CN109890459B - 育发生发刺激装置 - Google Patents

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Abstract

为了提供一种不使用超窄谱光就能稳定地获得充分的育发生发刺激效果的育发生发刺激装置，本发明提供一种育发生发刺激装置(1)，其具备：壳体(2)，装戴于使用者的头部；以及多个发光二极管(3)，装配于壳体(2)的内部，射出峰值波长范围为630nm以上660nm以下、半峰宽为15nm以上20nm以下的光，构成为从多个发光二极管(3)射出的光直接照射于使用者的头部。

Description

育发生发刺激装置
技术领域
本发明涉及一种刺激人的头部的育发生发的育发生发刺激装置。
背景技术
近年来，人们为了刺激育发或生发而利用发光二极管(LED：light emittingdiode)进行头皮护理。在该头皮护理中，提出了一种育发装置，其使用中心波长为630nm～650nm、半峰宽为10nm以下的超窄谱红光(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5540324号
发明内容
发明所要解决的问题
在专利文献1所记载的发明中，使用了射出的光的波段大于630nm的发光二极管和半峰宽为10nm以下的超窄带的带通滤波器。但是，考虑到由于带通滤波器无法使透过波段以外的波段的光完全衰减，因此，可能会有期望波段以外的光照射至使用者的头部，这会对育发生发造成不好的影响。因此，可以认为，为了获得充分的育发生发效果，需要半峰宽为10nm以下的超窄带的带通滤波器。
在使用这样的超窄带的带通滤波器的情况下，容易受到随时间而发生的变化、温度变化的影响，可能会难以维持稳定的性能。
本发明的目的在于解决上述的问题，提供一种不使用超窄谱光就能稳定地获得充分的育发生发刺激效果的育发生发刺激装置。
用于解决问题的方案
为了解决上述的问题，本发明的一实施方式的育发生发刺激装置具备：
壳体，装戴于使用者的头部；以及
多个发光二极管，装配于所述壳体内部，射出峰值波长范围为630nm以上660nm以下、半峰宽为15nm以上20nm以下的光，
构成为从所述多个发光二极管射出的光直接照射于使用者的头部。
发明效果
如上所述，在本发明中，能提供一种不使用超窄谱光就能稳定地获得充分的育发生发刺激效果的育发生发刺激装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的育发生发刺激装置的图。
图2是本发明的实施方式的育发生发刺激装置的透视图以及安装构件的俯视图。
图3是示意性地示出本发明的实施方式的保持构件的功能的侧面剖视图。
图4是用于说明本发明的实施方式的育发生发刺激装置的效果的验证(实验一)的图。
图5是用于说明本发明的实施方式的育发生发刺激装置的效果的验证(实验二)的图表。
具体实施方式
首先，本发明的所有说明都对本发明的实施方式的育发生发刺激装置进行描述。
本发明的实施方式一的育发生发刺激装置具备：
壳体，装戴于使用者的头部；以及
多个发光二极管，装配于所述壳体内部，射出峰值波长范围为630nm以上660nm以下、半峰宽为15nm以上20nm以下的光，
构成为从所述多个发光二极管射出的光直接照射于使用者的头部。
在本实施方式中，由于使用射出半峰宽为15nm以上20nm以下的光的发光二极管，因此，不必担心像使用了带通滤波器的情况的那样会有期望波段以外的光照射于使用者的头部，能始终稳定地将期望波段的光照射至使用者的头部。由此，不使用半峰宽为10nm以下的超窄谱光就能稳定地获得充分的育发生发刺激效果。
本发明的实施方式二的育发生发刺激装置中，在上述的实施方式一中，
所述多个发光二极管所照射的光的峰值波长约为630nm。
在本实施方式中，特意使用了中心波长为630nm的红色光，因此，能期待生成更多的毛发生长刺激因子。
本发明的实施方式三的育发生发刺激装置中，在上述的实施方式一或二中，
构成为从所述多个发光二极管射出的光以3J/cm2以上6J/cm2以下的照射能量射到使用者的头部。
在本实施方式中，特意在对于毛发生长刺激因子的生成而言适当的照射能量范围内照射红色光，因此，能期待生成更多毛发生长刺激因子。
本发明的实施方式四的育发生发刺激装置中，在上述的实施方式一至三中的任一项中，
具备：保持构件，在所述壳体内侧与使用者的头部相接，
所述保持构件构成为使装戴有所述壳体的使用者的头部与所述多个发光二极管之间的距离大致固定。
在本实施方式中，将头部保持于壳体内的规定的位置，使用者的头部与多个发光二极管之间的距离大致固定，因此，能使射到使用者的头部的光的照射能量为固定。
接着，以下使用附图对本发明的实施方式的育发生发刺激装置进行详细说明。
(一实施方式的育发生发刺激装置的说明)
首先，参照图1，对本发明的一实施方式的育发生发刺激装置进行说明。图1是表示本发明的一实施方式的育发生发刺激装置的图，图1的(a)是从侧头部侧观察到的壳体的外形的侧视图，图1的(b)是从前头部侧观察到的壳体的外形的侧视图，图1的(c)是为了示出壳体的内部而从下方观察到的图，图1的(d)是从侧头部侧观察到的示出壳体的内部的透视图，图1的(e)是从后头部侧观察到的示出壳体的内部的透视图，图1的(f)是示出发光二极管的射出角的示意图。
如图1所示，本实施方式的育发生发刺激装置1具备装戴于使用者的头部的壳体2，在壳体2的内部装配有多个发光二极管3。发光二极管3射出峰值波长范围为630nm以上660nm以下、半峰宽为15nm以上20nm以下的红色光。此外，育发生发刺激装置1具备装配于壳体2的内侧并以规定的间隔保持多个发光二极管3的安装构件4。此外，在壳体2的内侧的规定位置具备保持使用者的头部的保持构件5(参照图3)。
如图1的(d)～(f)所示，育发生发刺激装置1构成为使从多个发光二极管3射出的光不经由带通滤波器而直接照射于使用者的头部。
壳体2被配置成能装戴于使用者的头部，主要包含树脂材料。不过，并不限于包含树脂材料的情况，有时也可包含以金属、陶瓷、木材、布为代表的其他的各种材料。
更详细而言，如图1的(c)所示，壳体2具有在使用者装戴着的情况下覆盖使用者的头部的形状。
发光二极管3由未图示的电池以及电路提供电力，照射红色光。此外，多个发光二极管3装配于安装构件4的各处。如图1的(f)所示，多个发光二极管3的照射角度约为120°，并以使各自照射的红色光相互重叠的方式配置于安装构件4。在本实施方式中，装配有约80个发光二极管3，但并不限于此，能根据从发光二极管3射出的光的强度、用途选择最优数量的发光二极管。
接着，参照图2，对安装构件4进行说明。在此，图2是本发明的实施方式的育发生发刺激装置的透视图(a)以及安装构件的俯视图(b)。
如图2的(b)所示，安装构件4包含树脂材料，是被切出有切口的平面板，在各处以规定的间隔装配有发光二极管3。如图2的(a)所示，该安装构件4以沿着使用者的头部形状被折曲的状态装配于壳体2。
接着，参照图3，对保持构件5进行说明。在此，图3是示意性地示出本发明的实施方式的保持构件5的功能的侧面剖视图。保持构件5包含具有透光性的树脂材料，被配置成与装配于安装构件4的发光二极管3相距规定的固定距离，该安装构件4配置于壳体2的内部。保持构件5与发光二极管3之间的距离可以举例示出5～50mm，但并不限于此。
当使用者装戴育发生发刺激装置1时，使用者的头部10会与保持构件5接触。由此，能使从各发光二极管3到使用者的头部10的距离大致固定。此外，在使用者装戴着育发生发刺激装置1的情况下，保持构件5保持使用者的头部10的顶部附近，同时壳体2内侧的下端部保持使用者的头侧部，壳体2固定于使用者的头部。
如上所述，通过保持构件5将头部10保持在壳体2内的规定的位置，使用者的头部10以及多个发光二极管3之间的距离大致固定，因此，能使射到使用者的头部的光的照射能量为固定。
需要说明的是，保持构件5除了具有如图3所示的形状的情况以外，也能通过具有例如从安装构件4向下侧突出的突起部的形状而与使用者的头部接触，使从发光二极管3到使用者的头部10的距离大致固定。
在本实施方式的育发生发刺激装置1中，设定了发光二极管3的输出以及发光二极管3与保持构件5之间的距离，使得从多个发光二极管3射出的光以3J/cm2以上6J/cm2以下的照射能量射到使用者的头部。
此外，优选多个发光二极管3所照射的红色光的峰值波长为630nm以上660nm以下，特别优选约为630nm。此外，射出的光的波长的半峰宽为15nm以上20nm以下。对于由此得到的效果在后文详述。
本实施方式的育发生发刺激装置1具备计时器，当发光二极管3开始照射后经过了一定时间时，为了安全而控制其停止照射。此外，也能设定为仅进行规定时间的照射，还能进行根据时间来变更照射的强度的控制。
(一实施方式的育发生发刺激装置的效果的验证)
为了验证上述的实施方式的育发生发刺激装置1的效果，在与该装置同等的条件下进行了实验。图4是用于说明本发明的实施方式的育发生发刺激装置的效果的验证(实验一)的图。图5是用于说明本发明的实施方式的育发生发刺激装置的效果的验证(实验二)的图表。
(实验方法的说明)
作为实验的准备阶段，使用加入了10％FCS的DMEM进行培养直至培养皿内即将充满正常人类毛乳头细胞，将培养液更换为不含酚红、抗生素的培养液，之后，如图4的(a)所示，在规定的条件下用红色发光二极管进行了照射。对于照射条件，将从毛乳头细胞到红色发光二极管的距离设为3cm，将照射时间设为20分钟。
首先，进行了实验一，作为照射条件，将发光二极管的中心波长设为630nm、半峰宽设为20nm，将照射能量设为0.6、2.7、5.6、16、26J/cm2。然后，在照射6个小时之后回收毛乳头细胞并提取RNA(核糖核酸)。使用该RNA，按每种照射能量，通过半定量RT-PCR方法对作为具有毛发生长刺激作用的因子的HGF、KGF、Leptin、VEGF-α的mRNA量的变化进行了比较研究。
参照图4的(b)对该实验一的结果进行说明。在实验一中，毛乳头细胞中的Leptin、VEGF-α、HGF、KGF的mRNA表达量分别在照射能量为0.6J/cm2至5.6J/cm2的情况下增加，但在16J/cm2至对照水平(control level)(无照射，以图中的C来表示)的情况下降低。与之相对，虽然与毛发生长刺激无直接关系，但作为对照的GAPDH的mRNA表达量在各照射能量中没有变化。由此，判明通过适当的照射能量范围内的红色光的照射，四个毛发生长刺激作用因子的生成增加了。
接着，对实验二进行说明。在实验二中，对如上所述培养至即将充满正常人类毛乳头细胞的培养皿，关于毛发生长刺激作用因子的生成，进行了以下情况的比较：通过基于现有技术的照射条件进行了照射的情况、作为对照不进行照射情况以及通过本实施方式的育发生发刺激装置的照射条件进行了照射的情况。
作为现有技术的照射条件，将带通滤波器与中心波长约为638nm的发光二极管组合，使半峰宽超窄化为10nm，以1.2/cm2的照射能量进行了照射。
作为本实施方式的育发生发刺激装置的照射条件，使用中心波长约为630nm、半峰宽为20nm的发光二极管，不经由带通滤波器地以3、6、9、12J/cm2的照射能量进行直接照射。
在上述的照射条件下，在第一天、第二天、第三天分别通过发光二极管进行照射(或无照射)后，在第四天回收该培养液，并通过ELISA法对培养上清液中的VEGF-α的蛋白浓度进行测定比较。此外，也对作为对照而不照射红色光的毛乳头细胞的VEGF-α的蛋白浓度进行测定。
参照图5对该实验二的结果进行说明。从图5可以清楚地知道，在按本实施方式的育发生发刺激装置的照射条件而以3、6、9、12J/cm2的照射能量进行了直接照射的情况下，从毛乳头细胞生成增加的VEGF-α的表达量(浓度)约为1500pg/ml(参照右侧四个柱状图)。由此，能确认作为毛发生长刺激作用因子之一的VEGF-α的生成的增加。
需要说明的是，作为进一步研究的成果，判明了在照射能量为3J/cm2以上6J/cm2以下的情况下，具有有效的毛发生长刺激作用。需要说明的是，发现了在照射能量超过6J/cm2的情况下，mRNA的表达量降低。
作为现有技术的照射条件，从经由带通滤波器以1.2/cm2的照射能量进行了照射的毛乳头细胞生成的VEGF-α的表达量(浓度)也约为1500pg/ml(参照最左侧的柱状图)。该情况下，也能确认作为毛发生长刺激作用因子之一的VEGF-α的生成的增加。
另一方面，确认了与照射红色光的情况相比，从作为对照完全未照射红色光的毛乳头细胞生成的VEGF-α的表达量(参照从左侧起第二个柱状图)较少。
在以本实施方式的育发生发刺激装置的照射条件而使用半峰宽为20nm的发光二极管进行了照射的情况下，能确认毛发生长刺激作用因子的增加。因此，如果发光二极管的半峰宽为20nm以下，则能期待同样的毛发生长刺激作用因子的增加。而且，能通过采用无带通滤波器的发光二极管来期待比现有装置更小型化。
另一方面，对于不使用带通滤波器的半峰宽为10nm以下的发光二极管，在市场上难以入手，育发生发刺激装置的制造成本恐怕会显著上升。但是，对于不使用带通滤波器的半峰宽为15nm以上的发光二极管，在市场上能够买到，能期待育发生发刺激装置的制造成本的降低。
如上所述，在本实施方式的育发生发刺激装置1中，使用射出峰值波长范围为630nm以上660nm以下、半峰宽为15nm以上20nm以下的光的发光二极管3，不经由带通滤波器而进行直接照射，由此，能不使用半峰宽为10nm以下的超窄谱光而稳定地获得充分的育发生发刺激效果。此外，由于不需要色散透镜，因此能实现小型化的装置。
特别是，在中心波长为630nm的情况下，可以期待生成更多的毛发生长刺激作用因子。此外，在以3J/cm2以上6J/cm2以下的照射能量射到使用者的头部的情况下，能期待生成更多的毛发生长刺激作用因子。
虽然对本发明的实施方式进行了说明，但本公开内容可以在构成的细节上发生变化，也可以不脱离本发明的范围以及思想地实现对实施方式中的要素的组合、顺序的变化等。
附图标记说明
1 育发生发刺激装置；
2 壳体；
3 发光二极管；
4 安装构件；
5 保持构件；
10 使用者的头部。

Claims (3)

1.一种育发生发刺激装置，其特征在于，具备：
壳体，具有覆盖使用者的头部的形状；
多个发光二极管，装配于所述壳体内部，射出峰值波长范围为630nm以上660nm以下、半峰宽为15nm以上20nm以下的光；以及
安装构件，其是具有长尺寸方向和短尺寸方向的、被切出有切口的平面板，所述长尺寸方向被配置为使用者的前头部至后头部的方向，在各处以规定的间隔装配有所述发光二极管，并以沿着使用者的头部形状被折曲的状态装配于所述壳体，
所述多个发光二极管以从所述多个发光二极管以照射角度大致120°射出的光相互重叠地直接照射于使用者的前头部至后头部而不受遮挡物的影响的方式装配于所述壳体内部。
2.根据权利要求1所述的育发生发刺激装置，其特征在于，
所述多个发光二极管所照射的光的峰值波长约为630nm。
3.根据权利要求1或2所述的育发生发刺激装置，其特征在于，
从所述多个发光二极管射出的光以3J/cm2以上6J/cm2以下的照射能量射到使用者的头部。
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