CN109935707B - 一种复合物材料的制备方法与qled器件 - Google Patents

一种复合物材料的制备方法与qled器件 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种复合物材料的制备方法与QLED器件，方法包括步骤：提供表面连接有氨基或羧基的量子点材料；提供表面连接有氨基或羧基的TADF材料；将表面连接有氨基的量子点材料与表面连接有羧基的TADF材料混合，使所述量子点材料与所述TADF材料进行氨基与羧基的缩合反应，得到复合物材料；或将表面连接有羧基的量子点材料与表面连接有氨基的TADF材料混合，使所述量子点材料与所述TADF材料进行羧基与氨基的缩合反应，得到所述复合物材料。本发明复合物材料可以使TADF材料把能量更有效地传递给量子点，而且在量子点材料表面连接配体可以有效提高发光效率，增强QLED器件的电流效率和发光均匀性。

Description

一种复合物材料的制备方法与QLED器件
技术领域
本发明涉及QLED器件领域，尤其涉及一种复合物材料的制备方法与QLED器件。
背景技术
胶体量子点因其荧光效率高、单色性好，发光波长可调控和稳定性好而在显示器件领域有着可观的应用前景。基于量子点的发光二极管（量子点发光二极管，Quantum dotlight-emitting diode，QLED）具有更好的色彩饱和度、能效色温以及寿命长等优点，有望成为下一代固体照明和平板显示的主流技术。
量子点发光二极管一般包括量子点发光层，电极以及在这两者之间的功能层，其中功能层一般包括有空穴注入层，空穴传输层，电子传输层，阴极传输层等。人们不断改进材料体系、器件界面特征、发光材料优化，以改善器件的发光性能。
在电致发光过程中，通过构建合适的能量传递途径可以有效增强器件的发光效率。假设有这样一对荧光材料A与B，A的发射光谱与B的吸收光谱有较大的重叠，且A、B间距离足够接近(﹤10 nm)，那么当A处于激发态时，A就会以供体的身份把能量非辐射地传递给受体B，致使B发光或者仅作为淬灭剂而吸收能量，同时A的发光受到衰减或者淬灭，这种现象称为荧光共振能量传递(Förster Resonance Energy Transfer，FRET)。
同时，在电致发光过程中，形成单线态激子与三线态激子的统计概率为1:3，因此对于量子点电致荧光器件，其最大激子利用率通常不超过25%，这直接导致器件的效率低下、发热严重。
因此，通过有效设计出有机-无机复合量子点荧光材料，实现对含量高达75%的三重态激子的有效利用具有重要意义。而有机电致延迟荧光材料可有效利用三线态激子，延迟荧光材料按照发光机理可分为E-型延迟荧光和P-型延迟荧光。E-型延迟荧光也称为热激活延迟荧光（thermally activated delayed fluorescence，TADF），是一种热激活的长寿命荧光发射，由于在热激活的情况下，三重态激子通过反系间窜越过程（ReverseIntersystem Crossing, RISC）回到能量更高的单重态激发态，随后其通过辐射跃迁途径失活产生荧光。RISC过程的反应速率正比于玻尔兹曼能垒exp(-△EST/kT)（其中△EST为单线态和三线态间的能量差，k为ISC的速率），因此，随着△EST的减小，RISC的反应速率将趋近于ISC过程的反应速率。故而只要有足够的热量将三线态激子通过RISC过程转换为单线态激子，三线态激子就可能通过RISC过程回到单线态通过辐射跃迁过程失活。因此能利用△EST较小（小于100 meV）的TADF材料作为发光材料，则其可利用器件工作时候产生的热能，将注入生成的三线态激子通过反系间窜越过程（RISC）高效地转换为单线态激子，当主体材料与量子点发光材料具有良好的能量匹配关系时，主体分子至客体分子间能量转移的主导机制为长程Foster型能量转移，即单重态-单重态能量转移的方式，故有机-无机复合量子点荧光材料对激子的理论利用率也可达100%。
专利号为CN201610237544.9的发明专利中，通过将其所述TADF材料与量子点发光材料共掺杂形成所述发光层，和将其所述荧光材料在其所述发光层一侧或两侧形成能量传递层而能量传递层与发光层相接触等方式制备量子点发光器件。但是通过这两种方式形成的共掺杂发光层或者能量传递层与发光层组合层，其所述荧光材料与量子点之间并没有形成足够近的接触，限制了能量的传递。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种复合物材料的制备方法与QLED器件，旨在解决现有所述荧光材料与量子点之间并没有形成足够近的接触，限制了能量的传递的问题。
本发明的技术方案如下：
一种复合物材料的制备方法，其中，包括步骤：
提供表面连接有氨基或羧基的量子点材料；
提供表面连接有氨基或羧基的TADF材料；
将表面连接有氨基的量子点材料与表面连接有羧基的TADF材料混合，使所述量子点材料与所述TADF材料进行氨基与羧基的缩合反应，得到所述复合物材料；
或将表面连接有羧基的量子点材料与表面连接有氨基的TADF材料混合，使所述量子点材料与所述TADF材料进行羧基与氨基的缩合反应，得到所述复合物材料。
所述的复合物材料的制备方法，其中，表面连接有氨基的量子点材料的制备方法包括步骤：
将量子点材料溶解于有机溶剂中，得到量子点材料溶液；
向所述量子点材料溶液中加入有机胺和偶联剂，使所述量子点材料与有机胺反应，得到表面连接有氨基的量子点材料。
所述的复合物材料的制备方法，其中，所述有机胺为正丙胺；和/或所述偶联剂为含氨基结构的硅烷偶联剂。
所述的复合物材料的制备方法，其中，表面连接有羧基的量子点材料的制备方法包括步骤：
在以水相法合成量子点材料的过程中，加入含有巯基的有机羧酸，得到表面连接有羧基的量子点材料。
所述的复合物材料的制备方法，其中， 表面连接有羧基的TADF材料的制备方法包括步骤：
将TADF材料与溴水溶液反应，生成溴取代的TADF材料；
将所述溴取代的TADF材料与烷基锂混合后与干冰反应，得到含有羧酸锂的TADF材料；
将含有羧酸锂的TADF材料在酸性溶液中进行酸化，得到得到表面连接有羧基的TADF材料。
所述的复合物材料的制备方法，其中， 表面连接有氨基的TADF材料的制备方法包括步骤：
将TADF材料与硝酸在酸性溶剂中反应，生成硝基取代的TADF材料；
将所述硝基取代的TADF材料与九水硫化钠反应，得到表面连接有氨基的TADF材料。
所述的复合物材料的制备方法，其中，所述TADF材料为有机芘类衍生物。
所述的复合物材料的制备方法，其中，所述有机芘类衍生物选自如下结构式中的一种或多种：
Figure 584850DEST_PATH_IMAGE001
、
Figure 688942DEST_PATH_IMAGE002
、
Figure 203100DEST_PATH_IMAGE003
、
Figure 535992DEST_PATH_IMAGE004
、
Figure 38780DEST_PATH_IMAGE005
。
所述的复合物材料的制备方法，其中，将表面连接有氨基的量子点材料与表面连接有羧基的TADF材料混合的步骤中，所述表面连接有氨基的量子点材料与所述表面连接有羧基的TADF材料的重量比为1:（20~90）；
或将表面连接有羧基的量子点材料与表面连接有氨基的TADF材料混合的步骤中，所述表面连接有羧基的量子点材料与所述表面连接有氨基的TADF材料的重量比为1:（20~90）。
所述的复合物材料的制备方法，其中，所述TADF材料的荧光光谱与所述量子点材料的吸收光谱至少部分重叠。
一种QLED器件，所述QLED器件中包括量子点发光层，其中，所述量子点发光层的材料为本发明所述方法制备得到的所述复合物材料。
有益效果：本发明利用表面连接有氨基或羧基的量子点材料和表面连接有氨基或羧基的TADF材料，将两者通过氨基与羧基的缩合反应获得无机-有机复合物材料。这种结构的复合物材料不仅可以明显缩短量子点材料和TADF材料之间的距离，使处于激发态的TADF材料以供体的身份将能量更有效地传递给量子点材料，而且量子点材料表面连接配体可以有效防止量子点的团聚，从而降低发光淬灭，进而提高发光效率，增强QLED器件的电流效率和发光均匀性。
附图说明
图1为本发明中正装结构的QLED器件的结构示意图。
图2为本发明中倒装结构的QLED器件的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种复合物材料的制备方法与QLED器件，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供一种复合物材料的制备方法，其中，包括步骤：
提供表面连接有氨基或羧基的量子点材料；
提供表面连接有氨基或羧基的TADF材料；
将表面连接有氨基的量子点材料与表面连接有羧基的TADF材料混合，使所述表面连接有氨基的量子点材料与所述表面连接有羧基的TADF材料进行氨基与羧基的缩合反应，得到所述复合物材料；
或将表面连接有羧基的量子点材料与表面连接有氨基的TADF材料混合，使所述量子点材料与所述TADF材料进行羧基与氨基的缩合反应，得到所述复合物材料。
本发明提供的所述量子点材料的表面可以连接有氨基，此时提供表面连接有羧基的TADF材料，然后两者通过氨基与羧基发生缩合反应，得到无机-有机的复合物材料。本发明提供的所述量子点材料的表面也可以连接有羧基，此时提供表面连接有氨基的TADF材料，然后两者通过氨基与羧基发生缩合反应，得到无机-有机的复合物材料。
本发明预先对量子点材料和TADF材料分别进行预处理，得到表面连接有氨基或羧基的量子点材料和表面连接有氨基或羧基的TADF材料，然后将两者通过氨基与羧基的缩合反应获得无机-有机复合物材料。这种结构的复合物材料不仅可以明显缩短量子点材料和TADF材料之间的距离，使处于激发态的TADF材料以供体的身份将能量更有效地传递给量子点材料，而且量子点材料表面连接配体可以有效防止量子点的团聚，从而降低发光淬灭，进而提高发光效率，增强QLED器件的电流效率和发光均匀性。
优选的，表面连接有氨基的量子点材料的制备方法包括步骤：
将量子点材料溶解于有机溶剂（如辛烷）中，得到量子点材料溶液；
向所述量子点材料溶液中加入有机胺（如正丙胺）和偶联剂，在水浴恒温条件使所述量子点材料与有机胺反应，得到表面连接有氨基的量子点材料。进一步优选的，所述偶联剂为含氨基结构的硅烷偶联剂，具体选自γ-氨丙基三乙氧基硅烷和γ-氨丙基三甲氧基硅烷等中的一种。
优选的，表面连接有羧基的量子点材料的制备方法包括步骤：在以水相法合成量子点材料的过程中，滴加含有巯基的有机羧酸如巯基乙酸，3-巯基丙酸，3-巯基丁酸等为表面修饰剂即可制备得到表面连接有羧基的量子点材料。如以生成表面连接羧基的ZnS量子点为例，在磁力搅拌下，在Zn(NO3)2溶液中滴加3-硫基丁酸水溶液，添加四乙基氢氧化铵保持该混合溶液pH值为碱性，之后迅速加入Na2S溶液反应5分钟左右，继续添加Zn(NO3)2溶液至反应停止得到表面连接羧基的ZnS量子点材料。
优选的，所述量子点材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物和IV族单质中的一种或多种。作为举例，所述量子点材料选自CdSe、CdTe/CdS、CdSe/ZnS和CdTe/CdSe等中的一种。
优选的，表面连接有羧基的TADF材料的制备方法包括步骤：
将所述TADF材料与溴水溶液反应，生成溴取代的TADF材料；
将所述溴取代的TADF材料与烷基锂混合后与干冰反应，得到表面连接有羧基的TADF材料。所述烷基锂选自正丁基锂、丙基锂、异丙基锂等中的一种。进一步优选的，所述烷基锂选自正丁基锂。
进一步优选的，表面连接有羧基的TADF材料的制备方法，具体包括步骤：
在N2保护下，将所述TADF材料溶于四氯化碳（溶剂，可以为其它常规溶剂）中并搅拌，然后向此溶液中缓慢滴加溴水溶液和四氯化碳的混合液并继续搅拌，最后通过过滤并在甲苯中多次重结晶提纯得到溴取代的TADF材料；
将所述溴取代的TADF材料溶于THF（溶剂，可以为其它常规溶剂）中，在-78℃低温下加入烷基锂（如正丁基锂）对溴取代的TADF材料进行拔溴反应，之后加入干冰发生插入反应，之后升至室温保持搅拌，加入盐酸进行酸化后得到产物，乙醚萃取并提纯后得到表面连接有羧基的TADF材料。
优选的，表面连接有氨基的TADF材料的制备方法包括步骤：
将所述TADF材料与硝酸在酸性溶剂中反应，生成硝基取代的TADF材料；
将所述硝基取代的TADF材料与九水硫化钠反应，得到表面连接有氨基的TADF材料。
进一步优选的，表面连接有氨基的TADF材料的制备方法包括步骤：
将所述TADF材料溶于冰醋酸（溶剂，可以为其它常规溶剂）中，室温下滴加稀释的浓硝酸并搅拌，反应生成硝基取代的TADF材料；
将所述硝基取代的TADF材料溶于乙醇中并回流，然后滴加九水硫化钠发生还原反应将体系中硝基还原成氨基，得到表面连接有氨基的TADF材料。
优选的，所述TADF材料为有机芘类衍生物。进一步优选的，所述有机芘类衍生物选自如下结构式中的一种或多种：
Figure 798925DEST_PATH_IMAGE001
、
Figure 987330DEST_PATH_IMAGE002
、
Figure 123913DEST_PATH_IMAGE003
、
Figure 277945DEST_PATH_IMAGE004
、
Figure 208992DEST_PATH_IMAGE005
。
优选的，将表面连接有氨基的量子点材料与表面连接有羧基的TADF材料混合的步骤中，所述表面连接有氨基的量子点材料与所述表面连接有羧基的TADF材料的重量比为1:（20~90）；或将表面连接有羧基的量子点材料与表面连接有氨基的TADF材料混合的步骤中，所述表面连接有羧基的量子点材料与所述表面连接有氨基的TADF材料的重量比为1:（20~90）。这是因为所述TADF材料与量子点材料的重量比如果太小则对TADF材料转换的单线态激子利用率低，但是所述TADF材料与量子点材料的重量比如果太大，过多的TADF材料可能自发光而影响量子点材料的发光纯度。
优选的，为使TADF材料有效地向量子点材料传递能量，TADF材料的的能级应当与量子点材料的能级匹配，例如，所述TADF材料的荧光发射光谱与所述量子点材料吸收光谱至少部分重叠，优选重叠部分的面积占所述量子点材料的荧光发射光谱面积的30％以上。
本发明提供一种复合物材料，其中，采用本发明所述的复合物材料的制备方法制备得到。本发明所述复合物材料由表面包覆氨基或者羧基的量子点材料与表面接枝氨基或者羧基的TADF发光材料偶联所得。
本发明提供一种QLED器件，所述QLED器件中包括量子点发光层，其中，所述量子点发光层的材料为本发明所述复合物材料。
根据所述QLED器件发光类型的不同，所述QLED器件可以分为正装结构的QLED器件和倒装结构的QLED器件。
作为其中一实施方式，所述QLED器件为正装结构的QLED器件，如图1所示，所述QLED器件包括从下往上叠层设置的含阳极的基板101、空穴注入层102、空穴传输层103、量子点发光层104、电子传输层105和阴极106。所述QLED器件在电源107的驱动下发光。其中所述量子点发光层104的材料为本发明所述复合物材料。
作为其中另一实施方式，所述QLED器件为倒装结构的QLED器件，如图2所示，所述QLED器件包括从下往上叠层设置的含阴极的基板201、电子传输层202、量子点发光层203、空穴传输层204、空穴注入层205和阳极206。所述QLED器件在电源207的驱动下发光。其中所述量子点发光层203的材料为本发明所述复合物材料。
优选的，所述量子点发光层的厚度为1~100nm。进一步优选的，所述量子点发光层的厚度为40nm，在该厚度下量子点发光二级管器件的发光效率最高。
优选的，所述阳极可选自铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）中的一种或多种。
优选的，所述空穴注入层的材料可选自具有良好空穴注入性能的材料，例如可以为但不限于聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、酞菁铜（CuPc）、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲（HATCN）、掺杂或非掺杂过渡金属氧化物、掺杂或非掺杂金属硫系化合物中的一种或多种；其中，所述过渡金属氧化物包括但不限于MoOx、VOx、WOx、CrOx、CuO中的一种或多种；所述的金属硫系化合物包括但不限于MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS中的一种或多种。
优选的，所述空穴传输层可选自具有良好空穴传输能力的有机材料，例如可以为但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)（Poly-TPD）、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)（PFB）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（TPD）、N,N'-二苯基-N,N'-（1-萘基）-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60中的一种或多种。
优选的，所述空穴传输层还可选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于掺杂或非掺杂的MoOx、VOx、WOx、CrOx、CuO、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS中的一种或多种。
优选的，所述电子传输层的材料可以选自具有良好电子传输性能的材料，例如可以为但不限于n型的ZnO、TiO2、Fe2O3、SnO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO等中的一种或多种。进一步优选的，所述电子传输层的材料选自n型的ZnO、n型的TiO2中的一种。
优选的，所述阴极可选自铝（Al）电极、银（Ag）电极中的一种。
本发明还提供一种正装结构的QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供含阳极的基板；
在所述含阳极的基板上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层及电子传输层；其中所述量子点发光层的材料为本发明所述复合物材料；
在所述电子传输层上蒸镀阴极，制备得到正装结构的QLED器件。
本发明还提供一种倒装结构的QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供含阴极的基板；
在所述含阴极的基板上依次沉积电子传输层、量子点发光层、空穴传输层及空穴注入层；其中所述量子点发光层的材料为本发明所述复合物材料；
在所述空穴注入层上蒸镀阳极，制备得到倒装结构的QLED器件。
本发明中，各层沉积方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法、热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多 种。
下面通过实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
QLED器件的制备方法如下：
a.在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；
b.在PEDOT:PSS层上旋涂一层TFB层；
c.用经过如实施方案中预处理得到表面接枝有羧基的CdSe量子点材料，与接枝氨基的芘类衍生物TADF材料偶联得到无机-有机量子点发光材料。在TFB层上旋涂一层无机-有机复合量子点材料，得到复合量子点发光层；
d. 在复合量子点发光层上旋涂一层纳米ZnO层，得到电子传输层；
e. 最后，在电子传输层上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管器件。
实施例2
QLED器件的制备方法如下：
a.在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；
b.在PEDOT:PSS层上旋涂一层TFB层；
c.用经过如实施方案中预处理得到表面接枝有氨基的CdSe量子点材料，与接枝羧基的芘类衍生物TADF材料偶联得到无机-有机量子点发光材料。在TFB层上旋涂一层无机-有机复合量子点材料，得到复合量子点发光层；
d. 在复合量子点发光层上旋涂一层纳米ZnO层，得到电子传输层；
e. 最后，在电子传输层上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管器件。
综上所述，本发明提供的一种复合物材料的制备方法与QLED器件，通过对量子点材料和TADF材料表面进行预处理接枝上氨基或者羧基，然后将两者通过氨基与羧基缩合反应获得无机-有机复合量子点材料。这种结构的复合量子点材料不仅可以明显缩短量子点和TADF材料之间的距离，使处于激发态的TADF材料以供体的身份把能量更有效地传递给量子点，而且在量子点材料表面连接配体可以有效防止量子点的团聚导致发光淬灭，从而提高发光效率，增强QLED器件的电流效率和发光均匀性。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (11)

1.一种复合物材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供表面连接有氨基或羧基的量子点材料；
提供表面连接有氨基或羧基的TADF材料；
将表面连接有氨基的量子点材料与表面连接有羧基的TADF材料混合，使所述量子点材料与所述TADF材料进行氨基与羧基的缩合反应，得到所述复合物材料；
或将表面连接有羧基的量子点材料与表面连接有氨基的TADF材料混合，使所述量子点材料与所述TADF材料进行羧基与氨基的缩合反应，得到所述复合物材料。
2.根据权利要求1所述的复合物材料的制备方法，其特征在于，表面连接有氨基的量子点材料的制备方法包括步骤：
将量子点材料溶解于有机溶剂中，得到量子点材料溶液；
向所述量子点材料溶液中加入有机胺和偶联剂，使所述量子点材料与有机胺反应，得到表面连接有氨基的量子点材料。
3.根据权利要求2所述的复合物材料的制备方法，其特征在于，所述有机胺为正丙胺；和/或所述偶联剂为含氨基结构的硅烷偶联剂。
4.根据权利要求1所述的复合物材料的制备方法，其特征在于，表面连接有羧基的量子点材料的制备方法包括步骤：
在以水相法合成量子点材料的过程中，加入含有巯基的有机羧酸，得到表面连接有羧基的量子点材料。
5.根据权利要求1所述的复合物材料的制备方法，其特征在于，表面连接有羧基的TADF材料的制备方法包括步骤：
将TADF材料与溴水溶液反应，生成溴取代的TADF材料；
将所述溴取代的TADF材料与烷基锂混合后与干冰反应，得到含有羧酸锂的TADF材料；
将含有羧酸锂的TADF材料在酸性溶液中进行酸化，得到表面连接有羧基的TADF材料。
6.根据权利要求1所述的复合物材料的制备方法，其特征在于，表面连接有氨基的TADF材料的制备方法包括步骤：
将TADF材料与硝酸在酸性溶剂中反应，生成硝基取代的TADF材料；
将所述硝基取代的TADF材料与九水硫化钠反应，得到表面连接有氨基的TADF材料。
7.根据权利要求5或6所述的复合物材料的制备方法，其特征在于，所述TADF材料为有机芘类衍生物。
8.根据权利要求7所述的复合物材料的制备方法，其特征在于，所述有机芘类衍生物选自如下结构式中的一种或多种：
Figure FDA0002384386000000021
9.根据权利要求1所述的复合物材料的制备方法，其特征在于，将表面连接有氨基的量子点材料与表面连接有羧基的TADF材料混合的步骤中，所述表面连接有氨基的量子点材料与所述表面连接有羧基的TADF材料的重量比为1:(20～90)；
或将表面连接有羧基的量子点材料与表面连接有氨基的TADF材料混合的步骤中，所述表面连接有羧基的量子点材料与所述表面连接有氨基的TADF材料的重量比为1:(20～90)。
10.根据权利要求1所述的复合物材料的制备方法，其特征在于，所述TADF材料的荧光光谱与所述量子点材料的吸收光谱至少部分重叠。
11.一种QLED器件，所述QLED器件中包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层的材料为权利要求1～10任一项所述方法制备得到的复合物材料。
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