CN109950379B - 多面发光的芯片级封装led及其制作方法、背光模组 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种多面发光的芯片级封装LED及其制作方法、背光模组，该芯片级封装LED包括倒装LED芯片，将倒装LED芯片正面发光面和相对的两个侧面发光面覆盖的发光转换胶层，将另外两个侧面发光面覆盖的反射胶层，即该芯片级封装LED包括三个发光面，相比现有只包括一个发光面的芯片级封装LED，该多面发光的芯片级封装LED能减弱芯片级封装LED之间出现暗区的现象；本发明提供的包括上述多面发光的芯片级封装LED的背光模组，相比现有背光模组，在相同效果下可减少芯片级封装LED的数量，降低制造成本；本发明提供的多面发光的芯片级封装LED的制作方法，可以制作出上述多面发光的芯片级封装LED。

Description

多面发光的芯片级封装LED及其制作方法、背光模组

技术领域

本发明涉及LED领域，尤其涉及一种多面发光的芯片级封装LED的制作方法。

背景技术

随着CSP LED(Chip Scale Package Light Emitting Diode，芯片级封装发光二极管)器件的发展，芯片级封装LED的应用环境也越来越多，市场对芯片级封装LED的要求也越来越高。

目前，请参见图1，芯片级封装LED包括倒装LED芯片101、荧光胶层102和反射白胶层103。因此，现有芯片级封装LED只有顶部发光，其侧面并不能发光，但由于芯片级封装LED之间必然存在一定的间隔，这就造成芯片级封装LED之间存在明显的暗区，为了消除芯片级封装LED之间的暗区，现有技术中通过采用密集设置LED器件以降低芯片级封装LED之间的距离，并通过专有的透镜设计或使用特殊扩散板来消除暗区达到理想的显示效果，这就导致制作模组所需芯片级封装LED的数量无法降低，因此模组产品的成本也无法降低。

发明内容

本发明实施例提供一种多面发光的芯片级封装LED及其制作方法、背光模组，主要解决的技术问题是：现有为消除单面发光芯片级封装LED之间的暗区采用密布置芯片级封装LED并结合透镜设计或使用特殊扩散板导致结构复杂、成本高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种多面发光的芯片级封装LED的制作方法，包括：

在底膜上排列设置至少一列倒装LED芯片；

在所述底膜上形成覆盖所述倒装LED芯片正面发光面和侧面发光面的发光转换胶层；

将所述底膜上各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层去除；

在所述各列倒装LED芯片左右两侧形成对所述倒装LED芯片侧面发光面发出的光进行反射的反射胶层；

对所述各列倒装LED芯片进行切割得到分离的芯片级封装LED。

可选的，将所述底膜上各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层去除包括：

沿所述各列倒装LED芯片的列方向切割所述发光转换胶层；

在所述发光转换胶层上方贴附第一粘性膜，并去除所述底膜；

在所述倒装LED芯片底部贴附第二粘性膜；

去除所述第一粘性膜，所述第一粘性膜被去除时所述各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层被粘在所述第一粘性膜上随所述第一粘性膜一起去除，以在所述各列倒装LED芯片左右两侧形成缝隙。

可选的，在所述各列倒装LED芯片左右两侧形成对所述倒装LED芯片侧面发光面发出的光进行反射的反射胶层包括：

在所述各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙内灌反射胶；

将所述反射胶进行固化得到反射胶层。

可选的，在所述各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙内灌反射胶包括：

在所述发光转换胶层上面贴附第三粘性膜；

从所述第二粘性膜和所述第三粘性膜之间灌反射胶，所述反射胶填满所述缝隙。

可选的，所述反射胶为绝缘反射胶，所述第二粘性膜为平面膜，从所述第二粘性膜和所述第三粘性膜之间灌反射胶时，所述LED芯片底部正负电极之间的缝隙同时被填满所述反射胶。

可选的，对所述各列倒装LED芯片进行切割得到分离的芯片级封装LED包括：

将所述第三粘性膜去除；

分别沿着所述各列LED芯片列的方向和行的方向进行切割，并将所述第二粘性膜除去。

可选的，所述第一粘性膜为高温热解胶膜或UV膜，所述第二粘性膜为高温热解胶膜或UV膜，所述第三粘性膜为高温热解胶膜或UV膜。

本发明还提供一种多面发光的芯片级封装LED，包括：倒装LED芯片，所述倒装LED芯片具有正面发光面以及相对设置的第一侧面发光面、第二侧面发光面和相对设置的第三侧面发光面和第四侧面发光面；

所述芯片级封装LED还包括将所述正面发光面、所述第一侧面发光面和所述第二侧面发光面覆盖的发光转换胶层，以及将所述第三侧面发光面和所述第四侧面发光面覆盖的反射胶层。

可选的，所述倒装LED芯片底部具有正电极和负电极，所述芯片级封装LED还包括设置于所述正电极和所述负电极之间的反射胶层。

本发明还提供一种背光模组，包括导光板和设置于所述导光板侧面的LED组件，所述LED组件包括上述任一项所述的多面发光的芯片级封装LED。

本发明的有益效果是：

本发明提供的多面发光的芯片级封装LED的制作方法，通过在底膜上排列设置至少一列倒装LED芯片，在底膜上形成覆盖倒装LED芯片正面发光面和侧面发光面的发光转换胶层，将底膜上各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层去除，在各列倒装LED芯片左右两侧形成对倒装LED芯片侧面发光面发出的光进行反射的反射胶层，对各列倒装LED芯片进行切割得到分离的芯片级封装LED，该制作方法工艺简单，可一次性制作多个芯片级封装LED，且制作出的芯片级封装LED包括正面发光面和未被反射胶层覆盖的侧面发光面，即该芯片级封装LED为多面发光的芯片级封装LED，相对现有单面发光的芯片级封装LED而言，该多面发光的芯片级封装LED可以提高光通量，减弱芯片级封装LED之间存在暗区的现象，因此，使用该多面发光的芯片级封装LED制作的背光模组，相比现有使用单面发光的芯片级封装LED制作出的背光模组而言，在相同的效果下，可以增加芯片级封装LED之间的距离，减少芯片级封装LED的数量，进而可降低背光模组的制作成本，且背光模组结构简单。

附图说明

图1为现有芯片级封装LED的结构示意图；

图2为本发明实施例一提供的多面发光的芯片级封装LED的制作方法的基本流程图；

图3为本发明实施例一提供的至少一列倒装LED芯片排列在底膜上的示例图；

图4为本发明实施例一提供的倒装LED芯片与底膜凹槽的关系第一示例图；

图5为本发明实施例一提供的倒装LED芯片与底膜凹槽的关系第二示例图；

图6-1为本发明实施例一提供的倒装LED芯片被发光转换胶层覆盖的第一示例图；

图6-2为本发明实施例一提供的倒装LED芯片被发光转换胶层覆盖的第二示例图；

图7-1为本发明实施例一提供的各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层被全部去除的示例图；

图7-2为本发明实施例一提供的各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层被部分去除的示例图；

图8-1为本发明实施例一提供的芯片级封装LED的第一结构的示例图；

图8-2为本发明实施例一提供的芯片级封装LED的第二结构的示例图；

图9为本发明实施例一提供的切割示例图；

图10为本发明实施例二提供的多面发光的芯片级封装LED的制作方法的细化流程图；

图11为本发明实施例二提供的倒装LED芯片排列在底膜凹槽中的示例图；

图12为本发明实施例二提供的倒装LED芯片被发光转换胶层覆盖的示例图；

图13为本发明实施例二提供的切割发光转换胶层的示例图；

图14为本发明实施例二提供的发光转换胶层与第一粘性膜的关系示例图；

图15为本发明实施例二提供的倒装LED芯片与第二粘性膜的关系示例图；

图16为本发明实施例二提供的各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙示例图；

图17为本发明实施例二提供的发光转换胶层与第三粘性膜的关系示例图；

图18为本发明实施例二提供的沿切割缝隙灌反射胶的示例图；

图19为本发明实施例二提供的多面发光的芯片级封装LED的结构示意图；

图20为本发明实施例三提供的倒装LED芯片第一侧面发光面与第二侧面发光面的示意图；

图21为本发明实施例三提供的多面发光的芯片级封装LED的第一结构示意图；

图22为本发明实施例三提供的多面发光的芯片级封装LED的第二结构示意图；

图23为本发明实施例三提供的倒装LED芯片正负电极之间的反射胶层与正负电极之间的第一关系示例图；

图24为本发明实施例三提供的倒装LED芯片正负电极之间的反射胶层与正负电极之间的第二关系示例图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面通过具体实施方式结合附图对本发明实施例作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例一：

为了解决现有单面发光芯片级封装LED之间存在明显暗区导致模组产品成本高的问题，本实施例提供一种多面发光的芯片级封装LED的制作方法，具体的可以参见图2，包括：

S201：在底膜上排列设置至少一列倒装LED芯片。

如图3所示，在底膜301上排列至少一列倒装LED芯片302。

可以理解的是，在底膜上排列设置至少一列倒装LED芯片可以是在底膜上排列设置一列倒装LED芯片，或在底膜上排列设置两列倒装LED芯片，或在底膜上排列设置三列倒装LED芯片等。其中，每列应当包括至少一个倒装LED芯片。

需要说明的是，本实施例中，底膜可以是平面膜，或具有凹凸结构的膜。在底膜为具有凹凸结构的膜时，可以将倒装LED芯片排列设置在底膜的凹槽中，在实际应用中，将倒装LED芯片排列设置在凹槽中后，倒装LED芯片的侧面发光面应当位于底膜凹槽外，为了达到倒装LED芯片的侧面发光面应当位于底膜凹槽外的效果，凹槽的高度应当与倒装LED芯片电极的高度相适配。其中，一个倒装LED芯片可以对应于一个凹槽，即将倒装LED芯片的正负电极设置于同一个凹槽中，如图4所示，倒装LED芯片401底部的正负电极402位于底膜403的一个凹槽中，倒装LED芯片401的侧面发光面位于凹槽外；一个倒装LED芯片也可以对应于两个凹槽，即将倒装LED芯片的正负电极分别设置于一个凹槽中，如图5所示，倒装LED芯片501底部的正电极502位于底膜503的一个凹槽中，负电极504位于底膜503的另一个凹槽中，倒装LED芯片501的侧面发光面位于凹槽外。

本实施例中，凹槽的高度与倒装LED芯片电极的高度相适配可以包括但不限于以下三种情况：

1、底膜凹槽的高度可以略大于倒装LED芯片电极的高度；

2、底膜凹槽的高度可以等于倒装LED芯片电极的高度；

3、底膜凹槽的高度可以略小于倒装LED芯片电极的高度。

本实施例中，底膜可以是没有粘性的膜，这样在后续去除底膜时，可以很容易将底膜去除；底膜也可以是具有粘性的膜，如高温热解胶膜或UV膜，这样就可以将排列在底膜上的倒装LED芯片固定，方便后续形成发光转换胶层的操作，具体选用哪种底膜可以根据具体需求灵活确定。

S202：在底膜上形成覆盖倒装LED芯片正面发光面和侧面发光面的发光转换胶层。

本实施例中，倒装LED芯片正面发光面为倒装LED芯片顶部的发光面，发光转换胶层可以是荧光胶层或其他胶层。

可以理解的是，本实施例中，可以通过点胶、模压、灌胶等方式在底膜上形成覆盖倒装LED芯片正面发光面和侧面发光面的发光转换胶层。

为便于理解，假设底膜为具有凹凸结构的膜，在底膜上形成覆盖倒装LED芯片正面发光面和侧面发光面的发光转换胶层后，请参见图6-1和图6-4，图6-1为俯视图，图6-2为正视图，底膜601上形成覆盖倒装LED芯片602正面发光面和侧面发光面的的发光转换胶层603。

S203：将底膜上各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层去除。

可以理解的是，本实施例中，上述各列倒装LED芯片与各行倒装LED芯片其本质上并无区别，即也可以将底膜上各行倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层去除。

需要说明的是，将底膜上各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层去除可以是将各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层全部去除，去除后，如图7-1所示，各列倒装LED芯片701左右两侧的发光转换胶层被全部去除，各列倒装LED芯片之间形成缝隙702，可以理解的是，此时，倒装LED芯片上方应该覆盖发光转换胶层，但是为便于理解，此处并未将倒装LED芯片上方的发光转换胶层显示出来；也可以是将各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层部分去除，例如，可以将各列倒装LED芯片之间中间部分的发光转换胶层去除，去除后，如图7-2所示，在各列倒装LED芯片703之间的中间部分形成缝隙704，可以理解的是，此时，倒装LED芯片上方应该覆盖发光转换胶层，但是为便于理解，此处并未将倒装LED芯片上方的发光转换胶层显示出来。

无论是将各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层全部去除还是部分去除，其目的是在各列倒装LED芯片左右两侧形成缝隙，以便于后续反射胶层的形成。

S204：在各列倒装LED芯片左右两侧形成对倒装LED芯片侧面发光面发出的光进行反射的反射胶层。

本实施例中，反射胶为绝缘反射胶；反射胶可以为反射白胶或其他具有反射效果的胶。

在各列倒装LED芯片左右两侧形成对倒装LED芯片侧面发光面发出的光进行反射的反射胶层的方式为：沿各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙灌反射胶，并进行反射胶固化。固化的方式可以是常温固化，也可以是高温固化。

其中，沿各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙灌反射胶的方式可以是：按照从LED芯片顶部到LED芯片底部的方向(也即正面方向)，沿各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙灌反射胶，或，从LED芯片顶部和LED芯片底部之间(也即从侧面方向)，沿各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙灌反射胶。

为了防止在进行灌反射胶时，反射胶溢出，将发光转换胶层覆盖，导致LED芯片上方无法出光的情况。从LED芯片顶部和LED芯片底部之间，沿各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙灌反射胶的过程可以是：先在发光转换胶层上面贴附覆盖膜，然后从LED芯片顶部和LED芯片底部之间沿各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙灌反射胶，使得反射胶填满各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙。其中，覆盖膜可以是没有粘性的膜，也可以是有粘性的膜，如高温热解胶膜或UV膜。

由于在各列倒装LED芯片左右两侧形成对倒装LED芯片侧面发光面发出的光进行反射的反射胶层时在发光转换胶层上贴附了覆盖膜，因此，在各列倒装LED芯片左右两侧形成对倒装LED芯片侧面发光面发出的光进行反射的反射胶层后，还应该包括去除覆盖膜。其中，去除覆盖膜可以是在步骤S 205之前进行的，也可以是在步骤S205中进行的。

S205：对各列倒装LED芯片进行切割得到分离的芯片级封装LED。

本实施例中，对各列倒装LED芯片进行切割得到分离的芯片级封装LED的过程可以为：分别沿着各列LED芯片列的方向和行的方向进行切割。

由于步骤S203中可以是将底膜上各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层全部去除或部分去除，因此，在步骤S205后得到的分离的芯片级封装LED的结构可以为，如图8-1所示，倒装LED芯片801的正面发光面和侧面发光面覆盖有发光转换胶层802，在发光转换胶层802和倒装LED芯片801的侧面以及倒装LED芯片正负电极之间覆盖有反射胶层803；芯片级封装LED的结构也可以为，如图8-2所示，倒装LED芯片804的正面发光面和相对的两个侧面发光面覆盖有发光转换胶层805，剩余两个侧面发光面和的侧面以及倒装LED芯片正负电极之间覆盖有反射胶层806。

需要说明的是，本实施例中，步骤S203中去除底膜上各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层的方式可以是：通过切割机在需要去除的发光转换胶层两侧各切割一次，然后将被切割下来的发光转换胶层去除，如图9所示，假设需要去除部分发光转换胶层901，则在部分发光转换胶层901的两侧沿切割线902切割，可以理解的是，此时，倒装LED芯片上方应该覆盖发光转换胶层，但是为便于理解，此处并未将倒装LED芯片上方的发光转换胶层显示出来；或者通过切割刀片具有一定宽度的切割机将需要去除的发光转换胶层切割去除。

由于各列倒装LED芯片的左右两侧的发光转换胶层被去除，因此，在各列倒装LED芯片左右两侧会形成缝隙。此时，步骤S204在各列倒装LED芯片左右两侧形成对倒装LED芯片侧面发光面发出的光进行反射的反射胶层的方式可以是：去除底膜，沿各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙灌反射胶，并进行反射胶固化，此时，由于各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙与倒装LED芯片底部正负电极之间的缝隙相通，因此，反射胶也会填满倒装LED芯片底部正负电极之间的缝隙。

步骤S203中去除底膜上各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层的方式也可以是：沿各列倒装LED芯片的列方向切割所述发光转换胶层，在发光转换胶层上方贴附第一粘性膜，并去除底膜，在倒装LED芯片底部贴附第二粘性膜，去除第一粘性膜，第一粘性膜被去除时各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层被粘在第一粘性膜上随所述第一粘性膜一起去除，以在各列倒装LED芯片左右两侧形成缝隙。本实施例中，可以先在发光转换胶层上方贴附第一粘性膜后，再去除底膜；也可以先去除底膜，再在发光转换胶层上方贴附第一粘性膜，其时序关系并无严格限制。

其中，第一粘性膜可以是高温热解胶膜或UV膜，第二粘性膜可以是高温热解胶膜或UV膜。第一粘性膜和第二粘性膜均为平面膜。

由于第二粘性膜为平面膜，因此各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙与倒装LED芯片底部正负电极之间的缝隙是相通的，在步骤S204在各列倒装LED芯片左右两侧形成对倒装LED芯片侧面发光面发出的光进行反射的反射胶层的过程中，在沿各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙灌反射胶时，反射胶会填满倒装LED芯片底部正负电极之间的缝隙。

此时，步骤S205对各列倒装LED芯片进行切割得到分离的芯片级封装LED包括：分别沿着各列LED芯片列的方向和行的方向进行切割，并将第二粘性膜除去。其中，可以先将第二粘性膜除去，再分别沿着各列LED芯片列的方向和行的方向进行切割；也可以先分别沿着各列LED芯片列的方向和行的方向进行切割，再将第二粘性膜除去，这样在一次切割后，由于第二粘性膜的粘性，可以防止倒装LED芯片的位置发生变化，在下一次切割时，可精准的找到切割位置。

本实施例提供的多面发光的芯片级封装LED的制作方法工艺简单，一次可制造多个芯片级封装LED，提高制作芯片级封装LED的效率；且通过本实施例提供的多面发光的芯片级封装LED的制作方法，可以制造出一种多面发光的芯片级封装LED，相比现有只包括一个发光面的芯片级封装LED，导致芯片级封装LED之间存在暗区现象而言，多面发光的芯片级封装LED可以提高光通量，减弱芯片级封装LED之间存在暗区的现象；使用多面发光的芯片级封装LED制作模组，在相同的效果下，可增加芯片级封装LED之间的距离，减少芯片级封装LED的数量，降低模组的制作成本。

实施例二：

为了更好的理解本发明，本实施例结合更加具体的示例进行说明，请参见图10所示，图10为本发明第二实施例提供的多面发光的芯片级封装LED的制作方法的细化流程图，该多面发光的芯片级封装LED的制作方法包括：

S1001：在底膜上排列设置至少一列倒装LED芯片。

本实施例中，请参见图11，底膜1101为具有凹槽的高温热解胶膜，倒装LED芯片1102排列设置在底膜1101的凹槽上，倒装LED芯片1102的侧面发光面位于凹槽外，倒装LED芯片1102底部电极的高度与凹槽的高度相等。

S1002：通过模压的方式在底膜上形成覆盖倒装LED芯片正面发光面和侧面发光面的发光转换胶层。

发光转换胶层为荧光胶层。

请参见图12，发光转换胶层1201覆盖倒装LED芯片1202。

S1003：沿各列倒装LED芯片的列方向切割发光转换胶层。

请参见图13，沿切割线1301切割发光转换胶层1302。

S1004：在发光转换胶层上方贴附第一粘性膜并去除底膜。

由于底膜为高温热解胶膜，去除底膜的过程为：加温去除底膜的粘性，去除底膜。第一粘性膜为高温热解胶膜。

本实施例中，可以先去除底膜，再在发光转换胶层上方贴附第一粘性膜，也可以先在发光转换胶层上方贴附第一粘性膜，再去除底膜。

在发光转换胶层上方贴附第一粘性膜并去除底膜后，请参见图14，发光转换胶层1401上方为第一粘性膜1402。

S1005：在倒装LED芯片底部贴附第二粘性膜。

第二粘性膜为平面高温热解胶膜。

请参见图15，在倒装LED芯片1501底部贴附第二粘性膜1502。

S1006：去除第一粘性膜，第一粘性膜被去除时各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层被粘在第一粘性膜上随第一粘性膜一起去除，以在各列倒装LED芯片左右两侧形成缝隙。

去除第一粘性膜后，由于第一粘性膜被去除时各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层被粘在第一粘性膜上随第一粘性膜一起去除，此时，请参见图16，得到各列倒装LED芯片1601左右两侧的缝隙1602。

S1007：在发光转换胶层上面贴附第三粘性膜。

第三粘性膜为高温热解胶膜，解除第三粘性膜粘性的温度低于解除第二粘性膜粘性的温度。

请参见图17，在发光转换胶层1701上面贴附第三粘性膜1702。

S1008：从第二粘性膜和第三粘性膜之间沿各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙灌反射胶，并将反射胶进行固化。

反射胶为绝缘反射白胶。

从第二粘性膜和第三粘性膜之间沿各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙灌反射胶后，由于各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙与倒装LED芯片底部正负电极之间的空隙是相通的，因此反射胶也会覆盖倒装LED芯片电极之间的空隙，请参见图18，倒装LED芯片底部正负电极1801之间的空隙1802以及各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙1803被反射胶填满。

S1009：将第三粘性膜去除，分别沿着各列LED芯片列的方向和行的方向进行切割，并将第二粘性膜除去。

其中，去除第三粘性膜和去除第二粘性膜可以同时进行，在去除第三粘性膜和第二粘性膜后，在分别沿着各列LED芯片列的方向和行的方向进行切割；也可以先去除第三粘性膜，然后分别沿着各列LED芯片列的方向和行的方向进行切割，再将第二粘性膜除去，此时，由于解除第三粘性膜粘性的温度低于解除第二粘性膜粘性的温度，在解除第三粘性膜时，不会对第二粘性膜造成影响，这样，在沿着各列LED芯片列的方向和行的方向进行切割时，由于第二粘性膜的固定作用，可以防止各LED芯片的位置发生变化。

切割后，请参见图19，得到单个芯片级封装LED，倒装LED芯片1901的其中两个相对的侧面和顶部覆盖有发光转换胶层1902，剩余两个侧面和倒装LED芯片1901电极之间的空隙覆盖有反射胶层1903。

通过本实施例提供的多面发光的芯片级封装LED的制作方法，可以制造出包括正面发光面和相对的两个侧面发光面的多面发光芯片级封装LED，相比现有仅包括顶部发光面的芯片级封装LED而言，本实施例提供的多面发光的芯片级封装LED的制作方法制作出来的多面发光芯片级封装LED可以避免芯片级封装LED之间出现暗区的现象，提升光学效果，且使用多面发光的芯片级封装LED制作模组，在相同效果下可以增加芯片级封装LED之间的距离，降低芯片级封装LED的用量，降低模组的制造成本。

实施例三：

本实施例提供一种多面发光的芯片级封装LED，其可通过上述各实施例所示例的方法制得，也可采用其他制取方法制得。该多面发光的芯片级封装LED包括：倒装LED芯片，该倒装LED芯片具有正面发光面以及相对设置的第一侧面发光面、第二侧面发光面和相对设置的第三侧面发光面和第四侧面发光面，请参见图20，倒装LED芯片2001相对设置的第一侧面发光面、第二侧面发光面可以为面2002和面2204，也可以为面2005和面2003。

该多面发光的芯片级封装LED还包括：将倒装LED芯片正面发光面、第一侧面发光面和第二侧面发光面覆盖的发光转换胶层，以及将第三侧面发光面和第四侧面发光面覆盖的反射胶层。其中，发光转换胶层可以仅覆盖倒装LED芯片的第一侧面发光面和第二侧面发光面，请参见图21，倒装LED芯片2101的第一发光面和第二发光面外覆盖有发光转换胶层2102，在第三发光面和第四发光面的侧面覆盖有反射胶层2103；发光转换胶层也可以覆盖倒装LED芯片的第一侧面发光面、第二侧面发光面、第三侧面发光面和第四侧面发光面，请参见图22，倒装LED芯片2201的侧面发光面和顶部发光面外覆盖有发光转换胶层2202，在发光转换胶层2201和倒装LED芯片2201的相对的两个侧面外覆盖有反射层2203。

本实施例中，发光转换胶层可以为荧光胶层或其他胶层，反射胶层为绝缘反射层，反射胶层可以为反射白胶层或其他具有反射效果的胶层。

为了防止多面发光的芯片级封装LED的底部漏光，本实施例提供的多面发光的芯片级封装LED还包括：设置于倒装LED芯片底部的正负电极之间的反射胶层。其中，设置于倒装LED芯片底部的正负电极之间的反射胶层的高度可以小于等于电极的高度，设置于倒装LED芯片底部的正负电极之间的反射胶层也可以将正负电极之间的空隙填满，也可以只覆盖部分正负电极之间的空隙。例如，如图23所示，设置于倒装LED芯片底部的正负电极之间的反射胶层2301位于倒装LED芯片2302的正负电极2303之间，设置于倒装LED芯片底部的正负电极之间的反射胶层2301的高度等于正负电极2303的高度，设置于倒装LED芯片底部的正负电极之间的反射胶层2301将正负电极2303之间的空隙填满；如图24所示，设置于倒装LED芯片底部的正负电极之间的反射胶层2401位于倒装LED芯片2402的正负电极2403之间，设置于倒装LED芯片底部的正负电极之间的反射胶层2401的高度小于正负电极2403的高度，设置于倒装LED芯片底部的正负电极之间的反射胶层2401只覆盖正负电极2403之间的部分空隙。

本实施例还提供一种背光模组，该背光模组包括导光板和设置于所述导光板侧面的LED组件，LED组件包括上述任意多面发光的芯片级封装LED。

本实施例提供的多面发光的芯片级封装LED，包括倒装LED芯片，将倒装LED芯片的正面发光面和相对的两个侧面发光面覆盖的发光转换胶层，以及将倒装LED芯片另外两个相对的侧面发光面覆盖的侧面反射胶层，这样，本实施例提供的多面发光的芯片级封装LED就包括正面发光面和两个相对的两个侧面发光面，相对现有只包括一个发光面的芯片级封装LED而言，本实施例提供的多面发光的芯片级封装LED可以减弱芯片级封装LED之间出现暗区的现象，提升光学效果，提高光通量。本实施例还提供一种背光模组，该背光模组包括导光板和设置于所述导光板侧面的LED组件，LED组件包括上述任意多面发光的芯片级封装LED，相比现有背光模组而言，改善了现有背光模组亮暗不均的情况，提高了光学效果，相比其它背光模组，在相同的效果下，可增加芯片级封装LED之间的距离，减少芯片级封装LED的数量，降低制造成本。

应当理解的是，本实施例提供的芯片级封装LED可以应用于各种发光领域，除了前面所示的将其应用于背光模组进而应用于显示背光领域(可以是电视、显示器、手机等终端的背光模组)外，还可应用于按键背光领域、拍摄领域、家用照明领域、医用照明领域、装饰领域、汽车领域、交通领域等。应用于按键背光领域时，可以作为手机、计算器、键盘等具有按键设备的按键背光光源；应用于拍摄领域时，可以制作成摄像头的闪光灯；应用于家用照明领域时，可以制作成落地灯、台灯、照明灯、吸顶灯、筒灯、投射灯等；应用于医用照明领域时，可以制作成手术灯、低电磁照明灯等；应用于装饰领域时可以制作成各种装饰灯，例如各种彩灯、景观照明灯、广告灯；应用于汽车领域时，可以制作成汽车车灯、汽车指示灯等；应用于交通领域时，可以制成各种交通灯，也可以制成各种路灯。上述应用仅仅是本实施例所示例的几种应用，应当理解的是CSP LED的应用并不限于上述示例的几种领域。

以上内容是结合具体的实施方式对本发明实施例所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种多面发光的芯片级封装LED的制作方法，其特征在于，包括：

在底膜上排列设置至少一列倒装LED芯片；

在所述底膜上形成覆盖所述倒装LED芯片正面发光面和侧面发光面的发光转换胶层；

将所述底膜上各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层去除；

在所述各列倒装LED芯片左右两侧形成对所述倒装LED芯片侧面发光面发出的光进行反射的反射胶层；

对所述各列倒装LED芯片进行切割得到分离的芯片级封装LED；

所述将所述底膜上各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层去除包括：

沿所述各列倒装LED芯片的列方向切割所述发光转换胶层；

在所述发光转换胶层上方贴附第一粘性膜，并去除所述底膜；

在所述倒装LED芯片底部贴附第二粘性膜；

去除所述第一粘性膜，所述第一粘性膜被去除时所述各列倒装LED芯片左右两侧的发光转换胶层被粘在所述第一粘性膜上随所述第一粘性膜一起去除，以在所述各列倒装LED芯片左右两侧形成缝隙。

2.如权利要求1所述的多面发光的芯片级封装LED的制作方法，其特征在于，在所述各列倒装LED芯片左右两侧形成对所述倒装LED芯片侧面发光面发出的光进行反射的反射胶层包括：

在所述各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙内灌反射胶；

将所述反射胶进行固化得到反射胶层。

3.如权利要求2所述的多面发光的芯片级封装LED的制作方法，其特征在于，在所述各列倒装LED芯片左右两侧的缝隙内灌反射胶包括：

在所述发光转换胶层上面贴附第三粘性膜；

从所述第二粘性膜和所述第三粘性膜之间灌反射胶，使得所述反射胶填满所述缝隙。

4.如权利要求3所述的多面发光的芯片级封装LED的制作方法，其特征在于，所述反射胶为绝缘反射胶，所述第二粘性膜为平面膜，从所述第二粘性膜和所述第三粘性膜之间灌反射胶时，所述LED芯片底部正负电极之间的缝隙同时被填满所述反射胶。

5.如权利要求3所述的多面发光的芯片级封装LED的制作方法，其特征在于，对所述各列倒装LED芯片进行切割得到分离的芯片级封装LED包括：

将所述第三粘性膜去除；

分别沿着所述各列LED芯片列的方向和行的方向进行切割，并将所述第二粘性膜除去。

6.如权利要求3-5任一项所述的多面发光的芯片级封装LED的制作方法，其特征在于，所述第一粘性膜为高温热解胶膜或UV膜，所述第二粘性膜为高温热解胶膜或UV膜，所述第三粘性膜为高温热解胶膜或UV膜。

7.一种多面发光的芯片级封装LED，其特征在于，所述多面发光的芯片级封装LED通过上述权利要求1-6任一项的多面发光的芯片级封装LED的制作方法制作而成，所述多面发光的芯片级封装LED包括：倒装LED芯片，所述倒装LED芯片具有正面发光面以及相对设置的第一侧面发光面、第二侧面发光面和相对设置的第三侧面发光面和第四侧面发光面；

所述芯片级封装LED还包括将所述正面发光面、所述第一侧面发光面和所述第二侧面发光面覆盖的发光转换胶层，以及将所述第三侧面发光面和所述第四侧面发光面覆盖的反射胶层。

8.如权利要求7所述的多面发光的芯片级封装LED，其特征在于，所述倒装LED芯片底部具有正电极和负电极，所述芯片级封装LED还包括设置于所述正电极和所述负电极之间的反射胶层。

9.一种背光模组，其特征在于，包括导光板和设置于所述导光板侧面的LED组件，所述LED组件包括如权利要求7或8所述的多面发光的芯片级封装LED。

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