CN1099546A - 电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺 - Google Patents

Abstract

一种电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工 艺，它包括抗静电膜材料的制备和在电子元器件上涂 布、固化等工序，制备的导电型抗静电膜能将电子元 器件静电敏感通道的两极短路；而制备的绝缘型抗静 电膜的作用是隔绝静电保护电子元器件免遭外界静 电的损伤，该电子元器件防静电之措施：不仅抗静电 膜的制备工艺简单、易掌握，而且抗静电膜的去除还 容易、绝缘型抗电膜还具有不影响焊接之优点。

Description

本发明涉及一种电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，属电子元器件防静电损伤技术领域。

静电对电子元器件有着严重的危害，国外有关资料指出：在元器件制造行业中，每年由于静电损伤所引起的损失占总产值的16%～22%。静电何以会对电子元器件有如此大的危害？原因有二：一是有些电子元器件抗静电能力很差，例如GaAs微波低噪声场效应晶体管某些型号200伏左右的静电便会使之损伤失效;二是外因静电的产生和存在非常普遍且对地有很高的电位，据美国西方电器公司丹佛工厂对和电子元器件接触最多的人的测定，坐在椅子上工作的人平均带电800伏，在地毯上走动的人平均带电15000伏，这样高的静电对只耐几百伏特静电的电子元器件来说：如不做好防护，无一不是挨上死、碰上亡，为此，在电子元器件制造行业，近年来人们想了许多办法、采取了许多措施来防止静电对电子元器件的损伤，然而，目前人们所采取的防静电措施不是使用不便，便是效果不太理想，如GaAs微波低噪声场效应晶体管的某些检验工序为防止静电损伤采取的缠腿的办法，即采取用金属丝将晶体管的三个极（S、G、D）短路起来使其电极成为等位体的防静电损伤措施，它检验前需将元器件管腿一个个的缠好，检验完后还必须将缠绕元器件管腿的金属丝去掉，逐个元器件的缠腿解腿不但费时费力，而且在操作过程中有时还会因金属丝和管腿接触不良造成电子元器件的静电损伤;而象抗静电袋、防静电盒之类的用具，它们既不能用于检验过程，也不能带着进行焊接，只能在包装储存运输中起防静电作用，有很大的局限性。

本发明的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种为提高电子元器件自身的抗静电能力，而在其外部的某一部位制备一种抗静电膜的工艺，即电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺。

本发明的目的是这样实现的：这种为提高电子元器件自身的抗静电能力，而在其外部的某一部位制备一种抗静电膜的工艺，即电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，它包括抗静电膜材料的制备和在电子元器件上涂布、固化等工序。

而所述的抗静电膜材料可以是以导电材料粉、松香粉和乙醇为原料均混制备的稀糊状胶液，各物质的重量比为：

导电材料粉    5

松香    3～6

乙醇    2～6;

也可以是松香熔液;还可以是以松香粉和乙醇为原料均混制备的稀糊状胶液，各物质的重量比为：

松香    15

乙醇    2～6。

而前述的以导电材料粉、松香粉和乙醇为原料均混制备的抗静电膜材料（稀糊状胶液）为导电型抗静电膜材料，它是涂布在电子元器件静电敏感通道的两极间、固化后在电子元器件静电敏感通道的两极间形成用于将电子元器件静电敏感通道的两极短路的抗静电膜的。

而前述的松香熔液、以松香粉和乙醇为原料均混制备的抗静电膜材料（稀糊状胶液）均为绝缘型抗静电膜材料，它们是涂布在电子元器件静电敏感的部位、固化后在电子元器件静电敏感的部位上形成用于将电子元器件静电敏感的部位绝缘封闭的抗静电膜的。

而前述的抗静电膜材料固化工序可以是自然凉干固化;也可以是在50℃～60℃的烘箱内烘干固化。

本发明所提供的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，工艺简单、易掌握，制备的抗静电膜利用乙醇浸泡即可去除，去除容易且制备的绝缘型抗静电膜还不影响焊接，具有现有技术-缠腿法、抗静电袋和防静电盒之类用具等防静电措施不可比拟的优点。

下面结合实施例对本发明作进一步的详述：

实施例1：

本实施例所提供的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，它包括抗静电膜材料的制备和在电子元器件上涂布、固化等工序，它是首先以导电材料粉-石黑粉和松香粉、乙醇、PF胶为原料均混制备抗静电膜材料（稀糊状胶液），各物质的重量比为：

石黑粉    10

松香    9

乙醇    5

PF胶    3，

再用接地镊子夹住电子元器件，在其静电敏感的管腿和接地腿之间涂布抗静电膜材料胶液（使两腿短路），然后再将涂上抗静电膜材料胶液的电子元器件放进烘箱内（50℃～60℃）烘干固化制备抗静电膜的。

实施例2：

本实施例所提供的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，它包括抗静电膜材料的制备、PF胶保护剂的制备和在电子元器件上涂布、固化等工序，它是首先将琥珀粉均混入松香熔液中制备抗静电膜材料，各物质的重量比为：

松香    2

琥珀    1;

以乙醇稀释PF胶制备PF胶保护剂，各物质的重量比为：

PF胶    2

乙醇    1，

再用接地镊子夹住电子元器件，在其静电敏感的管腿上蘸涂制备的抗静电膜材料，再在电子元器件已蘸涂抗静电膜材料的电子元器件管腿上蘸涂PF胶保护剂，然后再将蘸涂上抗静电膜材料和PF胶保护剂的电子元器件放进烘箱内（50℃～60℃）烘干固化制备抗静电膜的。

实施例3：

本实施例所提供的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，它包括抗静电膜材料的制备和在电子元器件上涂布、固化等工序，它是首先以松香粉、琥珀粉、乙醇和PF胶为原料均混制备抗静电膜材料，各物质的重量比为：

松香    15

琥珀    6

乙醇    3

PF胶    2，

再用接地镊子夹住电子元器件，在其静电敏感的管腿上蘸涂制备的抗静电膜材料，然后再将蘸涂上抗静电膜材料的电子元器件放进烘箱内（50℃～60℃）烘干固化制备抗静电膜的。

Claims (8)

1、一种电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：

它包括抗静电膜材料的制备和在电子元器件上涂布、固化等工序。

2、根据权利要求1所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：其抗静电膜材料为稀糊状胶液，是以导电材料粉、松香粉和乙醇为原料均混制备的，各物质的重量比为：

导电材料粉  5

松香  3～6

乙醇  2～6;

是涂布在电子元器件静电敏感通道的两极间、固化后在电子元器件静电敏感通道的两极间形成用于将电子元器件静电敏感通道的两极短路的抗静电膜的。

3、根据权利要求1所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：其抗静电膜材料为松香溶液，是将制备的抗静电膜材料涂布在电子元器件静电敏感的部位、固化后在电子元器件静电敏感的部位上形成用于将电子元器件静电敏感的部位绝缘封闭的抗静电膜的。

4、根据权利要求1所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：其抗静电膜材料稀糊状胶液，是以松香粉和乙醇为原料均混制备的，各物质的重量比为：

松香  15

乙醇  2～6;

是涂布在电子元器件静电敏感的部位、固化后在电子元器件静电敏感的部位上形成用于将电子元器件静电敏感的部位绝缘封闭的抗静电膜的。

5、根据权利要求2所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：制备的抗静电膜材料的导电材料粉为石黑粉，制备的抗静电膜材料中还均混有PF胶，各物质的重量比为：

石黑  10

松香  9

乙醇  5

PF胶  3。

6、根据权利要求3所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：它还包括PF胶保护剂的制备和涂布等工序，是将制备的PF胶保护剂涂布在电子元器件已涂布抗静电膜材料的电子元器件部位，然后再固化制备抗静电膜的，而所述的PF胶保护剂是以乙醇稀释PF胶制备的，各物质的重量比为：

PF胶  2

乙醇  1。

7、根据权利要求3或6所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：制备的抗静电膜材料-松香熔液中还均混有琥珀粉，各物质的重量比为：

松香  2

琥珀  1。

8、根据权利要求4所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：制备的抗静电膜材料中还均混有琥珀粉和PF胶，各物质的重量比为：

松香  15

琥珀  6

乙醇  3

PF胶  2。