上，显示面板DP可以包括像素区域DP-DA和外围区域DP-NDA。像素区域DP-DA是布置有像素PX-R、PX-G和PX-B的区域，外围区域DP-NDA是未布置像素PX-R、PX-G和PX-B的区域。像素区域DP-DA和外围区域DP-NDA与图1A中示出的显示区域ED-DA和非显示区域ED-NDA对应，但是不必限于此。
像素PX-R、PX-G和PX-B中的每个包括有机发光二极管和连接到有机发光二极管的像素驱动电路。像素PX-R、PX-G和PX-B可以根据发射的颜色分成多个组。像素PX-R、PX-G和PX-B可以包括例如红色像素PX-R、绿色像素PX-G和蓝色像素PX-B。像素PX-R、PX-G和PX-B可以包括不同材料的有机发光层。
图6A示出了图5中示出的像素PX-R、PX-G和PX-B中的一个像素PX。有机发光二极管OLED可以是前发光型二极管或后发光型二极管。像素PX包括第一晶体管T1(或开关晶体管)、第二晶体管T2(或驱动晶体管)和电容器Cst作为用于驱动有机发光二极管OLED的像素驱动电路。第一电力电压ELVDD被供应到第二晶体管T2，第二电力电压ELVSS被供应到有机发光二极管OLED。第二电力电压ELVSS可以低于第一电力电压ELVDD。
第一晶体管T1响应于施加到扫描线GL的扫描信号而输出施加到数据线DL的数据信号。电容器Cst充入与从第一晶体管T1接收的数据信号对应的电压。第二晶体管T2连接到有机发光二极管OLED。第二晶体管T2响应于存储在电容器Cst中的电荷量来控制流经有机发光二极管OLED的驱动电流。
等效电路仅是实施例并且不限于此。像素PX还可以包括多个晶体管，并且可以包括更多数量的电容器。有机发光二极管OLED可以连接在电力线PL与第二电力电压ELVSS之间。
如图6B中所示，电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED顺序地布置在基体基底DP-G上。在该实施例中，电路元件层DP-CL可以包括多个绝缘层。多个绝缘层可以包括缓冲膜BFL、第一无机膜10、第二无机膜20和有机膜30。无机膜和有机膜的材料不受具体限制，在发明构思的实施例中，可以省略缓冲膜BFL。
第一晶体管T1和第二晶体管T2可以设置在缓冲膜BFL上。另一方面，根据发明构思的另一实施例，第一晶体管T1和第二晶体管T2中的一些可以被修改为底栅结构。
像素限定膜PDL和有机发光二极管OLED可以设置在有机膜30上。像素限定膜PDL可以包括有机材料。第一电极AE设置在有机膜30上。第一电极AE通过穿透有机膜30的通孔连接到第二晶体管T2的输出电极。开口部分OP限定在像素限定膜PDL中。像素限定膜PDL的开口部分OP暴露第一电极AE的至少一部分。在发明构思的实施例中，可以省略像素限定膜PDL。
空穴控制层HCL、发光层EML、电子控制层ECL和第二电极CE可以顺序地布置在第一电极AE上。空穴控制层HCL可以包括空穴传输层。空穴控制层HCL还可以包括设置在空穴传输层与第一电极AE之间的空穴注入层。电子控制层ECL可以包括电子传输层。电子控制层ECL还可以包括设置在电子传输层与第二电极CE之间的电子注入层。第二电极CE可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)和镍(Ni)。
上堆叠结构UIL设置在第二电极CE上。上堆叠结构UIL包含多个绝缘层。多个绝缘层可以根据它们的功能而分成多个组。稍后将给出上堆叠结构UIL的详细描述。
图6C示出了从红色像素PX-R、绿色像素PX-G和蓝色像素PX-B的有机发光二极管产生的光的发射光谱。Y轴表示发射强度，第一曲线图L-B、第二曲线图L-G和第三曲线图L-R的发射强度彼此不相关。
如第一曲线图L-B中所示，蓝色像素PX-B中产生的第一光在第一中心波长范围内具有峰值。这里，中心波长范围被定义为其中可以布置峰值波长的范围。第一光可以具有至少410nm或更大并且480nm或更小的波长，第一中心波长范围可以是440nm或更大并且460nm或更小。如第二曲线图L-G中所示，绿色像素PX-G中产生的第二光在第二中心波长范围内具有峰值。第二光可以具有至少500nm或更大并且570nm或更小的波长，第二中心波长范围可以是515nm或更大并且545nm或更小。如第三曲线图L-B中所示，红色像素PX-R中产生的第三光在第三中心波长范围内具有峰值。第三光可以具有至少580nm或更大并且675nm或更小的波长，第三中心波长范围可以是610nm或更大并且645nm或更小。
图7A至图7D是示出根据发明构思的实施例的显示面板DP的堆叠结构的剖视图。图8是示出最小可察觉色差(MPCD)根据根据发明构思的实施例的显示面板DP的光学距离而变化的曲线图。图7A至图7D以简化的方式示出了有机发光二极管OLED和设置在有机发光二极管OLED上的上堆叠结构UIL。
如图7A至图7D中所示，上堆叠结构UIL包括多个层。上堆叠结构UIL的层设置为与有机发光二极管OLED相邻，以在从有机发光二极管OLED发射的光中引起干涉。如图3A中的第二曲线图GH-S中所示，以20°至40°的视角测量的色坐标布置在黑体曲线的上侧或左侧上的原因是因为上堆叠结构UIL满足后面描述的特定条件。
“特定条件”可以由设置在多个层的参考层与第二电极CE之间的层(在下文中，被称为干涉层)的光学距离来确定。单层的光学距离被定义为单层的折射率和单层的厚度的乘积。包括多个层的结构的光学距离被定义为多个层的光学距离的总和。
如图8中所示，因为设置得距离第二电极CE的上表面远于4000nm的光学距离的层布置得比有机发光二极管OLED的干涉距离远，因此，干涉效果低并且不影响三刺激值的变化。因此，参考层是上表面设置在距离第二电极CE的上表面4000nm的光学距离内的层并且可以被确定为设置在上述的干涉层中的最上干涉层上的干涉层。
也就是说，干涉层满足下式。n1,z是在第一干涉层在厚度方向上关于峰值波长的折射率。d1是第一干涉层的厚度。nq,z是在参考层的厚度方向上关于峰值波长的折射率。dq是参考层的厚度。
n1，zd1+n2，zd2…dq≤4000nm
如图7A至图7D中所示，上堆叠结构UIL可以包括第一保护层CPL、第二保护层PCL和封装层TFE。上堆叠结构UIL还可以包括除了上面的层之外的层，或者可以省略一些层。
第一保护层CPL防止随后的工艺(例如，等离子体工艺)对第二电极CE的损坏。第一保护层CPL可以包括有机材料。第一保护层CPL可以包括例如被称为HT01的空穴传输材料。此外，第一保护层CPL可以包括在参照图6B描述的有机发光二极管OLED中使用的其它有机材料。第一保护层CPL的折射率可以是1.5至2.2，厚度可以是45nm至120nm。
第二保护层PCL防止随后的无机材料的化学气相沉积工艺对作为有机层的第一保护层CPL的损坏。第二保护层PCL可以通过作为物理气相沉积法的溅射法形成。第二保护层PCL可以包括例如LiF。第二保护层PCL的折射率可以是1.3至2.2，厚度可以是10nm至50nm。
封装层TFE密封有机发光二极管OLED。封装层TFE可以包括至少一个无机膜(在下文中，被称为密封无机膜)和至少一个有机膜(在下文中，被称为密封有机膜)。
密封无机膜保护有机发光二极管OLED免受湿气/氧的影响，密封有机膜保护有机发光二极管OLED免受诸如灰尘颗粒的外来物质的影响。密封无机膜可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层并且不限于此。密封有机膜可以包括丙烯酸类有机膜并且不受具体限制。密封无机膜和密封有机膜可以通过沉积法形成，具体地，密封有机膜可以通过沉积丙烯酸单体形成。
图7A示出了其中顺序地堆叠有第一密封无机膜IOL1、密封有机膜OL和第二密封无机膜IOL2的封装层TFE。图7B示出了其中顺序地堆叠有密封有机膜OL和密封无机膜IOL的封装层TFE。图7C示出了其中顺序地堆叠有密封无机膜IOL和密封有机膜OL的封装层TFE。图7D示出了其中顺序地堆叠有第一密封无机膜IOL1、密封有机膜OL和第二密封无机膜IOL2的封装层TFE。
在图7A中示出的上堆叠结构UIL中，参考层RL可以是第一密封无机膜IOL1。这里，第一密封无机膜IOL1的折射率可以是1.5至1.9，厚度可以是800nm至2000nm。密封有机膜OL的折射率可以是1.4至1.8，厚度可以是1000nm至12000nm。第二密封无机膜IOL2的折射率可以是1.5至1.9，厚度可以是800nm至2000nm。
因为第一保护层CPL和第二保护层PCL的厚度相对薄，所以参考层RL由封装层TFE的堆叠结构确定。在图7A中，具有布置在距离第二电极CE的上表面4000nm的光学距离处的上表面的第一密封无机膜IOL1被确定为参考层RL。
在图7B中示出的上堆叠结构UIL中，参考层RL可以是密封有机膜OL。密封有机膜OL的折射率可以是1.4至1.8，厚度可以是1000nm至3000nm。密封无机膜IOL可以在与图7A的第二密封无机膜IOL2的条件基本相同的条件下形成。
在图7C中示出的上堆叠结构UIL中，参考层RL可以是密封有机膜OL。密封有机膜OL的折射率可以是1.4至1.8，厚度可以是1000nm至2500nm。在这种情况下，密封无机膜IOL可以具有1.5至1.9的折射率和500nm至1600nm的厚度。
图7B和图7C示出了其中密封有机膜OL是参考层RL的上堆叠结构UIL。然而，在发明构思的实施例中，密封无机膜IOL可以是参考层RL。此时，密封有机膜OL具有相对薄的厚度，密封无机膜IOL具有相对大的厚度。
在图7D中示出的上堆叠结构UIL中，参考层RL可以是密封有机膜OL。密封有机膜OL的折射率可以是1.4至1.8，厚度可以是1000nm至2000nm。此时，第一密封无机膜IOL1可以比图7A的第一密封无机膜IOL1薄。第一密封无机膜IOL1的折射率可以是1.5至1.9，厚度可以是500nm至1600nm。第二密封无机膜IOL2可以在与图7A的第二密封无机膜IOL2的条件基本相同的条件下形成。第二密封无机膜IOL2的折射率可以是1.5至1.9，厚度可以是800nm至2000nm。
图9是示出从根据发明构思的实施例的显示面板DP产生的光的传播路径的剖视图。图10A是示出根据发明构思的实施例的上堆叠结构UIL的一部分的光学干涉路径的剖视图。图10B是示出根据发明构思的实施例的上堆叠结构UIL的层间反射的曲线图。图10C是示出根据发明构思的实施例的上堆叠结构UIL的层间相变的曲线图。下面，参照图9至图10C，将更详细地描述在第二电极CE与参考层之间的干涉层对以20°至40°的视角测量的光的三刺激值的影响。
图9示出了从电子装置ED发射的发光层EML中产生的光所经过的路径。作为示例示出了图4A中示出的电子装置ED。根据该实施例，电子装置ED包括面板状输入传感器ISU，并且窗WU的基体层WU-BS的上表面被定义为电子装置ED的最上表面。此外，输入传感器ISU也包括一个无机层IOL-I和一个导电层CP-I。基于包括图7A中示出的上堆叠结构UIL的电子装置ED描述该实施例。第一保护层CPL、第二保护层PCL和第一密封无机膜IOL1在图9中被示出为第四层CPL、第五层PCL和第六层IOL1。
根据式1至3，随着光谱强度Le,Ω,λ的值增大，三刺激值Xr、三刺激值Yg和三刺激值Zb增大。
式1
式2
式3
根据下面的论文“Simulation of light emission from thin-filmmicrocavities,Kristiaan A.Neyts,J.Opt.Soc.Am.A/Vol.15,No.4/April 1998”，穿过多个层的光的强度K值可以由下面的式4来确定。式4中的K值可以基本等于式1至3中的Le,Ω,λ的值。
式4
由式4表示的穿过n个层(其中，n是3或更大的自然数)的光的强度可以应用于从图9中的电子装置ED发射的光(ED-L，在下文中，被称为外部发射光)的强度。这是因为发光层EML中产生的光(EML-L，在下文中，被称为源光)穿过多个层(即，空穴控制层HCL至基体层WU-BS)。
式4可以如下面的式5中所示地被分开，以检查n层之中的第i层至第n层的干涉效果。
另一方面，在横磁(TM)偏振条件下计算这里描述的式。TM偏振条件满足下面的关系。
在式5中，K'表示入射在第i层上的光的强度。这里，发光层是第一层(i＝1)。
式5
式6是根据式5中的i＝4总结的结果。
式6
在式6中，d4至dn表示每层的厚度。r(i)(i+1)表示第i层与第i+1层之间的反射系数。r(i)(t)表示第i层与设置在第i层下方的层之间的反射系数。
式6的分母由下面的式7给出。
式7
分母可以被解释为括号自变量的乘积。括号自变量分别与多个层相关。第四层CPL至第六层IOL1对外部发射光的强度K的影响可以由式8表示。
式8
求解式8以获得下面的式9。利用下面的关系表达式来使式8展开。
式9
式9中的除了1之外的六个自变量表示如图10A中所示的发生在第四层CPL至第六层IOL1中的六种干涉。六个自变量中的第一自变量与图10A的第一干涉路径LP4对应，第二自变量与图10A的第二干涉路径LP5对应，第三自变量与图10A的第三干涉路径LP6对应，第四自变量与图10A的第四干涉路径LP4-5对应，第五自变量与图10A的第五干涉路径LP5-6对应，第六自变量与图10A的第六干涉路径LP4-6对应。
式6的分母可以通过控制六个自变量来调节。当式6的分母值减小时，外部发射光的强度K值增大，当分母值增大时，外部发射光的强度K值减小。
在六条干涉路径中，第六干涉路径LP4-6被设定为主自变量。因为相邻层之间的反射系数小，所以忽略第二干涉路径LP5、第三干涉路径LP6和第五干涉路径LP5-6，因此谐振微弱地发生。
在图10B中，第一曲线图G34示出了第三层CE与第四层CPL之间的反射率，第二曲线图G45示出了第四层CPL与第五层PCL之间的反射率，第三曲线图G56示出了第五层PCL与第六层IOL1之间的反射率，第四曲线图G67示出了第六层IOL1与第七层OL之间的反射率。
第一干涉路径LP4和第四干涉路径LP4-5中的相邻层之间的反射系数相对大。然而，比第六层IOL1的厚度薄的第四层CPL和第五层PCL对光效率和光学特性影响不大。然而，光效率和45°光学特性受第四层CPL和第五层PCL的厚度的变化的影响。例如，在图3A中示出的第二曲线图GH-S中，为了不显著改变20°至40°的视角范围外的色坐标，固定与第一干涉路径LP4和第四干涉路径LP4-5对应的因子，通过仅调节与第六干涉路径LP4-6对应的第六因子来控制外部发射光的强度K。
这里，第四层CPL和第五层PCL的相对薄的厚度范围可以等于或大于10nm且等于或小于300nm。式9的第六自变量可以由下面的式10来表示。
式10
式10单独表示作为影响干涉的自变量的相位。在图10C中，第一曲线图G34示出了从第三层CE与第四层CPL之间的界面反射的光的相位变化，第二曲线图G45示出了从第四层CPL与第五层PCL之间的界面反射的光的相位变化，第三曲线图G56示出了从第五层PCL与第六层IOL1之间的界面反射的光的相位变化，第四曲线图G67示出了从第六层IOL1与第七层OL之间的界面反射的光的相位变化。如在第一曲线图G34中，穿过第三层CE与第四层CPL之间的界面的光相位根据光的波长而改变。
作为结果，式6可以由式11表示。
式11
当式11变为余弦值并且求绝对值时，式12如下。
式12
在式12中，分母的余弦函数如下。
cos(2(k4，zd4+k5，zd5+k6，zd6)+φ4，t+φ6，7)
由式12表示的外部发射光的强度K值可以通过余弦函数的括号自变量而增大或减小。也就是说，三刺激值Xr、三刺激值Yg和三刺激值Zb可以通过余弦函数的括号自变量而增大或减小。
余弦函数可以概括为下面的式13。
式13
cos(2(k1，zd1+k2，zd2...+kq，zdq)+φ1，CE+φq，q+1)
在式12中，第四层CPL由式13中的第一层表示，第一层是与第二电极CE的上表面接触的层。多个层从第一层至第q层顺序地堆叠。第q层与上面提及的参考层对应。
如果式13cos(2(k1，zd1+k2，zd2...+kq，zdq)+φ1，CE+φq，q+1)的括号自变量的值是0、2π、4π...，那么由式12表示的外部发射光的强度K值增大。也就是说，在从第一层至第q层的堆叠结构中发生相长干涉。
如果式13cos(2(k1，zd1+k2，zd2...+kq，zdq)+φ1，CE+φq，q+1)的括号自变量的值是π、3π...，那么由式12表示的外部发射光的强度K值减小。也就是说，在从第一层至第q层的堆叠结构中发生相消干涉。
如图3A中所示，为了使第一曲线图GH-R像第二曲线图GH-S那样改变，应该减小三刺激值Xr或者应该增大三刺激值Yg。可选择地，应该满足两个条件。
为了减小三刺激值Xr，应该减小外部光的强度(即，K值)，并且式13的括号自变量应该满足下面的式14。
式14
这里，m可以是0、1、2...。d1至dp是每层的厚度自变量，例如，d1是第一层的厚度。在式14中，ki,z由下面的式15表示。
式15
可以利用式15将式14表示为式16。
式16
θair可以是图9中示出的外部发射光ED-L的发射角θ，发射角θ可以是图1B中示出的视角。θair可以是20°至40°。特别地，θair可以是30°。λ是入射在第一层上的光的峰值波长。这里，n1,z是在第一层的厚度方向上关于峰值波长的折射率。
在式14和16中，Ф1,CE如下面的式17中所示。
式17
这里，r1,CE表示第一层(即，接触第二电极CE的上表面的层)关于有机发光二极管OLED的反射系数。换言之，r1,CE表示接触第二电极CE的上表面的层关于从第一电极AE到第二电极CE的结构的反射系数。因此，可以根据第二电极CE和第一电极AE的折射率以及设置在第二电极CE与第一电极AE之间的层的厚度和折射率来确定Ф1,CE。r1,CE可以包含虚数值和实数值。当Im(r1,CE)≥0时，满足0≤Ф1,CE≤π的条件，并且当Im(r1,CE)<0时，满足π<Ф1,CE<2π的条件。
如果第q层(或参考层)的折射率大于第q+1层的折射率，那么Φq,q+1是π，并且如果第q层(或参考层)的折射率小于第q+1层的折射率，那么Φq,q+1是0。
可以通过对从红色像素PX-R产生的光进行相消干涉来减小三刺激值Xr。因此，λ可以是610nm或更大且645nm或更小。
为了增大三刺激值Yg，应该增大外部发射光的强度(即，K值)，并且应该满足式18。式18的自变量与式16的自变量相同。
式18
可以通过对从蓝色像素PX-B产生的光进行相长干涉来增大三刺激值Yg。因此，λ可以是515nm或更大且545nm或更小。
可以满足式16和18以减小三刺激值Xr并增大三刺激值Yg。以这样的方式，可以减小从电子装置发射的光的三刺激值Xr以防止白色图像的略带红色的现象。可以增大从电子装置发射的光的三刺激值Yg，以防止白色图像的略带红色的现象。
根据上面的描述，当在色坐标中显示以20°至40°的视角测量的光的特性时，坐标布置在黑体曲线的左侧或上侧上。可以减小从电子装置发射的光的三刺激值Xr，以防止白色图像的略带红色的现象。可以增大从电子装置发射的光的三刺激值Yg，以防止白色图像的略带红色的现象。
虽然已经描述了发明构思的示例性实施例，但是理解的是，发明构思不应局限于这些示例性实施例，而是可以由本领域的普通技术人员在如要求的发明构思的精神和范围内做出各种改变和修改。

Claims (10)

1.一种发光显示面板，所述发光显示面板包括：
基体层；
发光元件，包括设置在所述基体层上的第一电极、设置在所述第一电极上的发光层和设置在所述发光层上的第二电极；以及
堆叠结构，设置在所述发光元件上并且包括多个层，
其中，所述多个层之中的第一层至第q层满足下面的式1和2中的至少一个，所述第一层与所述第二电极接触，
[式1]
[式2]
在式1和2中，m为0和自然数，n1,z至nq,z是在所述第一层至所述第q层中的每个的厚度方向上的折射率，d1至dq是所述第一层至所述第q层的各厚度，θair为20°至40°，式1中的λ为610nm或更大且645nm或更小，式2中的λ为515nm或更大且545nm或更小，
在式1和2中，Ф1,CE为下面的式3，
[式3]
在式3中，r1,CE被定义为所述第一层关于所述发光元件的反射系数，如果Im(r1,CE)≥0，那么0≤Ф1,CE≤π，如果Im(r1,CE)<0，那么π<Ф1,CE<2π，并且
在式1和2中，如果所述第q层的所述折射率大于第q+1层的所述折射率，那么Фq,q+1是π，如果所述第q层的所述折射率小于所述第q+1层的所述的折射率，那么Фq,q+1是0。
2.根据权利要求1所述的发光显示面板，其中，所述发光元件包括：第一发光元件，用于产生具有在440nm至460nm的范围内的峰值的蓝光；第二发光元件，用于产生具有在515nm至545nm的范围内的峰值的绿光；以及第三发光元件，用于产生具有在610nm至645nm的范围内的峰值的红光。
3.根据权利要求1所述的发光显示面板，其中，所述堆叠结构中的所述第一层至所述第q层满足下面的式4，
[式4]
n1，zd1+n2，zd2…nq，zdq≤4000nm。
4.根据权利要求3所述的发光显示面板，其中，在式4中，q是3至5。
5.根据权利要求1所述的发光显示面板，其中，所述堆叠结构包括顺序地堆叠的第一有机层、第一无机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
6.根据权利要求5所述的发光显示面板，其中，所述第q层是所述第二无机层。
7.根据权利要求6所述的发光显示面板，其中，所述第一有机层包括与所述发光元件的有机材料相同的有机材料，
其中，所述第一有机层和所述第一无机层的所述厚度是300nm或更小。
8.根据权利要求7所述的发光显示面板，其中，所述第一无机层包括氟化锂。
9.根据权利要求6所述的发光显示面板，其中，所述第二无机层和所述第三无机层中的每个包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。
10.根据权利要求6所述的发光显示面板，其中，所述第二无机层的折射率是1.5至1.9，所述第二无机层的厚度是800nm至2000nm。
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