CN109972026B - 一种利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺，该制备工艺按以下步骤进行；步骤1：准备材料；步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包；步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350‑1420℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中；步骤4：完成步骤3后，待金属锶全融化后，然后对其进行搅拌后，浇入孕育模锭中，然后空冷至室温即可制成块状的硅锶孕育剂；步骤5：将成块状的硅锶孕育剂放入破碎机中，按要求进行破碎成合适的粒度，最后打包即可。

Description

一种利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺

技术领域

本发明涉及硅锶孕育剂，具体的说是一种利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺。

背景技术

工业化制备硅锶孕育剂多数采用碳热法和熔炼法。采用中频感应电炉应用熔炼法制备硅锶孕育剂，多数是将所有炉料一起加入炉膛内熔炼。75低铝硅铁的熔化温度为1290~1340ºC，金属锶的熔化温度为769℃。由于熔化温度相差较多，二者同时入炉熔炼导致金属锶烧损严重。低熔点金属的一种主要消耗方式是熔炼损耗、挥发，

金属锶的熔点为769℃，75硅铁（含硅72％~80％）的熔点为1290～1340℃，二者的熔化温度相差达500多度。应用中频感应电炉采用熔配法制备硅锶孕育剂，通常的做法是将所有原材料一次加入炉膛熔炼，这样金属锶烧损很大。不仅浪费了锶这种贵重和稀缺的金属，而且还污染环境。

因此开发一种合适的熔炼方式和合金化处理温度，有助于减少低熔点金属损耗。本专利发明一种利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺，能有效解决金属锶烧损大，能高效生产硅锶孕育剂。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，针对以上现有技术的缺点，提出一种利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺，能够制备硅锶孕育剂的组分按质量百分比为：Si：45-80％，Sr：0.5-5.0％，Ca<0.1％，Al<0.5％，余量Fe；

所述硅锶孕育剂的制备工艺采用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂，该制备工艺按以下步骤进行；

步骤1：准备材料，该材料包括：适量的低铝硅铁、适量的金属锶、适量的覆盖剂，所述覆盖剂由大颗粒状的低铝硅铁、小颗粒状的低铝硅铁组成，其中低铝硅铁采用低铝硅铁TFeSi75-A，金属锶的纯度Sr≥99％，大颗粒状低铝硅铁的粒度大小为2~5mm，小颗粒状低铝硅铁粒度大小为0.1~2mm；

步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包，将步骤1中的小颗粒状低铝硅铁均匀的铺在球化室底部，铺设厚度为10-15mm，然后将金属锶放入球化室中，然后再将金属锶与球化室之间的间隙用小颗粒状低铝硅铁均匀填充，最后再在金属锶上表面用大颗粒状低铝硅铁均匀覆盖，厚度为10-15mm，然后用表面光滑且平整的压板压平即可；

步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350-1420℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中，当球化包中的低铝硅铁熔体最高点与堤坝齐平并且向球化室蔓延时，仍继续均速倾倒，直至低铝硅铁熔体全部倾倒为止；

步骤4：完成步骤3后，待金属锶全融化后，然后对其进行搅拌后，浇入孕育模锭中，然后空冷至室温即可制成块状的硅锶孕育剂；

步骤5：将成块状的硅锶孕育剂放入破碎机中，按要求进行破碎成合适的粒度，最后打包即可。

本技术方案中通过堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂，由于低铝硅铁的熔化温度为1290~1340ºC，金属锶的熔化温度为769℃，通过在金属锶底部和表面覆盖一层覆盖剂，能够有效延缓熔化，小颗粒状的低铝硅铁设置在底部能起到保护作用，采用堤坝式结构，能够对低铝硅铁熔体形成阻挡，并且延缓低铝硅铁熔体在高温的状态下过早与金属锶接触；

同时金属锶表面还覆盖有破碎后的低铝硅铁颗粒，采用颗粒状能够增加导热，缩短融化时间，并且在融化的过程中能够进一步降低溶液温度，当熔体与金属锶接触时，温度已近低于初始温度，通过该方法能够大大降低金属锶的过烧和损失，有效提高金属锶收得率，降低生产成本。金属锶烧损率有所降低，锶的收得率提高比原熔炼方法提高3%~5%。

由Sr-Si二元合金相图可知，当Sr的含量越高时其熔点越低。因此控制低铝硅铁的出炉温度，有助于减少低熔点金属锶的烧损。同时Sr：0.5-5.0％，当金属锶含量越高即需要被冲入熔体熔化的冷金属锶越多，由于堤坝式球化包容量有限，经过大量的实践验证和理论分析得出，采用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂时，锶的含量不能高，不宜超过5%，Sr-Si二元合金相图为公知技术。

每熔炼一吨锶含量为2%的硅锶孕育剂可少加入金属锶约1.02~1.65公斤。本申请人年实际生产销售约700吨。以金属锶市场价格56000元/吨计算，年节约原材料资金约为40110元~64940元。

缩短炉料熔化时间，降低能耗，其中Ca、Al为低铝硅铁中的杂质，减少烟尘污染，保护环境。

本技术方案的进一步限定方案

前述球化室的面积占堤坝式球化包的三分之一，球化包占堤坝式球化包的三分之二。

前述的覆盖剂的质量不超过低铝硅铁和金属锶质量总和的5%。

前述的硅锶孕育剂的组分按质量百分比为：Si：45-50％，Sr：0.6-1.2％，Ca<0.02％，Al<0.1％，余量Fe；

所述硅锶孕育剂的制备工艺采用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂，该制备工艺按以下步骤进行；

步骤1：准备材料，该材料包括：适量的低铝硅铁、适量的金属锶、适量的覆盖剂，所述覆盖剂由大颗粒状的低铝硅铁、小颗粒状的低铝硅铁组成，其中低铝硅铁采用低铝硅铁TFeSi75-A，金属锶的纯度Sr≥99％，大颗粒状低铝硅铁的粒度大小为2~5mm，小颗粒状低铝硅铁粒度大小为0.1~2mm；

步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包，将步骤1中的小颗粒状低铝硅铁均匀的铺在球化室底部，铺设厚度为10mm，然后将金属锶放入球化室中，然后再将金属锶与球化室之间的间隙用小颗粒状低铝硅铁均匀填充，最后再在金属锶上表面用大颗粒状低铝硅铁均匀覆盖，厚度为10mm，然后用表面光滑且平整的压板压平即可；

步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350-1420℃℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中，当球化包中的低铝硅铁熔体最高点与堤坝齐平并且向球化室蔓延时，仍继续均速倾倒，直至低铝硅铁熔体全部倾倒为止。

前述的硅锶孕育剂的组分按质量百分比为：Si：73-78％，Sr：1.0-2.0％，Ca<0.09％，Al<0.4％，余量Fe；

所述硅锶孕育剂的制备工艺采用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂，该制备工艺按以下步骤进行；

步骤1：准备材料，该材料包括：适量的低铝硅铁、适量的金属锶、适量的覆盖剂，所述覆盖剂由大颗粒状的低铝硅铁、小颗粒状的低铝硅铁组成，其中低铝硅铁采用低铝硅铁TFeSi75-A，金属锶的纯度Sr≥99％，大颗粒状低铝硅铁的粒度大小为2~5mm，小颗粒状低铝硅铁粒度大小为0.1~2mm；

步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包，将步骤1中的小颗粒状低铝硅铁均匀的铺在球化室底部，铺设厚度为11mm，然后将金属锶放入球化室中，然后再将金属锶与球化室之间的间隙用小颗粒状低铝硅铁均匀填充，最后再在金属锶上表面用大颗粒状低铝硅铁均匀覆盖，厚度为12mm，然后用表面光滑且平整的压板压平即可；

步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350-1420℃℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中，当球化包中的低铝硅铁熔体最高点与堤坝齐平并且向球化室蔓延时，仍继续均速倾倒，直至低铝硅铁熔体全部倾倒为止。

前述的硅锶孕育剂的组分按质量百分比为：Si：70-75％，Sr：3-5％，Ca<0.06％，Al<0.3％，余量Fe；

所述硅锶孕育剂的制备工艺采用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂，该制备工艺按以下步骤进行；

步骤1：准备材料，该材料包括：适量的低铝硅铁、适量的金属锶、适量的覆盖剂，所述覆盖剂由大颗粒状的低铝硅铁、小颗粒状的低铝硅铁组成，其中低铝硅铁采用低铝硅铁TFeSi75-A，金属锶的纯度Sr≥99％，大颗粒状低铝硅铁的粒度大小为2~5mm，小颗粒状低铝硅铁粒度大小为0.1~2mm；

步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包，将步骤1中的小颗粒状低铝硅铁均匀的铺在球化室底部，铺设厚度为15mm，然后将金属锶放入球化室中，然后再将金属锶与球化室之间的间隙用小颗粒状低铝硅铁均匀填充，最后再在金属锶上表面用大颗粒状低铝硅铁均匀覆盖，厚度为15mm，然后用表面光滑且平整的压板压平即可；

步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350-1420℃℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中，当球化包中的低铝硅铁熔体最高点与堤坝齐平并且向球化室蔓延时，仍继续均速倾倒，直至低铝硅铁熔体全部倾倒为止。

本发明的有益效果：

通过堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂，通过在金属锶底部和表面覆盖一层覆盖剂，能够有效延缓熔化，小颗粒状的低铝硅铁设置在底部能起到保护作用，采用堤坝式结构，能够对低铝硅铁熔体形成阻挡，并且延缓低铝硅铁熔体在高温的状态下过早与金属锶接触；

同时金属锶表面还覆盖有破碎后的低铝硅铁颗粒，采用颗粒状能够增加导热，缩短融化时间，并且在融化的过程中能够进一步降低溶液温度，当熔体与金属锶接触时，温度已近低于初始温度，通过该方法能够大大降低金属锶的过烧和损失，有效提高金属锶收得率，降低生产成本。金属锶烧损率有所降低，锶的收得率提高比原熔炼方法提高3%~5%。每熔炼一吨锶含量为2%的硅锶孕育剂可少加入金属锶约1.02~1.65公斤。本申请人年实际生产销售约700吨。以金属锶市场价格56000元/吨计算，年节约原材料资金约为40110元~64940元。

附图说明

图1为本发明中堤坝式球化包的结构示意图。

具体实施方式

下面对本发明做进一步的详细说明；

实施例1

本实施例提供的一种硅锶孕育剂，所述硅锶孕育剂的组分按质量百分比为：Si：45-50％，Sr：0.6-1.2％，Ca<0.02％，Al<0.1％，余量Fe；

所述硅锶孕育剂的制备工艺采用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂，该制备工艺按以下步骤进行，其中球化室的面积占堤坝式球化包的三分之一，球化包占堤坝式球化包的三分之二；所述覆盖剂的质量为低铝硅铁和金属锶质量总和的3%；

步骤1：准备材料，该材料包括：适量的低铝硅铁、适量的金属锶、适量的覆盖剂，所述覆盖剂由大颗粒状的低铝硅铁、小颗粒状的低铝硅铁组成，其中低铝硅铁采用低铝硅铁TFeSi75-A，金属锶的纯度Sr≥99％，大颗粒状低铝硅铁的粒度大小为2~5mm，小颗粒状低铝硅铁粒度大小为0.1~2mm；

步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包，将步骤1中的小颗粒状低铝硅铁均匀的铺在球化室底部，铺设厚度为10mm，然后将金属锶放入球化室中，然后再将金属锶与球化室之间的间隙用小颗粒状低铝硅铁均匀填充，最后再在金属锶上表面用大颗粒状低铝硅铁均匀覆盖，厚度为10mm，然后用表面光滑且平整的压板压平即可；

步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350-1420℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中，当球化包中的低铝硅铁熔体最高点与堤坝齐平并且向球化室蔓延时，仍继续均速倾倒，直至低铝硅铁熔体全部倾倒为止；

步骤4：完成步骤3后，待金属锶全融化后，然后对其进行搅拌后，浇入孕育模锭中，然后空冷至室温即可制成块状的硅锶孕育剂；

步骤5：将成块状的硅锶孕育剂放入破碎机中，按要求进行破碎成合适的粒度，最后打包即可。

该工艺能够制的如下硅锶孕育剂：

1、硅锶孕育剂：Si：45％，Sr：0.6％，Ca：0.01％，Al：0.01％，余量Fe；其中将步骤3中的温度加热至1360℃即可；

2、硅锶孕育剂：Si：50％，Sr：1.2％，Ca：0.012％，Al：0.08％，余量Fe，其中将步骤3中的温度加热至1420℃即可；

3、硅锶孕育剂：Si：48％，Sr：0.8％，Ca：0.018％，Al：0.05％，余量Fe，其中将步骤3中的温度加热至1380℃即可。

实施例2

本实施例提供的一种硅锶孕育剂，所述硅锶孕育剂的组分按质量百分比为：Si：73-78％，Sr：1.0-2.0％，Ca<0.09％，Al<0.4％，余量Fe；

所述硅锶孕育剂的制备工艺采用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂，该制备工艺按以下步骤进行，其中球化室的面积占堤坝式球化包的三分之一，球化包占堤坝式球化包的三分之二；所述覆盖剂的质量为低铝硅铁和金属锶质量总和的4%；

步骤1：准备材料，该材料包括：适量的低铝硅铁、适量的金属锶、适量的覆盖剂，所述覆盖剂由大颗粒状的低铝硅铁、小颗粒状的低铝硅铁组成，其中低铝硅铁采用低铝硅铁TFeSi75-A，金属锶的纯度Sr≥99％，大颗粒状低铝硅铁的粒度大小为2~5mm，小颗粒状低铝硅铁粒度大小为0.1~2mm；

步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包，将步骤1中的小颗粒状低铝硅铁均匀的铺在球化室底部，铺设厚度为12mm，然后将金属锶放入球化室中，然后再将金属锶与球化室之间的间隙用小颗粒状低铝硅铁均匀填充，最后再在金属锶上表面用大颗粒状低铝硅铁均匀覆盖，厚度为13mm，然后用表面光滑且平整的压板压平即可；

步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350-1420℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中，当球化包中的低铝硅铁熔体最高点与堤坝齐平并且向球化室蔓延时，仍继续均速倾倒，直至低铝硅铁熔体全部倾倒为止；

步骤4：完成步骤3后，待金属锶全融化后，然后对其进行搅拌后，浇入孕育模锭中，然后空冷至室温即可制成块状的硅锶孕育剂；

步骤5：将成块状的硅锶孕育剂放入破碎机中，按要求进行破碎成合适的粒度，最后打包即可。

该工艺能够制的如下硅锶孕育剂：

1、硅锶孕育剂：Si：73％，Sr：1.0％，Ca：0.08％，Al：0.3％，余量Fe；其中将步骤3中的温度加热至1420℃即可；

2、硅锶孕育剂：Si：75％，Sr：1.5％，Ca：0.06％，Al：0.2％，余量Fe，其中将步骤3中的温度加热至1400℃即可；

3、硅锶孕育剂：Si：78％，Sr：2.0％，Ca：0.05％，Al：0.1％，余量Fe，其中将步骤3中的温度加热至1380℃即可。

实施例3

本实施例提供的一种硅锶孕育剂，所述硅锶孕育剂的组分按质量百分比为：Si：70-75％，Sr：3-5％，Ca<0.06％，Al<0.3％，余量Fe；

所述硅锶孕育剂的制备工艺采用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂，该制备工艺按以下步骤进行，其中球化室的面积占堤坝式球化包的三分之一，球化包占堤坝式球化包的三分之二；所述覆盖剂的质量为低铝硅铁和金属锶质量总和的5%；

步骤1：准备材料，该材料包括：适量的低铝硅铁、适量的金属锶、适量的覆盖剂，所述覆盖剂由大颗粒状的低铝硅铁、小颗粒状的低铝硅铁组成，其中低铝硅铁采用低铝硅铁TFeSi75-A，金属锶的纯度Sr≥99％，大颗粒状低铝硅铁的粒度大小为2~5mm，小颗粒状低铝硅铁粒度大小为0.1~2mm；

步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包，将步骤1中的小颗粒状低铝硅铁均匀的铺在球化室底部，铺设厚度为15mm，然后将金属锶放入球化室中，然后再将金属锶与球化室之间的间隙用小颗粒状低铝硅铁均匀填充，最后再在金属锶上表面用大颗粒状低铝硅铁均匀覆盖，厚度为15mm，然后用表面光滑且平整的压板压平即可；

步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350-1420℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中，当球化包中的低铝硅铁熔体最高点与堤坝齐平并且向球化室蔓延时，仍继续均速倾倒，直至低铝硅铁熔体全部倾倒为止；

步骤4：完成步骤3后，待金属锶全融化后，然后对其进行搅拌后，浇入孕育模锭中，然后空冷至室温即可制成块状的硅锶孕育剂；

步骤5：将成块状的硅锶孕育剂放入破碎机中，按要求进行破碎成合适的粒度，最后打包即可。

该工艺能够制的如下硅锶孕育剂：

1、硅锶孕育剂：Si：75％，Sr：3％，Ca：0.05％，Al：0.2％，余量Fe；其中将步骤3中的温度加热至1380℃即可；

2、硅锶孕育剂：Si：72％，Sr：4％，Ca：0.04％，Al：0.1％，余量Fe，其中将步骤3中的温度加热至1400℃即可；

3、硅锶孕育剂：Si：70％，Sr：5％，Ca：0.03％，Al：0.12％，余量Fe，其中将步骤3中的温度加热至1420℃即可。

以上实施例仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明保护范围之内。

Claims (6)

1.一种利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺，其特征在于：利用该制备方法能够生产的硅锶孕育剂的组分按质量百分比为：Si：45-80％，Sr：0.1-5.0％，Ca<0.1％，Al<0.5％，余量Fe；

并且该制备方法按以下步骤进行；

步骤1：准备材料，该材料包括：适量的低铝硅铁、适量的金属锶、适量的覆盖剂，所述覆盖剂由大颗粒状的低铝硅铁、小颗粒状的低铝硅铁组成，其中低铝硅铁采用低铝硅铁TFeSi75-A，金属锶的纯度Sr≥99％，大颗粒状低铝硅铁的粒度大小为2~5mm，小颗粒状低铝硅铁粒度大小为0.1~2mm；

步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包，将步骤1中的小颗粒状低铝硅铁均匀的铺在球化室底部，铺设厚度为10-15mm，然后将金属锶放入球化室中，然后再将金属锶与球化室之间的间隙用小颗粒状低铝硅铁均匀填充，最后再在金属锶上表面用大颗粒状低铝硅铁均匀覆盖，厚度为10-15mm，然后用表面光滑且平整的压板压平即可；

步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350-1420℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中，当球化包中的低铝硅铁熔体最高点与堤坝齐平并且向球化室蔓延时，仍继续均速倾倒，直至低铝硅铁熔体全部倾倒为止；

步骤4：完成步骤3后，待金属锶全融化后，然后对其进行搅拌后，浇入孕育模锭中，然后空冷至室温即可制成块状的硅锶孕育剂；

步骤5：将成块状的硅锶孕育剂放入破碎机中，按要求进行破碎成合适的粒度，最后打包即可。

2.根据权利要求1所述的利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺，其特征在于：所述球化室的面积占堤坝式球化包的三分之一，球化包占堤坝式球化包的三分之二。

3.根据权利要求1所述的利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺，其特征在于：所述覆盖剂的质量不超过低铝硅铁和金属锶质量总和的5%。

4.根据权利要求1所述的利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺，其特征在于：所述硅锶孕育剂的组分按质量百分比为：Si：45-50％，Sr：0.6-1.2％，Ca<0.02％，Al<0.1％，余量Fe；

所述硅锶孕育剂的制备工艺采用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂，该制备工艺按以下步骤进行；

步骤1：准备材料，该材料包括：适量的低铝硅铁、适量的金属锶、适量的覆盖剂，所述覆盖剂由大颗粒状的低铝硅铁、小颗粒状的低铝硅铁组成，其中低铝硅铁采用低铝硅铁TFeSi75-A，金属锶的纯度Sr≥99％，大颗粒状低铝硅铁的粒度大小为2~5mm，小颗粒状低铝硅铁粒度大小为0.1~2mm；

步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包，将步骤1中的小颗粒状低铝硅铁均匀的铺在球化室底部，铺设厚度为10mm，然后将金属锶放入球化室中，然后再将金属锶与球化室之间的间隙用小颗粒状低铝硅铁均匀填充，最后再在金属锶上表面用大颗粒状低铝硅铁均匀覆盖，厚度为10mm，然后用表面光滑且平整的压板压平即可；

步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350-1420℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中，当球化包中的低铝硅铁熔体最高点与堤坝齐平并且向球化室蔓延时，仍继续均速倾倒，直至低铝硅铁熔体全部倾倒为止。

5.根据权利要求1所述的利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺，其特征在于：所述硅锶孕育剂的组分按质量百分比为：Si：73-78％，Sr：1.0-2.0％，Ca<0.09％，Al<0.4％，余量Fe；

所述硅锶孕育剂的制备工艺采用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂，该制备工艺按以下步骤进行；

步骤1：准备材料，该材料包括：适量的低铝硅铁、适量的金属锶、适量的覆盖剂，所述覆盖剂由大颗粒状的低铝硅铁、小颗粒状的低铝硅铁组成，其中低铝硅铁采用低铝硅铁TFeSi75-A，金属锶的纯度Sr≥99％，大颗粒状低铝硅铁的粒度大小为2~5mm，小颗粒状低铝硅铁粒度大小为0.1~2mm；

步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包，将步骤1中的小颗粒状低铝硅铁均匀的铺在球化室底部，铺设厚度为11mm，然后将金属锶放入球化室中，然后再将金属锶与球化室之间的间隙用小颗粒状低铝硅铁均匀填充，最后再在金属锶上表面用大颗粒状低铝硅铁均匀覆盖，厚度为12mm，然后用表面光滑且平整的压板压平即可；

步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350-1420℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中，当球化包中的低铝硅铁熔体最高点与堤坝齐平并且向球化室蔓延时，仍继续均速倾倒，直至低铝硅铁熔体全部倾倒为止。

6.根据权利要求1所述的利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺，其特征在于：所述硅锶孕育剂的组分按质量百分比为：Si：70-75％，Sr：3-5％，Ca<0.06％，Al<0.3％，余量Fe；

所述硅锶孕育剂的制备工艺采用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂，该制备工艺按以下步骤进行；

步骤1：准备材料，该材料包括：适量的低铝硅铁、适量的金属锶、适量的覆盖剂，所述覆盖剂由大颗粒状的低铝硅铁、小颗粒状的低铝硅铁组成，其中低铝硅铁采用低铝硅铁TFeSi75-A，金属锶的纯度Sr≥99％，大颗粒状低铝硅铁的粒度大小为2~5mm，小颗粒状低铝硅铁粒度大小为0.1~2mm；

步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包，将步骤1中的小颗粒状低铝硅铁均匀的铺在球化室底部，铺设厚度为15mm，然后将金属锶放入球化室中，然后再将金属锶与球化室之间的间隙用小颗粒状低铝硅铁均匀填充，最后再在金属锶上表面用大颗粒状低铝硅铁均匀覆盖，厚度为15mm，然后用表面光滑且平整的压板压平即可；

步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350-1420℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中，当球化包中的低铝硅铁熔体最高点与堤坝齐平并且向球化室蔓延时，仍继续均速倾倒，直至低铝硅铁熔体全部倾倒为止。

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