CN109917570A - 阵列基板及制作方法和液晶显示装置及驱动方法 - Google Patents
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Abstract
一种阵列基板及制作方法和液晶显示装置及驱动方法，阵列基板包括依次设置在透明基底上的公共电极、绝缘层、像素电极和配向层，像素电极为具有第一电极条与第一狭缝的梳状结构，绝缘层在与每个像素电极的第一电极条相对应的位置之外的其余区域被蚀刻减薄，且在减薄位置形成凹陷，绝缘层在与每个像素电极的第一电极条相对应的位置形成突脊，每个像素电极的第一电极条覆盖在绝缘层的突脊上，本发明的阵列基板形成的配向层更加靠近公共电极且与公共电极的接触更加充分以改善由于公共电极上的电压切换对像素电极的影响，改善电极的耦合影响，改善液晶中离子的聚集状态，从而改善残像问题，增大液晶显示装置在窄视角下的防窥效果。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示的技术领域，特别是涉及一种阵列基板及制作方法和液晶显示装置及驱动方法。
背景技术
液晶显示装置(liquid crystal display，LCD)具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的优点，在平板显示领域占主导地位。
早期，绝大多数LCD都是采用TN(Twisted Nematic，扭转向列)模式，而TN型液晶显示装置的像素电极和公共电极是分别形成在上下两个基板上，其视角范围比较小。为了解决视角问题，业界提出了采用IPS(In-Plane Switch，面内切换)模式、FFS(Fringe FieldSwitching，边缘电场开关)模式等广视角技术的液晶显示装置，像素电极和公共电极均形成在阵列基板上，在显示画面时，像素电极和公共电极之间形成边缘电场，以获得更大的视角。
但是，人们在享受大视角带来视觉体验的同时，也希望有效保护商业机密和个人隐私，以避免屏幕信息外泄而造成的商业损失或尴尬。因此，宽视角之外，还需要可以切换至窄视角。在现有的视角可切换的产品应用中，宽窄视角的切换虽然给用户带来了很好的使用体验，但由于电极的耦合和信号的干扰，其稳定性方面仍然面临着挑战。
另外，受结构及制程技术的限制，液晶显示装置存在残像(Image Sticking)问题，残像是长时间显示同一静止画面，在改变显示内容后留下之前画面的现象。形成残像的主要因素是显示屏内存在离子型不纯物(或称为极性离子)。在液晶显示面板的制作过程中，例如在彩膜基板上制作黑矩阵和色阻材料层时，在彩膜基板和阵列基板上制作配向膜时，以及在成盒制程中注入液晶时，均有可能带入一定的杂质，这些杂质将成为离子型不纯物的来源。
目前液晶显示装置中的残像问题较为严重，不能满足人们对画质的要求。针对残像问题，较多的是从材料污染、设备污染以及制程面来改善。但是目前无法找到一款不存在离子杂质的液晶，也不能保证制程过程中不会带入离子杂质，从来料面和制程面对残像的改善效果已经很难做出突破性改善。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及制作方法，以改善残像问题。
本发明的目的还在于提供一种液晶显示装置及驱动方法，以实现宽窄视角切换，并改善残像问题。
本发明提供一种阵列基板，该阵列基板包括透明基底和依次设置在该透明基底上的公共电极、绝缘层、像素电极，该阵列基板上由多条扫描线与多条数据线相互绝缘交叉限定形成多个像素单元，该像素电极设置在每个像素单元内，该像素电极通过第一薄膜晶体管与临近该第一薄膜晶体管的扫描线和数据线连接，该像素电极为具有第一电极条与第一狭缝的梳状结构，该绝缘层在与每个像素电极的第一电极条相对应的位置之外的其余区域被蚀刻减薄，且在减薄位置形成凹陷，该绝缘层在与每个像素电极的第一电极条相对应的位置形成突脊，每个像素电极的第一电极条覆盖在该绝缘层的突脊上。
进一步地，该绝缘层的减薄位置包含与每个像素电极的第一狭缝相对应的位置以及相邻像素单元之间未设置像素电极的位置。
进一步地，该阵列基板还包括配向层，该配向层覆盖在每个像素电极的第一电极条上且填入该绝缘层在减薄位置的凹陷中，该绝缘层在减薄位置被完全蚀刻掉，使该公共电极在减薄位置裸露，且该配向层在减薄位置直接与该公共电极接触。
进一步地，该公共电极为整面设置的面状电极；或者，该公共电极在与每个像素单元相对应的位置被图案化形成为具有第二电极条与第二狭缝的梳状结构，该第二电极条与该第一电极条相互平行且交错排列。
进一步地，该阵列基板上还设有多条公共线，该多条公共线与该多条数据线沿相同方向延伸，该多条数据线以并排设置的每两条为一组形成多组，该多条公共线与该多组数据线在扫描线方向上相互交替排列，相邻的两组数据线之间设有两列像素单元且该两列像素单元之间设有一条公共线，该公共电极包括相互间隔开的多个公共电极块，每个公共电极块沿扫描线方向同时覆盖两个相邻的像素单元，每个公共电极块通过第二薄膜晶体管与临近该第二薄膜晶体管的扫描线和公共线连接。
进一步地，每个公共电极块在与像素单元相对应的位置被图案化形成为具有第二电极条与第二狭缝的梳状结构，该第二电极条与该第一电极条相互平行且交错排列。
进一步地，该绝缘层包括第一绝缘层和位于该第一绝缘层上方的第二绝缘层，该第一绝缘层与该第二绝缘层之间还设置相互间隔开的多个金属导电条，每个金属导电条位于数据线的正上方且与临近的像素单元内的像素电极导电连接。
本发明还提供一种阵列基板的制作方法，用于制作上述的阵列基板，该制作方法包括：
在透明基底上制作形成TFT阵列之后，在TFT阵列之上沉积第一透明导电层，并对该第一透明导电层进行蚀刻图案化以形成公共电极；
在该公共电极上沉积一层绝缘层；
在该绝缘层上沉积第二透明导电层，并对该第二透明导电层进行蚀刻图案化以形成像素电极，且在蚀刻形成该像素电极之后，保留用于蚀刻形成该像素电极时所采用的光阻；
以保留下来的光阻为遮罩，对该绝缘层进行干蚀刻，使该绝缘层在与每个像素电极的第一电极条相对应的位置之外的其余区域被蚀刻减薄，且在减薄位置形成凹陷；
去除该光阻，然后在该像素电极上制作配向层，使该配向层覆盖在每个像素电极的第一电极条上且填入该绝缘层在减薄位置的凹陷中。
本发明还提供一种液晶显示装置，包括阵列基板、与该阵列基板相对设置的彩膜基板以及位于该阵列基板与该彩膜基板之间的液晶层，该阵列基板为上述的阵列基板，该彩膜基板上设有辅助电极。
本发明还提供一种液晶显示装置的驱动方法，用于驱动上述的液晶显示装置，该驱动方法包括：
在宽视角模式下，向该辅助电极施加参考电压，向该公共电极施加第一电压，该第一电压与该参考电压相同或相近，使该公共电极与该辅助电极之间的电压差小于预设值；
在窄视角模式下，向该辅助电极施加参考电压，向该公共电极施加第二电压，该第二电压为以该参考电压为中心上下偏置的交流电压，使该公共电极与该辅助电极之间的电压差大于预设值。
本发明实施例提供的阵列基板和液晶显示装置，绝缘层在与每个像素电极的第一电极条相对应的位置之外的其余区域被蚀刻减薄，且在减薄位置形成凹陷，配向层覆盖在每个像素电极的第一电极条上且填入绝缘层在减薄位置的凹陷中，使配向层更加靠近公共电极且与公共电极的接触更加充分，这样可以改善由于公共电极上的电压切换对像素电极的影响，改善电极的耦合影响，改善液晶中离子的聚集状态，从而改善残像问题，提升面板的稳定性，同时还可以增大液晶显示装置在窄视角下的防窥效果。
附图说明
图1为本发明第一实施例中阵列基板的电路结构示意图。
图2为图1中沿着A-A线的截面示意图。
图3为图1中沿着A-A线的另一种截面示意图。
图4为图1中沿着A-A线的又一种截面示意图。
图5为本发明第二实施例中阵列基板的电路结构示意图。
图6为图5中沿着B-B线的截面示意图。
图7为图5中沿着C-C线的截面示意图。
图8为图5中沿着B-B线的另一种截面示意图。
图9为图5中沿着C-C线的另一种截面示意图。
图10a-10e为本发明第三实施例中阵列基板的制作方法的步骤示意图。
图11为本发明第四实施例中液晶显示装置在宽视角时的结构示意图。
图12为图11中液晶显示装置切换为窄视角时的结构示意图。
图13为图12中液晶显示装置在窄视角时的驱动波形示意图。
图14是具有本发明实施例的阵列基板的液晶显示装置与具有现有的阵列基板的液晶显示装置的穿透率-电压的效果对比图。
图15是具有本发明实施例的阵列基板的液晶显示装置与具有现有的阵列基板的液晶显示装置的亮度比率-时间的效果对比图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及实施例，对本发明的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
第一实施例
请参图1至图2，本发明第一实施例提供一种阵列基板20，包括透明基底23和依次设置在透明基底23上的公共电极24、绝缘层25、像素电极26和配向层27。阵列基板20上由多条扫描线21与多条数据线22相互绝缘交叉限定形成多个像素单元P，像素电极26设置在每个像素单元P内，像素电极26通过第一薄膜晶体管(TFT)281与临近第一薄膜晶体管281的扫描线21和数据线22连接。
像素电极26为具有第一电极条261与第一狭缝262的梳状结构，绝缘层25在与每个像素电极26的第一电极条261相对应的位置之外的其余区域被蚀刻减薄，且在减薄位置形成凹陷251。具体地，绝缘层25的减薄位置包含与每个像素电极26的第一狭缝262相对应的位置以及相邻像素单元P之间未设置像素电极26的位置。
在减薄位置形成凹陷251之后，绝缘层25相应地在与每个像素电极26的第一电极条261相对应的位置形成突脊252，每个像素电极26的第一电极条261覆盖在绝缘层25的突脊252上，配向层27覆盖在每个像素电极26的第一电极条261上且填入绝缘层25在减薄位置的凹陷251中。
请参图2，绝缘层25在减薄位置未被完全蚀刻掉，即绝缘层25在减薄位置只是被蚀刻掉一部分，使绝缘层25在减薄位置的厚度减小，相较于未减薄的绝缘层25，配向层27在减薄位置更加靠近公共电极24。
请参图3，在另一实施方式中，绝缘层25在减薄位置被完全蚀刻掉，使公共电极24在减薄位置裸露，配向层27在减薄位置直接与公共电极24接触。
请参图2，公共电极24可以为整面设置的面状电极，即公共电极24整面地覆盖在阵列基板20上。
请参图4，在另一实施方式中，公共电极24在与每个像素单元P相对应的位置可以被图案化形成为具有第二电极条241与第二狭缝242的梳状结构，第二电极条241与第一电极条261相互平行且交错排列。虽然公共电极24在与每个像素单元P相对应的位置被图案化，但公共电极24在相邻像素单元P之间的位置仍然是连接为一体的。
第二实施例
请参图5至图7，本发明第二实施例提供一种阵列基板20，包括透明基底23和依次设置在透明基底23上的公共电极24、绝缘层25、像素电极26和配向层27。阵列基板20由多条扫描线21与多条数据线22相互绝缘交叉限定形成多个像素单元P，像素电极26设置在每个像素单元P内，像素电极26通过第一薄膜晶体管(TFT)281与临近第一薄膜晶体管281的扫描线21和数据线22连接。
阵列基板20上还设有多条公共线29，该多条公共线29与该多条数据线22沿相同方向延伸，该多条数据线22以并排设置的每两条为一组形成多组，该多条公共线29与该多组数据线22在扫描线21方向上相互交替排列，相邻的两组数据线22之间设有两列像素单元P且该两列像素单元P之间设有一条公共线29。具体地，该多条公共线29和该多条数据线22可以位于同一层，且可以在同一道蚀刻工艺中同时制作形成。
本实施例中，公共电极24包括相互间隔开的多个公共电极块240，每个公共电极块240沿扫描线21方向同时覆盖两个相邻的像素单元P，每个公共电极块240通过第二薄膜晶体管(TFT)282与临近第二薄膜晶体管282的扫描线21和公共线29连接。
像素电极26为具有第一电极条261与第一狭缝262的梳状结构，绝缘层25在与每个像素电极26的第一电极条261相对应的位置之外的其余区域被蚀刻减薄，且在减薄位置形成凹陷251。具体地，绝缘层25的减薄位置包含与第一狭缝262相对应的位置以及相邻像素单元P之间未设置像素电极26的位置。
在减薄位置形成凹陷251之后，绝缘层25相应地在与每个像素电极26的第一电极条261相对应的位置形成突脊252，每个像素电极26的第一电极条261覆盖在绝缘层25的突脊252上，配向层27覆盖在每个像素电极26的第一电极条261上且填入绝缘层25在减薄位置的凹陷251中。
绝缘层25在减薄位置可以未被完全蚀刻掉，即绝缘层25在减薄位置只是被蚀刻掉一部分，使绝缘层25在减薄位置的厚度减小，相较于未减薄的绝缘层25，配向层27在减薄位置更加靠近公共电极24。或者，绝缘层25在减薄位置也可以被完全蚀刻掉，使公共电极24在减薄位置裸露，配向层27在减薄位置直接与公共电极24接触。
每个公共电极块240在与像素单元P相对应的位置可以被图案化形成为具有第二电极条241与第二狭缝242的梳状结构，第二电极条241与第一电极条261相互平行且交错排列，即第二电极条241与第一狭缝262相对应，第一电极条261与第二狭缝242相对应。虽然公共电极块240在与每个像素单元P相对应的位置被图案化，但公共电极块240在所覆盖的两个相邻像素单元P之间的位置仍然是连接为一体的。
请参图8至图9，在另一实施方式中，绝缘层25包括第一绝缘层25a和位于第一绝缘层25a上方的第二绝缘层25b，第一绝缘层25a与第二绝缘层25b之间还设置相互间隔开的多个金属导电条255，每个金属导电条255位于数据线22的正上方且与临近的像素单元P内的像素电极26导电连接。具体地，可以在像素单元P的周边形成过孔(图未示)，使金属导电条255通过该过孔且与临近的像素单元P内的像素电极26导电连接。本实施例中，通过在第一绝缘层25a与第二绝缘层25b之间设置金属导电条255，在显示画面时，每个金属导电条255可以与下方的公共电极24之间形成存储电容(Cst)，使像素单元P内充入像素电极26的数据电压的保持效果得到增强。
另外，第二绝缘层25b在减薄位置被完全蚀刻掉，且第一绝缘层25a在减薄位置至少被部分蚀刻。也就是说，第一绝缘层25a在减薄位置可以只是被蚀刻掉一部分，也可以被完全蚀刻掉使公共电极24在减薄位置裸露，均能实现使绝缘层25在减薄位置的厚度减小的目的。
第三实施例
请参图10a至图10e，本发明第三实施例提供一种上述阵列基板20的制作方法，包括步骤：
请参图10a，在透明基底23上制作形成TFT阵列之后，在TFT阵列之上沉积第一透明导电层，并对第一透明导电层进行蚀刻图案化以形成公共电极24；其中，透明基底23可以是玻璃基板或塑料基板，在透明基底23上制作TFT阵列为本领域技术人员熟知，在此不赘述。
请参图10b，在公共电极24上沉积一层绝缘层25；其中，绝缘层25例如为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)等。
请参图10c，在绝缘层25上沉积第二透明导电层，并对第二透明导电层进行蚀刻图案化以形成像素电极26，且在蚀刻形成像素电极26之后，保留用于蚀刻形成像素电极26时所采用的光阻；其中，第一透明导电层和第二透明导电层例如为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌等，对第一透明导电层和第二透明导电层进行蚀刻图案化主要包括膜层沉积、光阻涂布、曝光、显影、蚀刻、去光阻等工序，此为本领域技术人员熟知，在此不赘述。
请参图10d，以保留下来的光阻为遮罩，对绝缘层25进行干蚀刻，使绝缘层25在与每个像素电极26的第一电极条261相对应的位置之外的其余区域被蚀刻减薄，且在减薄位置形成凹陷251；
请参图10e，去除该光阻，然后在像素电极26上制作配向层27，使配向层27覆盖在每个像素电极26的第一电极条261上且填入绝缘层25在减薄位置的凹陷251中；其中，配向层27例如为聚酰亚胺(Polyimide,PI)。
本实施例的制作方法充分利用在蚀刻形成像素电极26时所采用的光阻作为遮罩，对绝缘层25进行干蚀刻以实现绝缘层25的减薄，实施方式简单，易于实现，不需要耗费额外的光罩费用。
第四实施例
请参图11至图12，本发明第四实施例提供一种液晶显示装置，包括阵列基板20、与阵列基板20相对设置的彩膜基板30及位于阵列基板20与彩膜基板30之间的液晶层40。阵列基板20可以为上述任一实施例中所述的阵列基板20。
彩膜基板30上设有色阻层(图未示)、黑色矩阵(图未示)和辅助电极31。色阻层为R、G、B色阻。辅助电极31可以为整面的面状电极，也可以为具有图案化的电极结构。
液晶层40中采用正性液晶分子，即介电各向异性为正的液晶分子。在初始状态(即液晶显示装置未施加任何电压的情形)下，液晶层40内的正性液晶分子呈现与基板20、30基本平行的平躺姿态，即正性液晶分子的长轴方向与基板20、30的表面基本平行。在实际应用中，液晶层40内的正性液晶分子与基板20、30之间可以具有较小的初始预倾角，以加快液晶分子偏转时的响应速度。该初始预倾角的范围可为小于5度。
通过控制施加在辅助电极31和公共电极24上的电压信号，液晶显示装置可以在宽视角模式与窄视角模式之间切换显示。
宽视角模式：请参图11，向彩膜基板30上的辅助电极31施加参考电压Vref，向阵列基板20上的公共电极24施加第一电压V1，第一电压V1与参考电压Vref相同或相近，使公共电极24与辅助电极31之间的电压差小于预设值(如小于0.5V)。此时，由于公共电极24与辅助电极31之间的电压差较小，液晶层40中液晶分子的倾斜角度几乎不发生变化，仍保持为平躺姿态，液晶显示装置实现正常的宽视角显示。
在宽视角模式下，优选地，公共电极24上施加的第一电压V1与参考电压Vref相同(即V1＝Vref)，使得公共电极24与辅助电极31之间的电压差为零，可以实现较好的宽视角效果。
窄视角模式：请参图12，向彩膜基板30上的辅助电极31施加参考电压Vref，向阵列基板20上的公共电极24施加第二电压V2，第二电压V2为以参考电压Vref为中心上下偏置的交流电压，使公共电极24与辅助电极31之间的电压差大于预设值(如大于3V)。此时，由于公共电极24与辅助电极31之间的电压差较大，在阵列基板20与彩膜基板30之间会产生较强的垂直电场E(如图12中箭头所示)，液晶分子在该垂直电场E作用下将发生偏转，使液晶分子与基板20、30之间的倾斜角度增大而翘起，使液晶显示装置出现大角度观察漏光，在斜视方向对比度降低且视角变窄，液晶显示装置最终实现窄视角显示。
图13为图12中液晶显示装置在窄视角时的驱动波形示意图，请参图13，辅助电极31上施加的参考电压Vref为直流电压，公共电极24上施加的第二电压V2为以参考电压Vref为中心上下偏置的交流电压，第二电压V2的波形可以为方波或其他波形。
图14是具有本发明实施例的阵列基板的液晶显示装置与具有现有的阵列基板的液晶显示装置的穿透率-电压的效果对比图，请参图14，通过模拟试验得知，在宽视角模式下，具有本发明实施例的阵列基板的液晶显示装置与具有相同规格但绝缘层未蚀刻减薄的现有的阵列基板的液晶显示装置相比，在驱动电压大于3伏开始，具有较高的穿透率。本发明的液晶显示装置的穿透率相较现有技术大概提升了10％。
图15是具有本发明实施例的阵列基板的液晶显示装置与具有现有的阵列基板的液晶显示装置的亮度比率-时间的效果对比图，请参图15，通过模拟试验可知，在宽视角模式下，具有本发明实施例的阵列基板的液晶显示装置与具有相同规格但绝缘层未蚀刻减薄的现有的阵列基板的液晶显示装置相比，通过模拟试验得知，本发明的液晶显示装置的亮度比率在随时间衰减方面比现有技术优。
上述实施例提供的阵列基板和液晶显示装置，绝缘层在与每个像素电极的第一电极条相对应的位置之外的其余区域被蚀刻减薄，且在减薄位置形成凹陷，配向层覆盖在每个像素电极的第一电极条上且填入绝缘层在减薄位置的凹陷中，使配向层更加靠近公共电极且与公共电极的接触更加充分，这样可以改善由于公共电极上的电压切换对像素电极的影响，改善电极的耦合影响，改善液晶中离子的聚集状态，从而改善残像问题，提升面板的稳定性，同时还可以增大液晶显示装置在窄视角下的防窥效果。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种阵列基板(20)，该阵列基板(20)包括透明基底(23)和依次设置在该透明基底(23)上的公共电极(24)、绝缘层(25)、像素电极(26)，该阵列基板(20)上由多条扫描线(21)与多条数据线(22)相互绝缘交叉限定形成多个像素单元(P)，该像素电极(26)设置在每个像素单元(P)内，该像素电极(26)通过第一薄膜晶体管(281)与临近该第一薄膜晶体管(281)的扫描线(21)和数据线(22)连接，其特征在于，该像素电极(26)为具有第一电极条(261)与第一狭缝(262)的梳状结构，该绝缘层(25)在与每个像素电极(26)的第一电极条(261)相对应的位置之外的其余区域被蚀刻减薄，且在减薄位置形成凹陷(251)，该绝缘层(25)在与每个像素电极(26)的第一电极条(261)相对应的位置形成突脊(252)，每个像素电极(26)的第一电极条(261)覆盖在该绝缘层(25)的突脊(252)上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板(20)，其特征在于，该绝缘层(25)的减薄位置包含与每个像素电极(26)的第一狭缝(262)相对应的位置以及相邻像素单元(P)之间未设置像素电极(26)的位置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板(20)，其特征在于，该阵列基板(20)还包括配向层(27)，该配向层(27)覆盖在每个像素电极(26)的第一电极条(261)上且填入该绝缘层(25)在减薄位置的凹陷(251)中，该绝缘层(25)在减薄位置被完全蚀刻掉，使该公共电极(24)在减薄位置裸露，且该配向层(27)在减薄位置直接与该公共电极(24)接触。
4.根据权利要求1所述的阵列基板(20)，其特征在于，该公共电极(24)为整面设置的面状电极；或者，该公共电极(24)在与每个像素单元(P)相对应的位置被图案化形成为具有第二电极条(241)与第二狭缝(242)的梳状结构，该第二电极条(241)与该第一电极条(261)相互平行且交错排列。
5.根据权利要求1所述的阵列基板(20)，其特征在于，该阵列基板(20)上还设有多条公共线(29)，该多条公共线(29)与该多条数据线(22)沿相同方向延伸，该多条数据线(22)以并排设置的每两条为一组形成多组，该多条公共线(29)与该多组数据线(22)在扫描线(21)方向上相互交替排列，相邻的两组数据线(22)之间设有两列像素单元(P)且该两列像素单元(P)之间设有一条公共线(29)，该公共电极(24)包括相互间隔开的多个公共电极块(240)，每个公共电极块(240)沿扫描线(21)方向同时覆盖两个相邻的像素单元(P)，每个公共电极块(240)通过第二薄膜晶体管(282)与临近该第二薄膜晶体管(282)的扫描线(21)和公共线(29)连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板(20)，其特征在于，每个公共电极块(240)在与像素单元(P)相对应的位置被图案化形成为具有第二电极条(241)与第二狭缝(242)的梳状结构，该第二电极条(241)与该第一电极条(261)相互平行且交错排列。
7.根据权利要求6所述的阵列基板(20)，其特征在于，该绝缘层(25)包括第一绝缘层(25a)和位于该第一绝缘层(25a)上方的第二绝缘层(25b)，该第一绝缘层(25a)与该第二绝缘层(25b)之间还设置相互间隔开的多个金属导电条(255)，每个金属导电条(255)位于数据线(22)的正上方且与临近的像素单元(P)内的像素电极(26)导电连接。
8.一种阵列基板的制作方法，用于制作权利要求1至7任一项所述的阵列基板(20)，其特征在于，该制作方法包括：
在透明基底(23)上制作形成TFT阵列之后，在TFT阵列之上沉积第一透明导电层，并对该第一透明导电层进行蚀刻图案化以形成公共电极(24)；
在该公共电极(24)上沉积一层绝缘层(25)；
在该绝缘层(25)上沉积第二透明导电层，并对该第二透明导电层进行蚀刻图案化以形成像素电极(26)，且在蚀刻形成该像素电极(26)之后，保留用于蚀刻形成该像素电极(26)时所采用的光阻；
以保留下来的光阻为遮罩，对该绝缘层(25)进行干蚀刻，使该绝缘层(25)在与每个像素电极(26)的第一电极条(261)相对应的位置之外的其余区域被蚀刻减薄，且在减薄位置形成凹陷(251)；
去除该光阻，然后在该像素电极(26)上制作配向层(27)，使该配向层(27)覆盖在每个像素电极(26)的第一电极条(261)上且填入该绝缘层(25)在减薄位置的凹陷(251)中。
9.一种液晶显示装置，包括阵列基板、与该阵列基板相对设置的彩膜基板(30)以及位于该阵列基板与该彩膜基板(30)之间的液晶层，其特征在于，该阵列基板为权利要求1至7任一项所述的阵列基板(20)，该彩膜基板(30)上设有辅助电极(31)。
10.一种液晶显示装置的驱动方法，用于驱动如权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于，该驱动方法包括：
在宽视角模式下，向该辅助电极(31)施加参考电压(Vref)，向该公共电极(24)施加第一电压(V1)，该第一电压(V1)与该参考电压(Vref)相同或相近，使该公共电极(24)与该辅助电极(31)之间的电压差小于预设值；
在窄视角模式下，向该辅助电极(31)施加参考电压(Vref)，向该公共电极(24)施加第二电压(V2)，该第二电压(V2)为以该参考电压(Vref)为中心上下偏置的交流电压，使该公共电极(24)与该辅助电极(31)之间的电压差大于预设值。
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