CN109932871A - 近接式曝光方法及设备 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种近接式曝光方法及设备，该方法包括:获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量；其中，所述位置偏差量包括横向偏移量、纵向偏移量和转角偏移量；根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。本发明实施例获取的该位置偏差量更接近掩膜版与基板的实际偏差值，能够实现实时对准，进而提高对准精度。
Description
技术领域
本发明实施例涉及曝光技术领域，尤其涉及一种近接式曝光方法及设备。
背景技术
近接式曝光，是指将涂有感光剂的工件相对于掩膜版保留数11μm～数110μm间隙地接近光罩，并将曝光用光经由光罩照射到工件上，进行曝光。
在现有技术中，近接式曝光方法是通过每次曝光前对掩膜板上的Mark进行一次位置计测后进行曝光，通过移动掩膜板和玻璃基板来调整曝光位置。
然而，现有的近接式曝光方法曝光精度较差，在±1.5um以上，无法应用于高精度要求的产品生产需求，如TFT行业的阵列工艺。
发明内容
本发明实施例提供一种近接式曝光方法及设备，以提高语音端点的准确度。
第一方面，本发明实施例提供一种近接式曝光方法，光源发射的光束透过掩膜版照射到基板上，包括：
获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量；其中，所述位置偏差量包括横向偏移量、纵向偏移量和转角偏移量；
根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
在一种可能的设计中，所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量之后，还包括：
检测当前的位置偏差量是否大于预设值；
所述根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，包括：
若当前的位置偏差量大于所述预设值，则根据所述位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置。
在一种可能的设计中，光源发射的光束经过反射镜反射后，透过掩膜版照射到基板上；所述检测当前的位置偏差量是否大于预设值之后，还包括：
若当前的位置偏差量小于所述预设值，则调整所述反射镜的弧度，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
在一种可能的设计中，所述掩膜版放置在第一机台上，所述基板放置在第二机台上；所述根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，包括：
根据当前的位置偏差量，调整所述第一机台的位置和/或所述第二机台的位置。
在一种可能的设计中，所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致，包括：
所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置偏移量在预设的误差范围内。
第二方面，本发明实施例提供一种近接式曝光设备，光源发射的光束透过掩膜版照射到基板上，所述设备包括：
获取模块，用于获取掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的第一偏差量；其中，所述偏差量包括横向偏移量、纵向偏移量和转角偏移量；
第一调整模块，用于根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
在一种可能的设计中，所述设备还包括：
检测模块，用于检测当前的位置偏差量是否大于预设值；
所述第一调整模块，具体用于若当前的位置偏差量大于所述预设值，则根据所述位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
在一种可能的设计中，光源发射的光束经过反射镜反射后，透过掩膜版照射到基板上；所述设备还包括：
第二调整模块，用于若当前的位置偏差量小于所述预设值，则调整所述反射镜的弧度，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
在一种可能的设计中，所述掩膜版放置在第一机台上；所述第一调整模块具体用于：
根据当前的位置偏差量，调整所述第一机台的位置和/或所述第二机台的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
在一种可能的设计中，所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致，包括：
所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置偏移量在预设的误差范围内。
第三方面，本发明实施例提供一种近接式曝光设备，包括：至少一个处理器和存储器；
所述存储器存储计算机执行指令；
所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述至少一个处理器执行如上第一方面以及第一方面各种可能的设计所述的近接式曝光方法。
第四方面，本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当处理器执行所述计算机执行指令时，实现如上第一方面以及第一方面各种可能的设计所述的近接式曝光方法。
本实施例提供的近接式曝光方法及设备，该方法通过获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量；其中，所述位置偏差量包括横向偏移量、纵向偏移量和转角偏移量；获取的该位置偏差量能够更接近掩膜版与基板的实际偏差值；根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致，能够进行实时对准，提高对准精度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例提供的近接式曝光系统的结构示意图一；
图2为本发明一实施例提供的近接式曝光方法的流程示意图一；
图3为本发明一实施例提供的掩膜版的第一对准标识的结构示意图；
图4为本发明一实施例提供的掩膜版的第一对准标识在基板上的投影及基板的第二对准标识的结构示意图；
图5为本发明又一实施例提供的近接式曝光方法的流程示意图二；
图6为本发明再一实施例提供的近接式曝光方法的流程示意图三；
图7为本发明又一实施例提供的近接式曝光系统的结构示意图二；
图8为本发明又一实施例提供的近接式曝光方法的流程示意图四；
图9为本发明一实施例提供的近接式曝光设备的结构示意图一；
图10为本发明又一实施例提供的近接式曝光设备的结构示意图二；
图11为本发明一实施例提供的近接式曝光设备的硬件结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例提供的近接式曝光系统的结构示意图一。该近接式曝光系统，包括：光源、掩膜版11、基板12、第一机台13、第二机台14、CCD摄像机15、控制终端16。光源，用于发射光束，该光束透过掩膜版11照射到基板12上；掩膜版11设置在第一机台13上，且其上设有第一对准标识；基板12设置在第二机台14上，且其上设有第二对准标识；第一机台13，包括用于驱动第一机台13水平横向移动的横向驱动器、用于驱动第一机台13水平纵向移动的纵向驱动器与用于驱动第一机台13水平转动的转角驱动器；第二机台14，包括用于驱动第二机台14水平横向移动的横向驱动器、用于驱动第二机台14水平纵向移动的纵向驱动器与用于驱动第二机台14水平转动的转角驱动器；CCD摄像机15，用于在所述控制终端16的控制下对掩膜版11与基板12拍摄图像并将拍摄的图像发送给控制终端16；控制终端16，用于根据拍摄的图像控制第一机台13的各驱动器对第一机台13进行位置调整，以及控制第二机台14的各驱动器对第二机台14进行位置调整。可选地，该系统还可以包括：反射镜17；反射镜17用于将光源发射的光束透过掩膜版11照射到基板12上。
在具体实现过程中，光源发射光束，该光束透过掩膜版11照射到基板12上；CCD摄像机15在控制终端16的控制下对掩膜版11上的第一对准标识与基板12上的第二对准标识拍摄图像并将拍摄的图像发送给控制终端16；控制终端16根据拍摄的图像计算所述第一对准标识与所述第二对准标识之间的位置偏差量，并根据该位置偏差量控制第一机台13的各驱动器对第一机台13进行位置调整，以及控制第二机台14的各驱动器对第二机台14进行位置调整。可选地，该系统还可以包括：反射镜17；反射镜17将光源发射的光束透过掩膜版11照射到基板12上。
由此可见，在此过程中根据位置偏差作为基准进行对准调节，则该位置偏差的准确度尤其重要，其决定了对准的精度。基于此，本发明实施例提供一种近接式曝光方法，以提高近接式曝光的准确度。
下面采用具体的实施例来说明本发明实施例提供的近接式曝光方法。
图2为本发明一实施例提供的近接式曝光方法的流程示意图一。如图2所示，该方法包括：
S201、获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量；其中，所述位置偏差量包括横向偏移量、纵向偏移量和转角偏移量。
本实施例中，光源发射的光束透过掩膜版照射到基板上，通过将第一对准标识的影子与第二对准标识之间的位置偏差量作为调整基准，能够更接近掩膜版与基板的实际偏差值，进而提高对准精度。所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量，可以包括：获取第一对准标识在基板上的投影的第一重心的坐标(水平横向坐标X1、水平纵向坐标Y1、水平转角坐标θ1)；获取第二对准标识的第二重心的坐标(水平横向坐标X2、水平纵向坐标Y2、水平转角坐标θ2)；根据所述第一重心的坐标与所述第二重心的坐标生成位置偏差量(横向偏移量x、纵向偏移量y和转角偏移量θ)。
图3为本发明一实施例提供的掩膜版的第一对准标识的结构示意图，图4为本发明一实施例提供的掩膜版的第一对准标识在基板上的投影及基板的第二对准标识的结构示意图。如图3所示，第一对准标识包括多个圆形。如图4所示，实线圆形外的虚线圆形为第一对准标识在基板上的投影，实线圆形为第二对准标识。通过获取虚线圆形的第一重心的坐标(水平横向坐标X1、水平纵向坐标Y1、水平转角坐标θ1)；获取实线圆形的第二重心的坐标(水平横向坐标X2、水平纵向坐标Y2、水平转角坐标θ2)；根据所述第一重心的坐标与所述第二重心的坐标生成位置偏差量(横向偏移量x、纵向偏移量y和转角偏移量θ)。
S202、根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
可选地，可以通过机械手移动所述掩膜版的位置，所述根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，可以包括：根据横向偏差量控制机械手横向移动所述掩膜版，根据纵向偏差量控制机械手纵向移动所述掩膜版，根据转角偏差量控制机械手沿垂直轴旋转所述掩膜版，以消除该位置偏差。
本实施例提供的近接式曝光方法，通过获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量；其中，所述位置偏差量包括横向偏移量、纵向偏移量和转角偏移量；获取的该位置偏差量能够更接近掩膜版与基板的实际偏差值；根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致，能够进行实时对准，提高对准精度。
图5为本发明又一实施例提供的近接式曝光方法的流程示意图二。如图5所示，该方法包括：
S501、检测当前的位置偏差量是否大于预设值。
可选地，所述预设值，可以包括横向预设值、纵向预设值和转角预设值。
可选地，所述预设值，可以包括长度预设值和角度预设值。
S502、获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量；其中，所述位置偏差量包括横向偏移量、纵向偏移量和转角偏移量。
本实施例中，S502与图2实施例S201相类似，此处不再赘述。
S503、若当前的位置偏差量大于所述预设值，则根据所述位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置。并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
可选地，所述当前的位置偏差量大于所述预设值，可以包括：当前的横向偏移量大于所述横向预设值、当前的纵向偏移量大于所述纵向预设值或当前的转角偏移量大于所述转角预设值。
可选地，所述当前的位置偏差量大于所述预设值，可以包括：当前的横向偏移量与当前的纵向偏移量之和大于所述长度预设值，或者，当前的转角偏移量大于所述角度预设值。
本实施例提供的近接式曝光方法，通过在当前的位置偏差量大于所述预设值时，实时调整所述掩膜版和所述基板的位置，能够提升调整速度。
图6为本发明再一实施例提供的近接式曝光方法的流程示意图三。如图6所示，该方法包括：
S601、检测当前的位置偏差量是否大于预设值。
S602、获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量；其中，所述位置偏差量包括横向偏移量、纵向偏移量和转角偏移量。
S603、若当前的位置偏差量大于所述预设值，则根据所述位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置。并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
本实施例中，S601至S603的步骤与图5实施例S501至S503的步骤相类似，此处不再赘述。
S604、若当前的位置偏差量小于所述预设值，则调整所述反射镜的弧度，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
可选地，所述调整反射镜的弧度，可以包括：通过驱动器调整设置在反射镜背后的与所述驱动器对应连接的伸缩杆的长度，以调整反射镜的弯曲程度。
图7为本发明又一实施例提供的近接式曝光系统的结构示意图二；如图7所示，该系统包括：能够弯曲的反射镜，设置在反射镜背后的伸缩杆，以及用于驱动所述伸缩杆进行伸缩的驱动器。所述驱动器可以为多个，所述驱动器与所述伸缩杆对应连接。通过调整反射镜的弧度，能够调整第一对准标识在基板上的投影的位置，使所述位置偏差减小。
本实施例提供的近接式曝光方法，通过在所述位置偏差量大于所述预设值时，调整所述掩膜版和所述基板的位置，能够实现对准调节的粗调，在所述位置偏差量小于所述预设值时，调整所述反射镜的弧度，能够实现对准调节的细调，通过上述方式，能够实现快速对准的同时，进一步提高精度。
图8为本发明又一实施例提供的近接式曝光方法的流程示意图四。如图8所示，该方法包括：
S801、获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量；其中，所述位置偏差量包括横向偏移量、纵向偏移量和转角偏移量。
本实施例中，S801与图3实施例S301相类似，此处不再赘述。
S802、根据当前的位置偏差量，调整所述第一机台的位置和/或所述第二机台的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
本实施例中，所述掩膜版放置在第一机台上，所述基板设置在第二机台上。
本实施例提供的近接式曝光方法，通过移动第一机台和第二机台对掩膜版和基板的位置进行调节，能够提高调整稳定度及精度，进而提高对准的准确性。
图9为本发明一实施例提供的近接式曝光设备的结构示意图一。如图9所示，该近接式曝光设备90包括：获取模块901与第一调整模块902。
获取模块901，用于获取掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的第一偏差量；其中，所述偏差量包括横向偏移量、纵向偏移量和转角偏移量。
本实施例中，光源发射的光束透过掩膜版照射到基板上，通过将第一对准标识的影子与第二对准标识之间的位置偏差量作为调整基准，能够更接近掩膜版与基板的实际偏差值，进而提高对准精度。可选地，所述获取模块901具体用于：获取第一对准标识在基板上的投影的第一重心的坐标(水平横向坐标X1、水平纵向坐标Y1、水平转角坐标θ1)；获取第二对准标识的第二重心的坐标(水平横向坐标X2、水平纵向坐标Y2、水平转角坐标θ2)；根据所述第一重心的坐标与所述第二重心的坐标生成位置偏差量(横向偏移量x、纵向偏移量y和转角偏移量θ)。
第一调整模块902，用于根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
可选地，可以通过机械手移动所述掩膜版的位置，所述第一调整模块902具体用于：根据横向偏差量控制机械手横向移动所述掩膜版，根据纵向偏差量控制机械手纵向移动所述掩膜版，根据转角偏差量控制机械手沿垂直轴旋转所述掩膜版，以消除该位置偏差。
本发明实施例提供的近接式曝光设备，获取模块通过获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量；其中，所述位置偏差量包括横向偏移量、纵向偏移量和转角偏移量；获取的该位置偏差量能够更接近掩膜版与基板的实际偏差值；第一调整模块通过根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致，能够进行实时对准，提高对准精度。
图10为本发明又一实施例提供的近接式曝光设备的结构示意图二。如图10所示，该近接式曝光设备100还包括：检测模块903与第二调整模块904。
可选地，所述检测模块903，用于检测当前的位置偏差量是否大于预设值。
可选地，所述预设值，可以包括横向预设值、纵向预设值和转角预设值。
可选地，所述预设值，可以包括长度预设值和角度预设值。
所述第一调整模块902，具体用于若当前的位置偏差量大于所述预设值，则根据所述位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
可选地，所述当前的位置偏差量大于所述预设值，可以包括：当前的横向偏移量大于所述横向预设值、当前的纵向偏移量大于所述纵向预设值或当前的转角偏移量大于所述转角预设值。
可选地，所述当前的位置偏差量大于所述预设值，可以包括：当前的横向偏移量与当前的纵向偏移量之和大于所述长度预设值，或者，当前的转角偏移量大于所述角度预设值。
可选地，光源发射的光束经过反射镜反射后，透过掩膜版照射到基板上；所述第二调整模块904，用于若当前的位置偏差量小于所述预设值，则调整所述反射镜的弧度，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
可选地，所述调整反射镜的弧度，可以包括：通过驱动器调整设置在反射镜背后的与所述驱动器对应连接的伸缩杆的长度，以调整反射镜的弯曲程度。
可选地，所述掩膜版放置在第一机台上；所述第一调整模块902具体用于：
根据当前的位置偏差量，调整所述第一机台的位置和/或所述第二机台的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
可选地，所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致，包括：
所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置偏移量在预设的误差范围内。
本发明实施例提供的近接式曝光设备，可用于执行上述的方法实施例，其实现原理和技术效果类似，本实施例此处不再赘述。
图11为本发明实施例提供的近接式曝光设备的硬件结构示意图。如图11所示，本实施例提供的近接式曝光设备110包括：至少一个处理器1101和存储器1102。其中，处理器1101与存储器1102通过总线1103连接。
在具体实现过程中，至少一个处理器1101执行所述存储器1102存储的计算机执行指令，使得至少一个处理器1101执行如上近接式曝光设备110所执行的近接式曝光方法。
处理器1101的具体实现过程可参见上述方法实施例，其实现原理和技术效果类似，本实施例此处不再赘述。
在上述的图11所示的实施例中，应理解，处理器可以是中央处理单元(英文：Central Processing Unit，简称：CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(英文：Digital Signal Processor，简称：DSP)、专用集成电路(英文：Application SpecificIntegrated Circuit，简称：ASIC)等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合发明所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件处理器执行完成，或者用处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。
存储器可能包含高速RAM存储器，也可能还包括非易失性存储NVM，例如至少一个磁盘存储器。
总线可以是工业标准体系结构(Industry Standard Architecture，ISA)总线、外部设备互连(Peripheral Component，PCI)总线或扩展工业标准体系结构(ExtendedIndustry Standard Architecture，EISA)总线等。总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，本申请附图中的总线并不限定仅有一根总线或一种类型的总线。
本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当处理器执行所述计算机执行指令时，实现如上近接式曝光设备执行的近接式曝光方法。
本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当处理器执行所述计算机执行指令时，实现如上近接式曝光设备执行的近接式曝光方法。
上述的计算机可读存储介质，上述可读存储介质可以是由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(SRAM)，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，可擦除可编程只读存储器(EPROM)，可编程只读存储器(PROM)，只读存储器(ROM)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。可读存储介质可以是通用或专用计算机能够存取的任何可用介质。
一种示例性的可读存储介质耦合至处理器，从而使处理器能够从该可读存储介质读取信息，且可向该可读存储介质写入信息。当然，可读存储介质也可以是处理器的组成部分。处理器和可读存储介质可以位于专用集成电路(Application Specific IntegratedCircuits，简称：ASIC)中。当然，处理器和可读存储介质也可以作为分立组件存在于设备中。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (12)
1.一种近接式曝光方法，其特征在于，光源发射的光束透过掩膜版照射到基板上，所述方法包括：
获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量；其中，所述位置偏差量包括横向偏移量、纵向偏移量和转角偏移量；
根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量之后，还包括：
检测当前的位置偏差量是否大于预设值；
所述根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，包括：
若当前的位置偏差量大于所述预设值，则根据所述位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，光源发射的光束经过反射镜反射后，透过掩膜版照射到基板上；所述检测当前的位置偏差量是否大于预设值之后，还包括：
若当前的位置偏差量小于所述预设值，则调整所述反射镜的弧度，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜版放置在第一机台上，所述基板放置在第二机台上；所述根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，包括：
根据当前的位置偏差量，调整所述第一机台的位置和/或所述第二机台的位置。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致，包括：
所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置偏移量在预设的误差范围内。
6.一种近接式曝光设备，其特征在于，光源发射的光束透过掩膜版照射到基板上，所述设备包括：
获取模块，用于获取掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的第一偏差量；其中，所述偏差量包括横向偏移量、纵向偏移量和转角偏移量；
第一调整模块，用于根据当前的位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：
检测模块，用于检测当前的位置偏差量是否大于预设值；
所述第一调整模块，具体用于若当前的位置偏差量大于所述预设值，则根据所述位置偏差量，调整所述掩膜版和所述基板的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，光源发射的光束经过反射镜反射后，透过掩膜版照射到基板上；所述设备还包括：
第二调整模块，用于若当前的位置偏差量小于所述预设值，则调整所述反射镜的弧度，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
9.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述掩膜版放置在第一机台上，所述基板放置在第二机台上；所述第一调整模块具体用于：
根据当前的位置偏差量，调整所述第一机台的位置和/或所述第二机台的位置，并再次执行所述获取当前掩膜版的第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识之间的位置偏差量的步骤，直至所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致。
10.根据权利要求6-9任一项所述的设备，其特征在于，所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置一致，包括：
所述第一对准标识在基板上的投影与基板上的第二对准标识的位置偏移量在预设的误差范围内。
11.一种近接式曝光设备，其特征在于，包括：至少一个处理器和存储器；
所述存储器存储计算机执行指令；
所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述至少一个处理器执行如权利要求1至5任一项所述的近接式曝光方法。
12.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当处理器执行所述计算机执行指令时，实现如权利要求1至5任一项所述的近接式曝光方法。
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