CN109972201B - 用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法 - Google Patents
用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109972201B CN109972201B CN201910274689.XA CN201910274689A CN109972201B CN 109972201 B CN109972201 B CN 109972201B CN 201910274689 A CN201910274689 A CN 201910274689A CN 109972201 B CN109972201 B CN 109972201B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal
- diameter
- change
- power output
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/203—Controlling or regulating the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体晶体制造技术,旨在提供一种用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法。该方法包括:在直拉法生产硅单晶时使晶体进入等径生长过程,达到稳定状态;将晶体实际提拉速度设定为当前平均提拉速度,按照预定的变化率使实际提拉速度向设定提拉速度靠拢,直至晶体提拉速度恒定不随晶体直径波动变化;在晶体等径生长过程通过调整加热器功率控制晶体直径,具体是在当前加热平均功率基础上附加可变周期脉冲式功率输出。本发明通过对晶体直径变化速度、加速度的计算和临界值控制,使功率输出时间的关键点判断更为合理和准确;可以缩短直径变化对功率调节的响应时间滞后;不会对晶体直径造成较大扰动,不易造成晶体直径大幅度波动。
Description
技术领域
本发明专利适用于半导体晶体制造技术,具体涉及一种用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法。
技术背景
在传统的直拉法硅单晶生长过程中,一般通过调整晶体提拉速度来控制晶体直径。由于晶体直径变化对拉速调节响应速度快,因此可以获得较好的控径效果。为了控制和减少高端半导体级硅单晶内微缺陷,业内共识是通过晶体生长界面处V/G调控来实现。其中,G指晶体生长界面处温度梯度,主要由生长界面在热场内相对位置决定。因为晶体生长过程中生长界面位置受生长方法限制不可能大幅、剧烈波动,所以可认为G值基本不发生改变。V指晶体生长速度,可以通过晶体提拉速度来衡量。传统工艺在使用提拉速度变化控制晶体直径过程中,存在拉速大幅度波动的问题,容易使得晶体生长条件超出复合V/G范围,导致晶体质量下降,成品率低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是,克服现有技术中的缺陷和不足,提供一种用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法。
为解决技术问题,本发明的解决方案是:
提供一种用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法,是在晶体等径生长过程中将晶体提拉速度设定为固定值,通过调整加热功率实现晶体直径控制;具体包括以下步骤:
(1)在直拉法生产硅单晶时使晶体进入等径生长过程,达到稳定状态;
(2)将晶体实际提拉速度设定为当前平均提拉速度,按照预定的变化率使实际提拉速度向设定提拉速度靠拢,直至晶体提拉速度恒定不随晶体直径波动变化;
(3)在晶体等径生长过程通过调整加热器功率控制晶体直径,具体是在当前加热平均功率基础上附加可变周期脉冲式功率输出;附加功率输出幅度为0±15kw,输出时间小于120s;功率输出结束后回复到平均功率;功率调节周期,即两次附加功率输出起始点的时间间隔小于600s。
本发明中,步骤(1)中所述的达到稳定状态是指,晶体直径波动小于±1mm、晶体提拉速度波动范围±5mm/hr、平均提拉速度与设定提拉速度偏差范围±2mm/hr,以上状态维持时间大于15分钟,且距离最后一次热场温度调节的时间间隔大于20分钟。
本发明中,所述步骤(3)中,在晶体等径生长过程中实时跟踪测量晶体直径,附加功率输出幅度的数值是根据晶体直径偏差、晶体直径变化速度和晶体直径变化加速度影响下的单项功率输出值计算出来的加和值;最终的实际输出功率按下述方式计算:
当T=Ts时,开始下一个计算周期,并重新计时;
上述各式中:P为实际输出功率,为前一控制周期平均功率;T为单个控制周期内附加功率输出时间,Tc为附加功率输出时间闽值,Ts为设定控制周期;Kp、Ki、Kd分别为晶体直径变化速度、晶体直径偏差、晶体直径变化加速度影响下的单项功率输出值;
其中:
(1)对于晶体直径变化速度影响下的单项功率输出值Kp:
当|vφ|≥vc时,Kp=vφ×kp;
当|vφ|<vc时,Kp=0;
vφ为当前控制周期内直径变化速度,vc为直径变化速度设定阈值,ki为计算时Ki使用到的经验参数;
(2)对于晶体直径偏差影响下的单项功率输出值Ki:
当|Δφ|≥φc时,Ki=Δφ×ki;
当|Δφ|<φc时,Ki=0;
Δφ为晶体直径偏差,φc为设定直径变化阈值,ki为计算Ki时使用到的经验参数;
(3)对于晶体直径变化加速度影响下的单项功率输出值Kd:
当|aφ|≥ac时,Kd=aφ×kd;
当|aφ|<ac时,Kd=0;
aφ为当前控制周期内直径变化加速度,ac为直径变化加速度设定阈值,kd为计算Kd时使用到的经验参数。
本发明中,晶体直径控制过程中的控制目标为:使晶体实际直径偏差范围为0.01~0.1mm,晶体直径变化速率的偏差范围为0.1~1mm/hr。
本发明中还提供了另一种用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法,是将前述任意一项晶体直径控制方法中的加热功率这一参数替换为热场温度。改用热场温度作为控制参数时,以Kp、Ki、Kd分别作为晶体直径变化速度、晶体直径偏差、晶体直径变化加速度三个因素作为温度调节附加值的计算结果,Kp+Ki+Kd计算结果作为热场温度调节附加值,且kp、ki、kd作为经验参数进行相适应的调整;在此时,P作为实际输出热场温度,作为前一控制周期平均热场温度;而Kp、Ki、Kd的计算公式、T为单个控制周期内附加功率输出时间、Tc为附加功率输出时间阈值、Ts为设定控制周期数值,这些均保持不变。
发明原理描述:
在传统的直拉法硅单晶生长过程中面临的最大的困难是,加热器功率变化需要通过硅熔体传到到晶体生长界面;随晶体直径、熔体质量的增大,从加热器功率变化到晶体直径发生响应变化存在较长的时间滞后,通常这一滞后达到10-30分钟。因此在晶体直径偏离目标值时,进行功率调节往往很难及时纠正直径偏差,最终造成系统热震荡,使直径控制偏差较大甚至无法检测到直径信号。
为此,本发明对功率调节方法和直径变化趋势判断策略提出改良,能够在更准确的控制点进行功率调节,脉冲式的功率输出缩短了系统反应时间,最终实现有效直径控制。本发明提出的可变周期脉冲式功率输出,其输出功率附加幅度、输出时间和输出时间间隔均需根据不同热场尺寸、装料量、生长晶体尺寸的实际生产条件进行调整。例如,装料量和磁场增大都会延长反应时间,需要延长控制周期才能避免反应之后造成的过调,当装料量增大或存在磁场等增加直径对功率变化反应时滞性条件时需响应增大输出时间,反之则缩短。
由于在硅单晶生产过程中,加热器的加热功率变化直接导致热场温度的变化,且两者之间的迟滞响应变化情况相似。因此,可以将加热器功率这一参数替换为热场温度作为控制对象,同样适用本发明所述控制原理。
本发明中,晶体等径生长时控制晶体提拉速度恒定,并通过加热功率的变化调整晶体直径,从而使晶体生长条件在G值合适的条件下,始终处于最合适的生长窗口之内,从而提高晶体质量,提高成品率。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、本发明通过对晶体直径变化速度、加速度的计算和临界值控制,从而使功率输出时间的关键点判断更为合理和准确。
2、传统控制方法的小幅度长周期的功率调整模式下,直径变化响应时间需要15-30分钟,晶体直径较目标值偏离较大。本发明中控制加热器输出功率的方式是在前一阶段基础功率基础上附加大幅度、短时间的脉冲形式,这种脉冲式输出可以缩短直径变化对功率调节的响应时间滞后。
3、本发明中,脉冲式功率调节能避免功率输出时累加值过大,即每次功率调节单次增加或减少的能量绝对值较小,并不会对晶体直径造成较大扰动,而且不易导致因累积能量输出过大造成晶体直径大幅度波动。
附图说明
图1为晶体生长直径与加热器功率关系曲线。
图2为晶体生长直径与热场温度关系曲线。
图1中各曲线:1晶体直径,2加热器功率。
图2中各曲线:3晶体提拉速度,4热场温度,5加热器功率,6晶体直径。
具体实施方式
下面通过具体实施方式对本发明作进一步说明:
以上以较佳实施例公布了本发明,然其并非用以限制本发名,凡采取等同替换或等效变换的方案所获得的技术方案,均落在本发明专利的保护范围内。
实施例1:
使用24寸热场生长直径210mm晶体,装料量120kg。晶体经过引晶、放肩、转肩步骤后,进入等径生长阶段。晶体等径生长初期,设定直径与目标直径,设定生长速度于实际生长速度等均存在较大偏差,当晶体等径长度达到100mm时,晶体实际直径为210.8mm,偏差小于1mm;晶体平均生长速度33.4-33.8mm/hr,目标生长速度35mm/hr,偏差小于2mm/hr,并维持15分钟,热场温度设定点恒定达到20分钟,判定可执行本发明所述直径控制方法。
执行本发明所述直径控制方法,晶体提拉速度35mm/hr,速度波动范围限定为±1%,功率附加幅度为0±8kw,输出时间120s,两次功率调节周期360s。直径偏差阈值φc=0.05mm,直径变化速度阈值vc=0.01mm/hr,直径变化加速度阈值ac=0.004mm/hr2,kp=45,ki=0.4,kd=20;
曲线1所示控径过程部分输出计算过程及结果如下:
1、晶体实际直径210.74mm,晶体直径偏差Δφ=0.74mm,晶体直径变化速度(控制周期内直径变化)0.053mm/hr,直径变化加速度0.01067mm2/hr
(1)晶体直径变化速度影响下的单项功率输出值Kp:
|0.0533|≥0.01,所以Kp=0.0533×45=2.3985;
(2)晶体直径偏差影响下的单项功率输出值Ki:
|0.74|≥0.05,所以Ki=0.74×0.4=0.296;
(3)对于晶体直径变化加速度影响下的单项功率输出值Kd:
|0.01067|≥0.01,所以Kd=0.01067×20=0.2134;
功率输出附加值计算结果为:
Kp+Ki+Kd=2.3985+0.296+0.2134=2.9079Kw
2、晶体实际直径209.43mm,晶体直径偏差Δφ=-0.57mm,晶体直径变化速度0.0421mm/hr,直径变化加速度-0.02878mm2/hr
(1)对于晶体直径变化速度影响下的单项功率输出值Kp:
|0.0421|≥0.01,所以Kp=0.0421×45=1.8945;
(2)晶体直径偏差影响下的单项功率输出值Ki:
|-0.57|≥0.05,所以Ki=-0.57×0.4=-0.228;
(3)对于晶体直径变化加速度影响下的单项功率输出值Kd:
|-0.2878|≥0.01,所以Kd=-0.2878×20=-5.756;
功率输出附加值计算结果为:
Kp+Ki+Kd=1.8945+(-0.228)+(-5.756)=-4.0895Kw
3、晶体实际直径209.97mm,并处于持续缩小阶段,晶体直径偏差Δφ=-0.03mm,晶体直径变化速度0.0083mm/hr,直径变化加速度-0.04939mm2/hr
(1)晶体直径变化速度影响下的单项功率输出值Kp:
|0.0083|<0.01,所以Kp=0;
(2)晶体直径偏差影响下的单项功率输出值Ki:
|-0.03|≥0.05,所以Ki=0;
(3)晶体直径变化加速度影响下的单项功率输出值Kd:
|-0.04939|≥0.01,所以Kd=-0.04939×20=-0.8978;
功率输出附加值计算结果为:
Kp+Ki+Kd=0+0+(-0.8978)=-0.8978Kw
实施例2:热场温度的控制示例
使用24寸热场生长直径210mm晶体,装料量120kg。晶体经过引晶、放肩、转肩步骤后,进入等径生长阶段。晶体等径生长初期,设定直径与目标直径,设定生长速度于实际生长速度等均存在较大偏差,当晶体等径长度达到100mm时,晶体实际直径为210.8mm,偏差小于1mm;晶体平均生长速度33.4-33.8mm/hr,目标生长速度35mm/hr,偏差小于2mm/hr,并维持15分钟,热场温度设定点恒定达到20分钟,判定可执行本发明所述直径控制方法。
执行本发明所述直径控制方法,晶体提拉速度35mm/hr,速度波动范围限定为±1%,功率附加幅度为0±8kw,输出时间120s,两次功率调节周期360s。控制周期内直径变化阈值0.05mm,直径变化速度阈值0.01mm/hr,直径变化加速度阈值0.004mm/hr2。因热场温度与加热器功率之间存在控制闭环(全自动直拉硅单晶生长炉控制系统普遍应用该功能),晶体直径变化满足控制调节要求时,热场温度设定改变,通过控制闭环调整加热器功率改变,完成控制过程。与实施例1相比,控制系统内热场温度对直径变化的响应以及加热器功率对热场温度设定的响应时间间隔约几毫秒,可认为是在同一时间发生,
曲线2所示控径过程部分输出计算过程如实施例1所示,计算结果如下表所示:
目标直径(mm) | 210 | 210 | 210 |
当前实际直径(mm) | 210.58 | 209.12 | 210.31 |
参数名称 | |||
k<sub>p</sub> | 42 | 42 | 42 |
k<sub>i</sub> | 0.02 | 0.02 | 0.02 |
k<sub>d</sub> | 17 | 17 | 17 |
K<sub>p</sub> | 2.2386 | 1.7682 | 2.2386 |
K<sub>i</sub> | 0.0116 | 0.0116 | 0.0116 |
K<sub>d</sub> | 0.18139 | -4.8926 | -4.8926 |
控制周期内直径变化 | 0.0533 | 0.0421 | 0.0533 |
直径偏差 | 0.58 | -0.88 | 0.31 |
直径变化加速度 | 0.01067 | -0.2878 | -0.2878 |
热场温度设定点变化 | 2.43159 | -3.1128 | -2.6424 |
Kp+Ki+Kd= | 3.039488 | -3.891 | -3.303 |
Claims (3)
1.一种用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法,其特征在于,是在晶体等径生长过程中将晶体提拉速度设定为固定值,通过调整加热功率实现晶体直径控制;具体包括以下步骤:
(1)在直拉法生产硅单晶时使晶体进入等径生长过程,达到稳定状态;
所述的达到稳定状态是指,晶体直径波动小于±1mm、晶体提拉速度波动范围±5mm/hr、平均提拉速度与设定提拉速度偏差范围±2mm/hr,以上状态维持时间大于15分钟,且距离最后一次热场温度调节的时间间隔大于20分钟;
(2)将晶体实际提拉速度设定为当前平均提拉速度,按照预定的变化率使实际提拉速度向设定提拉速度靠拢,直至晶体提拉速度恒定不随晶体直径波动变化;
(3)在晶体等径生长过程通过调整加热器功率控制晶体直径,具体是在当前的加热平均功率基础上附加可变周期脉冲式功率输出;附加的功率输出幅度为0±15kw,输出时间小于120s;功率输出结束后回复到加热平均功率;功率调节周期,即两次附加的功率输出起始点的时间间隔小于600s;
所述步骤(3)中,在晶体等径生长过程中实时跟踪测量晶体直径,附加的功率输出幅度的数值是根据晶体直径偏差、晶体直径变化速度和晶体直径变化加速度影响下的单项功率输出值计算出来的加和值;最终的实际输出功率按下述方式计算:
当T=Ts时,开始下一个计算周期,并重新计时;
上述各式中:P为实际输出功率,为前一控制周期的加热平均功率;T为单个控制周期内附加的功率输出时间,Tc为附加的功率输出时间阈值,Ts为设定控制周期;Kp、Ki、Kd分别为晶体直径变化速度、晶体直径偏差、晶体直径变化加速度影响下的单项功率输出值;
其中:
(1)对于晶体直径变化速度影响下的单项功率输出值Kp:
当|vφ|≥vc时,Kp=vφ×kp;
当|vφ|<vc时,Kp=0;
vφ为当前控制周期内直径变化速度,vc为直径变化速度设定阈值,kp为计算Kp时使用到的经验参数;
(2)对于晶体直径偏差影响下的单项功率输出值Ki:
当|△φ|≥φc时,Ki=△φ×ki;
当|△φ|<φc时,Ki=0;
△φ为晶体直径偏差,φc为设定直径变化阈值,ki为计算Ki时使用到的经验参数;
(3)对于晶体直径变化加速度影响下的单项功率输出值Kd:
当|aφ|≥ac时,Kd=aφ×kd;
当|aφ|<ac时,Kd=0;
aφ为当前控制周期内直径变化加速度,ac为直径变化加速度设定阈值,kd为计算Kd时使用到的经验参数。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,晶体直径控制过程中的控制目标为:使晶体实际直径偏差范围为0.01~0.1mm,晶体直径变化速率的偏差范围为0.1~1mm/hr。
3.一种用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法,其特征在于,是将权利要求1所述晶体直径控制方法中的加热功率这一参数替换为热场温度。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910274689.XA CN109972201B (zh) | 2019-04-07 | 2019-04-07 | 用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910274689.XA CN109972201B (zh) | 2019-04-07 | 2019-04-07 | 用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109972201A CN109972201A (zh) | 2019-07-05 |
CN109972201B true CN109972201B (zh) | 2020-09-11 |
Family
ID=67083313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910274689.XA Active CN109972201B (zh) | 2019-04-07 | 2019-04-07 | 用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109972201B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111020691A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-04-17 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 拉制晶棒的系统和控制方法 |
CN113293433B (zh) * | 2020-02-21 | 2022-08-16 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶棒生长控制方法以及控制系统 |
CN113445120A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-09-28 | 无锡松瓷机电有限公司 | 单晶硅生长控制方法、装置、设备及计算机存储介质 |
CN113584576B (zh) * | 2021-07-30 | 2022-05-03 | 上海众壹云计算科技有限公司 | 晶体直径生长的自动控制方法、装置、电子设备和存储介质 |
CN115125611B (zh) * | 2022-06-28 | 2023-09-05 | 晶科能源股份有限公司 | 一种智能化拉晶工艺方法 |
CN115198351B (zh) * | 2022-08-19 | 2023-11-24 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种自动生长低温敏感人工晶体材料加热功率控制方法 |
CN117737845A (zh) * | 2022-09-20 | 2024-03-22 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种拉晶方法、单晶硅棒和单晶炉 |
CN115640983B (zh) * | 2022-11-18 | 2023-03-07 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 功率调整方法、装置、计算机设备和存储介质 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0536405B1 (en) * | 1991-04-26 | 2000-03-01 | Mitsubishi Materials Corporation | Process for pulling up single crystal |
US6776840B1 (en) * | 1999-03-22 | 2004-08-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling diameter of a silicon crystal in a locked seed lift growth process |
-
2019
- 2019-04-07 CN CN201910274689.XA patent/CN109972201B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109972201A (zh) | 2019-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109972201B (zh) | 用于直拉法硅单晶生长过程的晶体直径控制方法 | |
TWI485293B (zh) | 於生長製程中用於控制矽晶錠直徑的方法與設備 | |
CN112725883B (zh) | 控制单晶硅尾部长度的方法及单晶炉收尾方法 | |
TWI740669B (zh) | 晶棒生長控制方法以及控制系統 | |
CN110528069B (zh) | 一种直拉硅单晶的自动调温方法 | |
CN110528068B (zh) | 直拉硅单晶的引晶方法及其制造方法 | |
CN112064109A (zh) | 一种对半导体硅材料晶体长晶放肩形状的控制方法 | |
CN103834991A (zh) | 无温度信号处理开环式功率自控晶体生长控制方法 | |
CN105803519A (zh) | 一种m2型单晶硅快速收尾方法 | |
CN110528067B (zh) | 一种直拉硅单晶的温度控制方法 | |
US10472732B2 (en) | Method for manufacturing single crystal | |
CN104911697B (zh) | 提拉单晶炉晶体恒组分生长控制系统和方法 | |
KR102064617B1 (ko) | 잉곳 성장 제어장치 및 이에 적용되는 잉곳 성장 제어방법 | |
CN108660507B (zh) | 直拉法硅棒生产过程中快速收尾方法 | |
CN104213195B (zh) | 一种低温pvt控制单晶生长包裹物缺陷的方法 | |
KR101443492B1 (ko) | 잉곳 성장 제어장치 및 이를 구비한 잉곳 성장장치 | |
CN110438561A (zh) | 一种控制热场温度工艺 | |
KR102051024B1 (ko) | 잉곳 성장온도 제어장치 및 이를 구비한 잉곳 성장장치 | |
CN104932470B (zh) | 一种滞后对象时间补偿控制方法 | |
KR101565674B1 (ko) | 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법 | |
CN114318512B (zh) | 一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法 | |
JP5505359B2 (ja) | ヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置 | |
US20100319612A1 (en) | Method of producing silicon single crystal | |
CN116200817A (zh) | 一种功率脉冲引晶方法 | |
CN115874274A (zh) | 一种直拉法硅单晶新型扩肩方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: 312300 No. 218 Tongjiang West Road, Shangyu District, Shaoxing, Zhejiang. Patentee after: ZHEJIANG JINGSHENG M&E Co.,Ltd. Address before: No.218, Tongjiang West Road, Shangyu District, Hangzhou City, Zhejiang Province Patentee before: ZHEJIANG JINGSHENG M&E Co.,Ltd. |
|
CP02 | Change in the address of a patent holder |