CN109917266A - 一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法、装置及设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，通过调取绝缘双极型晶体管芯片模型；在所述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并通过所述模拟失效数据得到与所述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。由于金属层对器件的结构强度与导热导电中均起到重要作用，同时也影响着所述键合线与所述键合面的连接结构，因此，本申请提供的模型更贴近实际工作中的情况，得到的测试结果也就更准确。本申请同时还提供了一种具有上述有益效果的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置、设备及计算机可读存储介质。
Description
技术领域
本申请涉及热力测试领域，特别是涉及一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
背景技术
在世界经济不断发展的同时，伴随着大量能源的消耗，能源问题已经成为影响世界政治、经济、文化的重要问题。在全球能源危机日益严重的背景下，为了满足快速增长的电力需求和降低环境污染，提高能源利用效率、开发新能源、加强可再生能源的利用成为了必然选择。
功率变流器作为发电系统与电网之间负责能量转换和储藏的纽带，而绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为能量转换系统中的关键部件，其可靠性是系统安全运行的保障。变流器失效占新能源发电系统中电气设备故障的比重较高，达到15％，并且超过50％的变流器故障为IGBT器件失效。此外，工程调查数据也显示IGBT模块是变流器系统中最为薄弱的环节之一，其可靠性是新能源发展的重要前提。
同时随着新能源容量增大，IGBT模块功率密度也趋于增大，导致单位体积发热量也越来越大，模块更易发生失效。因此为了减小电力电子装置中功率器件失效带来的经济损失，需要我们从技术手段和分析方法角度，建立准确而有效的IGBT电-热-力仿真模型，从而对电力电子装置中的IGBT模块失效机理进行深入研究，并为其可靠性进行技术更新、扩充和拓展。但现有的与IGBT失效研究的相关模型大多着眼与RC热网络模型，大多将器件热传递近似为一维传热，得到的温度值为模块中每层的平均值，与实际情况不符，并且没有结合温度进行耦合应力分析。同时在器件结构设计、封装设计、失效分析等时需要更加精确的器件热力特性分布。因此，设计一种更贴近真实工作情况的IBGT模块模型，以便在模拟时得到更准确的失效数据，是本领域技术人员亟待解决的问题。
申请内容
本申请的目的是提供一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法、装置、设备及计算机可读存储介质，以解决现有技术中IBGT模块模型与现实不符，不能获得准确的失效数据，缺乏对实际操作的指导意义的问题。
为解决上述技术问题，本申请提供一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，包括：
调取绝缘双极型晶体管芯片模型；
在所述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；
对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并通过所述模拟失效数据得到与所述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。
可选地，在所述测试绝缘双极型晶体管芯片的方法中，所述对所述绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟包括：
获取多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型；
并行对多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真处理；其中，多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型组成绝缘双极型晶体管模块模型，所述绝缘双极型晶体管模块模型为三维模型。
可选地，在所述测试绝缘双极型晶体管芯片的方法中，还包括：
建立电力电子装置模型；其中，所述电力电子装置模型包括所述绝缘双极型晶体管模块模型；
对所述电力电子装置模型进行仿真模拟。
可选地，在所述测试绝缘双极型晶体管芯片的方法中，还包括：
建立外部仿真电路；
所述对所述电力电子装置模型进行仿真模拟包括：
将所述电力电子装置模型至于所述外部仿真电路中并对所述电力电子装置模型进行仿真模拟。
本申请还提供了一种测试绝缘双极型晶体管芯片的装置，包括：
调取模块，用于调取绝缘双极型晶体管芯片模型；
增设模块，用于在所述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；
仿真模块，用于对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并用于通过所述模拟失效数据得到与所述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。
可选地，在所述测试绝缘双极型晶体管芯片的装置中，所述模拟绝缘双极型晶体管芯片模型为三维模型。
可选地，在所述测试绝缘双极型晶体管芯片的装置中，所述仿真模块包括：
获取单元，用于获取多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型；
并行单元，用于并行对多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真处理；其中，多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型组成绝缘双极型晶体管模块模型，所述绝缘双极型晶体管模块模型为三维模型。
可选地，在所述测试绝缘双极型晶体管芯片的装置中，所述仿真模块还包括：
电力电子单元，用于建立电力电子装置模型，所述电力电子装置模型包括所述绝缘双极型晶体管模块模型，并对所述电力电子装置模型进行仿真模拟。
本申请还提供了一种测试绝缘双极型晶体管芯片的设备，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述任一种所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法的步骤。
本申请还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法的步骤。
本申请所提供的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，通过调取绝缘双极型晶体管芯片模型；在所述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并通过所述模拟失效数据得到与所述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。本申请通过对所述绝缘双极型晶体管设置所述芯片表面金属层，大大提升了仿真模拟的准确度，由于金属层对器件的结构强度与导热导电中均起到重要作用，同时也影响着所述键合线与所述键合面的连接结构，因此，添加所述芯片表面金属层后，对比现有技术中的绝缘双极型晶体管芯片模型，本申请提供的模型在电、热、力三方面更加贴近绝缘双极型晶体管芯片在实际工作中的情况，得到的测试结果也就更准确，对实际生产更具指导意义。本申请同时还提供了一种具有上述有益效果的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置、设备及计算机可读存储介质。
附图说明
为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请提供的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法的一种具体实施方式的流程示意图；
图2为本申请提供的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法的另一种具体实施方式的流程示意图；
图3为本申请提供的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法的又一种具体实施方式的流程示意图；
图4为本申请提供的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置的一种具体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的核心是提供一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，其一种具体实施方式的流程示意图如图1所示，称其为具体实施方式一，包括：
步骤S101：调取绝缘双极型晶体管芯片模型。
步骤S102：在上述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层。
步骤S103：对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并通过上述模拟失效数据得到与上述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。
需要注意的是，本具体实施方式中的步骤S101与步骤S102之后，还可以将设置完上述芯片表面金属层的上述绝缘双极型晶体管芯片模型单独存储为新型绝缘双极型晶体管芯片模型，今后再次使用时可以不经上述步骤S101与步骤S102，而直接调用上述新型绝缘双极型晶体管芯片模型。
本申请所提供的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，通过调取绝缘双极型晶体管芯片模型；在上述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并通过上述模拟失效数据得到与上述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。本申请通过对上述绝缘双极型晶体管设置上述芯片表面金属层，大大提升了仿真模拟的准确度，由于金属层对器件的结构强度与导热导电中均起到重要作用，同时也影响着上述键合线与上述键合面的连接结构，因此，添加上述芯片表面金属层后，对比现有技术中的绝缘双极型晶体管芯片模型，本申请提供的模型在电、热、力三方面更加贴近绝缘双极型晶体管芯片在实际工作中的情况，得到的测试结果也就更准确，对实际生产更具指导意义。
在具体实施方式一的基础上，进一步对被仿真模拟的对象做限定，得到具体实施方式二，其流程示意图如图2所示，包括：
步骤S201：调取绝缘双极型晶体管芯片模型。
步骤S202：在上述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层。
步骤S203：获取多个上述绝缘双极型晶体管芯片模型。
步骤S204：并行对多个上述绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真处理，得到模拟失效数据；其中，多个上述绝缘双极型晶体管芯片模型组成绝缘双极型晶体管模块模型，上述绝缘双极型晶体管模块模型为三维模型；并通过上述模拟失效数据得到与上述绝缘双极型晶体管模块模型对应的绝缘双极型晶体管芯片组的测试结果。
本具体实施方式与上述具体实施方式的不同之处在于，本具体实施方式同时对多个上述绝缘双极型晶体管芯片模型进行模拟，并考虑到了芯片在实际工作中的空间结构，其余步骤均与上述具体实施方式相同，在此不再展开赘述。
绝缘双极型晶体管芯片在实际使用中，多数情况下是多个芯片一起使用的，则各个芯片之间的空间位置就会影响不同芯片不同位置受到的应力与承受的热量，在本具体实施方式中，通过上述绝缘双极型晶体管模块模型还原绝缘双极型晶体管芯片在实际使用中的空间位置关系，而不是像现有技术一样只考虑单个绝缘双极型晶体管芯片通入电流后的电、热、力变化，更贴近上述绝缘双极型晶体管芯片在实际工作时的情况，从而得到更准确的拟真模拟结果。
在具体实施方式二的基础上，进一步将上述绝缘双极型晶体管芯片的工作环境纳入模拟的考量因素之中，得到具体实施方式三，其流程示意图如图3所示，包括：
步骤S301：调取绝缘双极型晶体管芯片模型。
步骤S302：在上述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层。
步骤S303：获取多个上述绝缘双极型晶体管芯片模型；多个上述绝缘双极型晶体管芯片模型组成绝缘双极型晶体管模块模型，上述绝缘双极型晶体管模块模型为三维模型。
步骤S304：建立电力电子装置模型；其中，上述电力电子装置模型包括上述绝缘双极型晶体管模块模型。
步骤S305：对上述电力电子装置模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并通过上述模拟失效数据得到与上述绝缘双极型晶体管模块模型对应的绝缘双极型晶体管芯片组的测试结果。
本具体实施方式与上述具体实施方式的不同之处在于，本具体实施方式建立了电子电力模型，为上述绝缘双极型晶体管模块模型模拟了实际工作环境，其余步骤均与上述具体实施方式相同，在此不再展开赘述。
绝缘双极型晶体管芯片在实际使用中绝不是单独通电工作的，绝大多数时候都是作为某种电力驱动的电子装置的元件工作，这种情况下就必须考虑上述电子装置中其他元件在工作时的电、热、力特性以及其他元件对上述绝缘双极型晶体管芯片在电、热、力方面的影响，而本具体实施方式引入了上述电力电子模型，用以模拟上述电力驱动的电子装置，换句话说，本具体实施方式在模拟上述绝缘双极型晶体管芯片工作时，加入了对上述绝缘双极型晶体管芯片周围电子环境因素的模拟，使最终得到的测试结果准确度更高，更接近上述绝缘双极型晶体管芯片在实际工作中的真实情况。
需要特别注意的是，为了使模拟环境更接近实际情况，从而进一步提高测试的准确度，还可以：
建立外部仿真电路；
将上述电力电子装置模型至于上述外部仿真电路中并对上述电力电子装置模型进行仿真模拟。
由于实际工作时电力供给也是会根据外部电路的不同而有所变化的，通过建立外部仿真电路可以对实际工作时上述电力驱动的电子装置所处的外部电路进行模拟，从而使供给上述电力驱动的电子装置的电压电流也更接近实际情况，进而提升测试的准确率。
下面对本申请实施例提供的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置进行介绍，下文描述的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置与上文描述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法可相互对应参照。
图4为本申请实施例提供的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置的结构框图，参照图4测试绝缘双极型晶体管芯片的装置可以包括：
调取模块100，用于调取绝缘双极型晶体管芯片模型；
增设模块200，用于在上述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；
仿真模块300，用于对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并用于通过上述模拟失效数据得到与上述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。
特别的，上述模拟绝缘双极型晶体管芯片模型为三维模型。
此外，上述仿真模块包括：
获取单元，用于获取多个上述绝缘双极型晶体管芯片模型；
并行单元，用于并行对多个上述绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真处理；其中，多个上述绝缘双极型晶体管芯片模型组成绝缘双极型晶体管模块模型，上述绝缘双极型晶体管模块模型为三维模型。
需要注意的是，上述仿真模块还包括：
电力电子单元，用于建立电力电子装置模型，上述电力电子装置模型包括上述绝缘双极型晶体管模块模型，并对上述电力电子装置模型进行仿真模拟。
本申请所提供的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置，通过调取模块，用于调取绝缘双极型晶体管芯片模型；增设模块，用于在上述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；仿真模块，用于对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并用于通过上述模拟失效数据得到与上述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。本申请通过对上述绝缘双极型晶体管设置上述芯片表面金属层，大大提升了仿真模拟的准确度，由于金属层对器件的结构强度与导热导电中均起到重要作用，同时也影响着上述键合线与上述键合面的连接结构，因此，添加上述芯片表面金属层后，对比现有技术中的绝缘双极型晶体管芯片模型，本申请提供的模型在电、热、力三方面更加贴近绝缘双极型晶体管芯片在实际工作中的情况，得到的测试结果也就更准确，对实际生产更具指导意义。
本实施例的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置用于实现前述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，因此测试绝缘双极型晶体管芯片的装置中的具体实施方式可见前文中的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法的实施例部分，例如，调取模块100，增设模块200，仿真模块300，分别用于实现上述测试绝缘双极型晶体管芯片的方法中步骤S101，S102和S103，所以，其具体实施方式可以参照相应的各个部分实施例的描述，在此不再赘述。
本申请还提供了一种设备，上述设备内各组成部分可分工协作执行上述任一实施例中所介绍的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，具体方法可参照上文，在此不再进行展开描述。
本申请另外提供了一种计算机可读存储介质，上述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，上述计算机程序被处理器执行时实现上述任一发明实施例中所介绍的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，具体方法可参照上文，在此不再进行展开描述。
本申请所提供的测试绝缘双极型晶体管芯片的设备及计算机可读存储介质，通过调取绝缘双极型晶体管芯片模型；在上述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并通过上述模拟失效数据得到与上述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。本申请通过对上述绝缘双极型晶体管设置上述芯片表面金属层，大大提升了仿真模拟的准确度，由于金属层对器件的结构强度与导热导电中均起到重要作用，同时也影响着上述键合线与上述键合面的连接结构，因此，添加上述芯片表面金属层后，对比现有技术中的绝缘双极型晶体管芯片模型，本申请提供的模型在电、热、力三方面更加贴近绝缘双极型晶体管芯片在实际工作中的情况，得到的测试结果也就更准确，对实际生产更具指导意义。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
以上对本申请所提供的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法、装置、设备及计算机存储介质进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。
Claims (10)
1.一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，其特征在于，包括：
调取绝缘双极型晶体管芯片模型；
在所述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；
对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并通过所述模拟失效数据得到与所述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。
2.如权利要求1所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，其特征在于，所述对所述绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟包括：
获取多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型；
并行对多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真处理；其中，多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型组成绝缘双极型晶体管模块模型，所述绝缘双极型晶体管模块模型为三维模型。
3.如权利要求2所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，其特征在于，还包括：
建立电力电子装置模型；其中，所述电力电子装置模型包括所述绝缘双极型晶体管模块模型；
对所述电力电子装置模型进行仿真模拟。
4.如权利要求3所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，其特征在于，还包括：
建立外部仿真电路；
所述对所述电力电子装置模型进行仿真模拟包括：
将所述电力电子装置模型至于所述外部仿真电路中并对所述电力电子装置模型进行仿真模拟。
5.一种测试绝缘双极型晶体管芯片的装置，其特征在于，包括：
调取模块，用于调取绝缘双极型晶体管芯片模型；
增设模块，用于在所述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；
仿真模块，用于对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并用于通过所述模拟失效数据得到与所述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。
6.如权利要求5所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置，其特征在于，所述模拟绝缘双极型晶体管芯片模型为三维模型。
7.如权利要求6所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置，其特征在于，所述仿真模块包括：
获取单元，用于获取多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型；
并行单元，用于并行对多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真处理；其中，多个所述绝缘双极型晶体管芯片模型组成绝缘双极型晶体管模块模型，所述绝缘双极型晶体管模块模型为三维模型。
8.如权利要求7所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置，其特征在于，所述仿真模块还包括：
电力电子单元，用于建立电力电子装置模型，所述电力电子装置模型包括所述绝缘双极型晶体管模块模型，并对所述电力电子装置模型进行仿真模拟。
9.一种测试绝缘双极型晶体管芯片的设备，其特征在于，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至4任一项所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4任一项所述的测试绝缘双极型晶体管芯片的方法的步骤。
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| CN201910304321.3A CN109917266A (zh) | 2019-04-16 | 2019-04-16 | 一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法、装置及设备 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113410308A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-17 | 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 | 一种金属-氧化物半导体场效应晶体管 |
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2019
- 2019-04-16 CN CN201910304321.3A patent/CN109917266A/zh active Pending
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